JP2008174397A - 多結晶シリコンの鋳造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボを誘導コイル内に配置し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により、前記冷却ルツボ内にシリコン融液を形成し、前記シリコン融液を凝固させつつ下方へ引き抜く多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記誘導コイルを流れる交流電流の周波数を25〜35kHzとする。本発明の多結晶シリコンの鋳造方法によれば、溶融シリコンを凝固させインゴットを製造する際に、インゴット表面の急冷を防止するとともに、ルツボ内の溶融シリコンの撹拌を抑制して、粒径の大きな結晶の成長を促進することにより、鋳造される多結晶シリコンの太陽電池としての変換効率を高めることができる。
【選択図】図4
Description
ここで、α、α1およびα2は係数である。
(1)軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボを誘導コイル内に配置し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により、前記冷却ルツボ内にシリコン融液を形成し、前記シリコン融液を凝固させつつ下方へ引き抜く多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記誘導コイルに供給される交流電流の周波数を25〜35kHzとすることを特徴とする多結晶シリコンの鋳造方法。
(2)上記(1)に記載の多結晶シリコンの鋳造方法では、鋳造されるシリコンインゴットの断面形状が一辺300〜450mmの正方形であることが望ましい。
(3)上記(1)または(2)に記載の多結晶シリコンの鋳造方法では、鋳造される前記多結晶シリコンを太陽電池用基板に用いることにより、太陽電池の変換効率を高めることができるので望ましい。
ここで、fは導体に流れる交流電流の周波数である。
3.インゴット 4.引出し口
5.不活性ガス導入口 6.真空吸引口
7.冷却ルツボ 8.誘導コイル
9.アフターヒーター 10.原料導入管
11.シリコン材料 12.溶融シリコン
13.補助ヒーター 14.ガスシール部
15.引き抜き装置 16.ダイヤモンド切断機
17.チル層 18a、18b.柱状晶
19.固液界面
Claims (3)
- 軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボを誘導コイル内に配置し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により、前記冷却ルツボ内にシリコン融液を形成し、前記シリコン融液を凝固させつつ下方へ引き抜く多結晶シリコンの連続鋳造方法において、前記誘導コイルに供給される交流電流の周波数を25〜35kHzとすることを特徴とする多結晶シリコンの鋳造方法。
- 鋳造されるシリコンインゴットの断面形状が一辺300〜450mmの正方形であることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンの鋳造方法。
- 鋳造される前記多結晶シリコンを太陽電池用基板に用いることを特徴とする請求項1または2に記載の多結晶シリコンの鋳造方法。
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