JP4835614B2 - 不揮発性磁気メモリ装置 - Google Patents
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Description
Ms:記録層の飽和磁化
V :記録層の体積
Hk:記録層の異方性磁界
kB:ボルツマン定数
T :記録層の絶対温度
である。
+ 3(λ/Ms)・σ + A (2)
Hc-film:薄膜の状態にある記録層の保磁力
t :記録層の膜厚
W :記録層の磁化困難軸に沿った長さ
f(r):記録層における形状異方性の関数
r :記録層のアスペクト比(磁化容易軸に沿った長さ/磁化困難軸に沿った長さ)
λ :記録層を構成する材料の磁歪定数
σ :磁化容易軸に沿った記録層における応力(正の値は引っ張り応力であり、負
の値は圧縮力である)
A :定数
である。
(A)記録層を有する積層構造体、
(B)積層構造体の下部に電気的に接続された第1の配線、
(C)積層構造体の上部に電気的に接続された第2の配線、並びに、
(D)積層構造体を取り囲む層間絶縁層、
から成る磁気抵抗効果素子を備えている。
層間絶縁層を構成する材料の有するヤング率よりも低いヤング率を有する低ヤング率領域を更に備えており、
記録層は、磁化容易軸、及び、該磁化容易軸と直交する磁化困難軸を有しており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置されており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、低ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置されていることを特徴とする。
層間絶縁層を構成する材料の有するヤング率よりも高いヤング率を有する高ヤング率領域を更に備えており、
記録層は、磁化容易軸、及び、該磁化容易軸と直交する磁化困難軸を有しており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、高ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置されており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、高ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置されていることを特徴とする。
高ヤング率領域、及び、該高ヤング率領域の有するヤング率よりも低いヤング率を有する低ヤング率領域を備えており、
記録層は、磁化容易軸、及び、該磁化容易軸と直交する磁化困難軸を有しており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、高ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置され、低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置されており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、高ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置され、低ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置されていることを特徴とする。
E0−EL≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
E0−EL≧5×1010Pa(50GPa)
を満足するような材料から、適宜、選択すればよい。
EH−E0≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
EH−E0≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよい。
E1−E0≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
E1−E0≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよく、具体的には、上述したIr、Re、Rh、Ru、Mo、W、TiN、TiB2、ZrB2、ZrN、VB2、NbB2、NbC、TaB2、TaC、CrB2、Mo2B5、W2B5、WCを挙げることができるし、あるいは又、例えば4×1011Pa以上のヤング率E1を有する材料から、適宜、選択すればよいし、あるいは又、記録層に、1×108Pa乃至5×109Paの圧縮応力を加え得る材料から、適宜、選択すればよい。また、第2の配線(例えば、所謂ビット線として機能する)を構成する材料として、上述した種々の材料を例示することができるが、低ヤング率領域を第2の配線の延在部から構成する場合、第2の配線を構成する材料を、例えば、
E0−E2≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
E0−E2≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよい。一方、高ヤング率領域を第2の配線の延在部から構成する場合、第2の配線を構成する材料を、例えば、
E2−E0≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
E2−E0≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよい。
E0−EU≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
E0−EU≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよい。一方、高ヤング率領域を第2の配線を取り囲む上層絶縁層の延在部から構成する場合、係る上層絶縁層を構成する材料として、SiN系(Si3N4)が代表であるが、SiOC、SiO、SiCNや、低誘電率を有する絶縁材料である有機SOG、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料を使用することもできる。一般に、低誘電率絶縁材料は低ヤング率の材料とされているが、成膜方法の工夫や積層化等により高ヤング率化させることが可能であるため、特に限定されるものではない。あるいは又、上層絶縁層を構成する材料を、例えば、
EU−E0≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
EU−E0≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよい。
EC−E0≧1×1010Pa(10GPa)
好ましくは、
EC−E0≧5×1010Pa
を満足するような材料から、適宜、選択すればよいし、あるいは又、例えば4×1011Pa以上のヤング率ECを有する材料から、適宜、選択すればよいし、あるいは又、記録層に、1×108Pa乃至5×109Paの圧縮応力を加え得る材料から、適宜、選択すればよい。
半導体基板に形成された選択用トランジスタ、及び、
選択用トランジスタを覆う下層絶縁層、
を備え、
下層絶縁層上に第1の配線が形成されており、
第1の配線が、下層絶縁層に設けられた接続孔(あるいは接続孔とランディングパッド部や下層配線)を介して選択用トランジスタに電気的に接続されており、
層間絶縁層は、下層絶縁層及び第1の配線を覆い、積層構造体を取り囲んでおり、
第2の配線は層間絶縁層上に形成されている構成を例示することができる。
(1−A)低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置されており(本発明の第1の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置)、あるいは又、
(1−B)高ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置されており、(本発明の第2の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置)、あるいは又、
(1−C)高ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置され、低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置されている(本発明の第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置)。
従って、記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、記録層の磁化容易軸に沿って、記録層に大きな引っ張り応力(σ)を加えることができる。
(2−A)低ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置されており(本発明の第1の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置)、あるいは又、
(2−B)高ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置されており、(本発明の第2の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置)、あるいは又、
(2−C)高ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に配置され、低ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に配置されている(本発明の第3の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置)。
従って、記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、記録層の磁化容易軸に沿って、記録層に大きな圧縮応力(σ)を加えることができる。
(A)記録層53を有する積層構造体50、
(B)積層構造体50の下部に電気的に接続された第1の配線41、
(C)積層構造体50の上部に電気的に接続された第2の配線42、並びに、
(D)積層構造体50を取り囲む層間絶縁層26、
から成る磁気抵抗効果素子30を備えている。尚、実施例1〜実施例10にあっては、磁気抵抗効果素子30は、スピン注入による磁化反転を応用したスピン注入型磁気抵抗効果素子から成る。
記録層53
厚さ約3nmのCo−Fe−B層
非磁性体膜(トンネル絶縁膜)52
厚さ1.0nmのMgO膜
磁化参照層(SAFを持つ多層膜)51(図面では1層で示す)
上層:Co−Fe−B層
中層:Ru層
下層:Co−Fe層、
層間絶縁層26のヤング率E0 :約2.2×1011Pa
接続部62を構成する材料のヤング率EC :約5.9×1011Pa
先ず、周知の方法に基づき、シリコン半導体基板10に素子分離領域11を形成し、素子分離領域11によって囲まれたシリコン半導体基板10の部分に、ゲート酸化膜13、ゲート電極12、ソース/ドレイン領域14A,14Bから成る選択用トランジスタTRを形成する。次いで、第1下層絶縁層21を形成し、ソース/ドレイン領域14Aの上方の第1下層絶縁層21の部分にタングステンプラグ15を形成し、更には、第1下層絶縁層21上にセンス線16を形成する。その後、全面に第2下層絶縁層24を形成し、ソース/ドレイン領域14Bの上方の下層絶縁層21,24の部分にタングステンプラグから成る接続孔22を形成する。こうして、下層絶縁層21,24で覆われた選択用トランジスタTRを得ることができる。
その後、スパッタリング法にて、真空中での連続成膜にて、全面に、2層構造の第1の配線41、積層構造体50、キャップ層61、接続部62を形成する。尚、スパッタリングの際、半導体基板を傾けながら接続部62を成膜することで、記録層の磁化容易軸に沿った応力の増加を図ることが好ましい。
プロセスガス :アルゴン=100sccm
成膜雰囲気圧力:0.6Pa
DCパワー :200W
[磁化参照層51]
下層
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :100W
中層
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :50W
上層
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :100W
[非磁性体膜52]
プロセスガス :アルゴン=100sccm
成膜雰囲気圧力:1.0Pa
RFパワー :500W
[記録層53]
プロセスガス :アルゴン=50sccm
成膜雰囲気圧力:0.3Pa
DCパワー :200W
[キャップ層61]
プロセスガス :アルゴン=100sccm
成膜雰囲気圧力:0.6Pa
DCパワー :200W
[接続部62]
プロセスガス :アルゴン=30sccm
反応性ガス :N2=70sccm
成膜雰囲気圧力:0.7Pa
DCパワー :10kW
その後、得られた第1の配線41、積層構造体50、キャップ層61、接続部62の上にSiO2から成るハードマスク層(図示せず)をバイアス高密度プラズマCVD(HDP−CVD)法にて形成し、ハードマスク層上にパターニングされたレジスト層を形成して、ドライエッチング法にてハードマスク層をエッチングし、レジスト層をアッシング処理にて除去する。その後、ハードマスク層をエッチング用マスクとして、接続部62、キャップ層61及び積層構造体50を反応性イオンエッチング法(RIE法)に基づきエッチングして、図1の(B)に点線で模式的な平面図を示すような楕円形状の積層構造体50を設ける。尚、場合によっては、積層構造体50の内の記録層53までエッチングを行い、この時点では、非磁性体膜(トンネル絶縁膜)52及び磁化参照層51のエッチングを行わなくともよい。また、接続部62、キャップ層61及び記録層53をRIE法によってパターニングする代わりに、イオンミリング法(イオンビームエッチング法)に基づきパターニングすることもできる。その後、エッチング用マスクを形成して、第1の配線41のパターニングを行う。非磁性体膜52及び磁化参照層51のエッチングを行わなかった場合には、この時点で、非磁性体膜52及び磁化参照層51のエッチングを行えばよい。
次いで、全面に、プラズマCVD法にてSiN層から成る層間絶縁層26を成膜した後、層間絶縁層26及びハードマスク層を化学的機械的研磨法(CMP法)にて平坦化し、接続部62を露出させる。
その後、全面に、プラズマCVD法にて形成されたシリコン酸化膜(P−SiO)から成る上層絶縁層28(図1の(B)参照)を形成し、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、この上層絶縁層28に第2の配線42を形成するための凹部(溝部)を形成し、更には、溝部の底部に、低ヤング率領域71を形成するための孔部27を層間絶縁層26に設ける。
次いで、例えば、メッキ法にて、上層絶縁層28上、溝部の内部、層間絶縁層26に設けられた孔部27の内部に、銅層、銅から成る第2の配線42、及び、第2の配線42の延在部43から成る低ヤング率領域71を形成する。その後、CMP法にて、上層絶縁層28上の銅層を除去する。こうして、図1の(A)及び(B)に示した構造の不揮発性磁気メモリ装置を得ることができる。
実施例試作品:Δ=82[保磁力Hc:約150(Oe)]
比較例試作品:Δ=63[保磁力Hc:約100(Oe)]
先ず、実施例1の[工程−100]〜[工程−130]と同様の工程を実行する。
その後、低ヤング率領域271を形成するための溝部227を、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、層間絶縁層26に設ける。次に、全面に上層絶縁層228を形成して溝部227を埋め込んだ後、第2の配線242を形成すべき部分の上層絶縁層228に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、溝部(凹部)を形成する。
次いで、例えば、メッキ法にて、上層絶縁層228上及び溝部の内部に、銅層、銅から成る第2の配線242を形成する。その後、CMP法にて、上層絶縁層228上の銅層を除去する。こうして、図4の(A)及び(B)に示した構造の不揮発性磁気メモリ装置を得ることができる。
記録層の平面形状は、菱形疑似形状から成り、
菱形疑似形状を構成する4つの辺の内の少なくとも2つの辺のそれぞれは、菱形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
記録層の磁化容易軸は、菱形疑似形状の長軸と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、菱形疑似形状の短軸と略平行であり、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第1の平面形状』と呼ぶ。
記録層の平面形状は、4つの辺から構成されており、
4つの辺の内の少なくとも2つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
長軸、及び、長軸の二等分点で長軸と直交する短軸を有し、長軸が記録層の磁化容易軸と略平行であり、短軸が記録層の磁化困難軸と略平行である仮想菱形に、記録層の平面形状は内接しており、
滑らかな曲線から構成された辺は、仮想菱形の対応する辺と少なくとも2点で接しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第2の平面形状』と呼ぶ。
(a)仮想菱形の辺に接する少なくとも2点の内、仮想菱形の短軸に最も近い所に位置する点をガウス座標の原点(0,0)、
(b)仮想菱形の辺に接する少なくとも2点の内、仮想菱形の長軸に最も近い所に位置する点を(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸との交点を(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸との交点を(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
としたときであって、
辺を実変数関数F(X)で表現し、仮想菱形における長軸と短軸の交点が第3象限若しくは第4象限に位置するとしたとき、
実変数関数F(X)は、区間XS<X<XLの各点で連続な微係数を有し、
実変数関数F(X)は、区間0<X<X1において、少なくとも2カ所の変曲点を有する形態とすることが好ましい。
記録層の平面形状は、第1形状、及び、第1形状から相対して突出した2つの突出部から構成されており、
2つの突出部は、突出部軸線上に位置しており、
突出部軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、突出部軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
突出部は、円形の一部、楕円形の一部、長円形の一部及び扁平な円形の一部から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、突出部軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、突出部軸線に沿った2つの突出部の先端部間の距離を2LSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と突出部の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第3の平面形状』と呼ぶ。
記録層の平面形状は、第1形状と、第1形状の中心点と中心点が一致した第2形状とが、第1形状から第2形状が2箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第1形状の中心点を通る第1形状軸線と第2形状の中心点を通る第2形状軸線とは直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
第2形状は、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、第2形状軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、第2形状軸線に沿った第2形状の長さを2LSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と第2形状の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第4の平面形状』と呼ぶ。
記録層の平面形状は、二等辺三角形疑似形状から成り、
二等辺三角形疑似形状の斜辺は、二等辺三角形疑似形状の中心方向に向かって、その中央部が湾曲した滑らかな曲線から成り、
二等辺三角形疑似形状の仮想底辺の長さは、二等辺三角形疑似形状の仮想高さよりも長く、
記録層の磁化容易軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、二等辺三角形疑似形状の底辺と略直交しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第5の平面形状』と呼ぶ。
記録層の平面形状は、3つの辺から構成されており、
3つの辺の内の少なくとも2つの辺は滑らかな曲線から構成されており、
仮想底辺の長さが2Li-Bであり、仮想高さがHi[但し、Hi<Li-B]であり、底辺が記録層の磁化容易軸と略平行であり、底辺に対する垂線が記録層の磁化困難軸と略平行である仮想二等辺三角形に、記録層の平面形状は内接しており、
滑らかな曲線から構成された辺は、仮想二等辺三角形の対応する斜辺と少なくとも2点で接しており、
記録層の平面形状を構成する各辺は、相互に滑らかに結ばれている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第6の平面形状』と呼ぶ。
(a)仮想二等辺三角形の斜辺に接する少なくとも2点の内、2つの斜辺の交点に最も近い所に位置する点をガウス座標の原点(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺に接する少なくとも2点の内、斜辺と底辺との交点に最も近い所に位置する点を(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線との交点を(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺との交点を(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
としたときであって、
辺を実変数関数F(X)で表現し、仮想二等辺三角形の底辺の垂直二等分線と底辺との交点が第3象限若しくは第4象限に位置するとしたとき、
実変数関数F(X)は、区間XS<X<XLの各点で連続な微係数を有し、
実変数関数F(X)は、区間0<X<X1において、少なくとも2カ所の変曲点を有する形態とすることが好ましい。
記録層の平面形状は、第1形状、及び、第1形状から突出した1つの突出部から構成されており、
突出部は、突出部軸線上に位置しており、
突出部軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、突出部軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
突出部は、円形の一部、楕円形の一部、長円形の一部及び扁平な円形の一部から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、突出部軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、突出部軸線に沿った突出部の先端部から第1形状の中心点までの距離をLSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と突出部の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第7の平面形状』と呼ぶ。
記録層の平面形状は、第1形状と第2形状とが、第1形状から第2形状が1箇所において突出した重ね合わせ形状を有しており、
第2形状は、第2形状軸線上に位置しており、
第2形状軸線は第1形状の中心点を通り、且つ、第2形状軸線は、第1形状の中心点を通る第1形状軸線と直交しており、
第1形状は、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
第2形状は、円形、楕円形、長円形及び扁平な円形から成る形状群から選択された1種類の形状から成り、
記録層の磁化容易軸は、第1形状軸線と略平行であり、
記録層の磁化困難軸は、第2形状軸線と略平行であり、
第1形状軸線に沿った第1形状の長さを2LL、第2形状軸線に沿った第2形状の先端部から第1形状の中心点までの距離をLSとしたとき、LL>LSを満足しており、
第1形状の外形線と第2形状の外形線とが交わる部分は、滑らかな曲線から構成されている構成とすることができる。尚、記録層のこのような平面形状を、便宜上、『第8の平面形状』と呼ぶ。
(a)仮想菱形の辺TL1に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点A0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL1に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をA1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をAD5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想菱形の辺TL2に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点B0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL2に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をB1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をBC5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想菱形の辺TL3に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点C0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL3に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をC1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をCD2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をBC5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想菱形の辺TL4に接する2点の内、仮想菱形の短軸SXに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点D0(0,0)、
(b)仮想菱形の辺TL4に接する2点の内、仮想菱形の長軸LXに最も近い所に位置する点をD1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想菱形の短軸SXとの交点をCD2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想菱形の長軸LXとの交点をAD5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想二等辺三角形の斜辺TL1に接する2点の内、2つの斜辺TL1,TL2の交点ABに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点A0(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺TL1に接する2点の内、斜辺TL1と底辺TL3との交点ACに最も近い所に位置する点をA1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺TL3の垂直二等分線との交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺IBとの交点をA5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
(a)仮想二等辺三角形の斜辺TL2に接する2点の内、2つの斜辺TL1,TL2の交点ABに最も近い所に位置する点をガウス座標の原点B0(0,0)、
(b)仮想二等辺三角形の斜辺TL2に接する2点の内、斜辺TL2と底辺TL3との交点BCに最も近い所に位置する点をB1(X1,0)[但し、X1>0]、
(c)仮想二等辺三角形の底辺TL3の垂直二等分線との交点をAB2(XS,YS)[但し、XS<0,YS<0]、
(d)仮想二等辺三角形の仮想底辺IBとの交点をB5(XL,YL)[但し、XL>0,YL<0]、
とする。
Claims (1)
- (A)記録層を有する積層構造体、
(B)積層構造体の下部に電気的に接続された第1の配線、
(C)積層構造体の上部に電気的に接続された第2の配線、並びに、
(D)積層構造体を取り囲む層間絶縁層、
から成る磁気抵抗効果素子を備えた不揮発性磁気メモリ装置であって、
層間絶縁層を構成する材料の有するヤング率よりも低いヤング率を有する低ヤング率領域を更に備えており、
記録層は、磁化容易軸、及び、該磁化容易軸と直交する磁化困難軸を有しており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸の延在領域に、層間絶縁層を介して配置されており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、低ヤング率領域は、記録層の磁化困難軸の延在領域に、層間絶縁層を介して配置されており、
低ヤング率領域は、第2の配線の延在部から成り、層間絶縁層に設けられた孔部内を延びており、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が正の場合、低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸に沿って、記録層に引っ張り応力を加え、
記録層を構成する材料の磁歪定数λの値が負の場合、低ヤング率領域は、記録層の磁化容易軸に沿って、記録層に圧縮応力を加える不揮発性磁気メモリ装置。
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