JP4787592B2 - システムlsi - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施形態に係るシステムLSIの構成を示す図である。図1において、システムLSI(SoC)1は、ロジック回路部11と、その周辺に配置された入出力部12とを備えている。入出力部12は、I/O電源セルとしての2.5V電源セル13と、複数の入出力セル(I/Oセル)14とを備えている。また、ロジック回路部11には、様々なロジック回路やRAM等の他に、第1のI/O電源消費回路としての電気ヒューズ回路15が設けられている。電気ヒューズ回路15は、プログラム電源として2.5V電源セル13を用いる。図2は電気ヒューズ回路の回路図である。そして電気ヒューズ回路15は、I/Oセル14の少なくとも1つ(図1では3個)におけるI/O電源配線から引き出された、第1の配線としての2.5V電源配線16と接続されている。
図5は本発明の第2の実施形態に係るシステムLSIの構成を示す図である。図5において、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付している。図5のシステムLSI2において、ロジック回路部11には、メッシュ状に形成されたグランド配線21が配置されている。また、電気ヒューズ回路15からみてI/Oセル14の反対側に、第2のI/O電源消費回路としての電気ヒューズ回路22が設けられており、この電気ヒューズ回路22は、2.5V電源セル13から電源を供給するための第2の配線としての2.5V配線23によって、電気ヒューズ回路15と接続されている。
図6および図7は本発明の第3の実施形態に係るシステムLSIにおけるI/Oセル群の構成を示す図である。図6および図7において、(a)はレイアウト図、(b)は(a)の破断線X−X’における断面図であり、図3と共通の構成要素には図3と同一の符号を付している。
11 ロジック回路部
12 入出力部
13 2.5V電源セル(I/O電源セル)
14 I/Oセル
14a 第1のI/Oセル
14b 第2のI/Oセル
15 電気ヒューズ回路(第1のI/O電源消費回路)
16 2.5V配線(第1の配線)
19 2.5V配線(I/O電源配線)
21 グランド配線
22 電気ヒューズ回路(第2のI/O電源消費回路)
23 2.5V配線(第2の配線)
31 電気ヒューズ回路(I/O電源消費回路)
32 フィラーセル
33 電気ヒューズ回路(I/O電源消費回路)
41 パッド
Claims (9)
- 入出力部と、ロジック回路部とを備えたシステムLSIであって、
前記入出力部は、
前記ロジック回路部の電源よりも供給電圧が高いI/O電源セルと、
前記I/O電源セルから電源を供給するためのI/O電源配線が設けられた複数のI/Oセルとを備え、
前記ロジック回路部は、
前記I/O電源セルを電源として用いる第1のI/O電源消費回路を備え、
前記第1のI/O電源消費回路は、前記複数のI/Oセルの少なくとも1つにおけるI/O電源配線から引き出された第1の配線と、接続されており、
前記第1のI/O電源消費回路は、前記I/O電源セルをプログラム電源として用いる電気ヒューズ回路である
ことを特徴とするシステムLSI。 - 入出力部と、ロジック回路部とを備えたシステムLSIであって、
前記入出力部は、
前記ロジック回路部の電源よりも供給電圧が高いI/O電源セルと、
前記I/O電源セルから電源を供給するためのI/O電源配線が設けられた複数のI/Oセルとを備え、
前記ロジック回路部は、
前記I/O電源セルを電源として用いる第1のI/O電源消費回路を備え、
前記第1のI/O電源消費回路は、前記複数のI/Oセルの少なくとも1つにおけるI/O電源配線から引き出された第1の配線と、接続されており、
前記ロジック回路部は、
前記第1のI/O電源消費回路からみて前記複数のI/Oセルの反対側に設けられ、前記I/O電源セルを電源として用いる第2のI/O電源消費回路を備え、
前記第2のI/O電源消費回路は、前記第1のI/O電源消費回路と、前記I/O電源セルから電源を供給するための第2の配線によって、接続されている
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項1または2において、
前記入出力部は、前記ロジック回路部の周囲に配置されている
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項1または2において、
前記第1の配線は、前記第1のI/O電源消費回路と、2個以上の前記I/OセルにおけるI/O電源配線とを、接続するものである
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項1または2において、
前記第1の配線は、最下または下から2番目の配線層に形成されている
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項2において、
前記第2の配線は、最下または下から2番目の配線層に形成されている
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項1または2において、
前記ロジック回路部は、メッシュ状に形成されたグランド配線を備え、
前記第1のI/O電源消費回路は、前記グランド配線に接続されている
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項1乃至7のうちいずれか1つにおいて、
前記複数のI/Oセルは、外部端子に接続されるパッドに接続されており、
前記第1のI/O電源消費回路は、前記パッドの下方の層に設けられている
ことを特徴とするシステムLSI。 - 請求項1乃至7のうちいずれか1つにおいて、
前記複数のI/Oセルのうちの第1および第2のI/Oセルのそれぞれが、外部端子に接続されるパッドに接続され、
フィラーセルが、前記第1および第2のI/Oセルの間に設けられ、
前記第1のI/O電源消費回路は、前記フィラーセルの下方の層に設けられている
ことを特徴とするシステムLSI。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005300153A JP4787592B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | システムlsi |
US11/526,816 US7696779B2 (en) | 2005-10-14 | 2006-09-26 | System LSI |
CN200610136176.5A CN1949512B (zh) | 2005-10-14 | 2006-10-13 | 系统lsi |
US12/722,317 US7884642B2 (en) | 2005-10-14 | 2010-03-11 | System LSI |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005300153A JP4787592B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | システムlsi |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007109939A JP2007109939A (ja) | 2007-04-26 |
JP4787592B2 true JP4787592B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37995963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005300153A Active JP4787592B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | システムlsi |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7696779B2 (ja) |
JP (1) | JP4787592B2 (ja) |
CN (1) | CN1949512B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009177044A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Panasonic Corp | 電気ヒューズ回路 |
GB2526825B (en) | 2014-06-03 | 2019-01-09 | Advanced Risc Mach Ltd | An integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry |
GB2526823B (en) | 2014-06-03 | 2018-09-26 | Advanced Risc Mach Ltd | An integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry |
US11908538B2 (en) * | 2020-02-27 | 2024-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cell structures and power routing for integrated circuits |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0453265A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH0453264A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH08195083A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体記憶装置 |
US5708291A (en) | 1995-09-29 | 1998-01-13 | Intel Corporation | Silicide agglomeration fuse device |
JP3369382B2 (ja) * | 1995-12-11 | 2003-01-20 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
AU2439999A (en) * | 1998-04-23 | 1999-11-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of designing power supply circuit and semiconductor chip |
JP2001015704A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
US6480428B2 (en) * | 2000-12-19 | 2002-11-12 | Winbond Electronics Corporation | Redundant circuit for memory device |
JP3485106B2 (ja) * | 2001-05-11 | 2004-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置 |
JP2002368135A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2003059273A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
DE10139956A1 (de) * | 2001-08-21 | 2003-03-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | ESD Schutz für CMOS-Ausgangsstufe |
JP3847147B2 (ja) * | 2001-11-22 | 2006-11-15 | 富士通株式会社 | マルチスレショールド電圧mis集積回路装置及びその回路設計方法 |
JP2004152975A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6836026B1 (en) * | 2003-01-14 | 2004-12-28 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit design for both input output limited and core limited integrated circuits |
JP3842228B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2006-11-08 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置と設計自動化装置及び方法並びにプログラム |
JP4651287B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
US7075179B1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-07-11 | Lsi Logic Corporation | System for implementing a configurable integrated circuit |
US7304497B2 (en) * | 2005-04-29 | 2007-12-04 | Altera Corporation | Methods and apparatus for programmably powering down structured application-specific integrated circuits |
-
2005
- 2005-10-14 JP JP2005300153A patent/JP4787592B2/ja active Active
-
2006
- 2006-09-26 US US11/526,816 patent/US7696779B2/en active Active
- 2006-10-13 CN CN200610136176.5A patent/CN1949512B/zh active Active
-
2010
- 2010-03-11 US US12/722,317 patent/US7884642B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070097573A1 (en) | 2007-05-03 |
CN1949512B (zh) | 2010-11-10 |
US7884642B2 (en) | 2011-02-08 |
US7696779B2 (en) | 2010-04-13 |
US20100164542A1 (en) | 2010-07-01 |
CN1949512A (zh) | 2007-04-18 |
JP2007109939A (ja) | 2007-04-26 |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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