JP4774024B2 - 光ディスク基板および光ディスク - Google Patents
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Description
以上のように、いずれも具体的に示されている手法は、再生可能資源を原料として使用したバイオマス材料を使用し、地球環境に対する負荷を低減した基板材料として良好な特性を示すが、必ずしも十分とはいえないものである。
(A)下記式[1]で表される構成単位[A]と
(i)ASTM D6866 05に準拠して測定された生物起源物質含有率が50%〜100%である
(ii)ISO 75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度が100〜150℃である
(C)下記式[5]で表される一価及び/または多価アルコールの高級脂肪酸エステル0.01〜2重量%、および
(D)燐系安定剤0.0001〜0.5重量%
を含有することを特徴とするポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板、
が提供される。
<ポリカーボネート樹脂>
本発明で使用されるポリカーボネート樹脂は、
(A)下記式[1]で表される構成単位[A]と
(ii)ISO 75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度が100〜150℃である
全構成単位における構成単位[A]の割合の下限は好ましくは70モル%以上、更に好ましくは75モル%以上である。構成単位[A]の割合が65モル%未満の場合、ガラス転移温度が100℃以下となり、樹脂自体の耐熱性が低下する。その結果、光ディスクの高温環境下における熱変形が大きくなるので好ましくない。
本発明に用いるポリカーボネート樹脂組成物は、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも1種の燐系安定剤を含有する。
本発明に用いるポリカーボネート樹脂組成物は、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としては、フェノール系酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレングリコール−ビス(3−(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、1,6−ヘキサンジオール−ビス(3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、ペンタエリスリトール−テトラキス(3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド)、3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、3,9−ビス{1,1−ジメチル−2−[β−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ]エチル}−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は、ポリカーボネート樹脂組成物中0.0001〜0.05重量%である。
また、本発明に用いる脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物は、ISO 75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度は、好ましくは100〜150℃、より好ましくは110〜150℃、更に好ましくは120〜150℃である。荷重たわみ温度が100℃以下の場合、高温負荷試験(温度80℃、相対湿度50%RH、96時間)後の熱変形(反り変化)が大きく、光ディスクを再生するときに、フォーカスエラーやトラッキングエラーなどを起こし信号特性(ジッタ)が悪化するため、好ましくない。また、荷重たわみ温度が150℃以上の場合、流動性が悪くなる為、好ましくない。
本発明に用いる脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物は、そのガラス転移温度が好ましくは100〜170℃、より好ましくは110〜165℃、更に好ましくは120〜165℃である。
ガラス転移温度が100℃よりも低くなると、光ディスクは熱変形を生じ、フォーカスエラーやトラッキングエラーなどを起こして信号特性(ジッタ)が悪化するため、好ましくない。また、ガラス転移温度が170℃以上の場合、流動性が悪化する為、好ましくない。ここで述べているガラス転移温度は、JIS K7121に準拠した示差走査熱量計(DSC)測定により求められる。
本発明の光ディスク基板に用いるポリカーボネート樹脂組成物は、ASTM D6866 05に準拠し、放射性炭素年代測定を利用して測定された放射性炭素C14濃度の値が54〜107pMC(percent modern carbon;C14濃度の単位)である。すなわち、バイオマス成分の含有量を表す生物起源物質含有率に換算すると50%〜100%である。好ましくは55%〜100%であり、更に好ましくは60%〜100%である。生物起源物質含有率が50%未満の場合、バイオマス材料の含有率が低くなり、地球環境に対する負荷が大きくなり好ましくない。尚、このASTM D6866 05は、放射性炭素年代測定の利用により生物起源物質含有率を求める指標である。
本発明の光ディスク基板に用いられるポリカーボネート樹脂組成物は、加工性および光学特性の点から、その重合度は比較的に低い値である。すなわち比粘度で表わして、0.2〜0.6の範囲が適当であり、0.2〜0.4の範囲がより好ましい。この範囲の比粘度を有するポリカーボネート樹脂組成物は、流動性に優れ、溶融射出成形により容易に光ディスク基板に成形加工することができて、しかも得られた基板は光学歪みが極めて少ない。ここで述べている比粘度とは、塩化メチレン100mlにポリカーボネート樹脂0.7gを溶解し、その溶液の20℃における比粘度の測定値を示している。
本発明に用いる脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物において、ISO 178に準拠して測定された曲げ弾性率は、好ましくは3,000〜4,000MPa、より好ましくは3,300〜4,000MPa、更に好ましくは3,600〜4,000MPaである。曲げ弾性率が3,000MPa以下の場合、光ディスクを高速回転させた時の振動による変形が大きくなりやすいので好ましくない。また、曲げ弾性率が4,000MPa以上の場合、射出成形時のスタンパーの凹凸に対する転写性が劣る為、好ましくない。
本発明の光ディスク基板に用いるポリカーボネート樹脂組成物を製造する方法として、上記式[1]を構成するエーテルジオール、上記式[2]を構成する2価フェノールおよび/またはジオール、ならびに炭酸ジエステルとから溶融重合法により重合する方法を好ましく挙げることができる。溶融重合法においては不活性ガスの存在下にジヒドロキシ化合物とカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコールまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常120〜350℃の範囲である。反応後期には反応系を1330〜13.3Pa程度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常1〜4時間程度である。
カーボネートエステルはジヒドロキシ化合物1モル当り0.97〜1.2モルの範囲の割合で使用するのが好ましく、1.0〜1.1モルの範囲の割合で使用するのが特に好ましい。
本発明の一態様は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層からなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び/または再生を行う方式の光ディスクであって、支持基板及び/または光透過層が、上記のポリカーボネート樹脂組成物からなることを特徴とするポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板である。
射出成形の条件としてはシリンダー温度が好ましくは220〜380℃、より好ましくは260〜360℃、並びに金型温度が好ましくは50〜180℃、より好ましくは60〜120℃であり、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
本発明の一態様は、上記のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板を支持基板及び/または光透過層として有する、支持基板、該支持基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層からなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び/または再生を行う方式の光ディスクである。
なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。
本発明のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板を用いた光ディスクの低温負荷試験における反り変化に関しては以下の測定法を用いる。すなわち、ディスクを温度23℃、湿度50%RHの環境下で中心から58mm部の初期チルトを測定後、温度50℃、湿度50%RHの環境下で96時間経過後、温度23℃、湿度50%RHの環境に24時間放置後に測定した中心から58mm部における処理後チルトの値の差(Δチルト)を比較するものである。このときのΔチルトは小野測器製光ディスク機械特性測定装置LM−1200にて測定するものであり、0.9度以内、好ましくは0.7度以内、更に好ましくは0.5度以内であることが好ましい。
本発明のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板を用いた光ディスクの高温負荷試験における反り変化に関しては以下の測定法を用いる。すなわち、ディスクを温度23℃、湿度50%RHの環境下で中心から58mm部の初期チルトを測定後、温度80℃、湿度50%RHの環境下に移し、96時間経過後、取り出し温度23℃、湿度50%RHの環境に24時間放置後に測定した中心から58mm部における処理後チルトの値の差(Δチルト)を比較したものである。このときのΔチルトは小野測器製光ディスク機械特性測定装置LM−1200にて測定するものであり、0.9度以内、好ましくは0.7度以内、更に好ましくは0.5度以内であることが好ましい。
本発明の脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板を用いた光ディスクの初期信号特性に関しては、以下の測定法を用いる。すなわち、初期ラジアルチルトを評価した光ディスクをパルステック工業製ODU−1000にてジッタ測定を行う。通信分野における時間軸のずれを表すジッタは、信号特性を表す指標の一つで、8.0%未満が好ましい。8.0%以上の値を示した場合には、光ディスク再生時の音質、画質の低下を引き起こす為好ましくない。
上記低温負荷試験後にてΔチルトを測定した光ディスクを用いてパルステック工業製ODU−1000にてジッタ測定を行い、好ましくは8.0%未満、より好ましくは7.0%未満、更に好ましくは6.5%未満である。
上記高温負荷試験後にてΔチルトを測定した光ディスクを用いてパルステック工業製ODU−1000にてジッタ測定を行い、好ましくは8.0%未満、より好ましくは7.0%未満、更に好ましくは6.5%未満であることが好ましい。
(1)ガラス転移温度
TAインスツルメント社製の熱分析システムDSC−2910を使用して、JIS K7121に従い窒素雰囲気下(窒素流量:40ml/min)、昇温速度:20℃/minの条件下で測定した。
(2)比粘度
塩化メチレン100mlにポリカーボネート樹脂0.7gを溶解し、その溶液の20℃における比粘度(ηsp)を測定した。
(3)荷重たわみ温度(0.45MPa)
ISO75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度を測定した。
(4)曲げ弾性率
日本製鋼所製射出成形機 J−75E3を用いてシリンダ温度260℃、金型温度80℃にて曲げ試験片を成形した。曲げ試験をISO178に準拠して行った。
(5)初期ラジアルチルト
小野測器製光ディスク機械特性測定装置LM−1200にて、温度23℃、湿度50%RHの環境下で光ディスクの中心から58mm部におけるラジアルチルトを測定し、初期ラジアルチルトとした。
(6)低温負荷試験後のラジアルチルト変化量(ΔラジアルチルトA)
初期ラジアルチルトを評価した光ディスクを温度50度、湿度50%RHの環境下に96時間置き、その後、温度23℃、湿度50%RHの常温常湿下で24時間放置後、小野測器製光ディスク機械特性測定装置LM−1200にて、光ディスクの中心から58mm部におけるラジアルチルトを測定し、初期ラジアルチルトとの差を算出した。
(7)高温負荷試験後のラジアルチルト変化量(ΔラジアルチルトB)
初期ラジアルチルトを評価した光ディスクを温度80度、湿度50%RHの環境下に96時間置き、その後、温度23℃、湿度50%RHの常温常湿下で24時間放置後、小野測器製光ディスク機械特性測定装置LM−1200にて、光ディスクの中心から58mm部におけるラジアルチルトを測定し、初期ラジアルチルトとの差を算出した。
(8)初期信号特性(初期ジッタ)
初期ラジアルチルトを評価した光ディスクをパルステック工業製ODU−1000にてジッタ測定を行った。測定したジッタ値が6.5%未満を○、6.5%以上〜8.0%未満を△、8.0%以上を示した場合を×とした。
(9)低温負荷試験後の信号特性(ジッタA)
ΔラジアルチルトAを評価した光ディスクを用いてパルステック工業製ODU−1000にてジッタ測定を行った。測定したジッタ値が6.5%未満を○、6.5%以上〜8.0%未満を△、8.0%以上を示した場合を×とした。
(10)高温負荷試験後の信号特性(ジッタB)
ΔラジアルチルトBを評価した光ディスクを用いてパルステック工業製ODU−1000にてジッタ測定を行った。測定したジッタ値が6.5%未満を○、6.5%以上〜8.0%未満を△、8.0%以上を示した場合を×とした。
(11)生物起源物質含有率
ASTM D6866 05に準拠し、放射性炭素濃度(percent modern carbon;C14)による生物起源物質含有率試験から、生物起源物質含有率を測定した。
<ポリカーボネート樹脂組成物の製造>
イソソルビド70.84重量部と1,3−プロパンジオール9.21重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とを反応器に入れ、重合触媒としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを5.4×10−3重量部(ジオール成分1モルに対して1×10−4モル)、および2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン二ナトリウム塩を8.2×10−3重量部(ジオール成分1モルに対して0.5×10−6モル)仕込んで窒素雰囲気下180℃で溶融した。
撹拌下、反応槽内を13.3×10−3MPaに減圧し、生成するフェノールを留去しながら20分間反応させた。次に200℃に昇温した後、徐々に減圧し、フェノールを留去しながら4.00×10−3MPaで25分間反応させ、さらに、215℃に昇温して10分間反応させた。
該ポリマーを塩化メチレンに溶解させ、目開き0.3μmのフィルターに通過させ、さらに軸受け部に異物取出口を有する隔離室付きニーダー中の温水に滴下、塩化メチレンを留去しながら得られたポリマーをフレーク化し、引き続き該含有液フレークを粉砕・乾燥してパウダーを得た。
該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源物質含有率を表1に掲載した。
次に、該ペレットから、名機製作所製射出成形機 M35B−D−DMを用い、直径120mm、キャビティ厚0.6mmの金型にDVD規格に準拠した信号ピットが形成されたスタンパーを取り付けて、シリンダー温度260℃、金型温度82℃、冷却時間10秒で光ディスク基板を成形した。
この得られたディスク基板(図1中、基板1(支持基板))の信号面側にDCスパッタリング法により膜厚70nmのAl膜よりなる反射膜(図1中、反射膜)をスパッタ蒸着させた。反射膜表面に接着剤として紫外線硬化樹脂(共栄化学製:変性ウレタンアクリレートNo.589)を塗布し、成形したディスク基板(図1中、基板2(光透過層))を貼り合せ、回転数2000rpmでスピン塗布したのち、紫外線を照射し、光ディスクを作成した。
該光ディスクの初期ラジアルチルトと初期ジッタ測定を行った。その後、初期ラジアルチルトを評価した光ディスクを用いて、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、試験後のラジアルチルトの変化量(ΔラジアルチルトA,B)、ジッタ(ジッタA,B)の評価結果を表1に記載した。
イソソルビド88.56重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とし、反応温度を250℃まで昇温した後、最終的に250℃,6.66×10−5MPaで1時間20分反応せしめた以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
イソソルビド61.96重量部と1,3−プロパンジオール13.83重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
イソソルビド66.42重量部と2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン34.84重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
イソソルビド66.42重量部と1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)デカン49.38重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様の手法でポリカーボネートパウダーを得たあと、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイトのかわりにテトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト(チバスペシャリティ・ケミカルズ製IrgafosEPQ)を0.0025重量%添加とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様の手法でポリカーボネートパウダーを得たあと、トリス(2,4−ジdi−tert−ブチルフェニル)ホスファイトのかわりにビス(2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト((株)アデカ製アデカスタブPEP−36)を0.0025重量%添加とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様の手法でポリカーボネートパウダーを得たあと、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイトのかわりにジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト((株)アデカ製アデカスタブPEP−8)を0.0025重量%添加とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
イソソルビド44.26重量部と1,3−プロパンジオール23.05重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
イソソルビド44.26重量部と2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン69.69重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
イソソルビド44.26重量部と1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)デカン98.77重量部とジフェニルカーボネート129.81重量部とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
実施例1と同様にしてポリカーボネートパウダー得た後、該パウダーにトリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト(チバスペシャリティ・ケミカルズ製Irgafos168)のみを0.0025重量%となるように添加した以外は実施例1と同様にして、ペレットを得た。該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。該ペレットから、実施例1と同様に光ディスク基板の成形を実施したところ、金型から光ディスク基板の離型性が悪く、評価可能な光ディスク基板は得られなかった。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスク基板とそれを使用した光ディスクを作成し、初期ラジアルチルトを測定したところ測定不可であった。
実施例1と同様にしてパウダー得、その後、該パウダーにステアリン酸モノグリセリドのみを0.05重量%とした以外は実施例1と同様にして、ペレットを得た。該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を表1に記載した。該ペレットから、実施例1と同様に光ディスク基板の成形を実施したところ、光ディスク基板の色相が悪化し、評価可能な光ディスク基板は得られなかった。さらに、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定したところジッタが測定不可であった。
ポリ乳酸樹脂(三井化学製LACEA H−100J)を使用して、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を測定し、表1に記載した。さらに、金型温度を30℃に変更し、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
帝人化成製ポリカーボネート樹脂パンライトAD−5503を使用して、該ペレットの比粘度、ガラス転移温度、荷重たわみ温度、曲げ弾性率、生物起源含有率を測定し、表1に記載した。さらに、金型温度を30℃に変更し、実施例1と同様の方法で光ディスクを作成し、初期ラジアルチルト、ジッタを測定し、表1に記載した。また、低温負荷試験、高温負荷試験を行い、ΔラジアルチルトA,B及びジッタA,Bを測定し、表1に記載した。
2.反射膜
3.接着層
4.基板2(光透過層)
Claims (15)
- (A)下記式[1]で表される構成単位[A]と
(i)ASTM D6866 05に準拠して測定された生物起源物質含有率が50%〜100%である
(ii)ISO 75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度が100〜150℃である
(C)下記式[5]で表される一価及び/または多価アルコールの高級脂肪酸エステル0.01〜2重量%、および
(D)燐系安定剤0.0001〜0.5重量%
を含有することを特徴とするポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。 - 全構成単位における前記式[1]で表される構成単位[A]の割合が70〜100モル%からなる請求項1に記載のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記式[1]が、1,4:3,6−ジアンヒドロ−D−ソルビトール(以下、イソソルビドと記載)から誘導された構成単位[A]である請求項1または2に記載のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記式[2]において、m=1のとき、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、4,4’−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノール、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、および1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)デカンからなる群から選ばれる少なくとも一種、m=0のとき、エチレンジオール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、および1,6−ヘキサンジオールからなる群から選ばれる少なくとも一種、から誘導された構成単位[B]である請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記式[2]において、m=1のとき、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノール、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、および1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)デカンからなる群から選ばれる少なくとも一種、m=0のとき、エチレンジオール、および1,3−プロパンジオールからなる群から選ばれる少なくとも一種、から誘導された構成単位[B]である請求項1〜5のいずれか1項に記載のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記(C)の一価及び/または多価アルコールの高級脂肪酸エステルが、グリセリンとステアリン酸とのモノまたはジエステル、グリセリンとベヘニル酸とのモノまたはジエステル、ペンタエリスリトールとステアリン酸との全エステル、およびペンタエリスリトールとベヘニル酸との全エステルからなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項1〜6のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記(C)の一価及び/または多価アルコールの高級脂肪酸エステルが、ステアリン酸モノグリセリド、または、ペンタエリスリトールテトラステアレートである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記(D)の燐系安定剤が、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,3’−ビフェニレンジホスホナイトおよびテトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)3,3’−ビフェニレンジホスホナイトの単独物または混合物、リン酸、亜リン酸、トリメチルホスフェート、ビス(2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、およびジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトからなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項1〜8のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記(D)の燐系安定剤が、テトラキス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレンジホスホナイト、ビス(2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト、およびジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトからなる群より選ばれる少なくとも一種である請求項1〜9のいずれか1項に記載の脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記ポリカーボネート樹脂組成物のISO 178で規定される曲げ弾性率が3,000〜4,000MPaである請求項1〜10のいずれか1項に記載のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 前記ポリカーボネート樹脂組成物のJIS K7121に準拠して測定したガラス転移温度が100〜170℃である請求項1〜11のいずれか1項に記載のポリカーボネート樹脂組成物からなる光ディスク基板。
- 支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層からなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び/または再生を行う方式の光ディスクであって、支持基板及び/または光透過層が、
(A)下記式[1]で表される構成単位[A]と
(i)ASTM D6866 05に準拠して測定された生物起源物質含有率が50%〜100%である
(ii)ISO 75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度が100〜150℃である
(C)下記式[5]で表される一価及び/または多価アルコールの高級脂肪酸エステル0.01〜2重量%、および
(D)燐系安定剤0.0001〜0.5重量%
を含有することを特徴とする光ディスク。 - 上記光ディスクを温度23℃、湿度50%RHの室温常湿状態から温度80℃、湿度50%RHで96時間かけて高温負荷試験を行い、温度23℃、湿度50%RHの常湿状態で24時間放置したときの光ディスクの反り角変化が0.9度以内である請求項13記載の光ディスク。
- (A)下記式[1]で表される構成単位[A]と
(i)ASTM D6866 05に準拠して測定された生物起源物質含有率が50%〜100%である
(ii)ISO 75で規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度が100〜150℃である
(C)下記式[5]で表される一価及び/または多価アルコールの高級脂肪酸エステル0.01〜2重量%、および
(D)燐系安定剤0.0001〜0.5重量%
を含有し、且つISOで規定される低荷重下(0.45MPa)の荷重たわみ温度が100〜150℃で、かつガラス転移温度が100〜170℃である脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物成形材料であって、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層からなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び/または再生を行う方式の光ディスクにおける該支持基板及び/または該光透過層の材料として使用される脂肪族ポリカーボネート樹脂組成物成形材料。
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