JP4767604B2 - 不揮発性メモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法 - Google Patents
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Description
103 第2の絶縁膜
110 不純物拡散領域
116 リフローされた物質膜パターン
Claims (6)
- 基板上にバッファ絶縁膜を形成し、
前記バッファ絶縁膜上に不純物拡散領域を限定する開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記開口部を通じて不純物イオンを注入した後、熱処理工程を実施して前記基板に不純物拡散領域を形成し、
前記不純物拡散領域を形成したのち、前記エッチングマスク及びバッファ絶縁膜を除去し、
前記エッチングマスク及びバッファ絶縁膜を除去したのち、前記基板上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上にトンネリング領域を限定する第1の幅の開口部を有するリフロー可能な物質膜パターンを形成し、
前記リフロー可能な物質膜パターンをリフローさせて前記第1の幅より狭い第2の幅の開口部を有するリフローされた物質膜パターンを形成し、
前記第2の幅の開口部を有するリフローされた物質膜パターンによって露出された前記第1の絶縁膜の厚さの一部を乾式エッチングにより除去し、
前記第2の幅の開口部の下に残存する前記第1の絶縁膜を湿式エッチングにより所定厚さを残存させてトンネリング絶縁膜を、前記不純物拡散領域上に形成すること、
を含むことを特徴とする電気的に消去及びプログラム可能なメモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法。 - 前記リフロー可能な物質膜パターンは、フォトレジスト又は不純物がドーピングされたシリケートガラス膜で形成されること、
を特徴とする請求項1に記載の電気的に消去及びプログラム可能なメモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法。 - 前記第1の絶縁膜を形成した後、前記第1の幅の開口部を有するリフロー可能な物質膜パターンを形成する前に、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成することをさらに含むこと、
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気的に消去及びプログラム可能なメモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法。 - 前記第1の絶縁膜は、シリコン酸化膜で形成され、前記第2の絶縁膜はシリコン窒化膜又はシリコン窒化膜及びシリコン酸化窒化膜が順次積層された多層膜で形成されること、
を特徴とする請求項3に記載の電気的に消去及びプログラム可能なメモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法。 - 基板上にバッファ絶縁膜を形成し、
前記バッファ絶縁膜上に不純物拡散領域を限定する開口部を有するエッチングマスクを形成し、
前記開口部を通じて不純物イオンを注入した後、熱処理工程を実施して前記基板に不純物拡散領域を形成し、
前記不純物拡散領域を形成したのち、前記エッチングマスク及びバッファ絶縁膜を除去し、
前記エッチングマスク及びバッファ絶縁膜を除去したのち、前記基板上に第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜を順次形成し、
前記第2の絶縁膜上にトンネリング領域を限定する第1の幅の開口部を有するリフロー可能な物質膜パターンを形成し、
熱処理工程を実施して前記リフロー可能な物質膜パターンをリフローさせて前記第1の幅より狭い第2の幅の開口部を有するリフローされた物質膜パターンを形成し、
前記第2の幅の開口部を有するリフローされた物質膜パターンによって露出された前記第2の絶縁膜を除去し、
前記第2の絶縁膜を除去したのち、前記第2の幅の開口部の下に露出する前記第1の絶縁膜の厚さの一部を乾式エッチングにより除去し、
前記第2の幅の開口部の下に残存する前記第1の絶縁膜を湿式エッチングにより所定厚さを残存させてトンネリング絶縁膜を、前記不純物拡散領域上に形成すること、
を含むことを特徴とする電気的に消去及びプログラム可能なメモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法。 - 前記第1の絶縁膜は、シリコン酸化膜で形成され、前記第2の絶縁膜はシリコン窒化膜又はシリコン窒化膜及びシリコン酸化窒化膜が順次積層された多層膜で形成されること、
を特徴とする請求項5に記載の電気的に消去及びプログラム可能なメモリ素子のトンネリング絶縁膜を形成する方法。
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