JP4767147B2 - 検査装置および検査方法 - Google Patents

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Description

本発明は、対向する二面に電極を有する半導体集積回路の電気的特性を測定装置で測定して検査する検査装置および検査方法に関する。
半導体集積回路の電気的特性検査を行う際、一般的に、半導体集積回路の外部電極を測定装置に電気的に接続して検査を行う検査装置が用いられる。従来における検査装置の一つとして、図20に示すポゴピン方式の導電性接触子81を用いた検査装置82がある。
このポゴピン方式の導電性接触子81は、筒体83の内部に、コイル状の圧縮ばね84と一方のプランジャ85と他方のプランジャ86とを備えたものである。一方のプランジャ85の先端部は筒体83から上方へ出退自在に突出し、他方のプランジャ86の先端部は筒体83から下方へ出退自在に突出している。また、圧縮ばね84は、一方のプランジャ85と他方のプランジャ86との間に配置され、両プランジャ85,86を突出方向へ付勢している。
圧縮ばね84の伸縮によって、一方のプランジャ85が半導体集積回路87の外部電極88に押し当てられるとともに、他方のプランジャ86が測定装置89に接続された検査回路基板90のランド電極91に押し当てられることで、外部電極88とランド電極91とは両プランジャ85,86および筒体83を介して電気的に接続される。
尚、検査回路基板90は、半導体集積回路87に対して一方向すなわち外部電極88が形成されている面に相対する方向に配置されている。これは、外部電極88とランド電極91との間を、導電性接触子81を用いて、最短距離で電気的に接続するためである。
近年、半導体集積回路の高密度化の要求にともない、組立後の半導体集積回路を積層するパッケージ・オン・パッケージ(以下、POPと略記)構造を可能とするため、新たな半導体集積回路のパッケージ形態として、対向する二面にそれぞれ電極を有する半導体集積回路が開発されており、このような半導体集積回路構造に対応する検査装置が必要となってきた。また、積層される半導体集積回路間での電気信号の高速動作化に伴い、検査装置に対しても電気的性能の向上、すなわち伝送経路の低損失化が要求されている。
尚、下記特許文献1には、ポゴピン方式の導電性接触子を備えた半導体集積回路の検査装置が記載されている。
特開2001−208793
しかしながら、図21に示すように、前記のような検査装置82を、対向する二面87a,87bに外部電極88a,88bを有する半導体集積回路87の電気的特性検査に使用する場合には、下記のような課題がある。
従来の検査装置82では、検査回路基板90は半導体集積回路87に対して一方向に配置されているため、半導体集積回路87の一方の面87aの外部電極88aを検査回路基板90に相対させて配置した場合、半導体集積回路87の他方の面87bの外部電極88bと検査回路基板90のランド電極91とを電気的に接続することが困難であった。
このため、図22に示すように、半導体集積回路87の一方の面87aに、他方の面87bの外部電極88bと基板内部で接続している複数の検査用外部電極93を追加して設けている。導電性接触子81を用いて、一方の面87aの外部電極88aと検査回路基板90のランド電極91とを電気的に接続するとともに、一方の面87aの検査用外部電極93と検査回路基板90のランド電極91とを電気的に接続することにより、半導体集積回路87の両面87a,87bの外部電極88a,88bと検査回路基板90のランド電極91とが電気的に接続され、半導体集積回路87に対して検査を行うことができる。
しかしながら、外部電極88a,88bに加えて検査用外部電極93を設けているため、半導体集積回路87の外部電極88a,88b,93の個数が増加し、その結果、半導体集積回路87の外形寸法が大きくなり、積層による高密度化の効果を阻害するといった問題がある。
本発明は、半導体集積回路に検査用外部電極を設けることなく、対向する二面に電極を有する半導体集積回路の電気的特性検査を行うことが可能な検査装置および検査方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本第1発明は、対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、第1電極を有する検査回路基板と第2電極を有する配線基板とが対向して配置され、検査回路基板に測定装置が接続され、検査回路基板と配線基板との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、検査回路基板の第1電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第1の導電性接触子が固定部材に設けられ、配線基板の第2電極と配線基板に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第2の導電性接触子が可動部材に設けられ、配線基板は可動部材に設けられ、可動部材は、第2の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第2の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であり、検査回路基板に一方の第3電極が形成され、配線基板に、第2電極に配線回路を介して電気的に接続された他方の第3電極が形成され、可動部材が当接位置まで移動した際、一方の第3電極と他方の第3電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第3の導電性接触子が可動部材又は固定部材に設けられ、配線基板の特性インピーダンスを検査回路基板又は測定装置の特性インピーダンスに整合させたものである。
これによると、可動部材を離間位置まで移動させておき、一方の面を検査回路基板の方に向けた状態で半導体集積回路を保持部に保持する。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子に接触して、第1の導電性接触子が検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続する。
その後、可動部材を離間位置から当接位置まで移動させることにより、第2の導電性接触子が、半導体集積回路の他方の面の外部電極に接触して、配線基板の第2電極と半導体集積回路の他方の外部電極との間を接続するとともに、第3の導電性接触子が一方の第3電極と他方の第3電極とに接触してこれら両第3電極間を接続する。
これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子と配線基板と第3の導電性接触子とを介して検査回路基板に電気的に接続され、半導体集積回路と測定装置とが電気的に接続され、半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
したがって、従来のように、半導体集積回路の一方の面に、他方の面の外部電極と電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、半導体集積回路の外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
また、配線基板は検査回路基板又は測定装置とインピーダンスマッチングするため、良好な高周波伝送特性を得ることができる。
本第発明は、第3の導電性接触子の全長が第1の導電性接触子の全長と第2の導電性接触子の全長と半導体集積回路の全高との和よりも短くなるようにしたものである。
これによると、一般的に、第1〜第3の各導電性接触子と検査回路基板又は測定装置とをインピーダンスマッチングさせることは困難であるため、インピーダンスマッチングし難い第3の導電性接触子の全長を短くすることによって、第3の導電性接触子においてもたらされる高周波伝送特性の低下を抑制することができる。
本第発明は、第1〜第3の導電性接触子の少なくともいずれかの導電性接触子を異方性導電性ゴム方式のものにしたものである。
本第発明は、可動部材は、半導体集積回路を保持部上へ搬送する搬送装置に設けられており、上記可動部材に、第1の導電性接触子と第2の導電性接触子との間で半導体集積回路を吸着する吸着部材が設けられ、吸着部材は、検査回路基板側に向かって突出する突出位置と、可動部材側に向かって退入する退入位置との間を移動自在であり、可動部材が離間位置まで移動した際、吸着部材が突出位置まで移動して、吸着部材に吸着されている半導体集積回路が第2の導電性接触子から離間し、可動部材が当接位置まで移動した際、吸着部材が退入位置まで移動して半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子に当接するものである。
これによると、吸着部材で半導体集積回路を吸着し、搬送装置によって半導体集積回路を可動部材と共に保持部上まで搬送する。そして、吸着部材による吸着を解除し、可動部材を離間位置から当接位置まで移動させる。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子に接触して、第1の導電性接触子が検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続するとともに、吸着部材が突出位置から退入位置まで移動し、半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子に接触して、第2の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極と配線基板の第2電極との間を接続し、さらに、第3の導電性接触子が一方の第3電極と他方の第3電極とに接触してこれら両第3電極間を接続する。
これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子と配線基板と第3の導電性接触子とを介して検査回路基板に電気的に接続され、半導体集積回路と測定装置とが電気的に接続され、半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
検査終了後、吸着部材で半導体集積回路を吸着し、可動部材を当接位置から離間位置まで移動させる。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子から離間するとともに、吸着部材が退入位置から突出位置まで移動し、半導体集積回路が第2の導電性接触子から離間し、さらに、第3の導電性接触子が一方の第3電極又は他方の第3電極から離間する。この状態で、搬送装置によって、検査済みの半導体集積回路を可動部材と共に保持部上から別の場所へ搬送する。
本第発明は、前記第1発明から第発明のいずれか1項に記載の検査装置を用いた検
査方法であって、半導体集積回路を保持部に保持し、可動部材を当接位置まで移動させて、第1の導電性接触子を介して検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第2の導電性接触子を介して配線基板の第2電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、且つ、第3の導電性接触子を介して検査回路基板の一方の第3電極と配線基板の他方の第3電極とを電気的に接続し、検査信号を測定装置から半導体集積回路の一方又は他方の外部電極に出力し、検査信号に対する応答信号を半導体集積回路の一方又は他方の外部電極から測定装置で授受し、この応答信号を計測するものである。
本第発明は、対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、第1電極を有する検査回路基板と検査用半導体集積回路(ここで言う検査用半導体集積回路とは上記半導体集積回路の検査に用いられる検査専用の半導体集積回路を指す)とが対向して配置され、検査用半導体集積回路は、パッケージオンパッケージ方式によって前記半導体集積回路上に積み重ねられる別の半導体集積回路と同構造を有するとともに、検査回路基板に対向する面に検査用外部電極を備えており、検査回路基板に測定装置が接続され、検査回路基板と検査用半導体集積回路との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、検査回路基板の第1電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第1の導電性接触子が固定部材に設けられ、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と検査用半導体集積回路に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第2の導電性接触子が可動部材に設けられ、検査用半導体集積回路は可動部材に設けられ、可動部材は、第2の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第2の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であるものである。
これによると、可動部材を離間位置まで移動させておき、一方の面を検査回路基板の方に向けた状態で半導体集積回路を保持部に保持する。これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子に接触して、第1の導電性接触子が検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続する。
その後、可動部材を離間位置から当接位置まで移動させることにより、第2の導電性接触子が、半導体集積回路の他方の面の外部電極に接触して、半導体集積回路の他方の外部電極と検査用半導体集積回路の検査用外部電極との間を接続する。
これにより、半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に電気的に接続される。
この状態で、測定装置から第1の導電性接触子を介して半導体集積回路に対し検査信号を出力し、この検査信号に対する第1の応答信号を半導体集積回路から第1の導電性接触子を介して測定装置で授受する。また、半導体集積回路から第2の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に対し第2の応答信号を出力し、この第2の応答信号に対する第3の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路から第2の導電性接触子を介して半導体集積回路に対して出力する。さらに、第3の応答信号又はダミー信号に対する第4の応答信号を半導体集積回路から第1の導電性接触子を介して測定装置で授受し、授受した前記第1の応答信号と第4の応答信号とを計測することによって、半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
したがって、従来のように、半導体集積回路の一方の面に、他方の面の外部電極と電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
本第発明は、測定装置は、半導体集積回路に対して検査信号を出力するとともに、検査信号に対する第1の応答信号を授受し、さらに、第3の応答信号又はダミー信号に対する第4の応答信号を授受し、検査用半導体集積回路は、半導体集積回路から出力された第2の応答信号を授受するとともに、第2の応答信号に対する第3の応答信号又はダミー信号を半導体集積回路に対して出力するものである。
本第発明は、半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との接触抵抗よりも、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と第2の導電性接触子との接触抵抗を小さくするものである。
これによると、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と第2の導電性接触子との電気的接続を長期間安定させることができ、半導体集積回路に対して、より精度の高い電気的特性検査を行なうことができる。
本第発明は、前記第発明又は第発明に記載の検査装置を用いた検査方法であって、半導体集積回路を保持部に保持し、可動部材を当接位置まで移動させて、第1の導電性接触子を介して検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第2の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路の検査用外部電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、測定装置から第1の導電性接触子を介して半導体集積回路に対し検査信号を出力し、検査信号に対する第1の応答信号を半導体集積回路から第1の導電性接触子を介して測定装置で授受し、さらに、半導体集積回路から第2の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に対し第2の応答信号を出力し、第2の応答信号に対する第3の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路から第2の導電性接触子を介して半導体集積回路に対して出力し、第3の応答信号又はダミー信号に対する第4の応答信号を半導体集積回路から第1の導電性接触子を介して測定装置で授受し、授受した前記第1と第4の応答信号を計測するものである。
本第10発明は、対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する第1の半導体集積回路と、一方の面のみに外部電極を有し且つパッケージオンパッケージ方式によって第1の半導体集積回路上に積み重ねられる第2の半導体集積回路との少なくともいずれかの半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、検査回路基板と可動部材との間に固定部材が備えられ、検査回路基板に第1電極が設けられ、検査回路基板に測定装置が接続され、固定部材に第1の導電性接触子が設けられ、可動部材は、固定部材に対して接近離間する移動経路上を移動自在であるとともに、個別に移動可能な第1の可動体と第2の可動体とで構成され、第2の可動体は固定部材に対向して配置され、第1の可動体は第2の可動体と固定部材との間に配置され、第1の可動体に第2の導電性接触子が設けられ、固定部材と第1の可動体との間に第1の半導体集積回路を保持する第1の保持部が形成され、第1の可動体と第2の可動体との間に第2の半導体集積回路を保持する第2の保持部が形成され、第1の導電性接触子は第1電極と第1の保持部に保持された第1の半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、第2の導電性接触子は第1の保持部に保持された第1の半導体集積回路の他方の外部電極と第2の保持部に保持された第2の半導体集積回路の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、第1の可動体は、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極に当接する第1の当接位置と、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極から離間する第1の離間位置とに移動自在であり、第2の可動体は、第2の保持部に保持された第2の半導体集積回路に当接して第2の半導体集積回路の外部電極を第2の導電性接触子に押付ける第2の当接位置と、第2の半導体集積回路から離間する第2の離間位置とに移動自在であるものである。
これによると、第1の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行う場合、予め、第2の保持部に第2の半導体集積回路を保持し、第2の可動体を第2の当接位置まで移動させておく。これにより、第2の可動体が第2の半導体集積回路に当接して、第2の半導体集積回路の外部電極が第2の導電性接触子に押付けられる。
その後、第1の可動体を第1の離間位置まで移動させ、検査対象である第1の半導体集積回路を第1の保持部に保持する。これにより、第1の導電性接触子が第1電極と第1の半導体集積回路の一方の外部電極とに当接する。
そして、第2の可動体と共に第1の可動体を第1の当接位置まで移動させる。これにより、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極に当接するため、第1の導電性接触子が検査回路基板の第1電極と第1の半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続するとともに、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極と第2の半導体集積回路の外部電極との間を接続する。
これにより、第1の半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、第1の半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子を介して第2の半導体集積回路に電気的に接続され、第1の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
その後、第2の可動体と共に第1の可動体を第1の当接位置から第1の離間位置まで移動させ、検査済みの第1の半導体集積回路を第1の保持部から取り出し、検査対象となる別の第1の半導体集積回路を第1の保持部に保持して、前記と同様な手順で第1の半導体集積回路を検査する。
また、第2の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行う場合、予め、第1の保持部に第1の半導体集積回路を保持し、第1の可動体を第1の当接位置まで移動させておく。これにより、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極に当接するとともに、第1の導電性接触子が検査回路基板の第1電極と第1の半導体集積回路の一方の外部電極との間を接続する。
その後、第2の可動体を第2の離間位置まで移動させ、検査対象である第2の半導体集積回路を第2の保持部に保持する。これにより、第2の導電性接触子が第2の半導体集積回路の外部電極に当接する。そして、第2の可動体を第2の当接位置まで移動させる。これにより、第2の可動体が第2の半導体集積回路に当接して、第2の半導体集積回路の外部電極が第2の導電性接触子に押付けられるため、第2の導電性接触子が第2の半導体集積回路の外部電極と第1の半導体集積回路の他方の外部電極との間を接続する。
これにより、第1の半導体集積回路の一方の外部電極が第1の導電性接触子を介して検査回路基板に電気的に接続されるとともに、第2の半導体集積回路の外部電極が第2の導電性接触子を介して第1の半導体集積回路の他方の外部電極に電気的に接続され、第2の半導体集積回路に対して電気的特性の検査を行うことができる。
その後、第2の可動体を第2の当接位置から第2の離間位置まで移動させ、検査済みの第2の半導体集積回路を第2の保持部から取り出し、検査対象となる別の第2の半導体集積回路を第2の保持部に保持して、前記と同様な手順で第2の半導体集積回路を検査する。
本第11発明は、第1の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第1の半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との接触抵抗よりも、第2の半導体集積回路の外部電極と第2の導電性接触子との接触抵抗を小さくし、第2の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第2の半導体集積回路の外部電極と第2の導電性接触子との接触抵抗よりも、第1の半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との接触抵抗を小さくするものである。
これによると、第2の半導体集積回路を特性検査の対象にせず、第1の半導体集積回路のみに対して特性検査を行う場合、第2の半導体集積回路の外部電極と第2の導電性接触子との電気的接続を長期間安定させることができ、より精度の高い電気的特性検査を行なうことができる。
また、第1の半導体集積回路を特性検査の対象にせず、第2の半導体集積回路のみに対して特性検査を行う場合、第1の半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との電気的接続を長期間安定させることができ、より精度の高い電気的特性検査を行なうことができる。
以上のように、本発明によると、半導体集積回路に検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、対向する二面に電極を有する半導体集積回路の電気的特性検査を行うことができる。これにより、半導体集積回路の外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路の外形寸法の大型化を防止することができる。
また、配線基板と検査回路基板又は測定装置とがインピーダンスマッチングするため、良好な高周波伝送特性を得ることができる。
また、検査回路基板又は測定装置に対してインピーダンスマッチングさせることが困難である第3の導電性接触子の全長を短くすることによって、高周波伝送特性の低下を抑制することができる。
以下、本発明における実施の形態を図面に基いて説明する。
(実施の形態1)
本発明における実施の形態1を説明する。図1〜図4に示すように、1は、半導体集積回路2の電気的特性を測定装置4で測定して検査する検査装置である。また、図5に示すように、半導体集積回路2の対向する二面2a,2bにはそれぞれ複数の外部電極3a,3bが形成されている。
前記検査装置1は、ポゴピン方式の第1〜第3の導電性接触子11〜13と、固定部材14と、前記測定装置4に接続された検査回路基板15と、可動部材16と、配線基板17とを備えている。
検査回路基板15の上方に配線基板17が対向して配置されている。検査回路基板15は、ねじ(図示せず)等により、固定部材14の下部に着脱自在に設けられている。検査回路基板15の上面には、複数の第1のランド電極25(第1電極の一例)と、複数の固定側第3のランド電極26(一方の第3電極の一例)とが形成されている。
各々の導電性接触子11〜13は、従来と同様に、筒体19と圧縮ばね20と一方のプランジャ21と他方のプランジャ22とで構成されている。尚、第1および第2の導電性接触子11,12は長さが等しいものであり、第3の導電性接触子13は第1および第2の導電性接触子11,12よりも長いものである。
第1の導電性接触子11は、検査回路基板15の第1のランド電極25と半導体集積回路2の一方の外部電極3aとに当接してこれら電極25,3a間を電気的に接続するものであり、一方のプランジャ21を上向きにするとともに他方のプランジャ22を下向きにして、固定部材14に複数本設けられている。
図1,図2に示すように、前記固定部材14は平面視において四角形のフレームからなり、固定部材14の上部(すなわち検査回路基板15と配線基板17との間)には、半導体集積回路2を保持する保持部24と、半導体集積回路2を保持部24に位置決めする突起部30とが設けられている。尚、突起部30は保持部24の周囲を取り囲むように複数配置されている。保持部24において、半導体集積回路2が第1の導電性接触子11により支持される。
図1,図3に示すように、可動部材16は、平面視において四角形のフレームからなり、固定部材14に対して上下方向に移動するように構成されており、可動部材16を昇降させるシリンダー又はモータ等からなる駆動装置(図示せず)が設けられている。可動部材16には、下方が開放された凹形状の収納部18が形成されており、図1(a)に示すように下限位置A(当接位置の一例)において、固定部材14が可動部材16の収納部18内に収納され、図1(b)に示すように上限位置B(離間位置の一例)において、収納部18が固定部材14の上方へ離間し、固定部材14が可動部材16の下方へ露出する。
図1,図4に示すように、配線基板17は、ねじ(図示せず)等により、可動部材16の上部に着脱自在に設けられている。配線基板17の下面には、複数の第2のランド電極27(第2電極の一例)と、複数の可動側第3のランド電極28(他方の第3電極の一例)とが形成されている。各第2のランド電極27と可動側第3のランド電極28とは配線基板17に形成された配線回路23を介して電気的に接続されている。
第2および第3の導電性接触子12,13はそれぞれ、一方のプランジャ21を上向きにするとともに他方のプランジャ22を下向きにして、複数本ずつ可動部材16に設けられている。第2の導電性接触子12は配線基板17の第2のランド電極27と半導体集積回路2の他方の外部電極3bとに当接してこれら電極27,3b間を電気的に接続するものである。また、第3の導電性接触子13は検査回路基板15の固定側第3のランド電極26と配線基板17の可動側第3のランド電極28とに当接してこれら電極26,28間を電気的に接続するものである。
以下、上記構成における作用を説明する。
図1(b)に示すように、可動部材16を上限位置Bまで上昇させた状態では、各第1の導電性接触子11の他方のプランジャ22の先端が第1のランド電極25に接触しており、また、各第2の導電性接触子12の一方のプランジャ21の先端が第2のランド電極27に接触しており、さらに、各第3の導電性接触子13の一方のプランジャ21の先端が可動側第3のランド電極28に接触している。
この状態で、半導体集積回路2を保持部24に配置することにより、半導体集積回路2の一方の面2aの外部電極3aが各第1の導電性接触子11の一方のプランジャ21の先端に接触する。
その後、図1(a)に示すように、可動部材16を上限位置Bから下限位置Aまで下降させることにより、固定部材14が可動部材16の収納部18内に収納され、各第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22の先端が半導体集積回路2の他方の面2bの外部電極3bに接触するとともに、各第3の導電性接触子13の他方のプランジャ22の先端が固定側第3のランド電極26に接触する。
これにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路2の他方の外部電極3bが第2の導電性接触子12と配線基板17と第3の導電性接触子13とを介して検査回路基板15に電気的に接続されるため、半導体集積回路2と測定装置4とが電気的に接続され、半導体集積回路2に対して電気的特性の検査を行うことができる。
したがって、従来のように、半導体集積回路2の一方の面2aに、他方の外部電極3bと電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路2の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
また、前記のように、可動部材16を下限位置Aまで下降させた際、各導電性接触子11〜13内の圧縮ばね20が圧縮され、これら圧縮ばね20の反発力によって、各電極3a,3b,25〜28に対する各導電性接触子11〜13のプランジャ21,22のコンタクト荷重(接触荷重)が発生し、各導電性接触子11〜13のプランジャ21,22が各電極3a,3b,25〜28に押付けられるため、安定した電気的導通を得ることができる。
検査終了後、図1(b)に示すように、可動部材16を下限位置Aから上限位置Bまで上昇させることにより、各第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22の先端が半導体集積回路2の他方の外部電極3bから上方へ離間するとともに、各第3の導電性接触子13の他方のプランジャ22の先端が固定側第3のランド電極26から上方へ離間する。
次に、前記検査装置1を用いた半導体集積回路2の検査方法を説明する。
前記のように、可動部材16を下限位置Aまで下降させて、図1(a)に示すように、第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15の第1のランド電極25と半導体集積回路2の一方の外部電極3aとを電気的に接続するとともに、第2の導電性接触子12を介して配線基板17の第2のランド電極27と半導体集積回路2の他方の外部電極3bとを電気的に接続し、且つ、第3の導電性接触子13を介して検査回路基板15の固定側第3のランド電極26と配線基板17の可動側第3のランド電極28とを電気的に接続する。
そして、図6に示すように、半導体集積回路2の各外部電極3a,3bと測定装置4とを電気的に接続した状態で、測定装置4から外部電極3a,3bに対して検査信号を任意の時間供給し、その後、前記検査信号に対する応答信号を外部電極3a,3bから測定装置4で任意の時間授受し、授受された応答信号を測定装置4で計測し、計測結果を判別することによって半導体装置2の電気的特性を検査する。
この場合、任意のいずれか1個又は複数個の一方の外部電極3aに対する検査信号は、測定装置4から検査回路基板15と第1の導電性接触子11とを通って前記任意の一方の外部電極3aに供給される。さらに、任意のいずれか1個又は複数個の一方の外部電極3aから出力された応答信号は、第1の導電性接触子11と検査回路基板15とを通って測定装置4で授受され計測される。
また、任意のいずれか1個又は複数個の他方の外部電極3bに対する検査信号は、測定装置4から検査回路基板15と第3の導電性接触子13と配線基板17と第2の導電性接触子12とを通って前記任意の他方の外部電極3bに供給される。さらに、任意のいずれか1個又は複数個の他方の外部電極3bから出力された応答信号は、第2の導電性接触子12と配線基板17と第3の導電性接触子13と検査回路基板15とを通って測定装置4で授受され計測される。
(実施の形態2)
本発明における実施の形態2を説明する。図7に示すように、可動部材16は外部材16aと内部材16bとに分割されている。外部材16aと内部材16bとはそれぞれ平面視において四角形状であり、外部材16aの中央部には、下方が開放された凹状の空間部35が形成されている。内部材16bは空間部35内に配置されて外部材16aに取付けられている。
また、配線基板として、柔軟で屈曲自在なフレキシブル配線基板36が用いられている。図8に示すように、フレキシブル配線基板36の中央部には孔37が形成されている。フレキシブル配線基板36は、前記孔37の周縁部(中央部)が上部36aとなり、外周縁部が上部36aよりも下方に位置する下部36bとなるように、曲げられている。フレキシブル配線基板36の上部36aは外部材16aと内部材16bとの間隙に挿入されて取付けられ、フレキシブル配線基板36の下部36bは外部材16aの外縁部下面に取付けられている。
第2のランド電極27はフレキシブル配線基板36の上部36aの下面に複数形成され、可動側第3のランド電極28はフレキシブル配線基板36の下部36bの下面に複数形成されている。第1および第3の導電性接触子11,13は固定部材14に設けられ、第3の導電性接触子13の他方のプランジャ22の先端が固定側第3のランド電極26に接触している。また、第2の導電性接触子12は可動部材16の内部材16bに設けられている。
尚、前記検査回路基板15と測定装置4とはそれぞれ所定の特性インピーダンスを有しており、フレキシブル配線基板36の配線幅や間隔を適宜設計して、フレキシブル配線基板36の特性インピーダンスを前記検査回路基板15又は測定装置4の特性インピーダンスに整合させている。例えば、検査回路基板15と測定装置4との各特性インピーダンスがそれぞれ50Ωの場合、フレキシブル配線基板36の特性インピーダンスを50Ωに整合している。
以下、上記構成における作用を説明する。
図7(b)に示すように、可動部材16を上限位置Bまで上昇させておき、一方の面2aを固定部材14の方に向けた状態で半導体集積回路2を固定部材14の保持部24に配置する。これにより、半導体集積回路2の一方の各外部電極3aが第1の導電性接触子11の一方のプランジャ21の先端に接触する。
その後、図7(a)に示すように、可動部材16を下限位置Aまで下降させることにより、各第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22の先端が半導体集積回路2の他方の面2bの外部電極3bに接触するとともに、各第3の導電性接触子13の一方のプランジャ21の先端がフレキシブル配線基板36の可動側第3のランド電極28に接触する。
これにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路2の他方の外部電極3bが第2の導電性接触子12とフレキシブル配線基板36と第3の導電性接触子13とを介して検査回路基板15に電気的に接続される。これにより、半導体集積回路2と測定装置4とが電気的に接続され、半導体集積回路2に対して電気的特性の検査を行うことができる。
この際、フレキシブル配線基板36は検査回路基板15と測定装置4とにそれぞれインピーダンスマッチングするため、良好な高周波伝送特性を得ることができる。
また、本実施の形態2では、屈曲自在なフレキシブル配線基板36を用いることにより、可動側第3のランド電極28を第2のランド電極27よりも下方(すなわち固定部材14に接近する方)に位置させることができる。これにより、半導体集積回路2の全高をH(図5参照)、第1の導電性接触子11の全長をL1、第2の導電性接触子12の全長をL2、第3の導電性接触子13の全長をL3とすると、全長L3を全高Hと全長L1と全長L2との和よりも短くする(すなわちL3<H+L1+L2)ことができる。
一般的に、第1〜第3の各導電性接触子11〜13と検査回路基板15又は測定装置4とをインピーダンスマッチングさせることは困難であるため、前記のような寸法関係(すなわちL3<H+L1+L2)にすることによって、インピーダンスマッチングし難い第3の導電性接触子13の全長L3が前述の実施の形態1のものよりも短くなり、したがって、第3の導電性接触子13においてもたらされる高周波伝送特性の低下を抑制することができる。
さらに、フレキシブル配線基板36を用いることにより、第1〜第3の各導電性接触子11〜13の全長L1〜L3を全て同じ値(例えば3mm)に統一することの可能であるため、第1〜第3の各導電性接触子11〜13を一種類に統一することが可能となり、部品の種類を減らすことができる。
(実施の形態3)
本発明における実施の形態3を説明する。本実施の形態3は、図9に示すように、先述した実施の形態2におけるポゴピン方式の第2の導電性接触子12の代わりに、異方性導電性ゴム方式の第2の導電性接触子41を用いたものである。
この第2の導電性接触子41は、図10,図11に示すように、中央部に孔42を有する円板状のシリコンゴム部43と、良好な導電性を有する金粒子44(又はニッケルに金メッキを施した金属粒子)をシリコンゴムの中に内包する複数の金属粒子内包部45とで構成されている。前記金属粒子内包部45の金粒子44によって、一方向にのみ電気的導通が得られるように構成されている。
また、可動部材16には、下方が開放された凹状の空間部47が形成されている。この空間部47内の天井部には、下向き(すなわち固定部材14の向き)に突出する突部48が形成されている。この突部48がフレキシブル配線基板36の孔37とシリコンゴム部43の孔42とに挿入され、フレキシブル配線基板36が可動部材16の下面(固定部材14に対向する面)に取付けられ、第2の導電性接触子41がフレキシブル配線基板36の下面に取付けられており、第2の導電性接触子41の各金属粒子内包部45の上端がフレキシブル配線基板36の第2のランド電極27に接触している。
以下、上記構成における作用を説明する。
図9(b)に示すように、可動部材16を上限位置Bまで上昇させておき、一方の面2aを固定部材14の方(下方)に向けた状態で半導体集積回路2を固定部材14の保持部24に配置する。これにより、半導体集積回路2の一方の各外部電極3aが第1の導電性接触子11の一方のプランジャ21の先端に接触する。
その後、図9(a)に示すように、可動部材16を下限位置Aまで下降させることにより、第2の導電性接触子41の各金属粒子内包部45の下端が半導体集積回路2の他方の各外部電極3bに接触するとともに、各第3の導電性接触子13の一方のプランジャ21の先端がフレキシブル配線基板36の可動側第3のランド電極28に接触する。
これにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路2の他方の外部電極3bが第2の導電性接触子41とフレキシブル配線基板36と第3の導電性接触子13とを介して検査回路基板15に電気的に接続される。これにより、半導体集積回路2と測定装置4とが電気的に接続され、半導体集積回路2に対して電気的特性の検査を行うことができる。
また、前記のように、可動部材16を下限位置Aまで下降させた際、第1および第3の導電性接触子11,13内の圧縮ばね20が圧縮されるとともに第2の導電性接触子12の金属粒子内包部45が圧縮され、これら圧縮ばね20の反発力によって、各電極3a,25,26,28に対する第1および第3の導電性接触子11,13のプランジャ21,22のコンタクト荷重(接触荷重)が発生するとともに、金属粒子内包部45のシリコンゴムの弾性によって、各電極3b,27に対する第2の導電性接触子41の粒子内包部45のコンタクト荷重(接触荷重)が発生する。これにより、第1および第3の導電性接触子11,13のプランジャ21,22と第2の導電性接触子12の金属粒子内包部45とが各電極3a,3b,25〜28に押付けられるため、安定した電気的導通を得ることができる。
(実施の形態4)
本発明における実施の形態4を説明する。前記実施の形態3では、第2の導電性接触子41をシリコンゴム部43と複数の金属粒子内包部45とで構成しているが、本実施の形態4では、図12に示すように、第2の導電性接触子41をシリコンゴム部43と複数の金属線内包部53とで構成している。これら金属線内包部53は、シリコンゴムの中に、良好な導電性を有する金又はニッケルに金メッキを施した金属線54を斜め方向に内包したものであり、これにより、一方向にのみ電気的導通が得られるように構成されている。
前記実施の形態3,4では、第2の導電性接触子41を異方性導電性ゴム方式にしているが、第1又は第3の導電性接触子11,13を異方性導電性ゴム方式にしてもよい。
(実施の形態5)
本発明における実施の形態5を説明する。図13〜図15に示すように、可動部材16は、半導体集積回路2を複数のトレー(図示せず)と検査装置1の保持部24との間で搬送するロボット式の自動搬送装置60に設けられている。
可動部材16は、平面視において四角平板状の上部材16cと、上部材16cの下面に取付けられた下部材16dとで構成されている。可動部材16には、下方が開放された凹状の空間部47が形成されている。フレキシブル配線基板36が可動部材16の下面(固定部材14に対向する面)に取付けられ、異方性導電性ゴム方式の第2の導電性接触子41がフレキシブル配線基板36の下面に取付けられており、第2の導電性接触子41の各金属粒子内包部45の上端がフレキシブル配線基板36の第2のランド電極27に接触している。
可動部材16には、第1の導電性接触子11と第2の導電性接触子41との間で半導体集積回路2を吸着する吸着ブロック61(吸着部材の一例)が上下方向(可動部材16の移動方向と同し方向)へ移動自在に保持されている。上記吸着ブロック61は可動部材16に形成された保持穴62内に嵌め込まれて保持されている。吸着ブロック61の上端部には鍔部61aが形成されており、図14に示すように、吸着ブロック61が検査回路基板15側に向かって突出位置Cまで下降した際、吸着ブロック61の下端部がフレキシブル配線基板36の孔37と第2の導電性接触子41の孔42とを通って第2の導電性接触子41よりも下方へ突出し、鍔部61aが下部材16dに係合することにより、吸着ブロック61の下降が阻止される。
また、図15に示すように、吸着ブロック61が可動部材16側に向かって退入位置Dまで上昇した際、吸着ブロック61の下端部が第2の導電性接触子41の下端面よりも上方へ退入し、吸着ブロック61の上端面が保持穴62の上奥面に当接することにより、吸着ブロック61の上昇が阻止される。
上記吸着ブロック61の下端面には吸着口63(図14参照)が形成され、吸着ブロック61の外周面には吸引口64が形成され、吸着ブロック61の内部には、吸着口63と吸引口64とに連通する直角に屈曲した吸引通路65が形成されている。また、可動部材16には真空通路66が形成されており、この真空通路66の一端が吸引口64に連通し、真空通路66の他端が接続配管(図示せず)等を介して真空ポンプ(図示せず)等の真空源に接続されている。尚、真空通路66は、その長さ方向が吸着ブロック61の移動方向(すなわち上下方向)に対して直交する方向(すなわち横方向)になるように形成されている。
以下、上記構成における作用を説明する。
自動搬送装置60によって可動部材16を、検査前の半導体集積回路2が収納されたトレーの上方へ搬送する。真空ポンプを作動させて真空通路66および吸引通路65内を大気圧よりも低圧にし、トレー内の半導体集積回路2を吸着ブロック61の吸着口63に吸着する。
その後、図13に示すように、自動搬送装置60によって半導体集積回路2を可動部材16と共にトレーの上方から検査装置1の保持部24上へ搬送する。この際、可動部材16は上限位置Bにあり、吸着ブロック61は、その自重と半導体集積回路2の重量とによって、突出位置Cまで下降している。これにより、半導体集積回路2が、第2の導電性接触子41に接触せずに下方へ離間した状態で、吸着ブロック61に吸着保持される。このため、第2の導電性接触子41による下向きのコンタクト荷重(接触荷重)が下向きの反力として半導体集積回路2に作用することはない。したがって、吸着ブロック61の吸着力は、上記反力によって打ち消されることなく、半導体集積回路2に作用し、これにより、安定した搬送動作が可能となる。
次に、図14に示すように、真空ポンプを停止して大気開放することにより、吸着ブロック61による吸着が解除され、半導体集積回路2が落下して保持部24に保持される。これにより、半導体集積回路2の一方の各外部電極3aが第1の導電性接触子11の一方のプランジャ21の先端に接触する。
その後、図15に示すように、可動部材16を上限位置Bから下限位置Aまで下降させることにより、吸着ブロック61が突出位置Cから退入位置Dまで押し上げられて退入し、半導体集積回路2の他方の各外部電極3bが第2の導電性接触子41の各金属粒子内包部45の下端に接触し、さらに、各第3の導電性接触子13の一方のプランジャ21の先端がフレキシブル配線基板36の可動側第3のランド電極28に接触する。
これにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路2の他方の外部電極3bが第2の導電性接触子41とフレキシブル配線基板36と第3の導電性接触子13とを介して検査回路基板15に電気的に接続される。これにより、半導体集積回路2と測定装置4とが電気的に接続され、半導体集積回路2に対して電気的特性の検査を行うことができる。
検査終了後、真空ポンプを作動させて半導体集積回路2を吸着口63に吸着し、この状態で、図13に示すように、可動部材16を下限位置Aから上限位置Bまで上昇させる。これにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが第1の導電性接触子11から上方へ離間するとともに、可動側第3のランド電極28が第3の導電性接触子13から離間し、さらに、吸着ブロック61がその自重と半導体集積回路2の重量とによって突出位置Cまで下降し、半導体集積回路2が、第2の導電性接触子41に接触せずに下方へ離間した状態で、吸着ブロック61に吸着保持される。
その後、自動搬送装置60によって半導体集積回路2を可動部材16と共に別の空のトレーの上方へ搬送し、真空ポンプを停止して大気開放することにより、吸着ブロック61による吸着が解除され、検査済みの半導体集積回路2を吸着ブロック61から前記空のトレー内へ収納する。
尚、吸着ブロック61が突出位置Cと退入位置Dとの間を上下移動するのに対して、真空通路66は横方向から吸着ブロック61の吸引口64に連通しているため、真空通路66の長さ方向は、吸着ブロック61の移動方向に対して、同じ方向ではなく、90°ずれた方向になる。したがって、真空ポンプを作動して吸引力を発生させた際、吸着ブロック61の上下移動が前記吸引力によって妨げられることはない。
(実施の形態6)
本発明における実施の形態6を説明する。図16に示すように、検査装置1は、ポゴピン方式の第1,第2の導電性接触子11,12と、固定部材14と、前記測定装置4に接続された検査回路基板15と、可動部材16と、検査用半導体集積回路70とを備えている。
検査用半導体集積回路70は検査回路基板15の上方に対向して配置されている。検査回路基板15は、ねじ(図示せず)等により、固定部材14の下部に着脱自在に設けられている。検査回路基板15の上面には、複数の第1のランド電極25(第1電極の一例)が形成されている。
各々の導電性接触子11,12は、従来と同様に、筒体19と圧縮ばね20と一方のプランジャ21と他方のプランジャ22とで構成されている。尚、各プランジャ21,22には金メッキが施されている。
第1の導電性接触子11は、検査回路基板15の第1のランド電極25と半導体集積回路2の一方の外部電極3aとに当接してこれら電極25,3a間を電気的に接続するものであり、一方のプランジャ21を上向きにするとともに他方のプランジャ22を下向きにして、固定部材14に複数本設けられている。
前記固定部材14は平面視において四角形のフレームからなり、固定部材14の上部(すなわち検査回路基板15と検査用半導体集積回路70との間)には、半導体集積回路2を保持する保持部24と、半導体集積回路2を保持部24に位置決めする突起部30とが設けられている。尚、突起部30は保持部24の周囲を取り囲むように配置されている。保持部24において、半導体集積回路2が第1の導電性接触子11により支持される。
また、可動部材16は、平面視において四角形の本体フレーム16eと、本体フレーム16eの上部に着脱自在に取付けられたカバー16fとで構成されており、固定部材14に対して上下方向に移動自在であり、可動部材16を昇降させるシリンダー又はモータ等からなる駆動装置(図示せず)が設けられている。
また、検査用半導体集積回路70は、パッケージオンパッケージ方式によって半導体集積回路2上に積み重ねられる別の半導体集積回路と同構造を有するものであり、可動部材16のカバー16fの下部に着脱自在に取付けられている。また、検査用半導体集積回路70は、その下面(すなわち検査回路基板15に対向する面)に、複数の検査用外部電極71を有している。これら検査用外部電極71は平坦状であり、その母材は銅やタングステンからなり、その表面には金メッキが施されている。
各第2の導電性接触子12は、検査用半導体集積回路70の検査用外部電極71と半導体集積回路2の他方の外部電極3bとに当接してこれら電極71,3b間を電気的に接続するものであり、可動部材16の本体フレーム16eに複数本設けられている。
可動部材16は下限位置A(当接位置の一例)と上限位置B(離間位置の一例)との間を昇降し、図16(a)に示すように下限位置Aにおいて、第2の導電性接触子12が半導体集積回路2の他方の外部電極3bに当接し、図16(b)に示すように上限位置Bにおいて、第2の導電性接触子12が前記他方の外部電極3bから上方へ離間する。
以下、上記構成における作用を説明する。
図16(b)に示すように、可動部材16を上限位置Bまで上昇させた状態では、各第1の導電性接触子11の他方のプランジャ22の先端が第1のランド電極25に接触しており、また、各第2の導電性接触子12の一方のプランジャ21の先端が検査用半導体集積回路70の検査用外部電極71に接触している。
この状態で、半導体集積回路2を保持部24に配置することにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが各第1の導電性接触子11の一方のプランジャ21の先端に接触する。
その後、図16(a)に示すように、可動部材16を上限位置Bから下限位置Aまで下降させることにより、各第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22の先端が半導体集積回路2の他方の外部電極3bに接触する。
これにより、半導体集積回路2の一方の外部電極3aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、半導体集積回路2の他方の外部電極3bが第2の導電性接触子12を介して検査用半導体集積回路70に電気的に接続され、半導体集積回路2に対して電気的特性の検査を行うことができる。
したがって、従来のように、半導体集積回路2の一方の面2aに、他方の外部電極3bと電気的に接続された検査用外部電極を追加して設ける必要はなく、これにより、外部電極の個数の増加を防止して、半導体集積回路2の外形寸法の大型化を防止することができ、積層による高密度化の効果を得ることができる。
また、前記のように、可動部材16を下限位置Aまで下降させた際、各導電性接触子11,12内の圧縮ばね20が圧縮され、これら圧縮ばね20の反発力によって、各電極3a,3b,25,71に対する各導電性接触子11,12のプランジャ21,22のコンタクト荷重(接触荷重)が発生し、各導電性接触子11,12のプランジャ21,22が各電極3a,3b,25,71に押付けられるため、安定した電気的導通を得ることができる。
検査終了後、可動部材16を下限位置Aから上限位置Bまで上昇させることにより、各第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22の先端が半導体集積回路2の他方の外部電極3bから上方へ離間する。
また、検査用半導体集積回路70の検査用外部電極71は平坦状であり且つ金メッキされており、検査用外部電極71と第2の導電性接触子12の金メッキされた一方のプランジャ21との当接部分は金同士の接触となるため、接触抵抗が小さく、良好な電気的導通が得られ、安定した電気的特性の検査を行うことができる。
また、検査対象である半導体集積回路2の外部電極3aと第1の導電性接触子11との接触抵抗よりも、検査用半導体集積回路70の検査用外部電極71と第2の導電性接触子12との接触抵抗の方が小さくなるので、半導体集積回路2に対して精度良く電気的特性検査を行うことができる。
次に、前記検査装置1を用いた半導体集積回路2の検査方法を説明する。
前記のように、半導体集積回路2を保持部24に保持した状態で、可動部材16を下限位置Aまで下降させて、第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15の第1のランド電極25と半導体集積回路2の一方の外部電極3aとを電気的に接続するとともに、第2の導電性接触子12を介して検査用半導体集積回路70の検査用外部電極71と半導体集積回路2の他方の外部電極3bとを電気的に接続する。
そして、図17に示すように、検査信号を測定装置4から第1の導電性接触子11を介して半導体集積回路2の一方の外部電極3aに対し任意の時間供給し、前記検査信号に対する第1の応答信号を半導体集積回路2の一方の外部電極3aから第1の導電性接触子11を介して測定装置4で授受する。
さらに、第2の応答信号を半導体集積回路2の他方の外部電極3bから第2の導電性接触子12を介して検査用半導体集積回路70の検査用外部電極71に対し供給し、前記第2の応答信号に対する第3の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路70から第2の導電性接触子12を介して半導体集積回路2の他方の外部電極3bに対し出力する。
そして、前記第3の応答信号又はダミー信号に対する第4の応答信号を半導体集積回路2の一方の外部電極3aから第1の導電性接触子11を介して測定装置4で授受する。測定装置4で授受された前記第1の応答信号と第4の応答信号とを計測し、計測結果を判別することによって半導体装置2の電気的特性を検査する。
尚、検査回路基板15と検査用半導体集積回路70との間を別途電気的に接続することで、検査用半導体集積回路70の故障診断を行うことも可能となる。万一、検査用半導体集積回路70が故障した場合、検査用半導体集積回路70を可動部材16のカバー16fから取り外して、正常な検査用半導体集積回路70と交換すればよい。
(実施の形態7)
本発明における実施の形態7を説明する。
図18,図19に示すように、検査装置1は、第1の半導体集積回路101と第2の半導体集積回路105とのいずれか又は両者の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行うことができる。尚、第1の半導体集積回路101は、一方の面101aに一方の外部電極102aを複数有し、他方の面101bに他方の外部電極102bを複数有している。また、第2の半導体集積回路105は、パッケージオンパッケージ方式によって第1の半導体集積回路101上に積み重ねられるものであり、一方の面(下面)のみに複数の外部電極106を有している。
検査装置1は、前記検査回路基板15と、ポゴピン方式の第1および第2の導電性接触子11,12と、前記第1の半導体集積回路101と、前記第2の半導体集積回路105と、固定部材103と、可動部材104とにより構成されている。
固定部材103は、平面視において四角形のフレーム形状となっており、検査回路基板15と可動部材104との間に配置されている。
検査回路基板15は、ねじ(図示せず)等により、固定部材103の下部に着脱自在に設けられている。検査回路基板15の上面には、複数の第1のランド電極25(第1電極の一例)が形成されている。また、検査回路基板15には測定装置4が接続されている。
可動部材104は、固定部材103に対して接近離間する移動経路110上を上下方向へ移動自在であり、個別に移動可能な可動フレーム104a(第1の可動体の一例)と可動カバー104b(第2の可動体の一例)とで構成されている。可動カバー104bは、固定部材103の上方に対向しており、可動フレーム104aの上方を覆うように配置されている。また、可動フレーム104aは、平面視において四角形に形成され、可動カバー104bと固定部材103との間に配置されている。
固定部材103と可動フレーム104aとの間には第1の保持部111が形成され、第1の半導体集積回路101は第1の保持部111に保持される。固定部材103の上部には、第1の半導体集積回路101を第1の保持部111に位置決めする第1の突起部113が設けられている。尚、第1の突起部113は第1の保持部111の周囲を取り囲むように配置されている。
可動フレーム104aと可動カバー104bとの間には第2の保持部112が形成され、第2の半導体集積回路105は第2の保持部112に保持される。可動フレーム104aの上部には、第2の半導体集積回路105を第2の保持部112に位置決めする第2の突起部114が設けられている。尚、第2の突起部114は第2の保持部112の周囲を取り囲むように配置されている。
第1の導電性接触子11は、第1のランド電極25と第1の半導体集積回路101の一方の外部電極102aとに当接してこれら電極25,102a間を電気的に接続するものであり、固定部材103に複数本設けられている。各第1の導電性接触子11の一方のプランジャ21は上向きにされ、他方のプランジャ22は下向きにされている。図18(b)に示すように、第1の保持部111において、第1の半導体集積回路101は第1の導電性接触子11により支持される。
第2の導電性接触子12は、第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bと
第2の半導体集積回路105の外部電極106とに当接してこれら電極102b,106間を電気的に接続するものであり、可動フレーム104aに複数本設けられている。図19(b)に示すように、第2保持部108において、第2の半導体集積回路105は第2の導電性接触子12により支持される。
尚、第1および第2の導電性接触子11,12はそれぞれ、筒体19と圧縮ばね20と一方のプランジャ21と他方のプランジャ22とで構成されており、各プランジャ21,22には金メッキが施されている。
前記可動部材104の可動フレーム104aと可動カバー104bとは、シリンダー又はモータ等からなる駆動装置(図示せず)よって、個別に移動経路110上を移動する。すなわち、可動フレーム104aは、可動カバー104bを伴って、図18(a)に示すように、第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22が第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bに当接する第1の下限位置A1(第1の当接位置の一例)と、図18(b)に示すように、第2の導電性接触子12が前記他方の外部電極102bから上方へ離間する第1の上限位置B1(第1の離間位置の一例)とに移動自在である。
また、可動カバー104bは、図19(a)に示すように、第2の保持部112に保持された第2の半導体集積回路105に当接して第2の半導体集積回路105の外部電極106を第2の導電性接触子12の一方のプランジャ21に押付ける第2の下限位置A2(第2の当接位置の一例)と、図19(b)に示すように、第2の半導体集積回路105から上方へ離間する第2の上限位置B2(第2の離間位置の一例)とに移動自在である。
以下、上記構成における作用を説明する。
第2の半導体集積回路105を電気的特性検査の対象にせず、第1の半導体集積回路101に対して電気的特性検査を行う場合、予め、可動カバー104bを上限位置B2まで上昇させ、第2の保持部112に第2の半導体集積回路105を保持させ、可動カバー104bを第2の下限位置A2まで下降させておく。これにより、図18(b)に示すように、可動カバー104bが第2の半導体集積回路105に当接して、第2の半導体集積回路105の外部電極106が第2の導電性接触子12の一方のプランジャ21に押付けられる。
この際、検査対象外である第2の半導体集積回路105の外部電極106は平坦状であり、その母材は銅やタングステンからなり、その表面には金メッキが施されている。
その後、図18(b)に示すように、可動カバー104bと一体に可動フレーム104aを第1の上限位置B1まで上昇させ、検査対象である第1の半導体集積回路101を第1の保持部111に保持させる。これにより、第1の導電性接触子11が検査回路基板15の第1のランド電極25と第1の半導体集積回路101の一方の外部電極102aとに当接する。
そして、図18(a)に示すように、可動カバー104bと一体に可動フレーム104aを第1の下限位置A1まで下降させる。これにより、第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22が第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bに当接するため、第1の導電性接触子11が検査回路基板15の第1のランド電極25と第1の半導体集積回路101の一方の外部電極102aとの間を接続するとともに、第2の導電性接触子12が第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bと第2の半導体集積回路105の外部電極106との間を接続する。
これにより、第1の半導体集積回路101の一方の外部電極102aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bが第2の導電性接触子12を介して第2の半導体集積回路105に電気的に接続され、第1の半導体集積回路101に対して電気的特性の検査を行うことができる。
その後、図18(b)に示すように、可動カバー104bと一体に可動フレーム104aを第1の下限位置A1から第1の上限位置B1まで上昇させ、検査済みの第1の半導体集積回路101を第1の保持部111から取り出し、検査対象となる別の第1の半導体集積回路101を第1の保持部111に保持させて、前記と同様な手順で第1の半導体集積回路101を検査する。
この場合、検査対象外である第2の半導体集積回路105の外部電極106は平坦状であり且つ金メッキされており、前記外部電極106が第2の導電性接触子12の金メッキされた一方のプランジャ21に当接する際、金同士の接触となるため、接触抵抗が小さく、良好な電気的導通が得られ、安定した電気的特性の検査を行うことができる。
また、検査対象である第1の半導体集積回路101の外部電極102aと第1の導電性接触子11との接触抵抗よりも、検査対象外である第2の半導体集積回路105の外部電極106と第2の導電性接触子12との接触抵抗の方が小さくなるので、第1の半導体集積回路101に対して精度良く電気的特性検査を行うことができる。
また、第1の半導体集積回路101を電気的特性検査の対象にせず、第2の半導体集積回路105に対して電気的特性検査を行う場合、予め、可動カバー104bと一体に可動フレーム104aを第1の上限位置B1まで上昇させ、第1の保持部111に第1の半導体集積回路101を保持させ、可動カバー104bと一体に可動フレーム104aを第1の下限位置A1まで下降させておく。これにより、第2の導電性接触子12の他方のプランジャ22が第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bに当接するとともに、第1の導電性接触子11が検査回路基板15の第1のランド電極25と第1の半導体集積回路101の一方の外部電極102aとの間を接続する。
この際、検査対象外である第1の半導体集積回路101の外部電極102a,102bは平坦状であり、その母材は銅やタングステンからなり、その表面には金メッキが施されている。
その後、図19(b)に示すように、可動カバー104bを第2の上限位置B2まで上昇させ、検査対象である第2の半導体集積回路105を第2の保持部112に保持させる。これにより、第2の導電性接触子12の一方のプランジャ21が第2の半導体集積回路105の外部電極106に当接する。
そして、図19(a)に示すように、可動カバー104bを第2の下限位置A2まで下降させる。これにより、可動カバー104bが第2の半導体集積回路105に当接して、第2の半導体集積回路105の外部電極106が第2の導電性接触子12の一方のプランジャ21に押付けられるため、第2の導電性接触子12が第2の半導体集積回路105の外部電極106と第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bとの間を接続する。
これにより、第1の半導体集積回路101の一方の外部電極102aが第1の導電性接触子11を介して検査回路基板15に電気的に接続されるとともに、第2の半導体集積回路105の外部電極106が第2の導電性接触子12を介して第1の半導体集積回路101の他方の外部電極102bに電気的に接続され、第2の半導体集積回路105に対して電気的特性の検査を行うことができる。
その後、図19(b)に示すように、可動カバー104bを第2の下限位置A2から第2の上限位置B2まで上昇させ、検査済みの第2の半導体集積回路105を第2の保持部112から取り出し、検査対象となる別の第2の半導体集積回路105を第2の保持部112に保持して、前記と同様な手順で第2の半導体集積回路105を検査する。
この場合、検査対象外である第1の半導体集積回路101の外部電極102a,102bは平坦状であり且つ金メッキされており、前記外部電極102aが第1の導電性接触子11の金メッキされた一方のプランジャ21に当接する際、金同士の接触となるため、接触抵抗が小さく、良好な電気的導通が得られ、安定した電気的特性の検査を行うことができる。
また、検査対象である第2の半導体集積回路105の外部電極106と第2の導電性接触子12との接触抵抗よりも、検査対象外である第1の半導体集積回路101の外部電極102aと第1の導電性接触子11との接触抵抗の方が小さくなるので、第2の半導体集積回路105に対して精度良く電気的特性検査を行うことができる。
尚、第1の半導体集積回路101の外部電極102aと第2の半導体集積回路105の外部電極106とはそれぞれ母材が銅やタングステンであり、電極に使用されることの多い半田ボール電極などに比べ硬度が高いので、各導電性接触子11,12との接触による変形も小さく、長期間安定した電気的導通が得られる。
本発明の検査装置は、対向する2面に外部電極を有する半導体集積回路を測定することができる検査装置として有用である。
本発明の実施の形態1における検査装置の図であり、(a)は可動部材を下限位置まで下降させた状態、(b)は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。 図1(b)におけるX−X矢視図である。 図1(b)におけるY−Y矢視図である。 図1(b)におけるZ−Z矢視図である。 同、検査装置で検査される半導体集積回路の図である。 同、検査装置の信号伝達経路を示すブロック図である。 本発明の実施の形態2における検査装置の図であり、(a)は可動部材を下限位置まで下降させた状態、(b)は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。 同、検査装置のフレキシブル配線基板の図であり、(a)は固定部材側(下方)から見た図、(b)は(a)におけるX−X矢視図を示す。 本発明の実施の形態3における検査装置の図であり、(a)は可動部材を下限位置まで下降させた状態、(b)は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。 同、検査装置の第2の導電性接触子の平面図である。 同、検査装置の第2の導電性接触子の一部拡大断面図である。 本発明の実施の形態4における検査装置の第2の導電性接触子の一部拡大断面図である。 本発明の実施の形態5における検査装置の図であり、半導体集積回路を吸着し、可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。 同、検査装置の図であり、半導体集積回路を落下させて保持部で保持した状態を示す。 同、検査装置の図であり、可動部材を下限位置まで下降させた状態を示す。 本発明の実施の形態6における検査装置の図であり、(a)は可動部材を下限位置まで下降させた状態、(b)は可動部材を上限位置まで上昇させた状態を示す。 同、検査装置の信号伝達経路を示すブロック図である。 本発明の実施の形態7における第1の半導体集積回路を検査する時の検査装置の図であり、(a)は可動フレームを第1の下限位置まで下降させた状態、(b)は可動フレームを第1の上限位置まで上昇させた状態を示す。 同、第2の半導体集積回路を検査する時の検査装置の図であり、(a)は可動カバーを第2の下限位置まで下降させた状態、(b)は可動カバーを第2の上限位置まで上昇させた状態を示す。 従来の検査装置の導電性接触子の部分を拡大した図である。 同、検査装置の図であり、対向する両方の面に外部電極を有する半導体集積回路をセットした状態を示す。 従来の検査装置を用いて、対向する両方の面に外部電極を有する半導体集積回路を検査する方法を示す図である。
符号の説明
1 検査装置
2 半導体集積回路
2a 一方の面
2b 他方の面
3a,3b 外部電極
4 測定装置
11〜13 第1〜第3の導電性接触子
14 固定部材
15 検査回路基板
16 可動部材
17 配線基板
23 配線回路
24 保持部
25 第1のランド電極(第1電極)
26 固定側第3のランド電極(一方の第3電極)
27 第2のランド電極(第2電極)
28 可動側第3のランド電極(他方の第3電極)
36 フレキシブル配線基板
41 第2の導電性接触子
60 自動搬送装置
61 吸着ブロック(吸着部材)
70 検査用半導体集積回路
71 検査用外部電極
101 第1の半導体集積回路
101a,101b 一方および他方の面
102a,102b 一方および他方の外部電極
103 固定部材
104 可動部材
104a 可動フレーム(第1の可動体)
104b 可動カバー(第2の可動体)
105 第2の半導体集積回路
106 外部電極
110 移動経路
111 第1の保持部
112 第2の保持部
A 下限位置(当接位置)
A1 第1の下限位置(第1の当接位置)
A2 第2の下限位置(第2の当接位置)
B 上限位置(離間位置)
B1 第1の上限位置(第1の離間位置)
B2 第2の上限位置(第2の離間位置)
C 突出位置
D 退入位置
H 半導体集積回路の全高
L1〜L3 第1〜第3の導電性接触子の全長

Claims (11)

  1. 対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、
    第1電極を有する検査回路基板と第2電極を有する配線基板とが対向して配置され、
    検査回路基板に測定装置が接続され、
    検査回路基板と配線基板との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、
    検査回路基板の第1電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第1の導電性接触子が固定部材に設けられ、
    配線基板の第2電極と配線基板に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第2の導電性接触子が可動部材に設けられ、
    配線基板は可動部材に設けられ、
    可動部材は、第2の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第2の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であり、
    検査回路基板に一方の第3電極が形成され、
    配線基板に、第2電極に配線回路を介して電気的に接続された他方の第3電極が形成され、
    可動部材が当接位置まで移動した際、一方の第3電極と他方の第3電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第3の導電性接触子が可動部材又は固定部材に設けられ
    配線基板の特性インピーダンスを検査回路基板又は測定装置の特性インピーダンスに整合させたことを特徴とする検査装置。
  2. 第3の導電性接触子の全長が第1の導電性接触子の全長と第2の導電性接触子の全長と半導体集積回路の全高との和よりも短くなるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
  3. 第1〜第3の導電性接触子の少なくともいずれかの導電性接触子を異方性導電性ゴム方式のものにしたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の検査装置。
  4. 可動部材は、半導体集積回路を保持部上へ搬送する搬送装置に設けられており、
    上記可動部材に、第1の導電性接触子と第2の導電性接触子との間で半導体集積回路を吸着する吸着部材が設けられ、
    吸着部材は、検査回路基板側に向かって突出する突出位置と、可動部材側に向かって退入する退入位置との間を移動自在であり、
    可動部材が離間位置まで移動した際、吸着部材が突出位置まで移動して、吸着部材に吸着されている半導体集積回路が第2の導電性接触子から離間し、
    可動部材が当接位置まで移動した際、吸着部材が退入位置まで移動して、半導体集積回路の他方の外部電極が第2の導電性接触子に当接することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の検査装置。
  5. 前記請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の検査装置を用いた検査方法であって、半導体集積回路を保持部に保持し、
    可動部材を当接位置まで移動させて、第1の導電性接触子を介して検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第2の導電性接触子を介して配線基板の第2電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、且つ、第3の導電性接触子を介して検査回路基板の一方の第3電極と配線基板の他方の第3電極とを電気的に接続し、
    検査信号を測定装置から半導体集積回路の一方又は他方の外部電極に出力し、
    検査信号に対する応答信号を半導体集積回路の一方又は他方の外部電極から測定装置で授受し、この応答信号を計測することを特徴とする検査方法。
  6. 対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、
    第1電極を有する検査回路基板と検査用半導体集積回路とが対向して配置され、
    検査用半導体集積回路は、パッケージオンパッケージ方式によって前記半導体集積回路上に積み重ねられる別の半導体集積回路と同構造を有するとともに、検査回路基板に対向する面に検査用外部電極を備えており、
    検査回路基板に測定装置が接続され、
    検査回路基板と検査用半導体集積回路との間に半導体集積回路を保持する保持部が形成され、
    検査回路基板の第1電極と検査回路基板に対向する半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第1の導電性接触子が固定部材に設けられ、
    検査用半導体集積回路の検査用外部電極と検査用半導体集積回路に対向する半導体集積回路の他方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続する第2の導電性接触子が可動部材に設けられ、
    検査用半導体集積回路は可動部材に設けられ、
    可動部材は、第2の導電性接触子が半導体集積回路の他方の外部電極に当接する当接位置と、第2の導電性接触子が前記他方の外部電極から離間する離間位置とに移動自在であることを特徴とする検査装置。
  7. 測定装置は、半導体集積回路に対して検査信号を出力するとともに、検査信号に対する第1の応答信号を授受し、さらに、第3の応答信号又はダミー信号に対する第4の応答信号を授受し、
    検査用半導体集積回路は、半導体集積回路から出力された第2の応答信号を授受するとともに、第2の応答信号に対する第3の応答信号又はダミー信号を半導体集積回路に対して出力することを特徴とする請求項6記載の検査装置。
  8. 半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との接触抵抗よりも、検査用半導体集積回路の検査用外部電極と第2の導電性接触子との接触抵抗を小さくすることを特徴とする請求項6記載の検査装置。
  9. 前記請求項6又は請求項7に記載の検査装置を用いた検査方法であって、
    半導体集積回路を保持部に保持し、
    可動部材を当接位置まで移動させて、第1の導電性接触子を介して検査回路基板の第1電極と半導体集積回路の一方の外部電極とを電気的に接続するとともに、第2の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路の検査用外部電極と半導体集積回路の他方の外部電極とを電気的に接続し、
    測定装置から第1の導電性接触子を介して半導体集積回路に対し検査信号を出力し、
    検査信号に対する第1の応答信号を半導体集積回路から第1の導電性接触子を介して測定装置で授受し、
    さらに、半導体集積回路から第2の導電性接触子を介して検査用半導体集積回路に対し第2の応答信号を出力し、
    第2の応答信号に対する第3の応答信号又はダミー信号を検査用半導体集積回路から第2の導電性接触子を介して半導体集積回路に対して出力し、
    第3の応答信号又はダミー信号に対する第4の応答信号を半導体集積回路から第1の導電性接触子を介して測定装置で授受し、
    授受した前記第1と第4の応答信号を計測することを特徴とする検査方法。
  10. 対向する一方および他方の両方の面に一方の外部電極と他方の外部電極とを有する第1の半導体集積回路と、
    一方の面のみに外部電極を有し且つパッケージオンパッケージ方式によって第1の半導体集積回路上に積み重ねられる第2の半導体集積回路との少なくともいずれかの半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う検査装置であって、
    検査回路基板と可動部材との間に固定部材が備えられ、
    検査回路基板に第1電極が設けられ、
    検査回路基板に測定装置が接続され、
    固定部材に第1の導電性接触子が設けられ、
    可動部材は、固定部材に対して接近離間する移動経路上を移動自在であるとともに、個別に移動可能な第1の可動体と第2の可動体とで構成され、
    第2の可動体は固定部材に対向して配置され、
    第1の可動体は第2の可動体と固定部材との間に配置され、
    第1の可動体に第2の導電性接触子が設けられ、
    固定部材と第1の可動体との間に第1の半導体集積回路を保持する第1の保持部が形成され、
    第1の可動体と第2の可動体との間に第2の半導体集積回路を保持する第2の保持部が形成され、
    第1の導電性接触子は第1電極と第1の保持部に保持された第1の半導体集積回路の一方の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、
    第2の導電性接触子は第1の保持部に保持された第1の半導体集積回路の他方の外部電極と第2の保持部に保持された第2の半導体集積回路の外部電極とに当接してこれら電極間を電気的に接続し、
    第1の可動体は、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極に当接する第1の当接位置と、第2の導電性接触子が第1の半導体集積回路の他方の外部電極から離間する第1の離間位置とに移動自在であり、
    第2の可動体は、第2の保持部に保持された第2の半導体集積回路に当接して第2の半導体集積回路の外部電極を第2の導電性接触子に押付ける第2の当接位置と、第2の半導体集積回路から離間する第2の離間位置とに移動自在であることを特徴とする検査装置。
  11. 第1の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第1の半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との接触抵抗よりも、第2の半導体集積回路の外部電極と第2の導電性接触子との接触抵抗を小さくし、
    第2の半導体集積回路に対して電気的な特性検査を行う場合、第2の半導体集積回路の外部電極と第2の導電性接触子との接触抵抗よりも、第1の半導体集積回路の外部電極と第1の導電性接触子との接触抵抗を小さくすることを特徴とする請求項10記載の検査装置。
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