CN113495190A - 电阻映射装置、电阻测定装置、电阻测定方法、程序以及记录介质 - Google Patents

电阻映射装置、电阻测定装置、电阻测定方法、程序以及记录介质 Download PDF

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CN113495190A CN202110324394.6A CN202110324394A CN113495190A CN 113495190 A CN113495190 A CN 113495190A CN 202110324394 A CN202110324394 A CN 202110324394A CN 113495190 A CN113495190 A CN 113495190A
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Abstract

提供一种能获得测定对象物的电阻分布的电阻映射装置、电阻测定装置、电阻测定方法、程序及记录介质。电阻映射装置具备:第一芯片,具有第一面以及位于第一面的相反侧的第二面,在第一面设有多个第一电极;第二芯片,具有与第一面对置的第三面以及位于第三面的相反侧的第四面,在第三面设有与多个第一电极对应的多个第二电极;以及测定部,与多个第一电极和多个第二电极电连接,在第一芯片与第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,能够在测定对象物中测定多个第一电极和多个第二电极中的相互对应的各第一电极与第二电极之间的部分的电阻,取得使电阻的测定值与在测定对象物中与多个第一电极分别对应的位置相关联的映射数据。

Description

电阻映射装置、电阻测定装置、电阻测定方法、程序以及记录 介质
技术领域
实施方式涉及电阻映射装置、电阻测定装置、电阻测定方法、程序以及记录介质。
背景技术
以往以来,已知有在一对电极之间配置有测定对象物的状态下,对一对电极之间施加电压来测定测定对象物的电阻的万用表等电阻测定装置。然而,在这样的电阻测定装置中,存在在测定对象物中只能测定一对电极之间的部分的电阻的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-309797号公报
发明内容
发明要解决的课题
实施方式的目的在于提供一种能够获得测定对象物的电阻分布的电阻映射装置、电阻测定装置、电阻测定方法、程序以及记录介质。
用来解决课题的手段
实施方式的电阻映射装置具备:第一芯片,具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极;第二芯片,具有与所述第一面对置的第三面以及位于所述第三面的相反侧的第四面,在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极;以及测定部,与所述多个第一电极和所述多个第二电极电连接,在所述第一芯片与所述第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,能够在所述测定对象物中测定所述多个第一电极和所述多个第二电极中的相互对应的各第一电极与第二电极之间的部分的电阻,取得使电阻的测定值与在所述测定对象物中与所述多个第一电极分别对应的位置相关联的映射数据。
实施方式的电阻测定装置具备:第一芯片,具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极;第二芯片,具有与所述第一面对置的第三面以及位于所述第三面的相反侧的第四面,在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极;以及测定部,与所述多个第一电极和所述多个第二电极电连接,在所述第一芯片与所述第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,能够在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述多个第二电极中的另一个第二电极之间的部分的电阻。
实施方式的电阻测定装置具备:芯片,具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极;导电部件,能够以与所述多个第一电极对置的方式配置;以及测定部,与所述多个第一电极以及所述导电部件电连接,在所述多个第一电极与所述导电部件之间配置有测定对象物的状态下,能够在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻。
实施方式的电阻测定方法具备:在第一芯片与第二芯片之间配置测定对象物的步骤,该第一芯片具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极,该第二芯片具有与所述第一面对置的第三面以及位于所述第三面的相反侧的第四面,在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极;以及在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述多个第二电极中的另一个第二电极之间的部分的电阻的步骤。
实施方式的电阻测定方法具备:在芯片与导电部件之间配置测定对象物的步骤,该芯片具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极,该导电部件与所述多个第一电极对置;以及在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻的步骤。
实施方式的程序,能够使处理部执行如下步骤:在具有第一面及位于所述第一面的相反侧的第二面且在所述第一面设有多个第一电极的第一芯片以及具有与所述第一面对置的第三面及位于所述第三面的相反侧的第四面且在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极的第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述多个第二电极中的另一个第二电极之间的部分的电阻。
实施方式的程序能够使处理部执行如下步骤:在具有第一面及位于所述第一面的相反侧的第二面且在所述第一面设有多个第一电极的芯片以及与所述多个第一电极对置的导电部件之间配置有测定对象物的状态下,在所述测定对象物中,测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻。
实施方式的记录介质存储有上述所记载的任意一个程序。
附图说明
图1是表示第一实施方式的电阻映射装置的立体图。
图2是表示第一实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
图3是表示第一实施方式的电阻映射装置的第一芯片以及第一布线基板的俯视图。
图4是表示第一实施方式的电阻映射装置的第二芯片以及第二布线基板的俯视图。
图5是例示在第一轴上取X方向上的位置、在与第一轴正交的第二轴上取Y方向上的位置、在与第一轴及第二轴正交的第三轴上取电阻、由第一实施方式的电阻映射装置取得的映射数据的图表。
图6是表示第二实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
图7是表示第二实施方式的电阻映射装置的第一芯片以及第一布线基板的俯视图。
图8是表示第二实施方式的电阻映射装置的第二芯片以及第二布线基板的俯视图。
图9是表示第三实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
图10是表示第四实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
图11是表示第五实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
图12的(a)以及图12的(b)是表示第六实施方式的电阻测定方法的示意图。
图13是表示第六实施方式的电阻测定装置的局部端面图。
图14是表示第七实施方式的电阻测定装置的局部端面图。
附图标记说明
100、200、300、400、500、600、700:电阻映射装置(电阻测定装置)
110、210、310、510:第一芯片
111、211、311:基板
111a、211a、311a:上表面
111b、211b、311b:下表面
112、212、312:第一电极
113、213、313:第一贯通电极
114、214、314:覆盖层
115、116、216、316、515、516:导电部件
120、220、320、520:第二芯片
121、221、321:基板
121a、221a、321a:上表面
121b、221b、321b:下表面
122、222、322:第二电极
123、223、323:第二贯通电极
124、224、324:覆盖层
125、126、226、326、525、526:导电部件
130、430、530:第一布线基板
131:基板
131a:上表面
131b:下表面
132:第一布线
140、440、540:第二布线基板
141:基板
141a:上表面
141b:下表面
142:第二布线
151:按压机构
152:位置调整机构
160、460、560、760:测定部
161、461、561:第一端子
162、462、562:第二端子
163、465、565:数据取得部
170:控制部
181:操作部
182:显示部
191、192、491、492、591、592:接合部件
193、493:第一引线
194、494:第二引线
432、532:第三布线
442、542:第四布线
463、563:第三端子
464、564:第四端子
512:第三电极
513:第三贯通电极
522:第四电极
523:第四贯通电极
720:基板
721:绝缘层
722:导电部件
900:测定对象物
901:空隙
D:映射数据
R:电阻的测定值
Δx1:相邻的第一电极的中心彼此的X方向上的距离
Δx2:相邻的第二电极的中心彼此的X方向上的距离
Δy1:相邻的第一电极的中心彼此的Y方向上的距离
Δy2:相邻的第二电极的中心彼此的Y方向上的距离
具体实施方式
<第一实施方式>
首先,对第一实施方式进行说明。
图1是表示本实施方式的电阻映射装置的立体图。
图2是表示本实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
参照图1进行概述,本实施方式的电阻映射装置100(电阻测定装置100)具备第一芯片110、第二芯片120、第一布线基板130、第二布线基板140、按压机构151、位置调整机构152、测定部160、控制部170、操作部181以及显示部182。
在本实施方式中,电阻映射装置100用于测定测定对象物900的电阻的面分布。作为测定对象物900,例如可列举在评价对象部中具有导电性的膜、片、或者板等。通过测定测定对象物900的电阻的面分布,如图2所示,能够在不破坏测定对象物900的情况下推断在测定对象物900之中是否存在空隙901或电阻值变化等缺陷。
以下,对电阻映射装置100的各部进行详细叙述。以下,使用XYZ正交坐标系。将从第二芯片120朝向第一芯片110的方向称作“Z方向”或“上方向”。将上方向的相反方向称作“下方向”。将与Z方向正交的一个方向称作“X方向”。将与Z方向以及X方向正交的一个方向称作“Y方向”。
第一芯片110为半导体元件。如图2所示,第一芯片110具有基板111、多个第一电极112、多个第一贯通电极113以及覆盖层114。
基板111例如由硅等半导体材料构成。如图1所示,在本实施方式中,俯视时的基板111的形状为矩形。但是,俯视时的基板111的形状并不限定于上述。
如图2所示,基板111的表面包括上表面111a以及下表面111b。上表面111a与X方向以及Y方向平行。下表面111b位于上表面111a的相反侧。下表面111b与X方向以及Y方向平行。在基板111的下表面111b配置有多个第一电极112。另外,在基板111上,与多个第一电极112对应地设有在厚度方向上贯通基板111的多个第一贯通电极113。第一贯通电极113的数量与第一电极112的数量相等。
各第一电极112为凸块,由铜或焊料等导电性材料构成。各第一电极112的形状例如为大致圆柱形状。各第一电极112从下表面111b向下方向突出。
图3是表示本实施方式的电阻映射装置的第一芯片以及第一布线基板的俯视图。
在本实施方式中,多个第一电极112在X方向以及Y方向上大致等间隔地排列。即,多个第一电极112在X方向以及Y方向上,排列成格子状。在图3中,第一电极112设有在Y方向上13行且在X方向上13列的共计169个。但是,第一电极112的数量并不限定于上述。多个第一电极112相互分离。在本实施方式中,在X方向上相邻的第一电极112的中心彼此的距离Δx1与在Y方向上相邻的第一电极112的中心彼此的距离Δy1大致相等。距离Δx1以及距离Δy1优选为40μm以上且2000μm以下。但是,多个第一电极112只要以在下表面111b上分散的方式配置即可,多个第一电极112的配置图案并不限定于上述。例如,距离Δx1与距离Δy1也可以不同。
如图2所示,各第一贯通电极113由铜等导电性材料构成。多个第一贯通电极113与多个第一电极112一对一地电连接。各第一贯通电极113从基板111的下表面111b朝向上表面111a延伸。各第一贯通电极113的下端与导电部件115相接。各第一贯通电极113经由导电部件115而与对应的第一电极112电连接。各第一贯通电极113的上端与导电部件116相接。多个第一贯通电极113相互分离。
覆盖层114覆盖基板111的下表面111b。覆盖层114例如由树脂材料构成。
第二芯片120为半导体元件。第二芯片120配置于第一芯片110的下方。在第一芯片110与第二芯片120之间配置测定对象物900。第二芯片120具有基板121、多个第二电极122、多个第二贯通电极123以及覆盖层124。
基板121例如由硅等半导体材料构成。如图1所示,在本实施方式中,俯视时的基板121的形状为矩形。但是,俯视时的基板121的形状并不限定于上述。
如图2所示,基板121的表面包括上表面121a以及下表面121b。上表面121a与X方向以及Y方向平行。上表面121a与第一芯片110的下表面111b对置。在上表面121a设有与多个第一电极112对应的多个第二电极122。第二电极122的数量与第一电极112的数量相等。下表面121b位于上表面121a的相反侧。下表面121b与X方向以及Y方向平行。在基板121上,与多个第二电极122对应地设有在厚度方向上贯通基板121的多个第二贯通电极123。第二贯通电极123的数量与第二电极122的数量相等。
各第二电极122为凸块,由铜或焊料等导电性材料构成。各第二电极122的形状例如为大致圆柱形状。各第二电极122从上表面121a向上方向突出。
图4是表示本实施方式的电阻映射装置的第二芯片以及第二布线基板的俯视图。
多个第二电极122与多个第一电极112相同,在X方向以及Y方向上大致等间隔地排列。即,多个第二电极122在X方向以及Y方向上排列成格子状。在图4中,第二电极122设有在Y方向上13行且在X方向上13列的共计169个。但是,第二电极122的数量只要与第一电极112的数量相同,就不限定于上述。多个第二电极122相互分离。在X方向上相邻的第二电极122的中心彼此的距离Δx2与在X方向上相邻的第一电极112的中心彼此的距离Δx1(参照图3)大致相等。同样,在Y方向上相邻的第二电极122的中心彼此的距离Δy2与在Y方向上相邻的第一电极112的中心彼此的距离Δy1(参照图3)大致相等。
以下,在使多个第一电极的各个与多个第二电极122中的某一个第二电极122对置的情况下,如图2所示,将多个第一电极112以及多个第二电极122中的相互距离最短的第一电极112以及第二电极122称作“相互对应的第一电极112以及第二电极122”。
如图2所示,各第二贯通电极123由铜等导电性材料构成。多个第二贯通电极123与多个第二电极122一对一地连接。各第二贯通电极123从基板121的上表面121a朝向下表面121b延伸。各第二贯通电极123的上端与导电部件125相接。各第二贯通电极123经由导电部件125而与对应的第二电极122电连接。各第二贯通电极123的下端与导电部件126相接。多个第二贯通电极123相互分离。
覆盖层124覆盖基板121的上表面121a。覆盖层124例如由树脂材料构成。
如图1所示,在第一芯片110的基板111的上表面111a安装有第一布线基板130。第一布线基板130作为中继第一芯片110与测定部160的电连接的内插器而发挥功能。
第一布线基板130具有基板131以及与多个第一贯通电极113对应的多条第一布线132。因而,第一布线132的数量与第一贯通电极113的数量、即第一电极112的数量相等。另外,在图1以及图3中,示出了多条第一布线132中的两条第一布线132,省略了剩余的第一布线132。
俯视时的基板131的形状为矩形。但是,俯视时的基板131的形状并不限定于上述。如图2所示,基板131的表面包括上表面131a与下表面131b。上表面131a与X方向以及Y方向平行。下表面131b位于上表面131a的相反侧。在下表面131b形成有多条第一布线132。多条第一布线132相互分离。
各第一布线132由铜等导电性材料构成。各第一布线132的一部分配置于对应的第一贯通电极113的正上方。在各第一布线132的一部分与对应的第一贯通电极113之间配置有由焊料等导电性材料构成的接合部件191以及导电部件116。各第一布线132经由接合部件191以及导电部件116而与对应的第一贯通电极113电连接。
如图3所示,俯视时的第一布线基板130的面积比第一芯片110的面积大。因此,能够扩大在相邻的第一布线132中与测定部160连接的部分彼此的间隔。其结果,能够容易地将测定部160连接于各第一布线132。
如图1所示,在第二芯片120的基板121的下表面121b安装有第二布线基板140。第二布线基板140作为中继第二芯片120与测定部160的电连接的内插器而发挥功能。
第二布线基板140具有基板141以及与多个第二贯通电极123对应的多条第二布线142。因而,第二布线142的数量与第二贯通电极123的数量、即第二电极122的数量相等。另外,在图1以及图4中,示出了多条第二布线142中的两条第二布线142,省略了剩余的第二布线142。
俯视时的基板141的形状为矩形。但是,俯视时的基板141的形状并不限定于上述。如图2所示,基板141的表面包括上表面141a与下表面141b。在上表面141a形成有多条第二布线142。下表面141b位于上表面141a的相反侧。下表面141b与X方向以及Y方向平行。
各第二布线142由铜等导电性材料构成。各第二布线142的一部分配置于对应的第二贯通电极123的正下方。在各第二布线142的一部分与对应的第二贯通电极123之间配置有由焊料等导电性材料构成的接合部件192以及导电部件126。各第二布线142经由接合部件192以及导电部件126而与对应的第二贯通电极123电连接。
如图4所示,俯视时的第二布线基板140的面积比第二芯片120的面积大。因此,能够扩大在相邻的第二布线142中与测定部160连接的部分彼此的间隔。其结果,能够容易地将第二布线142连接于测定部160。
如图1所示,按压机构151将各第一电极112以及各第二电极122按压于测定对象物900。由此,各电极112、122按压测定对象物900。
在本实施方式中,按压机构151具有能够从上下方向夹持第一布线基板130及第二布线基板140的一对夹持部件151a、151b以及能够使一对夹持部件151a、151b相对地接近远离的驱动部151c。夹持部件151a安装于第一布线基板130的上表面131a。夹持部件151b安装于第二布线基板140的下表面141b。夹持部件151a按压比在第一布线基板130中配置有第一芯片110的区域宽的区域。另外,夹持部件151b按压比在第二布线基板140中配置有第二芯片120的区域宽的区域。由此,能够抑制第一芯片110的下表面111b与第二芯片120的上表面121a在X方向以及Y方向的各位置的间隔的偏差。其结果,能够抑制各电极112、122按压测定对象物900的力(按压力)的偏差。
但是,按压机构151的构成并不限定于上述。例如,按压机构151也可以按压第一布线基板130以及第二布线基板140的俯视时的四角等、按压第一布线基板130以及第二布线基板140的俯视时的多个位置。在这样的构成中,也能够抑制各电极112、122的按压力的偏差。
位置调整机构152调整多个第一电极112与多个第二电极122的X方向以及Y方向的相对位置。由此,能够使各第一电极112与多个第二电极122中的某一个第二电极122对置。在本实施方式中,位置调整机构152通过使夹持部件151b在X方向以及Y方向上移动,从而使多个第二电极122在X方向以及Y方向上移动。
但是,位置调整机构152的构成并不限定于上述。例如,位置调整机构152也可以使按压机构151中的夹持部件151a以及驱动部151c在X方向以及Y方向上移动。另外,也可以不在电阻映射装置100设置位置调整机构152。即,在测定时,各第一电极112也可以不与多个第二电极122中的某一个第二电极122对置。
在本实施方式中,测定部160具有与第一布线基板130的多条第一布线132对应的多个第一端子161以及与第二布线基板140的多条第二布线142对应的多个第二端子162。即,第一端子161的数量与第一布线132的数量、即第一电极112的数量相等。另外,第二端子162的数量与第二布线142的数量、即第二电极122的数量相等。
各第一端子161经由第一引线193与第一布线基板130所对应的第一布线132连接。各第二端子162经由第二引线194与第二布线基板140所对应的第二布线142连接。
以下,将相互对应的第一电极112以及第二电极122称作“一对电极112、122”,将与一对电极112、122连接的第一端子161以及第二端子162称作“一对端子161、162”。
测定部160具有数据取得部163,该数据取得部163经由各一对端子161、162测定各一对电极112、122之间的电阻,取得使电阻的测定值与和多个第一电极112分别对应的位置相关联的映射数据D。数据取得部163包括模拟电路、CPU(Central Processing Unit,中央处理器)以及存储器等。
在本实施方式中,数据取得部163经由各一对端子161、162对各一对电极112、122之间施加规定的电压,测定在各一对电极112、122之间流动的电流。然后,数据取得部163针对各一对电极112、122,根据规定的电压以及测定出的电流计算各一对电极112、122之间的电阻。但是,电阻的测定方法并不限定于上述。例如,数据取得部163也可以经由各一对端子161、162在各一对电极112、122之间流过规定的电流,测定各一对电极112、122之间的电压,针对各一对电极112、122,根据规定的电流以及测定出的电压计算各一对电极112、122之间的电阻。另外,数据取得部163也可以测定各一对端子161、162中的电压以及电流这两方,针对各一对电极112、122,根据测定出的电压以及电流推断各一对电极112、122之间的电阻。这样,在本实施方式中,电阻映射装置100通过2端子法测定电阻。
由此,数据取得部163取得使电阻的测定值与在测定对象物900中与多个第一电极112分别对应的位置相关联的映射数据D。在本实施方式中,在测定对象物900中与多个第一电极112分别对应的位置,相当于多个第一电极112的X方向以及Y方向上的位置。
但是,测定部160的构成并不限定于上述。例如,第一端子161的数量也可以比第一电极112的数量少。另外,第二端子162的数量也可以比第二电极122的数量少。在该情况下,也可以通过将第一引线193以及第二引线194从与已测定电阻的一对电极112、122对应的第一布线132以及第二布线142,改成连到与未测定电阻的一对电极112、122对应的第一布线132以及第二布线142,来依次测定电阻的面分布。
如图1所示,控制部170例如包括包含CPU(Central Processing Unit,中央处理器)等处理器的处理部171以及包含ROM(Read Only Memory,只读存储器)或RAM(RandomAccess Memory,随机存取存储器)等存储器的存储部172。
存储部172存储用于测定测定对象物900的电阻的各种程序、数据等。处理部171读入存储于存储部172的程序,基于经由操作部181输入的来自使用者的指示,控制按压机构151、位置调整机构152、测定部160以及显示部182。控制部170例如能够读取CD-ROM、DVD-ROM、磁光盘、或者闪存等记录介质,也可以从记录介质取得该程序。另外,控制部170也可以经由因特网等通信网络取得该程序。
操作部181例如为键盘等。使用者能够经由操作部181向控制部170输入第一芯片110与第二芯片120的位置调整以及电阻的测定开始等指示。
在本实施方式中,显示部182例如为显示器。在显示部182中显示映射数据D。
但是,在电阻映射装置100中,也可以不设置第一布线基板130、第二布线基板140、位置调整机构152、控制部170、操作部181以及显示部182。
接下来,对本实施方式的电阻映射装置100的动作进行说明。即,对本实施方式的电阻测定方法进行说明。
首先,使用者经由操作部181指示控制部170调整第一芯片110与第二芯片120的X方向以及Y方向的相对位置。由此,控制部170控制位置调整机构152,调整第一芯片110与第二芯片120的X方向以及Y方向的相对位置。
具体而言,控制部170控制位置调整机构152使第一芯片110在X方向以及Y方向上移动,以使所有第一电极112分别与对应的第二电极122对置。此时,也可以使用定位用的夹具调整第一芯片110与第二芯片120的X方向以及Y方向的相对位置。但是,调整第一芯片110与第二芯片120的X方向以及Y方向的相对位置的方法并不限定于上述。
接下来,使用者在第二芯片120上载置测定对象物900。由此,在第一芯片110与第二芯片120之间配置测定对象物900。
接下来,使用者经由操作部181指示控制部170测定测定对象物900的电阻的面分布。
由此,首先,控制部170的处理部171控制按压机构151,使第一布线基板130以及第一芯片110向下方向移动,将多个第一电极112以及多个第二电极122按压于测定对象物900。由此,各电极112、122按压测定对象物900。
在一对电极112、122与测定对象物900的接触面积较小的情况下,由于各电极112、122与测定对象物900之间的接触电阻变大,因此存在测定对象物900的电阻的测定精度降低的可能性。通过将各电极112、122充分地按压于测定对象物900,能够抑制各电极112、122与测定对象物900之间的接触电阻。
若逐渐增大各电极112、122按压测定对象物900的按压力,则接触电阻逐渐变小,与此相应地在一对电极112、122之间流动的电流逐渐增加。而且,在按压力为规定的值以上的范围内,即使逐渐增大按压力,由于接触电阻变得足够小,因此在一对电极112、122之间流动的电流的值也大致一定。
因此,在本实施方式中,控制部170控制测定部160以及按压机构151,测定各一对电极112、122之间的电流,针对各一对电极112、122,使各电极112、122的按压力增加直到电流的测定值饱和为止。“电流的测定值饱和”并不是指电流的测定值严格地一定,而是指实用上饱和。因而,若使按压力增加了规定量时的电流的测定值的变化量为规定的值以下,则也可以视为饱和。
但是,按压机构151也可以不增加按压力直到电流的测定值饱和。例如,在预先知晓能够充分减小接触电阻的规定的按压力的情况下,按压机构151也可以从开始起以规定的按压力按压第一布线基板130以及第二布线基板140。规定的按压力例如为200N。
接下来,控制部170的处理部171控制测定部160,测定各一对电极112、122之间的电阻。具体而言,测定部160的数据取得部163对各一对电极112、122之间施加规定的电压,测定在各一对电极112、122之间流动的电流。然后,数据取得部163针对各一对电极112、122,根据规定的电压以及测定出的电流,计算在测定对象物900中各一对电极112、122之间的部分的电阻。由此,数据取得部163取得使各位置处的电阻的测定值与在测定对象物900中与多个第一电极112分别对应的位置、即多个第一电极112的X方向以及Y方向上的位置相关联的映射数据D。
在本实施方式中,数据取得部163在测定对象物900中同时进行各一对电极112、122之间的部分的电阻的测定。但是,在测定对象物900中,各一对电极112、122之间的部分的电阻的测定也可以不同时进行。例如,数据取得部163也可以在测定对象物900中依次测定各一对电极112、122之间的部分的电阻。
图5是例示在第一轴上取X方向上的位置、在与第一轴正交的第二轴上取Y方向上的位置、在与第一轴以及第二轴正交的第三轴上取电阻、由本实施方式的电阻映射装置取得的映射数据的图表。
接下来,控制部170控制显示部182,显示映射数据D。在本实施方式中,映射数据D是使各位置(x,y)处的电阻的测定值R与多个第一电极112的X方向以及Y方向上的位置(x,y)相关联的数据。如图5所示,能够推断在与其他区域相比电阻的测定值R变高的区域产生了与周围不同的变质、空隙901等缺陷。
接下来,对本实施方式的效果进行说明。
本实施方式的电阻映射装置100具备第一芯片110、第二芯片120以及测定部160。第一芯片110具有第一面(下表面111b)以及位于第一面的相反侧的第二面(上表面111a),在第一面设有多个第一电极112。第二芯片120具有与第一面对置的第三面(上表面121a)以及位于第三面的相反侧的第四面(121b),在第三面设有与多个第一电极112对应的多个第二电极122。测定部160与多个第一电极112以及多个第二电极122电连接,在第一芯片110与第二芯片120之间配置有测定对象物900的状态下,能够在测定对象物900中测定多个第一电极112以及多个第二电极122中的相互对应的各第一电极112与第二电极122之间的部分的电阻,取得使电阻的测定值R与在测定对象物900中与多个第一电极112分别对应的位置相关联的映射数据D。这样,可以实现能够测定测定对象物900的电阻的面分布的电阻映射装置100。
另外,多个第一电极112设于作为半导体元件的第一芯片110,多个第二电极122设于作为半导体元件的第二芯片120。因此,能够以较高的面密度测定电阻的面分布。
另外,电阻映射装置100具备调整多个第一电极112与多个第二电极122的相对位置的位置调整机构152。因此,能够抑制多个第二电极122相对于多个第一电极112在与从第一芯片110朝向第二芯片120的方向正交的方向上发生位置偏移。
另外,第一芯片110具有与多个第一电极112分别电连接,并在从第一面(下表面111b)朝向第二面(上表面111a)的方向上延伸的多个第一贯通电极113。因此,能够经由多个第一贯通电极113将多个第一电极112连接于测定部160。
另外,电阻映射装置100具备第一布线基板130,该第一布线基板130安装于第二面(上表面111a),具有能够将多个第一贯通电极113的各个与测定部160电连接的多条第一布线132,俯视时的面积比俯视时的第一芯片110的面积大。因此,能够经由多个第一布线基板130容易地将多个第一电极112连接于测定部160。
另外,第二芯片120具有与多个第二电极122分别电连接,并在从第三面(上表面121a)朝向第四面(下表面121b)的方向上延伸的多个第二贯通电极123。因此,能够经由多个第二贯通电极123将多个第二电极122连接于测定部160。
另外,电阻映射装置100具备第二布线基板140,该第二布线基板140安装于第四面(下表面121b),具有能够将多个第二贯通电极123的各个与测定部160电连接的多条第二布线142,俯视时的面积比俯视时的第二芯片120的面积大。因此,能够经由多个第二布线基板140容易地将多个第二电极122连接于测定部160。
另外,多个第一电极112以及多个第二电极122分别为凸块。因此,能够以较高的面密度测定电阻的面分布。
另外,本实施方式的电阻测定方法具备:在第一芯片110与第二芯片120之间配置测定对象物900的步骤;以及在测定对象物900中测定多个第一电极112中的一个第一电极112与多个第二电极122中的一个第二电极122之间的部分的电阻和多个第一电极112中的另一个第一电极112与多个第二电极122中的另一个第二电极122之间的部分的电阻的步骤。因而,根据本实施方式的电阻测定方法,能够高效地取得测定对象物900的电阻分布。
另外,本实施方式的程序能够使处理部执行如下步骤:在第一芯片与第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,在测定对象物中,测定多个第一电极中的一个第一电极与多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和多个第一电极112中的另一个第一电极112与多个第二电极122中的另一个第二电极122之间的部分的电阻。因而,根据本实施方式的电阻测定程序,能够高效地取得测定对象物900的电阻分布。
另外,本实施方式的记录介质存储有上述的程序。因此,根据本实施方式的记录介质,能够高效地取得测定对象物900的电阻分布。
<第二实施方式>
接下来,对第二实施方式进行说明。
图6是表示本实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
本实施方式的电阻映射装置200(电阻测定装置200)在第一电极212以及第二电极222的构成上与第一实施方式的电阻映射装置100不同。
另外,在以下的说明中,原则上,仅对与第一实施方式的不同点进行说明。以下说明的事项以外与第一实施方式相同。
第一芯片210为半导体元件。第一芯片210具有基板211、多个第一电极212、多个第一贯通电极213以及覆盖层214。
基板211例如由硅等半导体材料构成。基板211的表面包括上表面211a以及下表面211b。上表面211a与X方向以及Y方向平行。下表面211b位于上表面211a的相反侧。下表面211b与X方向以及Y方向平行。在下表面211b配置有多个第一电极212。另外,在基板211上,与多个第一电极212对应地设有在厚度方向上贯通基板211的多个第一贯通电极213。第一贯通电极213的数量与第一电极212的数量相等。
图7是表示本实施方式的电阻映射装置的第一芯片以及第一布线基板的俯视图。
各第一电极212由铜合金等导电性材料构成。在本实施方式中,各第一电极212为导线。各第一电极212在俯视时沿X方向延伸。在本实施方式中,多个第一电极212在X方向以及Y方向上大致等间隔地排列。多个第一电极212相互分离。但是,各第一电极212也可以在Y方向上延伸。
如图6所示,各第一电极212的X方向的两端通过导电性的接合部件215而与基板211的下表面211b接合。各第一电极212的X方向的两端之间的部分朝向远离基板211的方向弯曲成凸状。
各第一贯通电极213由铜等导电性材料构成。多个第一贯通电极213与多个第一电极212一对一地电连接。各第一贯通电极213从基板211的下表面211b朝向上表面211a延伸。各第一贯通电极213的下端与接合于对应的第一电极212的接合部件215相接。各第一贯通电极213的上端与导电部件216相接。各第一贯通电极213经由接合部件191以及导电部件216而与第一布线基板130所对应的第一布线132电连接。多个第一贯通电极213相互分离。
覆盖层214覆盖基板211的下表面211b。覆盖层214例如由树脂材料构成。
第二芯片220为半导体元件。第二芯片220配置于第一芯片210的下方。在第一芯片210与第二芯片220之间配置测定对象物900。第二芯片220具有基板221、多个第二电极222、多个第二贯通电极223以及覆盖层224。
基板221例如由硅等半导体材料构成。基板221的表面包括上表面221a以及下表面221b。上表面221a与X方向以及Y方向平行。上表面221a与第一芯片210的下表面211b对置。在上表面221a设有与多个第一电极212对应的多个第二电极222。第二电极222的数量与第一电极212的数量相等。下表面221b位于上表面221a的相反侧。下表面221b与X方向以及Y方向平行。在基板221上,与多个第二电极222对应地设有在厚度方向上贯通基板221的多个第二贯通电极223。第二贯通电极223的数量与第二电极222的数量相等。
图8是表示本实施方式的电阻映射装置的第二芯片以及第二布线基板的俯视图。
各第二电极222由铜合金等导电性材料构成。在本实施方式中,各第二电极222为导线。在本实施方式中,各第二电极222在俯视时沿X方向延伸。多个第二电极222与多个第一电极212相同,在X方向以及Y方向上大致等间隔地排列。多个第二电极222相互分离。但是,各第二电极222也可以在Y方向上延伸。
如图6所示,各第二电极222的X方向的两端通过导电性的接合部件225而与基板221的上表面221a接合。各第二电极222的X方向的两端之间的部分朝向远离基板221的方向弯曲成凸状。
各第二贯通电极223由铜等导电性材料构成。多个第二贯通电极223与多个第二电极222一对一地电连接。各第二贯通电极223从基板221的上表面221a朝向下表面221b延伸。各第二贯通电极223的上端与接合于对应的第二电极222的接合部件225相接。各第二贯通电极223的下端与导电部件226相接。各第二贯通电极223经由接合部件192以及导电部件226而与第二布线基板140所对应的第二布线142电连接。多个第二贯通电极223相互分离。
覆盖层224覆盖基板221的上表面221a。覆盖层224例如由树脂材料构成。
接下来,对本实施方式的效果进行说明。
在本实施方式中,多个第一电极212以及多个第二电极222分别为导线。因此,通过将多个第一电极212以及多个第二电极222分别按压于测定对象物900,能够使各第一电极212以及各第二电极222与测定对象物900的表面充分地接触。
<第三实施方式>
接下来,对第三实施方式进行说明。
图9是表示本实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
本实施方式的电阻映射装置300(电阻测定装置300)在第一电极312以及第二电极322的构成上与第一实施方式的电阻映射装置100不同。
第一芯片310为半导体元件。第一芯片310具有基板311、多个第一电极312、多个第一贯通电极313以及覆盖层314。
基板311例如由硅等半导体材料构成。基板311的表面包括上表面311a以及下表面311b。上表面311a与X方向以及Y方向平行。下表面311b位于上表面311a的相反侧。下表面311b与X方向以及Y方向平行。在下表面311b配置有多个第一电极312。另外,在基板311上,与多个第一电极312对应地设有在厚度方向上贯通基板311的多个第一贯通电极313。第一贯通电极313的数量与第一电极312的数量相等。
各第一电极312由铜合金等导电性材料构成。在本实施方式中,各第一电极312为板簧或MEMS(Micro Electro Mechanical System,微型机电系统)。在本实施方式中,各第一电极312在俯视时沿X方向延伸。各第一电极312的X方向上的两端通过导电性的接合部件315而与基板311的下表面311b接合。各第一电极312的两端之间的部分朝向远离基板311的方向弯曲成凸状。
在本实施方式中,多个第一电极312在X方向以及Y方向上大致等间隔地排列。多个第一电极312相互分离。
如图9所示,各第一贯通电极313由铜等导电性材料构成。多个第一贯通电极313与多个第一电极312一对一地连接。各第一贯通电极313从基板311的下表面311b朝向上表面311a延伸。各第一贯通电极313的下端与接合于对应的第一电极312的接合部件315相接。各第一贯通电极313的上端与导电部件316相接。各第一贯通电极313经由接合部件191以及导电部件316而与第一布线基板130所对应的第一布线132电连接。多个第一贯通电极313相互分离。
覆盖层314覆盖基板311的下表面311b。覆盖层314例如由树脂材料构成。
第二芯片320配置于第一芯片310的下方。在第一芯片310与第二芯片320之间配置测定对象物900。第二芯片320具有基板321、多个第二电极322、多个第二贯通电极323以及覆盖层324。
基板321例如由硅等半导体材料构成。基板321的表面包括上表面321a以及下表面321b。上表面321a与X方向以及Y方向平行。上表面321a与第一芯片310的下表面311b对置。在上表面321a上设有与多个第一电极312对应的多个第二电极322。因而,第二电极322的数量与第一电极312的数量相等。下表面321b位于上表面321a的相反侧。下表面321b与X方向以及Y方向平行。在基板321上,与多个第二电极322对应地设有在厚度方向上贯通基板321的多个第二贯通电极323。因而,第二贯通电极323的数量与第二电极322的数量相等。
各第二电极322由铜合金等导电性材料构成。在本实施方式中,各第二电极322为板簧或MEMS。在本实施方式中,各第二电极322在俯视时在X方向上延伸。各第二电极322的X方向的两端通过导电性的接合部件325而与基板321的上表面321a接合。各第二电极322的X方向的两端之间的部分朝向远离基板321的方向弯曲成凸状。
多个第二电极322与多个第一电极312相同,在X方向以及Y方向上大致等间隔地排列。多个第二电极322相互分离。
如图9所示,各第二贯通电极323由铜等导电性材料构成。多个第二贯通电极323与多个第二电极322一对一地电连接。各第二贯通电极323从基板321的下表面321b朝向上表面321a延伸。各第二贯通电极323的上端与接合于对应的第二电极322的接合部件325相接。各第二贯通电极323的下端与导电部件326相接。各第二贯通电极323经由接合部件192以及导电部件326而与第二布线基板140所对应的第二布线142电连接。多个第二贯通电极323相互分离。
覆盖层324覆盖基板321的上表面321a。覆盖层324例如由树脂材料构成。
接下来,对本实施方式的效果进行说明。
在本实施方式中,多个第一电极312以及多个第二电极322分别为板簧或MEMS。因此,通过将多个第一电极312以及多个第二电极322分别按压于测定对象物900,能够使各第一电极312以及各第二电极322稍微地弹性变形或机械变形。由此,能够使各第一电极312以及各第二电极322与测定对象物900的表面充分地接触。
<第四实施方式>
接下来,对第四实施方式进行说明。
图10是表示本实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
本实施方式的电阻映射装置400(电阻测定装置400)在第一布线基板430的构成、第二布线基板440的构成以及测定部460的构成上与第一实施方式的电阻映射装置100不同。
第一布线基板430除了第一实施方式中的第一布线基板130的构成之外,还具有与多个第一贯通电极113对应的多条第三布线432。
各第三布线432经由焊料等导电性的接合部件491以及导电部件116而与对应的第一贯通电极113电连接。即,在一个第一电极112上电连接有第一布线132以及第三布线432。
第二布线基板440除了第一实施方式中的第二布线基板140的构成之外,还具有与多个第二贯通电极123对应的多条第四布线442。
各第四布线442经由焊料等导电性的接合部件492以及导电部件126而与对应的第二贯通电极123电连接。即,在一个第二电极122上电连接有第二布线142以及第四布线442。
测定部460具有与多条第一布线132对应的多个第一端子461、与多条第二布线142对应的多个第二端子462、与多条第三布线432对应的多个第三端子463、与多条第四布线442对应的多个第四端子464以及数据取得部465。
各第一端子461经由第一引线193而与对应的第一布线132连接。各第二端子462经由第二引线194而与对应的第二布线142连接。各第三端子463经由省略图示的第三引线而与对应的第三布线432连接。各第四端子464经由省略图示的第四引线而与对应的第四布线442连接。
以下,将连接于一对电极112、122的第一端子461、第二端子462称作“一对电流测定用的端子461、462”,将连接于一对电极112、122的第三端子463以及第四端子464称作“一对电压测定用的端子463、464”。
数据取得部465对各一对电流测定用的端子461、462施加规定的电压,测定在各一对电流测定用的端子461、462之间流动的电流。另外,数据取得部465测定各一对电压测定用的端子463、464之间的电压。然后,数据取得部465根据各电流的测定值以及各电压的测定值,在测定对象物900中推断各一对电极112、122之间的部分的电阻。这样,在本实施方式的电阻映射装置400中,通过4端子法测定电阻。因此,能够高精度地测定电阻。
<第五实施方式>
接下来,对第五实施方式进行说明。
图11是表示本实施方式的电阻映射装置的局部端面图。
本实施方式的电阻映射装置500与第一实施方式的电阻映射装置100不同之处在于,在第一芯片510中设有第三电极512、在第二芯片520中设有第四电极522。
第一芯片510除了第一实施方式中的第一芯片110的构成要素之外,还具有与多个第一电极112对应的多个第三电极512以及与多个第三电极512对应的多个第三贯通电极513。
第三电极512的数量与第一电极112的数量相等。各第三电极512设于基板111的下表面111b,并与对应的第一电极112相邻。在本实施方式中,各第三电极512为凸块,由铜等导电材料构成。
第三贯通电极513的数量与第三电极512的数量相等。各第三贯通电极513由铜等导电材料构成。各第三贯通电极513在Z方向上延伸。各第三贯通电极513的下端与导电部件515相接。各第三贯通电极513经由导电部件515而与对应的第三电极512电连接。各第三贯通电极513的上端与导电部件516相接。
第二芯片520除了第一实施方式中的第二芯片120的构成要素之外,还具有与多个第三电极512对应的多个第四电极522以及多个第四贯通电极523。
第四电极522的数量与第三电极512的数量相等。各第四电极522设于基板121的上表面121a,并与对应的第二电极122相邻。各第四电极522与对应的第三电极512对置。在本实施方式中,各第四电极522为凸块,由铜等导电材料构成。
第四贯通电极523的数量与第四电极522的数量相等。各第四贯通电极523由铜等导电材料构成。各第四贯通电极523在Z方向上延伸。各第四贯通电极523的上端与导电部件525相接。各第四贯通电极523经由导电部件525而与对应的第四电极522电连接。各第四贯通电极523的下端与导电部件526相接。
各第一布线基板530除了第一实施方式中的第一布线基板130的构成要素之外,还具有与多个第三贯通电极513对应的多条第三布线532。各第三布线532经由导电性的接合部件591以及导电部件516而与对应的第三贯通电极513电连接。
各第二布线基板540除了第一实施方式中的第二布线基板140的构成要素之外,还具有与多个第四贯通电极523对应的多条第四布线542。各第四布线542经由导电性的接合部件592以及导电部件526而与对应的第四贯通电极523电连接。
测定部560具有与多条第一布线132对应的多个第一端子561、与多条第二布线142对应的多个第二端子562、与多条第三布线532对应的多个第三端子563、与多条第四布线542对应的多个第四端子564以及数据取得部565。
各第一端子561经由第一引线193而与对应的第一布线132连接。各第二端子562经由第二引线194而与对应的第二布线142连接。各第三端子563经由省略图示的第三引线而与对应的第三布线532连接。各第四端子564经由省略图示的第四引线而与对应的第四布线542连接。
以下,将连接于一对电极112、122的第一端子561、第二端子562称作“一对电流测定用的端子561、562”。另外,将连接于与一对电极112、122对应的第三电极512以及第四电极522的第三端子563以及第四端子564称作“一对电压测定用的端子563、564”。
数据取得部565对各一对电流测定用的端子561、562施加规定的电压,测定在各一对电流测定用的端子561、562之间流动的电流。另外,数据取得部565测定各一对电压测定用的端子563、564之间的电压。然后,数据取得部565根据各电流的测定值以及各电压的测定值,推断在测定对象物900中被相互对应的各第一电极112、第二电极122、第三电极512、第四电极522包围的部分的电阻。这样,在本实施方式的电阻映射装置500中,通过4端子法测定电阻。因此,能够高精度地测定电阻。
接下来,对本实施方式的效果进行说明。
在本实施方式的电阻映射装置500中,第一芯片510还具有设于第一面(下表面111b),并与多个第一电极112中的一个第一电极112相邻的第三电极512。第二芯片520还具有设于第三面(上表面121a),并与第三电极512对应的第四电极522。测定部560测定一个第一电极112与多个第二电极122中的与一个第一电极112对应的一个第二电极122之间的电流以及第三电极512与第四电极522之间的电压,基于电流的测定值以及电压的测定值,测定在测定对象物900中被一个第一电极112、一个第二电极122、第三电极521以及第四电极522包围的部分的电阻。这样,在本实施方式的电阻映射装置500中,能够通过4端子法高精度地测定电阻。
在第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式中,对多个第二电极彼此未电连接的例子进行了说明。但是,第二芯片也可以具有将多个第二电极彼此电连接的布线。在该情况下,测定部构成为,不同时进行所有一对电极之间的电阻的测定,而依次进行。
另外,测定部也可以对各一对电极之间施加交流电压,测定阻抗。
另外,在第一实施方式至第五实施方式中,对电阻测定装置100、200、300、400、500取得表示电阻的面分布的映射数据D的方式进行了说明。但是,电阻测定装置100、200、300、400、500也可以不一定取得表示电阻的面分布的映射数据D。即,电阻测定装置100、200、300、400、500例如也可以取得X方向的电阻分布、Y方向的电阻分布、或者与X方向以及Y方向交叉的方向的电阻分布。
<第六实施方式>
接下来,对第六实施方式进行说明。
图12的(a)以及图12的(b)是表示本实施方式的电阻测定方法的示意图。
图13是表示本实施方式的电阻测定装置的局部端面图。
本实施方式的电阻测定装置600与第一实施方式的电阻测定装置100的不同之处在于,在测定对象物900中,能够测定从上方观察时多个第一电极112中的任意的一个第一电极112与多个第二电极122中的任意的一个第二电极122之间的部分的电阻。另外,在本实施方式的电阻测定方法与第一实施方式的电阻测定方法不同之处在于,在测定对象物900中,测定从上方观察时多个第一电极112以及多个第二电极122中的配置于相互不重叠的位置的第一电极112与第二电极122之间的部分的电阻。
以下,为了易于理解说明,在图12的(a)以及图12的(b)中,将X方向中的箭头侧设为“+X侧”,将其相反侧设为“-X侧”。同样,将Y方向中的箭头侧设为“+Y侧”,将其相反侧设为“-Y侧”。
另外,在如多个第一电极112、多个第二电极122等那样将要素排列成格子状的构造中,将在X方向上排列的要素组称作“行”,将在Y方向上排列的要素组称作“列”。另外,在多个第一电极112以及多个第二电极122的行的总数分别为M个的情况下,将在Y方向上位于最靠+Y侧的行设为“第1行”,将位于最靠-Y侧的行设为“第M行”。另外,在多个第一电极112、多个第二电极122的列的总数分别为N个的情况下,将在X方向上位于最靠-X侧的列设为“第1列”,将位于最靠+X侧的列设为“第N列”。另外,以下,将位于第i行及第j列的第一电极112称作“第一电极112(i,j)”。同样,将位于第i行及第j列的第二电极122称作“第二电极122(i,j)”。这里,i为1到N之间的任意的整数,j为1到M的任意的整数。
控制部170的处理部171控制测定部160,如图12的(a)、图12的(b)以及图13所示,在测定对象物900中,测定位于第1行及第1列的第一电极112(1、1)与位于第1行及第N列的第二电极122(1、N)之间的部分的电阻。换言之,测定部160测定多个第一电极112中的在X方向上位于最靠-X侧的第一电极112(1、1)与多个第二电极122中的在X方向上位于最靠+X侧的第二电极122(1、N)之间的电阻。
接下来,处理部171控制测定部160,如图12的(a)、图12的(b)所示,测定向-Y侧偏移1行量的第一电极112(2、1)与第二电极122(2、N)之间的电阻。
这样,处理部171控制测定部160,使在测定对象物900中测定电阻的部分向-Y侧一行行地偏移,在每次偏移时,测定第一电极112(i,1)与第二电极122(i,M)之间的部分的电阻。
最终,处理部171控制测定部160,测定位于第M行及第1列的第一电极112(M,1)与位于第M行及第N列的第二电极122(M,N)之间的电阻。通过以上,测定部160取得使电阻的测定值与Y方向的各位置相关联的Y方向的电阻分布。
接下来,控制部170将Y方向的电阻分布显示于显示部182。在存在电阻的测定值高于其他位置的电阻的测定值那样的Y方向的位置的情况下,使用者能够从所显示的Y方向的电阻分布提取这样的Y方向的位置。使用者也可以操作操作部181,指示控制部170在所提取的Y方向的位置取得X方向的电阻分布。
具体而言,在这样的Y方向的位置相当于N个行中的第i行的情况下,控制部170的处理部171在测定对象物900中测定处于位于第i行及第1列的第一电极112(i,1)与位于第i行及第1列的第二电极122(i,1)之间的部分的电阻。换言之,测定部160在测定对象物900中测定俯视时位于重叠的第一电极112(i,1)与第二电极122(i,1)之间的部分的电阻。
接下来,处理部171在测定对象物900中测定位于向+X方向偏移1列量的第一电极112(i,2)与第二电极122(i,2)之间的部分的电阻。这样,处理部171控制测定部160,使在测定对象物900中测定电阻的部分向+X侧一列列地偏移,在每次偏移时,测定第一电极112(i,j)与第二电极122(i,j)之间的部分的电阻。
最终,处理部171控制测定部160,在测定对象物900中测定位于第i行及第N列的第一电极112(i,M)与位于第i行及第N列的第二电极122(i,N)之间的部分的电阻。通过以上,测定部160取得使电阻的测定值与第i行的X方向的各位置相关联的X方向的电阻分布。
接下来,控制部170将X方向的电阻分布显示于显示部182。在存在电阻的测定值高于其他位置的电阻的测定值那样的X方向的位置的情况下,使用者能够从所显示的X方向的电阻分布中掌握这样的X方向的位置。这样,也可以取得Y方向的电阻分布,在将电阻变大那样的Y方向的位置缩小之后,在该Y方向的位置取得X方向的电阻分布。由此,控制部170能够取得可以高效地掌握电阻变大那样的X方向以及Y方向的位置的数据。
在本实施方式中,使用者从显示于显示部182的Y方向的电阻分布提取出电阻变大那样的行,但处理部171也可以自动地从Y方向的电阻分布提取电阻变大那样的行,在所提取的行中自动地取得X方向的电阻分布。另外,处理部171也可以取得X方向的电阻分布,在提取了电阻变大那样的列之后,在所提取的列中取得Y方向的电阻分布。
另外,处理部171也可以不提取电阻大的行或列。例如,处理部171也可以控制测定部160,测定位于第1行及第1列的第一电极112(1、1)与位于第M行及第N列的第二电极122(M,N)之间的电阻以及位于第1行及第N列的第一电极112(1、N)与位于第M行及第1列的第二电极122(M,1)之间的电阻。而且,处理部171也可以测定,在俯视时,位于该两个电阻的测定值中的电阻较高的一方的第一电极112以及第二电极122之间且相互重叠的各第一电极112与第二电极122之间的部分的电阻。这样,处理部171能够控制测定部160,测定在俯视时位于相互不重叠的位置且在其间存在多个其他第一电极112以及多个其他第二电极122的第一电极112与第二电极122之间的电阻,使测定的位置向一个方向依次偏移,从而能够在某种程度上缩小电阻变大那样的范围。
如以上说明那样,在本实施方式的电阻测定方法中,多个第一电极112在第一方向(X方向)以及与第一方向正交的第二方向(Y方向)上排列成格子状。另外,多个第二电极122在第一方向以及第二方向上排列成格子状。而且,在测定的步骤中,在测定对象物900中,测定多个第一电极112中的位于最靠第一方向的一侧(-X侧)的第一电极112与多个第二电极122中的位于最靠第一方向的另一侧(+X侧)的第二电极122之间的部分的电阻。因此,通过使测定中所使用的第一电极112与第二电极122的位置在Y方向上偏移,能够高效地取得Y方向的电阻分布。
<第七实施方式>
接下来,对第七实施方式进行说明。
图14是表示本实施方式的电阻测定装置的局部端面图。
本实施方式的电阻测定装置700与第一实施方式的电阻测定装置100的不同之处在于,代替未设置第二芯片120、第二布线基板140以及接合部件192而设有基板720等。以下,将第一芯片110称作芯片110。
基板720能够以与芯片110对置的方式配置。基板720具有绝缘层721以及设于绝缘层721上的导电部件722。绝缘层721由树脂材料等绝缘材料构成。导电部件722由金属材料等导电材料构成。在本实施方式中,导电部件722是具有与所有第一电极112对置那样的图案的布线层。
另外,本实施方式中的测定部760与第一实施方式中的测定部160的不同之处在于,第二端子162的数量为一个。第二端子162经由第二引线194而与导电部件722电连接。
如以上说明那样,本实施方式的电阻测定装置700具备:芯片110;导电部件722,能够以与多个第一电极112对置的方式配置;以及测定部160,与多个第一电极112及导电部件722电连接,在多个第一电极112与导电部件722之间配置有测定对象物900的状态下,能够在测定对象物900中,测定多个第一电极112中的一个第一电极112与导电部件722之间的部分的电阻以及多个第一电极112中的另一个第一电极112与导电部件722之间的部分的电阻。通过这样的电阻测定装置700,也能够高效地取得电阻分布。
另外,导电部件的构成并不限定于上述的构成。例如,导电部件也可以覆盖绝缘层721的上表面的大致整个区域。另外,在电阻测定装置700上也可以不设置基板720,而设置与芯片110的多个第一电极112对置的板状的导电部件。
以上,虽然对本发明的实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子而提出的,并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施,在不脱离发明的主旨的范围内,能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中,并且权利要求书所记载的发明及其等价物的范围中。

Claims (20)

1.一种电阻映射装置,具备:
第一芯片,具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极;
第二芯片,具有与所述第一面对置的第三面以及位于所述第三面的相反侧的第四面,在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极;以及
测定部,与所述多个第一电极和所述多个第二电极电连接,在所述第一芯片与所述第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,能够在所述测定对象物中测定所述多个第一电极和所述多个第二电极中的相互对应的各第一电极与第二电极之间的部分的电阻,取得使电阻的测定值与所述测定对象物中的和所述多个第一电极的每一个对应的位置相关联的映射数据。
2.如权利要求1所述的电阻映射装置,
所述电阻映射装置还具备位置调整机构,该位置调整机构调整所述多个第一电极与所述多个第二电极的相对位置。
3.如权利要求1或2所述的电阻映射装置,
所述第一芯片还具有第三电极,该第三电极设于所述第一面,并与所述多个第一电极中的一个第一电极相邻,
所述第二芯片还具有第四电极,该第四电极设于所述第三面,并与所述第三电极对应,
所述测定部测定所述一个第一电极和所述多个第二电极中的与所述一个第一电极对应的一个第二电极之间的电流以及所述第三电极和所述第四电极之间的电压,基于所述电流的测定值以及所述电压的测定值,测定在所述测定对象物中被所述一个第一电极、所述一个第二电极、所述第三电极以及所述第四电极包围的部分的电阻。
4.如权利要求1所述的电阻映射装置,
所述第一芯片还具有多个第一贯通电极,该多个第一贯通电极与所述多个第一电极分别电连接,并在从所述第一面朝向所述第二面的方向上延伸。
5.如权利要求4所述的电阻映射装置,
所述电阻映射装置还具备第一布线基板,该第一布线基板安装于所述第二面,具有能够将所述多个第一贯通电极的每一个与所述测定部连接的多条第一布线,且俯视时的面积比俯视时的所述第一芯片的面积大。
6.如权利要求1所述的电阻映射装置,
所述第二芯片还具有多个第二贯通电极,该多个第二贯通电极与所述多个第二电极分别电连接,并在从所述第三面朝向所述第四面的方向上延伸。
7.如权利要求6所述的电阻映射装置,
所述电阻映射装置还具备第二布线基板,该第二布线基板安装于所述第四面,具有能够将所述多个第二贯通电极的每一个与所述测定部连接的多条第二布线,俯视时的面积比俯视时的所述第二芯片的面积大。
8.如权利要求1所述的电阻映射装置,
所述多个第一电极和所述多个第二电极分别为凸块。
9.如权利要求1所述的电阻映射装置,
所述多个第一电极和所述多个第二电极分别为导线。
10.如权利要求1所述的电阻映射装置,
所述多个第一电极和所述多个第二电极分别为板簧或MEMS即微型机电系统。
11.一种电阻测定装置,具备:
第一芯片,具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极;
第二芯片,具有与所述第一面对置的第三面以及位于所述第三面的相反侧的第四面,在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极;以及
测定部,与所述多个第一电极和所述多个第二电极电连接,在所述第一芯片与所述第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,能够在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述多个第二电极中的另一个第二电极之间的部分的电阻。
12.一种电阻测定装置,具备:
芯片,具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极;
导电部件,能够以与所述多个第一电极对置的方式配置;以及
测定部,与所述多个第一电极以及所述导电部件电连接,在所述多个第一电极与所述导电部件之间配置有测定对象物的状态下,能够在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻。
13.一种电阻测定方法,具备:
在第一芯片与第二芯片之间配置测定对象物的步骤,该第一芯片具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极,该第二芯片具有与所述第一面对置的第三面以及位于所述第三面的相反侧的第四面,在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极;以及
在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述多个第二电极中的另一个第二电极之间的部分的电阻的步骤。
14.如权利要求13所述的电阻测定方法,
在所述测定的步骤中,在所述测定对象物中,测定从上方观察时,所述多个第一电极和所述多个第二电极中的配置于相互重叠的位置的所述第一电极与所述第二电极之间的部分的电阻。
15.如权利要求13所述的电阻测定方法,
在所述测定的步骤中,在所述测定对象物中,测定从上方观察时,所述多个第一电极和所述多个第二电极中的配置于相互不重叠的位置的所述第一电极与所述第二电极之间的部分的电阻。
16.如权利要求15所述的电阻测定方法,
所述多个第一电极在第一方向以及与所述第一方向正交的第二方向上排列成格子状,
所述多个第二电极在所述第一方向以及所述第二方向上排列成格子状,
所述测定的步骤中,在所述测定对象物中,测定所述多个第一电极中的位于最靠所述第一方向的一侧的第一电极以及所述多个第二电极中的位于最靠所述第一方向的另一侧的第二电极之间的部分的电阻。
17.一种电阻测定方法,具备:
在芯片与导电部件之间配置测定对象物的步骤,该芯片具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面,在所述第一面设有多个第一电极,该导电部件与所述多个第一电极对置;以及
在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻的步骤。
18.一种程序,能够使处理部执行如下步骤:
在具有第一面及位于所述第一面的相反侧的第二面且在所述第一面设有多个第一电极的第一芯片以及具有与所述第一面对置的第三面及位于所述第三面的相反侧的第四面且在所述第三面设有与所述多个第一电极对应的多个第二电极的第二芯片之间配置有测定对象物的状态下,在所述测定对象物中测定所述多个第一电极中的一个第一电极与多个第二电极中的一个第二电极之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述多个第二电极中的另一个第二电极之间的部分的电阻。
19.一种程序,能够使处理部执行如下步骤:
在具有第一面及位于所述第一面的相反侧的第二面且在所述第一面设有多个第一电极的芯片以及与所述多个第一电极对置的导电部件之间配置有测定对象物的状态下,在所述测定对象物中,测定所述多个第一电极中的一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻和所述多个第一电极中的另一个第一电极与所述导电部件之间的部分的电阻。
20.一种记录介质,
存储有权利要求18或19所述的程序。
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