JP4750779B2 - 接合方法及びそれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 120
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 120
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 39
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 14
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 148
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 poly p-phenylene vinylene Polymers 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbenzene-1,2-diamine Chemical class NC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1N UDQLIWBWHVOIIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical class C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- CBSFHSKFQDSSQB-UHFFFAOYSA-N n-[4-[3,5-bis[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 CBSFHSKFQDSSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine copper Chemical compound [Cu].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B32B2457/00—Electrical equipment
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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Description
本発明は工程の便宜性、工程歩留まりの向上、製造コスト節減及び工程処理温度による影響の少ない接合方法及びそれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法に関し、より詳しくは、支持体と可撓性膜を接合するために支持体と可撓性膜との間に金属膜を用いる接合方法及びそれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法（Ｊｏｉｎｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ａｎｄ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ＯＬＥＤ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ）を提供する。
最近の平板表示装置は十分な視野角を確保するために所定の張力を加えてある程度曲げられるようにしたり、アームバンド（Ａｒｍ ｂａｎｄ）、財布、ノート型パソコンなどの携帯製品に採用したりするために柔軟性（フレキシブル性）に対する要求が高まっている。
このような柔軟性に対する要求を満たす平板表示装置を提供するためには、柔軟性がある可撓性基板を提供しなければならず、このような条件を満足する可撓性基板としてはプラスチック基板や金属薄膜などがある。
また、このような可撓性膜を用いた平板表示装置を製造する際には、処理工程中における可撓性膜は、それ自身変形し易く移動中の取り扱いなどの操作がしにくいので、その形状をサポートする支持体を必要としている。これによって支持体と可撓性膜は接着剤を用いて接着された後、工程が進み平板表示装置が形成された後に、支持体と平板表示装置とを分離する方法が採用されている。
しかしながら、従来の可撓性膜を用いた平板表示装置を製造するためには支持体と可撓性膜を接合した後に平板表示装置を製造しなければならないが、この場合に用いられる有機接着剤を支持体と可撓性膜に形成する工程において処理チャンバは著しく汚染され、汚染した処理チャンバを浄化させるために工程処理時間が長くなるという問題点がある。また、有機接着剤の使用により処理温度が３００℃以下に制限され、現在の技術では有機接着剤を支持体と可撓性膜に均一に形成することができないので、支持体と可撓性膜を均一に接着することができないという問題点がある。
大韓民国公開特許２００６−００５２３３６号明細書
特許３７３４７５８号
特開２００５−３４７４３８号公報
特開２００５−０６４２４３号公報
本発明は上述の従来技術の問題点を解決するためのものであって、工程の便宜性、工程歩留まりの向上、製造コスト節減及び処理温度による影響の少ない接合方法及びそれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明の前記技術的課題を解決するために、支持体及び可撓性膜を提供し、前記支持体の一面に第１金属膜及び前記可撓性膜の一面に第２金属膜をそれぞれ形成し、前記第１金属膜と前記第２金属膜に洗浄工程を実施し、前記第１金属膜と前記第２金属膜に接合工程を実施して接合することを特徴とする接合方法を提供する。
また、支持体及び可撓性膜を提供し、前記支持体の一面に第１金属膜及び前記可撓性膜の一面に第２金属膜をそれぞれ形成し、前記第１金属膜と前記第２金属膜に洗浄工程を実施し、前記第１金属膜と前記第２金属膜に接合工程を実施して接合し、前記可撓性膜の他の一面に第１電極、発光層を含む有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光素子を形成し、前記有機電界発光素子が形成された可撓性膜と前記支持体とを分離することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明は、それ自身柔軟で変形し易い可撓性膜に対する支持体の接合方法を提供することで、処理工程中における搬送や取り扱いなどの操作の容易さを含む工程の便宜性が得られ、工程歩留まりの増大及び製造コストが節減される接合方法及びこれを用いた有機電界発光表示装置を提供することができる。
図１Ａないし図１Ｃは、本発明の第１及び第２実施形態による接合方法を示す断面図である。
図１Ａを参照すると、支持体１０と可撓性膜２０を提供する。前記支持体１０は後続工程が進行される間に容易に操作できるように所定強度を有することが好ましい。また、その材質としては、金属、ガラス、シリコン又は石英のいずれか一つを用いることができる。
前記可撓性膜２０は、熱を受けても変質し難いという高い熱安全性を有して、水分と酸素に対する拡散防止膜の機能を行うことが好ましい。また、前記可撓性膜２０はプラスチック又はステンレススチール（ＳＴＳ：Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）が用いられ、０．１ｍｍ以下の超薄型ガラスを用いることもできる。
図１Ｂを参照すると、前記支持体１０の一面に第１金属膜３１及び前記可撓性膜２０の一面に第２金属膜３２をそれぞれ形成する。前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２は後工程の接合工程で相互接合される際に、前記支持体１０と前記可撓性膜２０の表面粗さにより前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２とが均一に接合できないことを防止する役目をする。また、前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２が前記支持体１０と前記可撓性膜２０との一面に形成されることによって、前記支持体１０と前記可撓性膜２０の表面研磨工程を省略することができる。
前記第１金属膜３１及び前記第２金属膜３２は、１０００〜１００００Å（０．１〜１μｍ）の厚さを有することが好ましく、少なくとも１０００Åの厚さを有する方が最も好ましい。その理由は、あまり薄すぎると、金属膜の表面粗さが悪く接合するのに問題となり、あまり厚すぎると、支持体と可撓性膜とを分離する際に、周囲環境によって変化し難い力である非可逆的力或いは剛性的力が発生して可撓性膜２０に損傷を与えるからである。それゆえに、前記第１金属膜３１及び前記第２金属膜３２が上記厚さを有することで、前記支持体１０及び前記可撓性膜２０の表面粗さが後工程の接合工程において影響を及ぼすことなく均一に接合されて製造コスト及び製造処理時間が過度に増加することを防止することができる。
また、前記第１金属膜３１及び前記第２金属膜３２は、後工程での熱処理における加熱圧着よって直接接合する場合、接合し易くするという工程の便宜性のためには、これら金属膜３１、３２相互が化学的結合により接合し易くなる程度に、融点が低い物質になっていることが好ましく、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの合金のいずれか一つを含むことができる。
次いで、前記第１金属膜３１及び前記第２金属膜３２の形成過程において発生する異物を除去するために、前記第１金属膜３１及び前記第２金属膜３２に洗浄工程が実施される。前記洗浄工程は３回にわたって行うことができ、前記第１回の洗浄工程は前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２上に存在する異物を、ストリッパ（剥離剤）を用いて除去した後、脱イオン水のような超純水（ＤＩ ｗａｔｅｒ；ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）又は有機洗浄液に前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２を浸けて、イソプロフィルアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を用いて乾燥することによって行われる。
次いで、前記第１回の洗浄工程が行われた前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２を音波（Ｄ−ｓｏｎｉｃ）方式とリンス（ｒｉｎｓｅ）方式を用いて第２回の洗浄工程を行うことができる。ここで、前記音波方式は超純水に前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２が形成されている前記支持体１０と前記可撓性膜２０を浸けた後、高周波数の音波エネルギー（ｓｏｎｉｃ ｅｎｅｒｇｙ）を用いて洗浄する方式である。また、前記リンス方式は回転している前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２に超純水を噴射して洗浄する方式である。
次いで、前記第２回の洗浄工程が行われた前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２を前記第１回の洗浄工程と等しい方法で第３回の洗浄工程を行う。
次いで、前記第３回の洗浄工程が行われた前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２を１００〜１４０℃で熱処理工程を行う。前記熱処理工程は前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２に残存する超純水又は有機洗浄剤を完璧に除去するために行うのである。
図１Ｃを参照すると、前記第１金属膜３１が形成された前記支持体１０と前記第２金属膜３２が形成された前記可撓性膜２０をクラス１００以上のクリーンルーム（ｃｌｅａｎ ｒｏｏｍ）に搬入し、前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２とを互いに突き合わせた状態となるように前記支持体１０と前記可撓性膜２０とを配置して第１回の接合工程を行う。このとき、前記クリーンルームは常温状態であり、クラス１００は３０ｃｍ×３０ｃｍ×３０ｃｍの空間にほこりが１００個存在していることをいう。このとき、前記第１金属膜３１と第２金属膜３２は化学的結合により接合されていて、前記化学的結合は弱い水素結合である。
次いで、第１回の接合工程において、接合した第１金属膜３１と前記第２金属膜３２を音波方式とリンス方式を用いて第１回の中間洗浄工程を行う。ここで、前記音波方式は超純水に前記接合された支持体１０と前記可撓性膜２０を浸けた後、高周波数の音波エネルギーを用いて洗浄する方式である。また、前記リンス方式は回転している前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２に超純水を噴射して洗浄する方式である。
次いで、第１回の中間洗浄工程を行った接合された前記支持体１０と前記可撓性膜２０を、イソプロフィルアルコールを用いて乾燥して第２回の中間洗浄工程を行う。このような第１回の中間洗浄工程及び第２回の中間洗浄によって、前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２との表面間に吸着されている水と気泡が除去される。
次いで、前記水素結合により接合された前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２に圧力を加え熱処理工程を行って第２回の接合工程を行う。前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２との間の間隔がなくなって直接接合するようになる。これは、前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２が水素結合によって弱く接合されているが、熱と圧力によって前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２との接合密度を増加させ、前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２とが高い接合力を有する金属結合に転換されて直接接合を可能とする。これによって、水素結合に接合された前記支持体１０と前記可撓性膜２０との間の間隔は２０〜３０Åであるが、第２回の接合工程を行った後前記支持体１０と前記可撓性膜２０との間の間隔は３〜４Åであって、第１回の接合工程が行われた場合よりも接合強度は増加される。
ここで、前記第２回の接合工程のために前記支持体１０と前記可撓性膜２０に加えられた圧力は、前記支持体１０と前記可撓性膜２０が高い接合力を有するようにするために０．１ＭＰａ以上とし、圧力があまり強すぎると支持体１０及び可撓性膜２０が損傷されるので５０ＭＰａ以下とする。最も好ましい圧力は０．５ＭＰａである。また、前記圧力とともに前記支持体１０と前記可撓性膜２０との接合力の強度を最適化するための熱処理温度は２００〜６００℃であって、好ましい温度は４００〜４５０℃である。また、前記熱処理時間は０．５〜２時間であって、最も好ましい時間は０．５時間である。
これで、本発明の第１実施形態による接合方法についての説明を終了する。
次いで、本発明の第２実施形態による接合方法を説明する。
本発明の第２実施形態は、第１実施形態とは工程の一部が異なっていて、図１Ａないし図１Ｃを再び参照として説明する。
図１Ａないし図１Ｂを参照すると、前記第１実施形態で述べたような方法と同じ方法で、支持体１０及び可撓性膜２０を形成し、第１実施形態と同様に第１金属膜３１及び第２金属膜３２を形成する。
そして、第１実施形態と同じ方法で、前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２の形成過程において発生した異物を除去するための第１回の洗浄工程、第２回の洗浄工程、第３回の洗浄工程を実施して洗浄工程を行う。
その後、前記第１金属膜３１及び第２金属膜３２上にフッ化水素（ＨＦ）処理をする。前記フッ化水素（ＨＦ）処理をすることによって、前記第１金属膜３１及び第２金属膜３２の表面を疎水性をもつように処理することができる。
その後、図１Ｃを参照すると、フッ化水素（ＨＦ）処理をした前記第１金属膜３１が形成された前記支持体１０と前記第２金属膜３２が形成された前記可撓性膜２０との接合工程を行う。このとき、前記接合工程は第１回の接合工程及び第２回の接合工程だけになる。
なぜなら、第２実施形態では、フッ化水素（ＨＦ）処理をして第１金属膜３１と第２金属膜３２の表面を疎水性にしたために、第１金属膜３１と第２金属膜３２表面に酸素のような気体が残っていないので、第１実施形態で実施した気泡や水を除去するための第１回の中間洗浄工程及び第２回の中間洗浄工程は省略することができる。
それで、前記フッ化水素（ＨＦ）処理をした前記第１金属膜３１と前記第２金属膜３２は、第１実施形態と同様に、第１回の接合工程によって化学的結合に接合し、その後第２回の接合工程を実施して第１金属膜３１と第２金属膜３２とが高い接合力を有する金属結合に転換されて直接接合が可能となる。前記第１回の接合工程及び第２回の接合工程は第１実施形態で実施した方法と同じ方法で行う。
これで、本発明の第２実施形態による接合方法に対する説明を終了する。
図２Ａないし図２Ｅは、本発明の実施形態による接合方法を用いた有機電界発光素子の製造方法を説明した断面図である。
図２Ａを参照すると、支持体１０上に形成された可撓性膜２０を提供する。前記支持体１０と前記可撓性膜２０は、第１金属膜３１と第２金属膜３２によって直接接合されている。前記支持体１０と前記可撓性膜２０との接合方法に対する説明は、図１Ａないし図１Ｃで詳しく記載したので省略する。
図２Ｂを参照すると、前記可撓性膜２０上に第１電極１１０、有機膜層１２０及び第２電極１３０を含む有機電界発光素子１００を形成する。
前記第１電極１１０は、反射膜を含む二重構造又は三重構造とすることができる。前記第１電極１１０が二重構造の場合に、アルミニウム、銀又はこれらの合金からなる反射膜及び酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）又はＩＴＺＯのいずれか一つからなる透明導電膜が順次に積層された構造とすることができる。また、三重構造の場合に、チタン、モリブデン、ＩＴＯ又はこれらの合金のいずれか一つからなる第１金属層、アルミニウム、銀又はこれらの合金のいずれか一つからなる第２金属層及びＩＴＯ、ＩＺＯ又はＩＴＺＯのいずれか一つからなる第３金属層が順次に積層された構造とすることができる。また、前記第１電極１１０は、スパッタリング法を用いて形成することができる。前記有機膜層１２０は白色発光層、レッド発光層、グリーン発光層又はブルー発光層のいずれか一つを含むことができる。
ここで、前記白色発光層は、単一層又は多重層からなることができる。前記白色発光層が単一層の場合に、それぞれ異なる色を発する発光物質とドーパント（Ｄｏｐａｎｔ）を添加して用いる場合と、ＰＶＫというカルバゾール系分子に、ＰＢＤ（電子輸送剤）、ＴＰＢ（色素剤）、クマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）、ＤＣＭ１、ナイルレッド（Ｎｉｌｅ ｒｅｄ）を適当な割合で混合して白色光を得ることができる。また、相互異なる二つの色相の発光物質を混合した後に残りの他の発光物質を追加して白色発光物質をえることができる。例えば、レッド発光物質とグリーン発光物質を混合した後にブルー発光物質を追加して白色発光物質を得ることができる。前記レッド発光物質は高分子物質のポリチオフェン（ＰＴ；ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎ）及びその誘導体からなる群から選択される一つに形成される。また、前記グリーン発光物質は低分子物質であるアルミニウムクィノルリン複合体（Ａｌｑ３）、ＢｅＢｑ２及びＡｌｍｑ、高分子物質であるポリｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ；ｐｏｌｙｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）及びその誘導体からなる群から選択された一つで形成される。また、前記ブルー発光物質は、低分子物質のＺｎＰＢＯ、Ｂａｌｑ、ＤＰＶＢｉ及びＯＸＡ−Ｄ、高分子物質のポリフェニレン（ＰＰＰ；ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）及びその誘導体からなる群から選択された一つで形成される。
前記白色発光層が多重層の場合、相互異なる波長領域の光を放出する二重層で構成することができる。一層はオレンジ−レッド領域の光を放出する発光層であって、他の一層はブルー領域の光を放出する発光層とすることができる。また、オレンジ−レッド領域の光を放出する発光層は燐光発光層であって、ブルー領域の光を放出する発光層は蛍光発光層とすることができる。燐光発光層は同じ波長範囲の光を放出する蛍光発光層に比べて発光特性が優れており、蛍光発光層は燐光発光層に比べて寿命特性が優れる。したがって、オレンジ−レッド領域の光を放出する燐光発光層とブルー領域の光を放出する蛍光発光層を積層して形成した白色発光層は発光効率及び寿命特性が優れる。また二重層の白色発光層は高分子物質、低分子物質又はこれらの二重層として形成することができる。
前記白色発光層が三重層の場合に、レッド、グリーン及びブルー発光層の積層構造とすることができ、これらの積層順序は特に限定されない。また前記白色発光層に用いるレッド、グリーン及びブルー発光層は単一色を発光する発光層として用いることができる。
前記レッド発光層は、Ａｌｑ３（ホスト）／ＤＣＪＴＢ（蛍光ドーパンド）、Ａｌｑ３（ホスト）／ＤＣＭ（蛍光ドーパンド）、ＣＢＰ（ホスト）／ＰｔＯＥＰ（燐光有機金属着剤）などの低分子物質とＰＦＯ系高分子の高分子物質を用いることができる。
前記グリーン発光層は、Ａｌｑ３、Ａｌｑ３（ホスト）／Ｃ５４５ｔ（ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＩｒＰＰＹ（燐光有機物着剤）などの低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質を用いることができる。
また、前記青色発光層はホストとドーパントを含むことができ、ホストはアミン系化合物のＴＭＭ−００４（ＣＯＶＩＯＮ社製の商品名）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェスピロ）−６Ｐ、ＰＦＯ系高分子又はＰＰＶ系高分子のいずれか一つとすることができる。また、ドーパントはジスチルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチリルアリレン（ＤＳＡ）、ビス［２−（４、６−ジフロロフェニール）ピリジネート−Ｎ、Ｃ２’］イリジウム ピコリネート（Ｆ２Ｉｒｐｉｃ）又はトリス［１−（４、６−ジフロロフエニール）ピラゾレート−Ｎ、Ｃ２’］イリジウム（Ｉｒ［ｄｆｐｐｚ］３）のいずれか一つとすることができる。
また、前記有機膜層１２０は正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層及び正孔抑制層のうちから選択された単一層又は多重層をさらに含むことができる。
前記正孔注入層は、有機電界発光素子の有機発光層に正孔注入を容易にし、素子の寿命を増加させる役目をする。前記正孔注入層はアリールアミン系化合物及びスターバス型アミン類等からなる。さらに詳しくは、４、４、４−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミノ（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、１、３、５−トリス［４−（３−メチルフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ｍ−ＭＴＤＡＴＢ）及びフタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）などからなる。
前記正孔輸送層はアリレンジアミン誘導体、スターバースト型化合物、スキロ基を有するビフェニルジアミン誘導体及び梯子型化合物等からなることができる。さらに詳しくは、Ｎ、Ｎ−デ−フェニルＮ、Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）１、１−バイフェニル４、４−ジアミン（ＴＰＤ）や４、４−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）とすることができる。
前記正孔抑制層は、有機発光層内において電子移動度よりも正孔移動度が大きい場合に正孔が電子注入層に移動することを防止する役目をする。ここで、前記正孔抑制層は２−ビフェニル４−イル−５−（４−ビフェニル）−１、２、４−トリアゾール（ＴＡＺ）からなる群から選択された一つの物質からなることができる。
前記電子輸送層は、電子がよく収容することのできる金属化合物からなっていて、カソード電極から供給された電子を安定に輸送できる特性が優れる８−ヒドロキシキノリンアルミニウム塩（Ａｌｑ３）からなる。
前記電子注入層は１、３、４−オキシジアゾール誘導体、１、２、４−トリアゾール誘導体及びＬｉＦからなる群から選択された一つ以上の物質からなることができる。
また、前記有機膜層１２０は、真空蒸着法、インクジェットプリンティング法又はレーザ熱転写法のいずれか一つを用いて形成することができる。
また、前記第２電極１３０は、半透過電極であり、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）又はアルミニウム銀（ＡｌＡｇ）が用いられる。ここで、前記マグネシウムはマグネシウムと銀の共蒸着で形成され、前記アルミニウムはアルミニウムと銀を順次に蒸着して積層構造に形成される。また、前記第２電極１３０上にＩＴＯ又はＩＺＯのような透明導電膜がさらに形成することができる。
ここで、前記第１電極１１０と前記可撓性膜２０との間には薄膜トランジスタ、キャパシタまたは絶縁膜がさらに含まれることができる。
図２Ｃを参照すると、前記有機電界発光素子１００を水分又は外気から保護するために前記可撓性膜２０と密封される封止基板２００を提供する。前記封止基板２００は前記有機電界発光素子１００から放出する光が透過されるように透明なガラスやプラスチックであることが好ましく、前記封止基板２００と前記可撓性膜２０はシーラント（ＥＨ）のフリットによって接着される。
図２Ｄを参照すると、前記有機電界発光素子１００が形成された前記可撓性膜２０と前記支持体１０とを分離させる。前記可撓性膜２０と前記支持体２０を分離させるために分離装置３００を用いる。前記分離装置３００は例えばかみそり刃のようなレーザブレード（ｒａｚｏｒ ｂｌａｄｅ）とすることができ、これに限らず、多様な分離手段を用いることができる。
図２Ｅを参照すると、前記支持体２０と前記可撓性膜２０とを分離して本発明の一実施形態による有機電界発光表示装置を完成する。
本発明は可撓性膜と支持体との接合方法を提供することによって、工程の便宜性、工程歩留まりの向上及び製造コストが節減できる接合方法及びこれを用いた有機電界発光表示装置を提供することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、特許請求の範囲に記載された事項によってのみ限定される。
１０ 支持体
２０ 可撓性膜
３１ 第１金属膜
３２ 第２金属膜
２０ 可撓性膜
３１ 第１金属膜
３２ 第２金属膜
Claims (8)
- 支持体及び可撓性膜を提供し、
前記支持体の一面に第１金属膜及び前記可撓性膜の一面に第２金属膜をそれぞれ形成し、
前記第１金属膜と前記第２金属膜に洗浄工程を実施し、
前記洗浄工程は、第１回の洗浄工程、第２回の洗浄工程、及び第３回の洗浄工程からなり、前記第１回及び第３回の洗浄工程は超純水または有機洗浄液に浸した後に乾燥する段階であって、第２回の洗浄工程は超純水を用いて音波方式及びリンス方式により洗浄する段階であり、
前記第１金属膜と前記第２金属膜に接合工程を行って接合し、
前記可撓性膜の他の一面に第１電極、発光層を含む有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光素子を形成し、
前記有機電界発光素子が形成された可撓性膜と前記支持体とを分離することを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第１金属膜及び第２金属膜は、鉄、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、コバルト、シリコン、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、銀、銅又はこれらの合金のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記接合工程は、第１回の接合工程、第２回の接合工程、第１回の中間洗浄工程、及び第２回の中間洗浄工程を含み、前記第１回の接合工程は常温で行い、第２回の接合工程は圧着及び熱処理により行う段階であり、前記第１回の中間洗浄工程は超純水を用いて音波方式及びリンス方式により洗浄する段階であって、前記第２回の中間洗浄工程はイソプロフィールアルコールを用いて乾燥する段階であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、１０００〜１００００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第１金属膜と前記第２金属膜に洗浄工程を行った後、フッ化水素処理をさらに実施し、
前記第１金属膜と前記第２金属膜に接合工程を行って接合することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第１金属膜及び前記第２金属膜は、１０００〜１００００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第１金属膜及び第２金属膜は、鉄、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、コバルト、シリコン、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、銀、銅又はこれらの合金のいずれか一つを含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記接合工程は、第１回の接合工程及び第２回の接合工程を含み、前記第１回の接合工程は常温で行い、第２回の接合工程は圧着及び熱処理により行う段階であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2007-0072199 | 2007-07-19 | ||
| KR1020070072199A KR100889625B1 (ko) | 2007-07-19 | 2007-07-19 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009026731A JP2009026731A (ja) | 2009-02-05 |
| JP4750779B2 true JP4750779B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=40202089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007322222A Active JP4750779B2 (ja) | 2007-07-19 | 2007-12-13 | 接合方法及びそれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8016628B2 (ja) |
| EP (1) | EP2022626B1 (ja) |
| JP (1) | JP4750779B2 (ja) |
| KR (1) | KR100889625B1 (ja) |
| CN (1) | CN101351063B (ja) |
| TW (1) | TWI356001B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192701A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法 |
| US8246867B2 (en) * | 2009-10-16 | 2012-08-21 | Corning Incorporated | Method for assembling an optoelectronic device |
| KR101084230B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| EP2551895B1 (en) * | 2011-07-27 | 2013-11-27 | STMicroelectronics Srl | Method of manufacturing an electronic device having a plastic substrate |
| US9184094B1 (en) * | 2012-01-26 | 2015-11-10 | Skorpios Technologies, Inc. | Method and system for forming a membrane over a cavity |
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| US8841161B2 (en) | 2012-02-05 | 2014-09-23 | GTAT.Corporation | Method for forming flexible solar cells |
| US8785294B2 (en) | 2012-07-26 | 2014-07-22 | Gtat Corporation | Silicon carbide lamina |
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| US9299725B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-03-29 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Fabrication process using circuit-on-wire |
| US9425221B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-08-23 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Circuit-on-wire |
| KR102459818B1 (ko) * | 2015-05-06 | 2022-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102407115B1 (ko) | 2015-06-25 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
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Family Cites Families (51)
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| US2961354A (en) | 1958-10-28 | 1960-11-22 | Bell Telephone Labor Inc | Surface treatment of semiconductive devices |
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| JP3892102B2 (ja) | 1997-04-14 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法及び同装置 |
| KR100328797B1 (ko) | 1997-04-14 | 2002-09-27 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판건조장치및기판처리장치 |
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| JP4397702B2 (ja) | 2004-02-04 | 2010-01-13 | 三菱伸銅株式会社 | 金属化ポリイミドフィルムの製造方法 |
| KR101007722B1 (ko) | 2004-02-12 | 2011-01-13 | 삼성전자주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
| WO2005076756A2 (en) | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel display apparatus |
| JP2005256061A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体 |
| US7087134B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-08-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for direct-bonding of substrates |
| KR100615217B1 (ko) | 2004-04-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치의 제조방법 |
| JP4494873B2 (ja) | 2004-06-02 | 2010-06-30 | 株式会社アルバック | プリント配線板、プリント配線板の製造方法およびその製造装置 |
| KR101100880B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
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| EP1670298A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-14 | Samsung SDI Germany GmbH | Substrate for a display and method for manufacturing the same |
| US20060135028A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Andreas Klyszcz | Substrate for a display and method for manufacturing the same |
| KR100571848B1 (ko) | 2005-01-05 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 직접 접합 방법 |
| JP4624812B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| JP4699822B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-06-15 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体モジュ−ルの製造方法 |
| CN1711000A (zh) | 2005-07-19 | 2005-12-21 | 天津理工大学 | 柔性白色有机电致发光器件及其制备方法 |
| FR2893750B1 (fr) * | 2005-11-22 | 2008-03-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif electronique flexible du type ecran comportant une pluralite de composants en couches minces. |
| KR100841376B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2008-06-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
-
2007
- 2007-07-19 KR KR1020070072199A patent/KR100889625B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-13 JP JP2007322222A patent/JP4750779B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-04 TW TW097125453A patent/TWI356001B/zh active
- 2008-07-18 CN CN2008101320158A patent/CN101351063B/zh active Active
- 2008-07-18 EP EP08252458A patent/EP2022626B1/en active Active
- 2008-07-21 US US12/219,380 patent/US8016628B2/en active Active
-
2011
- 2011-09-07 US US13/227,091 patent/US8187960B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090020592A1 (en) | 2009-01-22 |
| KR100889625B1 (ko) | 2009-03-20 |
| JP2009026731A (ja) | 2009-02-05 |
| TWI356001B (en) | 2012-01-11 |
| US20110315314A1 (en) | 2011-12-29 |
| CN101351063B (zh) | 2011-04-13 |
| KR20090008877A (ko) | 2009-01-22 |
| EP2022626A2 (en) | 2009-02-11 |
| EP2022626B1 (en) | 2011-10-26 |
| US8016628B2 (en) | 2011-09-13 |
| EP2022626A3 (en) | 2009-05-27 |
| TW200906623A (en) | 2009-02-16 |
| CN101351063A (zh) | 2009-01-21 |
| US8187960B2 (en) | 2012-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110519 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4750779 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |