JP4744786B2 - 高周波電力増幅モジュール - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims description 36
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の無線通信装置の送信部に使われる高周波電力増幅器に係り、特にバイアス制御回路を備えた高周波電力増幅モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信システムにおける携帯電話等の無線通信装置で使用される高周波電力増幅器は、大きく分けて高周波電力を増幅する高周波電力増幅部と同増幅部に直流電圧を供給するバイアス制御部の２つに分けられる。そして、これらを１個のモジュール基板に搭載し、高周波電力増幅モジュールとして構成することが一般的に行なわれている。
【０００３】
バイアス制御部は、温度変化等の環境の変化に対し高周波電力増幅部が安定した高周波特性を維持するように同増幅部の動作電流、動作電圧等を制御する役割を担っており大変重要である。高周波電力増幅部の制御は、通常、同増幅部を構成する半導体素子の入力側のバイアス電圧を変えることによって行なわれる。
【０００４】
バイアス電圧は、バイアス制御部からバイアス供給線路を経て、高周波電力増幅部に供給される。このとき、バイアス供給線路を通ってバイアス制御部に高周波信号が漏洩すると、バイアス制御部は、その漏洩信号によって動作不安定になり、漏洩量が多いと誤動作を起こすに至る。
【０００５】
高周波信号によるそのような誤動作を抑えるため、バイアス供給線路に直列インダクタンスを挿入することが行なわれる。それによって、バイアス供給線路が高周波信号の周波数において高インピーダンスになり、バイアス制御部に到達する高周波信号が減衰する。従来、このインダクタンスに、チップ素子や、半導体素子中に形成したスパイラル構造が用いられてきた。
【０００６】
なお、モジュール基板上に形成した配線用のボンディングワイヤをインダクタンスとして用いる例がある。バイアス供給線路用ではないが、半導体増幅素子の配線の一部にこのようなボンディングワイヤによるインダクタンスを用いた例が特許文献１に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−２２４６６０号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
バイアス供給線路に直列インダクタンスを挿入する高周波電力モジュールは、例えば図１０に示すように構成することができる。バイアス制御部104から２段増幅の高周波電力増幅部103へのバイアス供給が、インダクタ908，909によるバイアス供給線路を介して行なわれる。
【０００９】
ところで、携帯電話等の無線通信装置に用いる高周波電力増幅モジュールは、現在小型軽量化が急速に進んでいる。そのような状況の中で、インダクタ908，909に従来技術で説明したチップインダクタンス部品を使用する場合、小型化が進むモジュール基板上に比較的大きいインダクタンスチップ部品を載せる為に他の部品搭載の自由度が制限される等の問題がある。
【００１０】
また、インダクタ908，909に、半導体素子中に形成したスパイラル構造のインダクタを用いる場合は、インダクタンス値を一定量得ようとすると細いパターンで形成することになってインダクタンスの抵抗成分が増加するため、バイアスの電圧降下が発生し、更には半導体面積が大きくなってチップ価格が上昇する等の問題がある。
【００１１】
更に、インダクタ908，909にボンディングワイヤを利用する場合は、モジュール基板上で確保可能な長さに制限があるため、十分なインダクタンスの値が取れず、高周波信号の減衰が不十分とならざるを得ない。
【００１２】
本発明の目的は、モジュール基板面積を増大させることなく、バイアス制御部と高周波電力増幅部を結ぶバイアス供給線路において高周波信号に十分な減衰を与える高周波電力増幅モジュールを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記課題は、バイアス制御部と高周波電力増幅部を結ぶバイアス供給線路に、接地に対してキャパシタンス成分を持たせた少なくとも１個のボンディングパッドと、該ボンディングパッドを仲介して形成したボンディングワイヤとを用いることによって効果的に解決することが可能である。
【００１４】
このような手段を採用すれば、ボンディングパッドによるキャパシタンスとボンディングワイヤによるインダクタンスとで低域通過フィルタが形成されるので、高周波信号に十分な減衰を与えることができるからである。また、ボンディングパッドやボンディングワイヤは、モジュール基板上に自由に配置することができ、占有面積も小であるので、モジュール基板面積を増大させないで済む。なお、接地に対してキャパシタンス成分を持つボンディングパッドは、例えば、ボンディングパッドをモジュール基板上に形成し、更にモジュール基板のボンディングパッドとは反対側の面に接地導体を設けることによって実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る高周波電力増幅モジュールを図面に示した発明の実施の形態を参照して更に詳細に説明する。なお、図１，２，５〜７，９及び１０における同一の符号は、同一物又は類似物を表示するものとする。
【００１６】
図１に、モジュール基板に２段増幅の高周波電力増幅部を搭載した実施形態を示す。図１において、110はモジュール基板、103は、増幅を初段及び後段を経て行なう２段増幅の高周波電力増幅部、104は高周波電力増幅部103に直流バイアスを供給するバイアス制御部、108，109は、バイアス制御部104と高周波電力増幅部103を結ぶバイアス供給線路を示す。以上の各部をモジュール基板110に搭載して高周波電力増幅モジュールが構成される。なお、高周波電力増幅部103及びバイアス制御部104は、それぞれ半導体集積回路により構成される。
【００１７】
高周波信号は、高周波入力端子（RF IN）101から入力され高周波電力増幅部103で増幅され高周波出力端子（RF OUT）102から出力される。バイアス制御部104用直流電圧は、直流入力端子（Vbias）107から入力される。同直流電圧は、バイアス制御部104で２段増幅の初段バイアス、後段バイアスに変換され、各々バイアス供給線路109，108を通って高周波電力増幅部103の初段及び後段に供給される。
【００１８】
バイアス供給線路108，109は、接地に対してキャパシタ成分を持つボンディングパッド106を仲介して形成したボンディングワイヤ105からなり、ボンディングワイヤ105がインダクタンスを呈する。ボンディングワイヤ105がボンディングパッド106をたどることによって丁度縫い目のような形状が形成されるので、以下では、バイアス供給線路を改めて「ステッチ（stitch：縫い目）構造インダクタンス」と称することとする。
【００１９】
このステッチ構造インダクタンス108、109の詳細を図２に示す。ボンディングワイヤ105と接地に対してキャパシタ成分を持つボンディングパッド106を誘電体基板503上に一組以上直列接続することでステッチ構造インダクタンスが構成される。誘電体基板503のボンディングパッド106とは反対側の面に接地導体505が設けられる。
【００２０】
図３にこのステッチ構造インダクタンスの等価回路を示す。ここでボンディングワイヤ105はインダクタンス601で表され、接地導体505とボンディングパッド106間で形成される容量がキャパシタンス606で表される。また、接地導体505が接地605で表される。
【００２１】
図３の等価回路は、直列接続のインダクタンスの接続点と接地の間にキャパシタンスを接続した低域通過フィルタを構成している。従って、ステッチ構造インダクタンスを通過する高周波信号に対して十分な減衰を与えることができる。このことは、ステッチ構造インダクタンスが等価的に、同じ減衰を与える単体のインダクタ、即ちインダクタンス値が大きい、高インピーダンスのインダクタになったと言い換えることができる。
【００２２】
図２及び図３で説明した回路では、図１の高周波電力増幅器部103とステッチ構造インダクタンス108、109との接続部分、及びバイアス制御部104とステッチ構造インダクタンス108、109との接続部分がボンディングワイヤ105となっているが、図４に別の構造のステッチ構造インダクタンスの等価回路を示す。ここでは、両端がパッド部分とグランド部分1005で構成されるキャパシタンス1007を有した構造となっている。構造の中間は、インダクタンス1001とキャパシタンス1006で構成される。
【００２３】
図２及び図３に示したステッチ構造インダクタンスは、図１に示した構成の他に、図５〜図７に示すように構成することが可能である。
【００２４】
図５は、高周波電力増幅部103の後段にのみステッチ構造インダクタンス108を用いた例である。初段は信号のレベルが低いので、初段から漏洩する高周波信号が問題にならない場合があり、図５の構成はそのような場合に適用される。
【００２５】
図６は、ステッチ構造インダクタンス108を半導体集積回路による高周波電力増幅部103の半導体基板上に形成した例である。この場合は、ステッチ構造インダクタンス108のキャパシタンスは、半導体基板に形成した絶縁層を挟んで形成される。なお、ステッチ構造インダクタンス108のパッド106は、上記とは別に半導体基板上とモジュール基板110上とに分けて設けても良い。
【００２６】
図７は、ステッチ構造インダクタンス108を半導体集積回路によるバイアス制御部104の半導体基板上に形成した例である。半導体基板には、バイアス制御回路本体404が搭載される。
【００２７】
また、図示していないが、高周波電力増幅部とバイアス制御部を同一の半導体基板に形成した半導体集積回路として構成する場合は、ステッチ構造インダクタンスは同半導体基板上に形成される。
【００２８】
なお、ステッチ構造を実現するために、全てステッチ構造が同一基板内で構成されるのでなく、図８に示すように、ステッチ構造を持つ第１の誘電体基板（サブ基板）703から第２の誘電体基板基板702への相互の接続とすることも可能である。第１の誘電体基板703にボンディングパッド704及び接地導体707が形成され、第２の誘電体基板702にボンディングパッド705及び接地導体706が形成され、各ボンディングパッド間にボンディングワイヤ701が接続される。
【００２９】
また、バイアス制御部104は、具体的には図９に示すように、直流入力端子107から入力される直流電圧をトランジスタ素子を用いてバイアス電圧に変換する回路で構成される。なお、本発明はこのような回路に限定することなく、直流電流を出力するバイアス制御回路等どのような回路形式であっても有効である。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、バイアス制御部と高周波電力増幅部を結ぶバイアス供給線路が等価的に低域通過フィルタを形成するので、バイアス制御部への高周波信号の漏洩が抑えられ、従って、バイアス制御部の安定動作が得られる。それにより、高周波電力増幅部の高周波特性を良好に保つことができる。また、キャパシタンスを持つボンディングパッドを仲介して形成する併用したボンディングワイヤの採用により、インダクタンスチップ部品やスパイラルインダクタを用いた場合、或いは、ボンディングワイヤ単体で構成した場合のような実装面積の増加が回避されるので、小型軽量で低コストの高周波電力モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波電力増幅モジュールの発明の実施の形態を説明するためのブロック図。
【図２】本発明の高周波電力増幅モジュールに使用するステッチ構造インダクタンスを説明するための図。
【図３】図５のステッチ構造インダクタンスの等価回路を説明するための回路図。
【図４】別の構成のステッチ構造インダクタンスを説明するための回路図。
【図５】本発明の高周波電力増幅モジュール回路の他の実施例を示すブロック図である。
【図６】本発明の高周波電力増幅モジュールの別の発明の実施の形態を説明するためのブロック図。
【図７】本発明の高周波電力増幅モジュールの更に別の発明の実施の形態を説明するためのブロック図。
【図８】本発明の高周波電力増幅モジュールに使用する別の構成のステッチ構造インダクタンスを説明するための図。
【図９】本発明の高周波電力増幅モジュールに使用するバイアス制御部の例を説明するためのブロック図。
【図１０】バイアス供給線路をインダクタ単体で構成した高周波電力増幅モジュールの例を説明するためのブロック図。
【符号の説明】
101…高周波入力端子、102…高周波出力端子、110…モジュール基板、103…高周波電力増幅部、104…バイアス制御部、108，109…ステッチ構造インダクタンス、107…直流入力端子、105…ボンディングワイヤ、106…ボンディングパッド、503…誘電体基板、505…接地導体、601…インダクタンス、606…キャパシタンス。
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の無線通信装置の送信部に使われる高周波電力増幅器に係り、特にバイアス制御回路を備えた高周波電力増幅モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信システムにおける携帯電話等の無線通信装置で使用される高周波電力増幅器は、大きく分けて高周波電力を増幅する高周波電力増幅部と同増幅部に直流電圧を供給するバイアス制御部の２つに分けられる。そして、これらを１個のモジュール基板に搭載し、高周波電力増幅モジュールとして構成することが一般的に行なわれている。
【０００３】
バイアス制御部は、温度変化等の環境の変化に対し高周波電力増幅部が安定した高周波特性を維持するように同増幅部の動作電流、動作電圧等を制御する役割を担っており大変重要である。高周波電力増幅部の制御は、通常、同増幅部を構成する半導体素子の入力側のバイアス電圧を変えることによって行なわれる。
【０００４】
バイアス電圧は、バイアス制御部からバイアス供給線路を経て、高周波電力増幅部に供給される。このとき、バイアス供給線路を通ってバイアス制御部に高周波信号が漏洩すると、バイアス制御部は、その漏洩信号によって動作不安定になり、漏洩量が多いと誤動作を起こすに至る。
【０００５】
高周波信号によるそのような誤動作を抑えるため、バイアス供給線路に直列インダクタンスを挿入することが行なわれる。それによって、バイアス供給線路が高周波信号の周波数において高インピーダンスになり、バイアス制御部に到達する高周波信号が減衰する。従来、このインダクタンスに、チップ素子や、半導体素子中に形成したスパイラル構造が用いられてきた。
【０００６】
なお、モジュール基板上に形成した配線用のボンディングワイヤをインダクタンスとして用いる例がある。バイアス供給線路用ではないが、半導体増幅素子の配線の一部にこのようなボンディングワイヤによるインダクタンスを用いた例が特許文献１に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−２２４６６０号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
バイアス供給線路に直列インダクタンスを挿入する高周波電力モジュールは、例えば図１０に示すように構成することができる。バイアス制御部104から２段増幅の高周波電力増幅部103へのバイアス供給が、インダクタ908，909によるバイアス供給線路を介して行なわれる。
【０００９】
ところで、携帯電話等の無線通信装置に用いる高周波電力増幅モジュールは、現在小型軽量化が急速に進んでいる。そのような状況の中で、インダクタ908，909に従来技術で説明したチップインダクタンス部品を使用する場合、小型化が進むモジュール基板上に比較的大きいインダクタンスチップ部品を載せる為に他の部品搭載の自由度が制限される等の問題がある。
【００１０】
また、インダクタ908，909に、半導体素子中に形成したスパイラル構造のインダクタを用いる場合は、インダクタンス値を一定量得ようとすると細いパターンで形成することになってインダクタンスの抵抗成分が増加するため、バイアスの電圧降下が発生し、更には半導体面積が大きくなってチップ価格が上昇する等の問題がある。
【００１１】
更に、インダクタ908，909にボンディングワイヤを利用する場合は、モジュール基板上で確保可能な長さに制限があるため、十分なインダクタンスの値が取れず、高周波信号の減衰が不十分とならざるを得ない。
【００１２】
本発明の目的は、モジュール基板面積を増大させることなく、バイアス制御部と高周波電力増幅部を結ぶバイアス供給線路において高周波信号に十分な減衰を与える高周波電力増幅モジュールを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記課題は、バイアス制御部と高周波電力増幅部を結ぶバイアス供給線路に、接地に対してキャパシタンス成分を持たせた少なくとも１個のボンディングパッドと、該ボンディングパッドを仲介して形成したボンディングワイヤとを用いることによって効果的に解決することが可能である。
【００１４】
このような手段を採用すれば、ボンディングパッドによるキャパシタンスとボンディングワイヤによるインダクタンスとで低域通過フィルタが形成されるので、高周波信号に十分な減衰を与えることができるからである。また、ボンディングパッドやボンディングワイヤは、モジュール基板上に自由に配置することができ、占有面積も小であるので、モジュール基板面積を増大させないで済む。なお、接地に対してキャパシタンス成分を持つボンディングパッドは、例えば、ボンディングパッドをモジュール基板上に形成し、更にモジュール基板のボンディングパッドとは反対側の面に接地導体を設けることによって実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る高周波電力増幅モジュールを図面に示した発明の実施の形態を参照して更に詳細に説明する。なお、図１，２，５〜７，９及び１０における同一の符号は、同一物又は類似物を表示するものとする。
【００１６】
図１に、モジュール基板に２段増幅の高周波電力増幅部を搭載した実施形態を示す。図１において、110はモジュール基板、103は、増幅を初段及び後段を経て行なう２段増幅の高周波電力増幅部、104は高周波電力増幅部103に直流バイアスを供給するバイアス制御部、108，109は、バイアス制御部104と高周波電力増幅部103を結ぶバイアス供給線路を示す。以上の各部をモジュール基板110に搭載して高周波電力増幅モジュールが構成される。なお、高周波電力増幅部103及びバイアス制御部104は、それぞれ半導体集積回路により構成される。
【００１７】
高周波信号は、高周波入力端子（RF IN）101から入力され高周波電力増幅部103で増幅され高周波出力端子（RF OUT）102から出力される。バイアス制御部104用直流電圧は、直流入力端子（Vbias）107から入力される。同直流電圧は、バイアス制御部104で２段増幅の初段バイアス、後段バイアスに変換され、各々バイアス供給線路109，108を通って高周波電力増幅部103の初段及び後段に供給される。
【００１８】
バイアス供給線路108，109は、接地に対してキャパシタ成分を持つボンディングパッド106を仲介して形成したボンディングワイヤ105からなり、ボンディングワイヤ105がインダクタンスを呈する。ボンディングワイヤ105がボンディングパッド106をたどることによって丁度縫い目のような形状が形成されるので、以下では、バイアス供給線路を改めて「ステッチ（stitch：縫い目）構造インダクタンス」と称することとする。
【００１９】
このステッチ構造インダクタンス108、109の詳細を図２に示す。ボンディングワイヤ105と接地に対してキャパシタ成分を持つボンディングパッド106を誘電体基板503上に一組以上直列接続することでステッチ構造インダクタンスが構成される。誘電体基板503のボンディングパッド106とは反対側の面に接地導体505が設けられる。
【００２０】
図３にこのステッチ構造インダクタンスの等価回路を示す。ここでボンディングワイヤ105はインダクタンス601で表され、接地導体505とボンディングパッド106間で形成される容量がキャパシタンス606で表される。また、接地導体505が接地605で表される。
【００２１】
図３の等価回路は、直列接続のインダクタンスの接続点と接地の間にキャパシタンスを接続した低域通過フィルタを構成している。従って、ステッチ構造インダクタンスを通過する高周波信号に対して十分な減衰を与えることができる。このことは、ステッチ構造インダクタンスが等価的に、同じ減衰を与える単体のインダクタ、即ちインダクタンス値が大きい、高インピーダンスのインダクタになったと言い換えることができる。
【００２２】
図２及び図３で説明した回路では、図１の高周波電力増幅器部103とステッチ構造インダクタンス108、109との接続部分、及びバイアス制御部104とステッチ構造インダクタンス108、109との接続部分がボンディングワイヤ105となっているが、図４に別の構造のステッチ構造インダクタンスの等価回路を示す。ここでは、両端がパッド部分とグランド部分1005で構成されるキャパシタンス1007を有した構造となっている。構造の中間は、インダクタンス1001とキャパシタンス1006で構成される。
【００２３】
図２及び図３に示したステッチ構造インダクタンスは、図１に示した構成の他に、図５〜図７に示すように構成することが可能である。
【００２４】
図５は、高周波電力増幅部103の後段にのみステッチ構造インダクタンス108を用いた例である。初段は信号のレベルが低いので、初段から漏洩する高周波信号が問題にならない場合があり、図５の構成はそのような場合に適用される。
【００２５】
図６は、ステッチ構造インダクタンス108を半導体集積回路による高周波電力増幅部103の半導体基板上に形成した例である。この場合は、ステッチ構造インダクタンス108のキャパシタンスは、半導体基板に形成した絶縁層を挟んで形成される。なお、ステッチ構造インダクタンス108のパッド106は、上記とは別に半導体基板上とモジュール基板110上とに分けて設けても良い。
【００２６】
図７は、ステッチ構造インダクタンス108を半導体集積回路によるバイアス制御部104の半導体基板上に形成した例である。半導体基板には、バイアス制御回路本体404が搭載される。
【００２７】
また、図示していないが、高周波電力増幅部とバイアス制御部を同一の半導体基板に形成した半導体集積回路として構成する場合は、ステッチ構造インダクタンスは同半導体基板上に形成される。
【００２８】
なお、ステッチ構造を実現するために、全てステッチ構造が同一基板内で構成されるのでなく、図８に示すように、ステッチ構造を持つ第１の誘電体基板（サブ基板）703から第２の誘電体基板基板702への相互の接続とすることも可能である。第１の誘電体基板703にボンディングパッド704及び接地導体707が形成され、第２の誘電体基板702にボンディングパッド705及び接地導体706が形成され、各ボンディングパッド間にボンディングワイヤ701が接続される。
【００２９】
また、バイアス制御部104は、具体的には図９に示すように、直流入力端子107から入力される直流電圧をトランジスタ素子を用いてバイアス電圧に変換する回路で構成される。なお、本発明はこのような回路に限定することなく、直流電流を出力するバイアス制御回路等どのような回路形式であっても有効である。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、バイアス制御部と高周波電力増幅部を結ぶバイアス供給線路が等価的に低域通過フィルタを形成するので、バイアス制御部への高周波信号の漏洩が抑えられ、従って、バイアス制御部の安定動作が得られる。それにより、高周波電力増幅部の高周波特性を良好に保つことができる。また、キャパシタンスを持つボンディングパッドを仲介して形成する併用したボンディングワイヤの採用により、インダクタンスチップ部品やスパイラルインダクタを用いた場合、或いは、ボンディングワイヤ単体で構成した場合のような実装面積の増加が回避されるので、小型軽量で低コストの高周波電力モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波電力増幅モジュールの発明の実施の形態を説明するためのブロック図。
【図２】本発明の高周波電力増幅モジュールに使用するステッチ構造インダクタンスを説明するための図。
【図３】図５のステッチ構造インダクタンスの等価回路を説明するための回路図。
【図４】別の構成のステッチ構造インダクタンスを説明するための回路図。
【図５】本発明の高周波電力増幅モジュール回路の他の実施例を示すブロック図である。
【図６】本発明の高周波電力増幅モジュールの別の発明の実施の形態を説明するためのブロック図。
【図７】本発明の高周波電力増幅モジュールの更に別の発明の実施の形態を説明するためのブロック図。
【図８】本発明の高周波電力増幅モジュールに使用する別の構成のステッチ構造インダクタンスを説明するための図。
【図９】本発明の高周波電力増幅モジュールに使用するバイアス制御部の例を説明するためのブロック図。
【図１０】バイアス供給線路をインダクタ単体で構成した高周波電力増幅モジュールの例を説明するためのブロック図。
【符号の説明】
101…高周波入力端子、102…高周波出力端子、110…モジュール基板、103…高周波電力増幅部、104…バイアス制御部、108，109…ステッチ構造インダクタンス、107…直流入力端子、105…ボンディングワイヤ、106…ボンディングパッド、503…誘電体基板、505…接地導体、601…インダクタンス、606…キャパシタンス。
Claims (6)
- モジュール基板と、高周波信号を電力増幅し、かつ、上記モジュール基板上に配置された高周波電力増幅部と、該高周波電力増幅部の動作をバイアス電圧によって制御し、かつ、上記モジュール基板上に配置されたバイアス制御部と、該バイアス制御部から上記高周波電力増幅部にバイアス電圧を供給するためのバイアス供給線路とを具備し、
上記バイアス制御部は、入力される直流電圧をトランジスタ素子によってバイアス電圧に変換して出力するバイアス電圧出力回路を備え、
上記高周波電力増幅部と上記バイアス電圧出力回路とは上記バイアス供給線路によって互いに接続され、
上記バイアス供給線路は、接地に対してキャパシタンス成分を持つ複数のボンディングパッドと、該複数のボンディングパッドを仲介して互いに直列に接続するように形成された複数のボンディングワイヤとによって構成され、
上記バアス供給線路は、上記バイアス電圧出力回路と共に上記高周波電力増幅部から上記バイアス制御部へ漏洩する高周波信号に対して減衰を与える低域通過フィルタとして作用することを特徴とする高周波増幅モジュール。 - 上記高周波電力増幅部は、半導体素子基板に形成した半導体集積回路として構成されており、上記バイアス供給線路は、該半導体素子基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅モジュール。
- 上記バイアス制御部は、半導体素子基板に形成した半導体集積回路として構成されており、上記バイアス供給線路は、該半導体素子基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅モジュール。
- 上記高周波電力増幅部及び上記バイアス制御部は、同一の半導体素子基板に形成した半導体集積回路として構成されており、上記バイアス供給線路は、該半導体素子基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅モジュール。
- 上記バイアス供給線路は、上記モジュール基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅モジュール。
- 上記モジュール基板上に更にサブ基板を有し、上記少なくとも１個のボンディングパッドの内の複数のボンディングパッドにおいて、該複数のボンディングパッドの一部が上記モジュール基板上に形成され、該複数のボンディングパッドの残りの一部が上記サブ基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003118030A JP4744786B2 (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 高周波電力増幅モジュール |
| CNA2004100353368A CN1540859A (zh) | 2003-04-23 | 2004-04-22 | 射频功率放大模块 |
| US10/830,049 US7248118B2 (en) | 2003-04-23 | 2004-04-23 | Radio frequency power amplifier module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003118030A JP4744786B2 (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 高周波電力増幅モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004328190A JP2004328190A (ja) | 2004-11-18 |
| JP4744786B2 true JP4744786B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=33296353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003118030A Expired - Fee Related JP4744786B2 (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 高周波電力増幅モジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7248118B2 (ja) |
| JP (1) | JP4744786B2 (ja) |
| CN (1) | CN1540859A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60305505T2 (de) * | 2003-10-23 | 2007-04-26 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Leistungssteuerungsschaltkreis für eine mobile Endgeräteanwendung |
| KR101094641B1 (ko) | 2004-12-01 | 2011-12-20 | 레이디오펄스 주식회사 | 작은 레이아웃 면적을 가지는 저잡음 증폭기 |
| KR100778095B1 (ko) | 2006-10-12 | 2007-11-21 | 한국과학기술원 | 전송선을 이용한 차동 인덕터 |
| JP5242480B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2013-07-24 | 古河電気工業株式会社 | 広帯域バイアス回路 |
| WO2010125431A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wireless communication device and semiconductor package device having a power amplifier therefor |
| JP5547048B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 電力増幅器用バイアス回路 |
| JP2015012571A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 発振器及び位相同期回路 |
| US9379680B1 (en) | 2013-11-05 | 2016-06-28 | The Boeing Company | Systems, methods, and apparatus for a power amplifier module |
| US9685907B2 (en) * | 2015-06-30 | 2017-06-20 | Texas Instruments Incorporated | Variable gain power amplifiers |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5673911A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-19 | Fujitsu Ltd | Microwave amplifier |
| JPS6218747A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
| JPH04107940A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその構成部品 |
| JP3033623B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2000-04-17 | 日本電気株式会社 | ゲートバイアス制御回路および増幅器 |
| JP2592204Y2 (ja) * | 1992-10-09 | 1999-03-17 | ジーイー横河メディカルシステム株式会社 | パワーアンプ用温度補償回路 |
| JPH06224660A (ja) | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Tokimec Inc | マイクロ波増幅回路 |
| US5973567A (en) * | 1997-06-16 | 1999-10-26 | Hughes Electronics Corporation | Tunable impedance matching network for a mic power amplifier module |
| JP3970393B2 (ja) * | 1997-10-16 | 2007-09-05 | 富士通株式会社 | 等化フィルタ及び波形等化制御方法 |
| JP4158214B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2008-10-01 | 沖電気工業株式会社 | 半導体集積回路 |
| US6091292A (en) * | 1998-03-31 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High efficiency power amplifying apparatus |
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| US6714071B1 (en) * | 2001-06-25 | 2004-03-30 | Nortel Networks Limited | Gate modulation for high power amplifiers |
| JP2003037454A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅回路 |
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| US7091857B2 (en) * | 2004-02-12 | 2006-08-15 | Mi-Jack Products, Inc. | Electronic control system used in security system for cargo trailers |
-
2003
- 2003-04-23 JP JP2003118030A patent/JP4744786B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-22 CN CNA2004100353368A patent/CN1540859A/zh active Pending
- 2004-04-23 US US10/830,049 patent/US7248118B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1540859A (zh) | 2004-10-27 |
| JP2004328190A (ja) | 2004-11-18 |
| US20040212438A1 (en) | 2004-10-28 |
| US7248118B2 (en) | 2007-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060404 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060404 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081007 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081208 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081218 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090306 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100517 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110511 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |