JP2592204Y2 - パワーアンプ用温度補償回路 - Google Patents
パワーアンプ用温度補償回路Info
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- JP2592204Y2 JP2592204Y2 JP1992070335U JP7033592U JP2592204Y2 JP 2592204 Y2 JP2592204 Y2 JP 2592204Y2 JP 1992070335 U JP1992070335 U JP 1992070335U JP 7033592 U JP7033592 U JP 7033592U JP 2592204 Y2 JP2592204 Y2 JP 2592204Y2
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- Japan
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- power amplifier
- temperature compensation
- compensation circuit
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- Amplifiers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この考案は、パワーアンプ用温度
補償回路に関し、特に、ＭＲ装置の高周波電源用の温度
補償回路として有用である。
補償回路に関し、特に、ＭＲ装置の高周波電源用の温度
補償回路として有用である。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のＭＲ装置の高周波電源に
おけるパワーアンプの一例の回路図である。このパワー
アンプ５０１は、入力信号を増幅し、ＲＦパルス発生の
ためのＲＦ電力を、ＭＲ装置のＲＦコイルＲＣに供給す
るものである。ＦＥＴは増幅素子、ＶＲはバイアス用可
変抵抗、ＬＰＦはローパスフィルタ、Ｒは抵抗、Ｅはバ
イアス電源、Ｃｉは直流カット用コンデンサ、ＨＣはチ
ョークコイル、Ｃｏは出力用コンデンサ、５１はパワー
アンプ用温度補償回路である。パワーアンプ用温度補償
回路５１は、温度補償素子としてのＰＮ接合ダイオード
３１と，コンデンサＣＰとを並列に接続した構成であ
る。
おけるパワーアンプの一例の回路図である。このパワー
アンプ５０１は、入力信号を増幅し、ＲＦパルス発生の
ためのＲＦ電力を、ＭＲ装置のＲＦコイルＲＣに供給す
るものである。ＦＥＴは増幅素子、ＶＲはバイアス用可
変抵抗、ＬＰＦはローパスフィルタ、Ｒは抵抗、Ｅはバ
イアス電源、Ｃｉは直流カット用コンデンサ、ＨＣはチ
ョークコイル、Ｃｏは出力用コンデンサ、５１はパワー
アンプ用温度補償回路である。パワーアンプ用温度補償
回路５１は、温度補償素子としてのＰＮ接合ダイオード
３１と，コンデンサＣＰとを並列に接続した構成であ
る。
【０００３】パワーアンプ用温度補償回路５１の温度補
償動作は次のようになる。増幅素子ＦＥＴの温度が上昇
すると、バイアス電流が規定値以上に増加しようとす
る。ところが、増幅素子ＦＥＴの温度上昇に伴ってＰＮ
接合ダイオード３１の温度も上がるため、ＰＮ接合ダイ
オード３１の順方向電圧が減少し、バイアス電圧ＶＧが
下がる。バイアス電圧ＶＧが下がると、バイアス電流が
減少する。結局のところ、バイアス電流の増加と減少が
相殺され、バイアス電流は規定値に維持される。
償動作は次のようになる。増幅素子ＦＥＴの温度が上昇
すると、バイアス電流が規定値以上に増加しようとす
る。ところが、増幅素子ＦＥＴの温度上昇に伴ってＰＮ
接合ダイオード３１の温度も上がるため、ＰＮ接合ダイ
オード３１の順方向電圧が減少し、バイアス電圧ＶＧが
下がる。バイアス電圧ＶＧが下がると、バイアス電流が
減少する。結局のところ、バイアス電流の増加と減少が
相殺され、バイアス電流は規定値に維持される。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】上記パワーアンプ用温
度補償回路５１は、ＲＦパルスのため、ＲＦパルスと相
似波形のＲＦノイズを受ける。図４は、このＲＦノイズ
のバイアス電圧ＶＧへの影響の説明図である。パワーア
ンプ用温度補償回路５１が検波器として機能し、ＲＦノ
イズの負側のエンベロープを取り出すが、このエンベロ
ープがローパスフィルタＬＰＦおよび抵抗Ｒを通ってバ
イアス電圧ＶＧに伝わってしまい、好ましくない影響を
与える問題点がある。そこで、この考案の目的は、ＲＦ
ノイズの影響を受けないように改良したパワーアンプ用
温度補償回路を提供することにある。
度補償回路５１は、ＲＦパルスのため、ＲＦパルスと相
似波形のＲＦノイズを受ける。図４は、このＲＦノイズ
のバイアス電圧ＶＧへの影響の説明図である。パワーア
ンプ用温度補償回路５１が検波器として機能し、ＲＦノ
イズの負側のエンベロープを取り出すが、このエンベロ
ープがローパスフィルタＬＰＦおよび抵抗Ｒを通ってバ
イアス電圧ＶＧに伝わってしまい、好ましくない影響を
与える問題点がある。そこで、この考案の目的は、ＲＦ
ノイズの影響を受けないように改良したパワーアンプ用
温度補償回路を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この考案のパワーアンプ
用温度補償回路は、パワーアンプの増幅素子の温度を温
度補償素子で検出し，その温度に応じて前記増幅素子の
バイアス電圧／電流を制御することにより温度補償を行
なうパワーアンプ用温度補償回路において、温度補償素
子としてＰＩＮダイオードを用いると共に，そのＰＩＮ
ダイオードからローパスフィルタを介して制御信号を取
り込むことを構成上の特徴とするものである。
用温度補償回路は、パワーアンプの増幅素子の温度を温
度補償素子で検出し，その温度に応じて前記増幅素子の
バイアス電圧／電流を制御することにより温度補償を行
なうパワーアンプ用温度補償回路において、温度補償素
子としてＰＩＮダイオードを用いると共に，そのＰＩＮ
ダイオードからローパスフィルタを介して制御信号を取
り込むことを構成上の特徴とするものである。
【０００６】
【作用】この考案のパワーアンプ用温度補償回路では、
温度補償素子としてＰＩＮダイオードを用いるが、ＰＩ
Ｎダイオードは順方向電流に応じて導電率変調を行なう
素子なので、ＲＦノイズに対して抵抗とみなしてよい。
温度補償素子が抵抗とみなせれば、パワーアンプ用温度
補償回路は減衰器として機能し、ＲＦノイズを減衰させ
るが、高周波のままローパスフィルタＬＰＦに伝える。
すると、ローパスフィルタＬＰＦは高周波を通さないか
ら、バイアス電圧ＶＧに影響を与えないようになる。
温度補償素子としてＰＩＮダイオードを用いるが、ＰＩ
Ｎダイオードは順方向電流に応じて導電率変調を行なう
素子なので、ＲＦノイズに対して抵抗とみなしてよい。
温度補償素子が抵抗とみなせれば、パワーアンプ用温度
補償回路は減衰器として機能し、ＲＦノイズを減衰させ
るが、高周波のままローパスフィルタＬＰＦに伝える。
すると、ローパスフィルタＬＰＦは高周波を通さないか
ら、バイアス電圧ＶＧに影響を与えないようになる。
【０００７】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの考案をさら
に詳しく説明する。なお、これによりこの考案が限定さ
れるものではない。図１は、ＭＲ装置の高周波電源にお
けるパワーアンプの回路図である。このパワーアンプ１
０１は、入力信号を増幅し、ＲＦパルス発生のためのＲ
Ｆ電力を、ＭＲ装置のＲＦコイルＲＣに供給するもので
ある。ＦＥＴは増幅素子、ＶＲはバイアス用可変抵抗、
ＬＰＦはローパスフィルタ、Ｒは抵抗、Ｅはバイアス電
源、Ｃｉは直流カット用コンデンサ、ＨＣはチョークコ
イル、Ｃｏは出力用コンデンサである。１１は、この考
案の一実施例のパワーアンプ用温度補償回路である。
に詳しく説明する。なお、これによりこの考案が限定さ
れるものではない。図１は、ＭＲ装置の高周波電源にお
けるパワーアンプの回路図である。このパワーアンプ１
０１は、入力信号を増幅し、ＲＦパルス発生のためのＲ
Ｆ電力を、ＭＲ装置のＲＦコイルＲＣに供給するもので
ある。ＦＥＴは増幅素子、ＶＲはバイアス用可変抵抗、
ＬＰＦはローパスフィルタ、Ｒは抵抗、Ｅはバイアス電
源、Ｃｉは直流カット用コンデンサ、ＨＣはチョークコ
イル、Ｃｏは出力用コンデンサである。１１は、この考
案の一実施例のパワーアンプ用温度補償回路である。
【０００８】パワーアンプ用温度補償回路１１は、温度
補償素子としてのＰＩＮダイオード１と，コンデンサＣ
Ｐとを並列に接続した構成である。
補償素子としてのＰＩＮダイオード１と，コンデンサＣ
Ｐとを並列に接続した構成である。
【０００９】パワーアンプ用温度補償回路１１の温度補
償動作は次のようになる。増幅素子ＦＥＴの温度が上昇
すると、バイアス電流が規定値以上に増加しようとす
る。ところが、増幅素子ＦＥＴの温度上昇に伴ってＰＩ
Ｎダイオード１の温度も上がるため、ＰＩＮダイオード
１の順方向電圧が減少し、バイアス電圧ＶＧが下がる。
バイアス電圧ＶＧが下がると、バイアス電流が減少す
る。結局のところ、バイアス電流の増加と減少が相殺さ
れ、バイアス電流は規定値に維持される。
償動作は次のようになる。増幅素子ＦＥＴの温度が上昇
すると、バイアス電流が規定値以上に増加しようとす
る。ところが、増幅素子ＦＥＴの温度上昇に伴ってＰＩ
Ｎダイオード１の温度も上がるため、ＰＩＮダイオード
１の順方向電圧が減少し、バイアス電圧ＶＧが下がる。
バイアス電圧ＶＧが下がると、バイアス電流が減少す
る。結局のところ、バイアス電流の増加と減少が相殺さ
れ、バイアス電流は規定値に維持される。
【００１０】図２は、ＲＦノイズのバイアス電圧ＶＧへ
の影響の説明図である。パワーアンプ用温度補償回路１
１が減衰器として機能し、ＲＦノイズを減衰させるが、
高周波のままローパスフィルタＬＰＦに伝える。ローパ
スフィルタＬＰＦは高周波を通さないから、バイアス電
圧ＶＧに影響を与えない。従って、パワーアンプ１０１
は、ＲＦノイズの影響を受けない。
の影響の説明図である。パワーアンプ用温度補償回路１
１が減衰器として機能し、ＲＦノイズを減衰させるが、
高周波のままローパスフィルタＬＰＦに伝える。ローパ
スフィルタＬＰＦは高周波を通さないから、バイアス電
圧ＶＧに影響を与えない。従って、パワーアンプ１０１
は、ＲＦノイズの影響を受けない。
【００１１】
【考案の効果】この考案のパワーアンプ用温度補償回路
によれば、パワーアンプがＲＦノイズの影響を受けるこ
とを防止できるようになる。
によれば、パワーアンプがＲＦノイズの影響を受けるこ
とを防止できるようになる。
【図１】この考案の一実施例のパワーアンプ用温度補償
回路を含むＭＲ装置の高周波電源用パワーアンプの回路
図である。
回路を含むＭＲ装置の高周波電源用パワーアンプの回路
図である。
【図２】図１のパワーアンプ用温度補償回路のＲＦノイ
ズに対する等価的な回路図である。
ズに対する等価的な回路図である。
【図３】従来のパワーアンプ用温度補償回路を含むＭＲ
装置の高周波電源用パワーアンプの回路図である。
装置の高周波電源用パワーアンプの回路図である。
【図４】図３のパワーアンプ用温度補償回路のＲＦノイ
ズに対する等価的な回路図である。
ズに対する等価的な回路図である。
１ ＰＩＮダイオード １１ パワーアンプ用温度補償回路 １０１ パワーアンプ ＣＰ コンデンサ ＶＧ バイアス電圧 ＬＰＦ ローパスフィルタ
Claims (1)
- 【請求項１】 パワーアンプの増幅素子の温度を温度補
償素子で検出し，その温度に応じて前記増幅素子のバイ
アス電圧／電流を制御することにより温度補償を行なう
パワーアンプ用温度補償回路において、温度補償素子と
してＰＩＮダイオードを用いると共に，そのＰＩＮダイ
オードからローパスフィルタを介して制御信号を取り込
むことを特徴とするパワーアンプ用温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992070335U JP2592204Y2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | パワーアンプ用温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992070335U JP2592204Y2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | パワーアンプ用温度補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634321U JPH0634321U (ja) | 1994-05-06 |
| JP2592204Y2 true JP2592204Y2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=13428453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992070335U Expired - Lifetime JP2592204Y2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | パワーアンプ用温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2592204Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3942479B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2007-07-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波電力増幅モジュール |
| JP4744786B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2011-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅モジュール |
| GB2533767B (en) * | 2014-12-16 | 2019-06-19 | Leonardo Mw Ltd | Integrated circuits and methods of manufacturing. |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP1992070335U patent/JP2592204Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634321U (ja) | 1994-05-06 |
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Legal Events
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