JPH04271505A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
- Publication number
- JPH04271505A JPH04271505A JP3254991A JP3254991A JPH04271505A JP H04271505 A JPH04271505 A JP H04271505A JP 3254991 A JP3254991 A JP 3254991A JP 3254991 A JP3254991 A JP 3254991A JP H04271505 A JPH04271505 A JP H04271505A
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- JP
- Japan
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- fet
- drain
- bias voltage
- high frequency
- frequency amplifier
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界効果トランジスタ
を用いた高周波増幅回路に関する。
を用いた高周波増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高周波増幅回路は、図３
に示すように、電源から抵抗９を介して電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）１のドレインにバイアス電圧を供給し
ていた。
に示すように、電源から抵抗９を介して電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）１のドレインにバイアス電圧を供給し
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
増幅回路では、図４（ａ）に示すＴＤＭＡ信号のような
バースト状の入力信号に対して、出力信号は、図４（ｂ
）に示すように、オーバーシュートを持つ。その原因は
飽和点付近の入力信号に対してＦＥＴ１のドレイン電流
が増加することにあり、そのために、バースト状の入力
信号に対しドレイン抵抗９とバイパス・コンデンサ３で
決定される時定数でドレイン・バイアス電圧が低下し、
出力信号がオーバーシュート状になる。
増幅回路では、図４（ａ）に示すＴＤＭＡ信号のような
バースト状の入力信号に対して、出力信号は、図４（ｂ
）に示すように、オーバーシュートを持つ。その原因は
飽和点付近の入力信号に対してＦＥＴ１のドレイン電流
が増加することにあり、そのために、バースト状の入力
信号に対しドレイン抵抗９とバイパス・コンデンサ３で
決定される時定数でドレイン・バイアス電圧が低下し、
出力信号がオーバーシュート状になる。
【０００４】この現象は高周波増幅回路を十分にバック
・オフして使用する場合は問題ないが、リミッタ増幅器
や非線形補償回路における歪発生器に高周波増幅回路を
用いる場合に問題となる。
・オフして使用する場合は問題ないが、リミッタ増幅器
や非線形補償回路における歪発生器に高周波増幅回路を
用いる場合に問題となる。
【０００５】本発明の目的は、ＦＥＴを用いた、上述し
たようなオーバーシュートのない高周波増幅器を提供す
ることにある。
たようなオーバーシュートのない高周波増幅器を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の高周波増幅
回路は、電界効果トランジスタを用いた高周波増幅回路
において、少くとも１つのダイオードを順方向に介して
前記電界効果トランジスタのドレインにドレイン・バイ
アス電圧を供給する。第２の発明の高周波増幅回路は、
電界効果トランジスタを用いた高周波増幅回路において
、ツェナー・ダイオードを介して前記電界効果トランジ
スタのドレインにドレイン・バイアス電圧を供給する。
回路は、電界効果トランジスタを用いた高周波増幅回路
において、少くとも１つのダイオードを順方向に介して
前記電界効果トランジスタのドレインにドレイン・バイ
アス電圧を供給する。第２の発明の高周波増幅回路は、
電界効果トランジスタを用いた高周波増幅回路において
、ツェナー・ダイオードを介して前記電界効果トランジ
スタのドレインにドレイン・バイアス電圧を供給する。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例の回路図であ
る。
る。
【０００９】ＦＥＴ１は電源からダイオード４を順方向
に介してドレイン・バイアス電圧を供給されている。コ
ンデンサ３はＦＥＴ１に加えられる信号成分に対し十分
低いインピーダンスを持つものである。
に介してドレイン・バイアス電圧を供給されている。コ
ンデンサ３はＦＥＴ１に加えられる信号成分に対し十分
低いインピーダンスを持つものである。
【００１０】ＦＥＴ１のゲートにバースト状の飽和入力
レベル近傍の信号が印加されたとき、ＦＥＴ１のドレイ
ン電流は急激に増加するが、ダイオード４によるドレイ
ン・バイアス電圧の低下はダイオード４の電圧−電流特
性によりほぼ一定に保たれるため、ドレイン・バイアス
電圧の変動を小さく抑えることができ、一定の出力信号
を得ることができる。
レベル近傍の信号が印加されたとき、ＦＥＴ１のドレイ
ン電流は急激に増加するが、ダイオード４によるドレイ
ン・バイアス電圧の低下はダイオード４の電圧−電流特
性によりほぼ一定に保たれるため、ドレイン・バイアス
電圧の変動を小さく抑えることができ、一定の出力信号
を得ることができる。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例の回路図であ
る。
る。
【００１２】この第２の実施例は、電源電圧がドレイン
・バイアス電圧に比して十分大きい場合のものであり、
この場合は、図１に示す実施例におけるダイオード４の
かわりにツェナー・ダイオード８を用いることで同じ効
果を得ることができる。
・バイアス電圧に比して十分大きい場合のものであり、
この場合は、図１に示す実施例におけるダイオード４の
かわりにツェナー・ダイオード８を用いることで同じ効
果を得ることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電源とＦ
ＥＴのドレインとの間にダイオードを順方向になるよう
に挿入し、あるいは、ツェナー・ダイオードを挿入し、
ドレイン・バイアス電圧を供給することにより、飽和入
力近傍あるいはそれ以上の振幅をもつバースト状の信号
入力に対しても、オーバーシュートがなく位相変動の少
いバースト状の出力を得ることができる。
ＥＴのドレインとの間にダイオードを順方向になるよう
に挿入し、あるいは、ツェナー・ダイオードを挿入し、
ドレイン・バイアス電圧を供給することにより、飽和入
力近傍あるいはそれ以上の振幅をもつバースト状の信号
入力に対しても、オーバーシュートがなく位相変動の少
いバースト状の出力を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の回路図である。
【図２】本発明の第２の実施例の回路図である。
【図３】従来の高周波増幅回路の一例の回路図である。
【図４】図３に示す従来例における入出力信号の波形図
であり、図（ａ）は入力信号の波形を示し、図（ｂ）は
出力信号の波形を示す。
であり、図（ａ）は入力信号の波形を示し、図（ｂ）は
出力信号の波形を示す。
１ ＦＥＴ
２，６ ＲＦチョーク
３，７ バイパス・コンデンサ
４ ダイオード
５ カップリング・コンデンサ
８ ツェナー・ダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 電界効果トランジスタを用いた高周波
増幅回路において、少くとも１つのダイオードを順方向
に介して前記電界効果トランジスタのドレインにドレイ
ン・バイアス電圧を供給することを特徴とする高周波増
幅回路。 - 【請求項２】 電界効果トランジスタを用いた高周波
増幅回路において、ツェナー・ダイオードを介して前記
電界効果トランジスタのドレインにドレイン・バイアス
電圧を供給することを特徴とする高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254991A JPH04271505A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254991A JPH04271505A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271505A true JPH04271505A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12362017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254991A Pending JPH04271505A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271505A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044876A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Yagi Antenna Co Ltd | バースト的に電波を送信する送信装置の送信増幅器 |
| JP2017098664A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 周波数逓倍器 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3254991A patent/JPH04271505A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044876A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Yagi Antenna Co Ltd | バースト的に電波を送信する送信装置の送信増幅器 |
| JP2017098664A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 周波数逓倍器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000118 |