JP2011044876A - バースト的に電波を送信する送信装置の送信増幅器 - Google Patents

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Abstract

【課題】出力レベルの立上りを滑らかにしてスプリアスの発生を軽減でき、過電流によるFETの損傷を確実に防止できる送信増幅器を提供する。
【解決手段】送信増幅器20のGaAsFET21としてゲート電圧Vgに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第1電源部22から出力される「DC+4V」をローパスフィルタ24を介して供給する。FET21のゲートには、第2電源部23から出力される「DC+0.7V」のゲートバイアスを時定数回路25及びローパスフィルタ26を介して供給する。第1電源部22のSW端子22aにHigh/Lowの制御信号を入力し、その出力電圧をON/OFFすることにより、FET21をON/OFFして送信出力をバースト的に制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えばRFIDリーダ等のバースト的に電波を送信する送信装置に用いられる送信増幅器に関する。
商品や物品あるいは設備等にRFID(Radio Frequency IDentification)タグを取付け、RFIDリーダのアンテナから上記RFIDタグに無線電波による質問波(問合せ信号)を送信し、RFIDタグからの応答波を受信して固有のデータを読取ることにより商品や物品、設備等の管理を行うRFIDタグシステムが一般に知られている(例えば、特許文献1参照。)。
上記RFIDタグシステムでは、通信方式として周波数ホッピング方式の使用が規定されていると共にホッピングが擬似ランダムであることが規定されている。周波数ホッピング方式は、複数の周波数を使用し、所定のホッピングパターンにより複数の周波数を順次シフトして通信を行う方式であり、雑音や通信機器間の電波干渉に対して強く、また、通信の秘匿性を確保できるという特徴を備えている。
図6に示すように周波数ホッピング方式を用いたRFIDリーダ10は、送信する電波の周波数をホッピングパターンに従って例えばf1→f2→f3と順次切換えていき、かつ送信する電波(質問波)をバースト的(断続的)発射する。
上記RFIDリーダ10のようにバースト的に電波を送信する送信回路では、図7に示すように断続的にON/OFF動作する送信増幅器が使用される。
図7において、1はGaAsFET(ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)で、図8に示すようにゲート電圧Vgに負の電圧を印加するタイプのものが一般に使用されている。上記FET1は、ソースが接地され、ドレインに第1電源部2から出力される「DC+4V」の電圧がローパスフィルタ(LPF)4を介して供給される。また、FET1のゲートには、第2電源部3から出力される「DC−0.7V」の電圧がローパスフィルタ(LPF)5を介して供給される。
上記第1電源部2には、電源ライン6から「DC+5V」の電圧が供給されている。第1電源部2は、SW端子2aを備えており、このSW端子2aに制御部(図示せず)からON信号を供給することで「DC+4V」の電圧を出力する。第2電源部3は、第1電源部2から出力される「DC+4V」を受け、FET1のゲートバイアスとして「DC−0.7V」の電圧を出力する。上記第1電源部2の出力端と接地間には、大容量例えば数100μF程度の電解コンデンサ7が設けられる。そして、上記FET1のゲートに前段回路から出力される高周波信号が入力される。このFET1のドレインから増幅された信号が取り出され、アンテナ(図示せず)へ送られて外部に送信される。
上記のように構成された送信増幅器は、制御部(図示せず)から第1電源部2のSW端子2aにHigh/Lowの信号を入力し、その出力電圧をON/OFFすることにより、FET1の動作をON/OFFして送信出力をバースト的に制御する。
特開2006−254079号公報
上記のように断続的にON/OFF動作を繰り返す送信増幅器は、出力レベルの立上り方が急峻であると、リンギングやオーバーシュートを起因として高周波回路のミスマッチングによりスプリアスが瞬間的に不特定の周波数で発生する。
図7に示した従来の送信増幅器は、FET1のドレイン電圧Vdを供給する第1電源部2の出力点と接地間に大容量の電解コンデンサ7を設けてデカップリングすることにより、電解コンデンサ7のチャージ時間の分だけ出力レベルの立上りが遅れるようにして出力特性を改善している。しかし、電解コンデンサ7のチャージ時間は一瞬であり、また、電解コンデンサ7として数100μFの大容量のものを採用しても、図9に示すように若干立上りは改善されるが充分ではなく、急峻な立上りを軽減することはできない。また、回路基板が益々小型化される昨今、数100μFの電解コンデンサを使用するのは、装置全体の小型化を妨げる要因になっている。
図9は従来の送信増幅器の周波数2.416GHzにおける出力レベルの立上りをスぺクトラムアナライザで測定して示したもので、横軸に時間(1目盛りは0.5ms)をとり、縦軸に出力レベル[dBm]をとって示した。図9におけるA部がFET1の出力レベルの立上り部分を示している。
また、上記のように送信増幅器の出力レベルの立上り方が急峻であると、図10のホッピング波形に示すように設計値以外の意図していない周波数にスプリアス11a、11bが発生する。図10は上記従来の送信増幅器の20波ホッピング波形(1MHzステップで20波ホッピングを行った場合)をスぺクトラムアナライザで測定して示したもので、横軸に周波数(センタ周波数2.416GHz)をとり、縦軸に出力レベル[dBm]をとって示した。なお、上記スプリアス11a、11bは、どこに発生するかはランダムであり、図10で観測された波形より多く発生する場合も考えられる。
また、上記従来の送信増幅器では、FET1のゲートに第2電源部3から「−0.7V」のゲート電圧Vgを与えてFET1を動作させているが、バースト的にON/OFF動作を高速に繰り返した時にFET1のゲートバイアスが瞬間的に「0V」になって過大なドレイン電流が流れ、FET1が損傷するおそれがある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、バースト的に電波を送信する送信装置の送信増幅器において、高速のスイッチング動作においても出力レベルの立上りが滑らかになり、スプリアスの発生を軽減することができ、また、過電流によるFETの損傷を確実に防止できる送信増幅器を提供することを目的とする。
本発明は、バースト的に電波を送信する送信装置の送信増幅器において、ゲートバイアスとして正の電圧を印加するタイプの信号増幅用GaAsFETと、スイッチ端子に供給される制御信号によってON/OFF動作し、所定レベルの直流電圧を断続的に出力する第1電源部と、前記第1電源部の出力電圧を前記FETのドレインに供給する第1のローパスフィルタと、前記第1電源部の出力電圧に基づいて前記FETのゲートバイアス電圧を生成する第2電源部と、前記第2電源部に接続される時定数回路と、前記第2電源部から前記時定数回路を介して出力されるゲートバイアス電圧を前記FETのゲートに供給する第2のローパスフィルタとを具備することを特徴とする。
本発明によれば、ゲート電圧に正の電圧を印加するタイプのFETを使用し、ゲートバイアス回路に時定数回路を設けることにより、出力レベルの立上り波形をなだらかにしてスプリアスの発生を軽減でき、且つ過電流によるFETの損傷を確実に防止することができる。
本発明の実施例1に係る送信増幅器の回路構成図である。 同実施例1に係る送信増幅器に使用されるGaAsFETのVgs−Id特性図である。 同実施例1に係る送信増幅器の出力レベル立上り波形を示す図である。 同実施例1に係る送信増幅器の20波ホッピング波形を示す図である。 同実施例1に係る送信増幅器をRFIDリーダの送信回路に使用した場合の構成例を示すブロック図である。 RFIDリーダから送信されるバースト波の説明図である。 従来の送信増幅器の回路構成図である。 従来の送信増幅器に使用されるGaAsFETのVgs−Id特性図である。 従来の送信増幅器の出力レベル立上り波形を示す図である。 従来の送信増幅器の20波ホッピング波形を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の実施例1に係る断続的にON/OFF動作する送信増幅器20の回路構成図である。
図1において、21はGaAsFET(ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)で、図2に示すようにゲート電圧Vgに正の電圧を印加するタイプのものを使用する。図2は上記GaAsFET21のVgs−Id特性図である。
上記FET21は、ソースが接地され、ドレインに第1電源部2から出力される例えば「DC+4V」の電圧がローパスフィルタ(LPF)24を介して供給される。また、FET21のゲートには、第2電源部23から出力される例えば「DC+0.7V」のバイアス電圧が時定数回路25及びローパスフィルタ(LPF)26を介して供給される。上記時定数回路25は抵抗R1とコンデンサC1からなり、抵抗R1がゲートバイアス回路に直列に設けられ、コンデンサC1が抵抗R1の出力側と接地間に設けられる。上記抵抗R1の値は例えば約3.3kΩ、コンデンサC1の値は約1μFに設定される。
上記第1電源部22には、電源ライン27から例えば「DC+5V」の電圧が供給されている。第1電源部22は、例えばスイッチ付き低飽和型レギュレータ(DC+4V出力タイプ)を使用し、SW(スイッチ)端子22aに制御部(図示せず)からON信号が供給されることで「DC+4V」の電圧を出力する。第2電源部23は、第1電源部2から出力される「DC+4V」を受け、FET21のゲートバイアスとして「DC+0.7V」を出力する。
上記FET21には、前段回路から出力される高周波信号がゲートに入力され、ドレインから増幅された信号が取り出される。このFET21で増幅された信号がアンテナ(図示せず)へ送られて外部に送信される。
上記のように構成された送信増幅器20において、制御部(図示せず)から第1電源部22のSW端子22aにHigh/Lowの信号を入力し、その出力電圧をON/OFFすることにより、FET21をON/OFFして送信出力をバースト的に制御する。
上記第1電源部22をON動作させた際、第2電源部23から出力されるゲートバイアス電圧は時定数回路25により遅延され、ローパスフィルタ26を介してFET21のゲートに供給される。
上記時定数回路25における時定数τは、抵抗R1の値を3.3kΩ、コンデンサC1の値を1μFとすると、
τ=R1×C1
=3.3kΩ×1μF
=3.3ms
(但し、τは最大値Eの70%到達時間)
となる。
なお、FET21のゲート電流は数十μA程度であり、非常に小さい電流しか流れないので、時定数回路25による電圧降下は非常に小さく、FET21の動作に支障を与えることはない。
上記のように第1電源部22をON動作させた際、第2電源部23から出力されるゲートバイアス電圧は時定数回路25により遅延してFET21のゲートに供給されるので、FET21の出力レベルの立上り波形を図3のA部に示すようになだらかにすることができる。
図3は上記送信増幅器20の周波数2.416GHzにおける出力レベルの立上り波形をスぺクトラムアナライザで測定して示したもので、横軸に時間(1目盛りは0.5ms)をとり、縦軸に出力レベル[dBm]をとって示した。
上記のように高速のスイッチング動作においても送信増幅器20の出力レベルの立上り方をなだらかにすることができ、図4のホッピング波形に示すようにスプリアスの発生を防止することができる。図4は上記送信増幅器20における20波ホッピング波形(1MHzステップで20波ホッピングを行った場合)をスぺクトラムアナライザで測定して示したもので、横軸に周波数(センタ周波数2.416GHz)をとり、縦軸に出力レベル[dBm]をとって示した。
また、上記FET21は、図2に示したようにゲート電圧Vgに正の電圧を印加するタイプのものを使用することにより、何らかの原因でゲートバイアスが0Vになった場合にはドレイン電流Idが流れなくなるので、過電流によるFET21の損傷を確実に防止することができる。
また、時定数回路25のコンデンサC1としては、小型のチップコンデンサを使用した場合でも1μFの容量を確保でき、回路の小型化を図ることができる。
なお、上記実施例1では、時定数回路25の抵抗R1の値を3.3kΩ、コンデンサC1の値を1μFに設定した場合について示したが、その他の値に設定することも可能である。すなわち、FET21のゲート電流は数十μA程度しか流れないので、抵抗R1の値を数kΩに設定しても大きな電圧降下を生じることはなく、FET21の動作に支障を与えることはない。従って、時定数回路25は、回路定数を広い範囲で選択することができる。
次に、送信増幅器20をRFIDリーダの送信回路に使用した場合の例について図5を参照して説明する。
図5において、30はRFIDリーダで、マイコン(マイクロコンピュータ)31を備えており、このマイコン31にブザー32、LED33、押釦スイッチ34が接続される。また、RFIDリーダ30は、コネクタ35よりケーブル51を介してパソコン52が接続される。この場合、パソコン52からケーブル51及びコネクタ35を介してRFIDリーダ30の各回路部に電源が供給される。送信増幅器20においては、図1に示した電源ライン27にパソコン52から「DC+5V」の電源が供給される。
また、上記RFIDリーダ30は、例えば2.45GHzの送信搬送波を発生する発振器41を備えている。この発振器41から出力される送信搬送波は、ASK(amplitude shift keying)変調部42に入力される。更に、このASK変調部42には、マイコン31から質問データクロック及び所定周期のクロックが入力される。この場合、マイコン31は、データの読取りを指示する押釦スイッチ34が押されることによって問い合わせ信号及びクロックを出力し、ASK変調部42に入力する。また、マイコン31は、パソコン52からの制御指令によっても動作する。
ASK変調部42は、発振器41からの送信搬送波をマイコン31からの質問データクロック及び所定周期のクロックで振幅変調して出力する。上記ASK変調部42で変調された信号は、送信増幅器20で増幅された後、方向性結合器43、サーキュレータ44を介してアンテナ45へ送られ、このアンテナ45から例えば円偏波による質問波53としてRFIDタグ54へ送信される。
また、上記送信増幅器20から方向性結合器43に入力された送信搬送波は、その一部が方向性結合器43の結合端子からバイアス波として取り出され、0/90°移相器46を介して検波器47に入力される。上記0/90°移相器46は、その移相量が上記マイコン31からの制御指令によって自動的に0°と90°に切換えられる。
上記RFIDタグ54は、予め固有のID情報をメモリに記憶しており、RFIDリーダ30から送られてくる質問波53に基づいて上記メモリの記憶内容を読出し、RFIDリーダ30からの送信搬送波を振幅変調して応答波55として再放射する。
RFIDリーダ30は、RFIDタグ54からの応答波55をアンテナ45で受信し、サーキュレータ44より検波器47に入力する。
検波器47は、RFIDタグ54からの応答波55と方向性結合器43から0/90°移相器46を介して入力される搬送波とをミキシング検波して復調データを取り出し、波形生成回路48を介してマイコン31に出力する。
マイコン31は、検波器47により復調されたデータが波形生成回路48を介して送られてくると、そのデータに間違いが無いかCRCチェックを行った後、パソコン52に伝送する。
また、マイコン31は、上記質問波53を送信した後、予め設定された所定時間内にRFIDタグ54から応答波55が送られてきたかどうかを判定し、所定時間内に応答波55を受信できなかった場合には0/90°移相器46の移相量を0°から90°、あるいは90°から0°に切換え、すなわちバイアス波の位相を切換えて再度応答波55を検波し、データを読取る。
すなわち、RFIDリーダ30とRFIDタグ54との位置関係により、送信搬送波とRFIDタグ54からの応答波55の位相差が変化して受信できない箇所が発生するため、バイアス波の位相を0/90°移相器46で変えて応答波を検波し、データを読取っている。
また、マイコン31は、0/90°移相器46の移相量を切換えてもRFIDタグ54からの応答波55を受信できなかった場合は、エラーが発生したものと判断してエラー表示用のLEDを所定時間点灯させる機能や、応答波データの検波後にデータ長やビット化けが発生した場合にもエラーが発生したものと判断してエラー表示のためのLEDを所定時間点灯させる機能を任意にプログラムで設定可能である。
上記RFIDリーダ30の送信回路に使用された送信増幅器20は、マイコン31から与えられるHigh/Lowの信号によって第1電源部22がON/OFF動作し、その出力電圧が第2電源部23に供給されると共にローパスフィルタ24を介してFET21のドレインに供給される。そして、第2電源部23から出力される「DC+0.7V」の電圧が時定数回路25及びローパスフィルタ26を介してFET21にゲート電圧Vgとして供給される。これによりFET21がON/OFF動作し、ASK変調部42で変調された信号を増幅し、方向性結合器43及びサーキュレータ44を介してアンテナ45へ出力する。
上記RFIDリーダ30の送信部に図1に示した送信増幅器20を使用することにより、FET21の出力レベルの立上り波形をなだらかとしてスプリアスの発生を軽減することができる。
なお、図5では、送信増幅器20をRFIDリーダ30の送信回路に使用した場合について示したが、RFIDリーダ30以外の無線回路においても使用することが可能である。すなわち、RFIDリーダ30で使用している周波数ホッピング方式は、その他、例えば無線LANやBluetooth(登録商標)等の無線通信においても使用されているので、上記送信増幅器20はRFIDリーダ30に限らずバースト的に電波の送信を行う送信回路に使用することが可能である。
また、本発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できるものである。
20…送信増幅器、21…FET、22…第1電源部、22a…第1電源部のSW端子、23…第2電源部、24…ローパスフィルタ、25…時定数回路、26…ローパスフィルタ、27…電源ライン、30…RFIDリーダ、31…マイコン、32…ブザー、33…LED、34…押釦スイッチ、35…コネクタ、41…発振器、42…ASK変調部、43…方向性結合器、44…サーキュレータ、45…アンテナ、46…移相器、47…検波器、48…波形生成回路、51…ケーブル、52…パソコン(PC)、53…質問波、54…RFIDタグ、55…応答波。

Claims (1)

  1. バースト的に電波を送信する送信装置の送信増幅器において、
    ゲートバイアスとして正の電圧を印加するタイプの信号増幅用GaAsFETと、スイッチ端子に供給される制御信号によってON/OFF動作し、所定レベルの直流電圧を断続的に出力する第1電源部と、前記第1電源部の出力電圧を前記FETのドレインに供給する第1のローパスフィルタと、前記第1電源部の出力電圧に基づいて前記FETのゲートバイアス電圧を生成する第2電源部と、前記第2電源部に接続される時定数回路と、前記第2電源部から前記時定数回路を介して出力されるゲートバイアス電圧を前記FETのゲートに供給する第2のローパスフィルタとを具備することを特徴とする送信増幅器。
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