JP5242480B2 - 広帯域バイアス回路 - Google Patents
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Description
(1)アイソレーション特性を、略25dB以上とする、
(2)挿入損失特性として、1MHzから3GHzの帯域において変動が0.4dB以内の平坦な特性値が確保される、
(3)群遅延特性として、50MHz〜3GHzの帯域において遅延時間が100ps以内の平坦な特性値が確保される。
以上の結果から、3段のインダクタを接続する順序は、1段目にインダクタンスの最も小さいインダクタを接続し、次に大きなインダクタンスを2段目に接続し、インダクタンスの最も大きいインダクタを3段目に接続するのがよいことが確認できた。
101 増幅回路
102 入力端
103 出力端
104、105、114 コンデンサ
106 入力側の接続点
107 出力側の接続点
110 広帯域バイアス回路
120 電源
111、112、113 インダクタ
130 バイアス回路の入力端
131 バイアス回路の電源入力端
132 バイアス回路の出力端
Claims (6)
- 一端が電源に接続され、他端が所定の周波数帯を使用する広帯域な高周波信号を増幅する増幅回路に接続され、直流のバイアス電流を供給する広帯域バイアス回路であって、前記増幅回路の入力側、出力側の少なくともいずれか一つに接続され前記増幅回路の接続点から直列に接続された3段以上のインダクタを備え、
前記3段以上のインダクタのうち、前記接続点に最も近い1段目のインダクタのインダクタンスを最小とし、2段目以降のインダクタのインダクタンスを同じか順次大きくし、
前記3段以上のインダクタのうち1段目から最後段より2段前までのそれぞれのインダクタは、該インダクタの持つアイソレーション特性と該インダクタの後段に隣接するインダクタの持つアイソレーション特性とが交差する周波数が、前記隣接する2つのインダクタの自己共振周波数の間となるようにそれぞれのインダクタンスが決定されている
ことを特徴とする広帯域バイアス回路。 - 前記3段以上のインダクタのうち1段目から最後段より1段前までのインダクタは、前記最後段のインダクタと比較して、Q値が低くインダクタの持つアイソレーション特性の自己共振周波数近傍における変化が緩やかとなっている
ことを特徴とする請求項1に記載の広帯域バイアス回路。 - 前記3段以上のインダクタを直列接続したアイソレーション特性は、前記所定の周波数帯において25dBより大きい
ことを特徴とする請求項1または2に記載の広帯域バイアス回路。 - 挿入損失特性において、前記所定の周波数帯における変動幅が0.4dB以下となるように前記3段以上のインダクタの各々のインダクタンスが決定されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の広帯域バイアス回路。 - 群遅延特性において、前記所定の周波数帯あるいはそれより狭い別の周波数帯における遅延時間が100ps以下となるように前記3段以上のインダクタの各々のインダクタンスが決定されている
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の広帯域バイアス回路。 - 前記所定の周波数帯は、1MHz以上3GHz以下である
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の広帯域バイアス回路。
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