JP4711513B2 - 官能基を水素化するための触媒およびその調製方法 - Google Patents
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Description
本発明は、有機化合物の官能基を水の存在下に水素化し、特に芳香族ニトロ化合物中のニトロ基を水の存在下に相応のアミンへと水素化し、またはアルドース、ケトースを水の存在下に相応の糖アルコールへと水素化するのに使用可能な触媒、およびその調製方法に関する。
【0002】
有機化合物官能基の水素化の工業的に最も頻繁な応用は、アルドースまたはケトースを相応の糖アルコールへと、若しくは芳香族ニトロ化合物を相応のアミンへと水素化することである。
【0003】
水素化は一般に固定床型反応装置内でもバッチ式反応装置内でも実施される。工業的規模において最も頻繁には水素化は液相中で懸濁触媒を使って行われ、これらの方法は反応温度、圧力、触媒、溶媒および反応管理方式の点に相違がある。触媒としては例えばニッケル含有触媒等のさまざまな触媒系が使用される。ニッケル-SiO2-Al2O3触媒を使ってグルコースをソルビトールへと接触水素化することがNL 8 102 190に開示されている。ニッケル-銅担体触媒をグルコース水素化用に使用することがDD 217 996に開示されている。担体としてSiO2、Al2O3、SiO2・Al2O3が使用される。DD 156 175にはNi-SiO2触媒の存在下にグルコースの水素化によるソルビトール製出が述べられている。特許公報SU 565 040によれば、触媒濃度5〜6%、温度110〜150℃、圧力40〜60バールにおいてラネーニッケル触媒でのソルビトールへの水素化は1〜2時間後に、良好な収率を維持して経過する。US 4 694 113はグルコースをソルビトールへと水素化するための2段階プロセスを述べており、第1段階ではグルコースの約95%がニッケル触媒の存在下にソルビトールへと水素化され、ニッケル触媒の分離後、残りのグルコースがRu触媒でソルビトールへと水素化される。
【0004】
JP 551 33 33は、触媒Pd/C、ラネーニッケル、ラネーコバルトもしくは白金黒の存在下に2,4-ジニトロトルエン、2,6-ジニトロトルエンの水素化を開示している。
【0005】
EP-A 98 681は、ジニトロベンゾフェノンを相応するジアミンへと水素化するためのニッケル-ケイソウ土担体触媒を開示している。
【0006】
DE-A 35 37 247には改質ラネーニッケル触媒の存在下にジニトロ化合物のジアミンへの水素化が述べられている。
【0007】
EP-A 0 335 222は、ニトリル、芳香族化合物、ニトロ化合物およびオレフィンを水素化することへのニッケル-Al2O3/ZrO2担体触媒の応用を開示している。この公報はなかんずく50〜120℃、pH値7.3〜9.0においてニッケル、ジルコニウムおよびアルミニウムを担体上に同時に沈殿させることを開示しており、担体として活性炭、Al2O3、SiO2、ケイソウ土、等が使用される。
【0008】
SU-PS 28 31 85は、ニッケルとAl2O3をZrO2上に沈殿させることによって調製されるニッケル-Al2O3/ZrO2触媒を開示している。
【0009】
US-PS 2 564 331の教示によれば、ニッケル・炭酸ジルコニル混合物を沈殿させ、引き続き250〜350℃で洗浄し乾燥させ還元することによってニッケル-ZrO2触媒が調製され、この触媒は最大10質量%のZrO2を有する。
【0010】
DE-AS 1 257 753にも不溶性炭酸塩の沈殿が開示されており、アンモニウムジルコニルカーボネートとニッケルアミンカーボネートとの混合塩溶液からCO2とNH3を蒸発させることによって沈殿過程が引き起こされる。
【0011】
EP-A 0 672 452は有機化合物を水素化するための触媒を開示しており、触媒は実質的に、NiOとして換算して65〜80質量%のニッケルと10〜25質量%のSiO2とZrO2として換算して2〜10質量%のジルコニウムとAl2O3として換算して0〜10質量%のアルミニウムとを含有しており、SiO2含有量とAl2O3含有量との合計は少なくとも15質量%である。これらの触媒の調製はNi化合物、Zr化合物、希望する場合にはアルミニウム化合物の酸性水溶液をケイ素化合物、希望する場合にはアルミニウム化合物の塩基性水溶液または懸濁液に添加することによって行われる。沈殿の間、pH値はまず4.0〜6.5に下げられ、引き続き7〜8に調節される。沈殿生成物は乾燥させられ、焼成され、成形される。
【0012】
従来公知のニッケル水素化触媒は、すべて、グルコース水素化および芳香族ニトロ化合物水素化の熱水反応条件のもとで、触媒が急速に老化するという欠点を有する。
【0013】
そこで本発明の技術的課題は、特にグルコース水素化および芳香族ニトロ化合物水素化の熱水反応条件のもとで、従来の触媒よりも長い寿命を有するニッケル含有担体触媒を提供することである。
【0014】
この課題は、本発明によれば、特に有機化合物の官能基を水素化するための、特にグルコースをソルビトールへと水素化しまたは芳香族ニトロ化合物中のニトロ基を水の存在下に相応のアミンへと水素化するための、担体上にニッケルを含有した触媒を用い、この触媒が還元され安定化されており、単峰ニッケル結晶粒度分布のニッケル結晶と(触媒の総質量に対して)25〜60質量%、特に(触媒の総質量に対して)25〜59質量%のニッケル含有量と少なくとも65%の還元度とを有することによって解決される。還元度は、安定化された触媒を水素気流中において100℃で1時間再還元(負荷:1000v/v時)後に測定される。
【0015】
本発明はこの課題を、このような触媒を調製するための方法を提供することによっても解決する。
【0016】
本発明の特別好ましい実施形態では、前記触媒が単峰ニッケル結晶粒度分布を有し、ニッケル結晶粒度分布の極大は25〜90オングストローム、特に30〜90オングストロームにある。
【0017】
他の好ましい実施形態では、前記触媒がジルコニウム含有担体に担持されており、好ましくはZrO2、ZrO2HfO2、SiO2・ZrO2、SiO2・ZrO2HfO2またはこれら物質の少なくとも2種の混合物を含み、またはこれらからなる。
【0018】
特別好ましい実施形態では、SiO2含有量が(触媒の総質量に対して)0〜40質量%である。他の好ましい実施形態では、ZrO2含有量が(触媒の総質量に対して)20〜75質量%である。他の好ましい実施形態では、HfO2含有量が(触媒の総質量に対して)0〜7.5質量%である。
【0019】
本発明の特別好ましい実施形態において、還元され安定化された触媒は、粒度1〜100μm、好ましくは2〜30μmの粉末として使用することができる。成形品も当然に利用することができる。
【0020】
本発明による触媒は、有利かつ意外なことに、従来の触媒に比べて同じまたは向上した触媒活性において寿命が長いことを特徴としている。本発明による単峰ニッケル結晶粒度分布の触媒は、特に熱水反応条件下で、従来の触媒に比べてかなり長い寿命を有する。
【0021】
本発明に関連して単峰ニッケル結晶粒度分布とは、結晶粒度分布の極大が1つのみ存在するニッケル結晶分布のことである。
【0022】
本発明に関連して用語・還元度とは、100℃で1時間再還元後に存在する安定化触媒の総ニッケル含有量に占める金属ニッケルの割合のことである。
【0023】
本発明は、他の実施形態において、前記触媒を調製するための方法にも関する。つまり本発明は、ニッケル含有触媒、特にアルドースまたはケトース中のカルボニル基を水の存在下に、そして芳香族ニトロ化合物中のニトロ基を水の存在下に相応のアミンへと水素化するための触媒を調製するための方法にも関しており、Ni2+およびZr4+含有溶液から塩基性溶液、特にNaOH、NaHCO3またはNa2CO3またはこれら物質の少なくとも2種の混合物の溶液で、8〜9のpH値にて沈殿させることによって沈殿生成物を得、この沈殿生成物を300℃〜650℃の温度で焼成し、場合によっては引き続き不活化し、次に250℃〜550℃、特に300℃〜550℃の温度において水素で還元し、場合によっては不活化し、引き続き安定化する。
【0024】
特別好ましい実施形態においてNi2+およびZr4+含有溶液はさらにHf4+を含有している。他の好ましい実施形態においてNi2+およびZr4+含有溶液またはNi2+、Zr4+/Hf4+含有溶液は、二酸化ケイ素SiO2を、好ましくは懸濁させて含有している。好ましい実施形態において、Ni2+およびZr4+含有溶液が硝酸塩を、特に硝酸ジルコニルの態様で有することを含む。
【0025】
つまり沈殿生成物の調製は前記塩基性溶液をNi2+およびZr4+含有溶液に添加することによって行われ、両方の溶液の混合物が8〜9のpH最終値に達するまで、またその限りで、この添加は行われる。
【0026】
本発明の好ましい実施形態では、沈殿が60℃〜95℃の温度で行われる。好ましい実施において、沈殿実施後、つまりpH最終値に到達後、継続処理を行う前に、得られた懸濁液を例えば1〜2時間再攪拌することを予定することができる。
【0027】
他の1構成において本発明は、沈殿生成物が沈殿後に濾過され、好ましくは水で洗浄され、次に非還元性雰囲気中で、110℃〜150℃の温度において乾燥させられ、前駆体触媒が得られる前記方法に関する。
【0028】
本発明に関連して前駆体触媒とは、出発成分、つまりNi2+およびZr4+を含有し場合によってはHf4+を含有した溶液、場合によってはSiO2を、添加した塩基性溶液で沈殿させ、濾過し、水で洗浄し、非還元性雰囲気中の温度で乾燥させたのちに得られる生成物のことである。
【0029】
本発明によれば、前駆体触媒の調製時にニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)からなる相、またはニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)含有相、特にニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)とニッケルヒドロキシカーボネート(Ni2(OH)2CO3・4H2O)とニッケルヒドロキシシリケート(Ni3Si2O5(OH)4)との混合物、またはニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)と格子膨張を有する水酸化ニッケル(Ni(OH)2)との混合物、または海泡石類似構造物(Ni4Zr6O15(OH)2)が得られ、その際、OH-イオンを炭酸塩化によって部分的に交換しておくことができる。
【0030】
本発明に関連して格子膨張とは、小さい角度の方に干渉位置が変位することである。
【0031】
焼成前または焼成後のいずれかに、触媒前駆体は錠剤、押出し品、パッドまたは丸粒へと成形することができる。
【0032】
焼成生成物の還元は本発明によれば粉末でも成形品でも行うことができる。本発明によれば、還元中に500〜3000v/v時範囲のガス負荷を利用するのが特別好ましい。
【0033】
好ましい実施において本発明によれば、還元後に好ましくはO2-N2-CO2混合物で触媒が安定化される。
【0034】
それゆえに本発明は、好ましくは還元および/または好ましくは不活化された本発明による触媒を不動態化するための方法を提供することにも関しており、触媒がステップa)ではCO2含有量0.5〜10容量%のCO2-N2ガス混合物中で91℃〜350℃の温度において少なくとも30分間処理され、次にステップb)ではステップa)で指摘したガス混合物が最高90℃の温度に冷却され、次にステップc)では、最高90℃の温度に到達後、第1不動態化段階においてガス混合物に酸素、好ましくは空気が、0.2〜1.5容量%の酸素含有量になるまで添加され、混合物中で触媒が少なくとも30分間振動下に処理され、次にステップd)ではステップc)のガス混合物中のCO2含有量が第2不動態化段階において<0.1容量%に低減され、O2含有量が1.5〜21容量%に高められる。
【0035】
触媒を安定化させるための本発明による処理方式は安定化時間が短いという利点を有しており、同時に、優れた熱的安定性を有して十分に再活性化可能な触媒が得られる。有利なことに触媒は特別均一に不動態化される。前記条件のもとでCO2の少ない不活性ガスで処理することによってきわめて均一で容易に再活性化可能な触媒が得られたことは、実際意外なことであった。
【0036】
好ましい実施形態において本発明は、少なくとも不動態化が触媒層中で連続的にまたはバッチ操作で実施され、特に高さ・直径比が0.05〜1の範囲内である触媒層を使って実施される前記方法に関する。
【0037】
他の好ましい実施形態において本発明は、ステップa)に従ってCO2-N2混合物で処理する間CO2の濃度が1〜2.5容量%である前記方法を予定している。
【0038】
他の好ましい実施形態において本発明は、ステップa)に従ってCO2-N2混合物で処理する間ガス負荷が500〜10000v/v時である前記方法を予定している。他の好ましい実施形態において本発明は、ステップa)に従ってCO2-N2混合物で処理する間および/またはステップc)、d)に従ってCO2-N2-O2ガス混合物で処理する間ガス負荷が100〜3000v/v時である前記方法を予定している。
【0039】
他の好ましい実施形態において本発明は、ステップc)、d)に従ってCO2-N2-O2ガス混合物中での処理が30分〜8時間の間実施される前記方法を予定している。
【0040】
他の1構成において本発明は、ステップc)による処理、つまり第1不動態化段階の持続時間とステップd)によるステップ、つまり第2不動態化段階との比が9:1である前記方法に関する。
【0041】
他の好ましい実施形態において本発明は、ステップc)および/またはステップd)に従って触媒をCO2-N2-O2ガス混合物で処理する温度が50〜70℃である前記方法に関する。
【0042】
他の好ましい実施形態において本発明は、ステップc)に従って処理する間CO2-N2-O2ガス混合物中のCO2濃度が0.5〜1.5容量%である前記方法を予定している。本発明は好ましくは、ステップc)を実施するためにステップa)の混合物のCO2含有量を例えば前記範囲に低減することを予定することができる。
【0043】
本発明の他の好ましい1構成によれば、ステップc)に従って処理する間CO2-N2-O2ガス混合物中のO2濃度が0.25〜0.8容量%である前記方法が提供される。
【0044】
本発明の他の好ましい1構成において、ステップd)に従って処理する間O2濃度は5〜10容量%である。
【0045】
他の1構成において本発明は、ステップc)および/またはd)による触媒層の振動が10〜20分の時間間隔を置いてそれぞれ0.5〜2分の時間にわたって行われる前記方法に関する。有利には、10〜50Hzの振動数が調整される。
【0046】
特に粉末状触媒やきわめて高い強度を有する触媒の場合に渦層を生成することによってまたは回転炉内に配置することによって触媒層を運動させることも当然に可能である。本発明の重要な観点は、ステップc)、d)による不動態化段階中に少なくとも時々触媒を酸素・二酸化炭素・窒素混合物中で、例えば移動床中で動かすことである。
【0047】
安定化は、特別好ましくは、酸素含有量0.1〜1容量%、CO2含有量0.6容量%の窒素気流のなかで80℃以下の温度において安定化することによっても行うことができる。
【0048】
本発明によって得られる還元触媒の安定化を別の仕方で実施し、例えばUS-PS 4 090 980の教示に従って実施することも当然に可能であり、触媒を安定化させるためのプロセスパラメータに関してこの公報も本願の開示内容に含まれる。
【0049】
以下の実施例に基づいて本発明が詳しく説明される。
【0050】
実施例1(本発明)
攪拌器を備えた加熱可能な沈殿容器に4.5リットルの水が入れられ、次に、1.5kgのNaHCO3を10リットルの水に溶かして調製された重炭酸ナトリウム溶液と水ガラス溶液(45gのSiO2=0.75リットルの溶液)が添加される。その後、攪拌しながら85℃の沈殿温度に加熱され、ニッケル400gの他に158gのZrO2と27gのHfO2も硝酸塩の形で含有する化合された金属硝酸塩溶液の配量が開始される。80〜85℃の平均温度での沈殿時間は約2時間、沈殿後のpH値は8.2〜8.5であった。沈殿終了後、仕上げられた懸濁液はなお約2時間80℃で再攪拌された。それに続いて懸濁液が濾過され、800℃でアニーリングされた生成物の強熱残留物に対して<0.3質量%のNa2O含有量に至るまでフィルタケーキはアルカリ分のない水で洗浄される。次にフィルタケーキは120〜150℃の温度で約14時間乾燥させられ、引き続き370℃で2時間焼成される。焼成後、中間生成物は窒素気流(1000v/v時)中で不活化され、水素気流(1000v/v時)中で毎分5℃の加熱率で460℃に加熱され、460℃で6時間還元される。引き続き30分間460℃において1500v/v時の窒素気流中で不活化され、その後、窒素気流(1500v/v時)中で290℃に冷却された。この温度において、CO2濃度が2容量%となるような量の二酸化炭素が窒素に添加される。
【0051】
触媒はこの混合物で280℃において30分間処理され、次に同じガス混合物中で50℃に冷却され、酸素含有量0.1〜1容量%、CO2含有量0.6容量%の窒素気流(1500v/v時)中で80℃以下の温度において安定化される。酸素濃度は、触媒温度が80℃を上まわらないように選定された。温度<80℃における安定化時間は5時間であった。
【0052】
還元され安定化された触媒は約50質量%のニッケルと20質量%のZrO2と5質量%のSiO2と3質量%のHfO2とを含有している。XRD検査は、42オングストロームの極大を有する単峰ニッケル結晶粒度分布を示した。100℃で1時間の再還元後、触媒の還元度は78%(水素気流中の負荷:1000v/v時)である。乾燥したフィルタケーキの位相解析は、海泡石類似構造物:Ni4Zr6O15(OH)2の存在を明らかにした(OH-イオンを炭酸塩化によって部分的に補充)。
【0053】
実施例2(本発明)
加熱可能な沈殿容器に4.5リットルの水が入れられ、次に、ニッケル400gの他にジルコニウムとハフニウムも硝酸塩の形で含有する金属硝酸塩溶液が添加される。金属硝酸塩溶液中のニッケルとZrO2とのモル比は約2、ZrO2とHfO2とのモル比は約25である。金属硝酸塩溶液の添加後、攪拌しながら60℃の温度に加熱され、引き続きソーダ水溶液(150gのソーダ/1リットルの溶液)で約8.5のpH最終値になるまで沈殿される。沈殿時間は約2時間であった。沈殿終了後、60〜70℃の温度で再攪拌され、引き続き濾過され、さらに、実施例1で述べたように処理された。
【0054】
仕上げられた触媒は約40質量%のニッケルと40質量%のZrO2と3質量%のHfO2とを含有している。単峰ニッケル結晶粒度分布は38オングストロームに極大を有する。100℃で1時間の再還元後、触媒の還元度は80%である。乾燥したフィルタケーキの位相解析によると、ニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)とニッケルヒドロキシカーボネート(Ni2(OH)2CO3・4H2O)との混合物が生じていた。
【0055】
実施例3(比較例)
305.76gのNi(NO3)・6H2Oと29.52gのAl(NO3)3・9H2Oが1760mlの蒸留水に溶かされ、2.32gのジルコンカーボネートが9mlのHNO3(56質量%)に溶かされる。両方の溶液を合わせ、101℃に加熱する。この混合塩溶液は、強力に攪拌された100℃の高温のソーダ溶液に3分以内に均一に添加される。このソーダ溶液は147.04gのNa2CO3と1416mlの蒸留水とから調製されたものである。沈殿したばかりの懸濁液に27.76gのケイソウ土が攪拌導入され、その際に得られる混合物をさらになお3分間攪拌する。引き続き沈殿生成物は濾過され、70℃の熱水で、洗浄水のアルカリ含有量が約20mgNa2O/リットルとなるまで洗浄される。こうして得られるフィルタケーキが70℃の熱水に懸濁され(フィルタケーキと水との量比=1:1)、60分間攪拌され、その後に再度濾過される。その後に生じるフィルタケーキが再度濾過される。その際に発生するフィルタケーキは押出されて円筒形成形体(直径5mm、長さ8〜10mm)とされ、引き続き温度を高めて(50〜60℃)空気で乾燥され、乾燥質量に対して水の残含有量<10質量%とされる。乾燥した材料は、予め窒素気流(1000v/v時、30分)中で不活化後、水素気流中において負荷400v/v時、加熱時間5℃/分で470℃に加熱され、この温度で4時間にわたって還元される。乾燥した中間生成物中でTakovit(炭酸塩異体)、炭酸塩取込みニッケルヒドロキシシリケートの位相が検出された。安定化は本発明による実施例におけると同様に行われた。この触媒の特性は表のなかで本発明による触媒の特性と対比されている。
【0056】
実施例4(比較例)
2.7kgのソーダが6リットルの水に懸濁され、60℃に温められた。SiO2含有量45g/lのケイ酸ナトリウム溶液6.6リットルが30分以内に強力に攪拌しながら添加され、次にNi含有量150g/溶液lの硝酸ニッケル溶液3リットルが2時間以内に添加された。沈殿懸濁液は次に60℃で1時間再攪拌された。その後さらに、Ni含有量150g/溶液lの硝酸ニッケル溶液3.5リットルが2時間以内に沈殿懸濁液に導入された。沈殿物が濾別され、水で洗浄された。次にフィルタケーキは130℃で10時間乾燥させられ、実施例1に述べたように事前に焼成と不活化とを行ったのち水素気流中において450℃で6時間還元され、窒素気流(1000v/v時、450℃で30分)中で不活化と窒素気流中で冷却後、0.1〜1%のO2を含有した窒素気流(1500v/v時)を利用して温度<80℃で安定化された。安定化時間は8時間であった。還元され安定化された触媒は約62%のニッケルと20%のSiO2を含有している。100℃で1時間再還元後、触媒の還元度は75%である。
【0057】
乾燥したフィルタケーキの位相解析は、主に炭酸塩取込みニッケルヒドロキシシリケートを示した。
【0058】
触媒の接触性能評価は以下の条件で行われた。
【0059】
A)一定した圧力で水素消費量を測定して0.5リットル攪拌オートクレーブ内でグルコースの水素化:
触媒量:1.2g
反応混合物:グルコース120gと水90g
反応圧力:125バール
反応温度:135℃
攪拌速度:2000rpm
グルコースの98.5%が水素化される時間が水素化活性度として利用された。
【0060】
B)一定した圧力で水素消費量を測定して0.5リットルオートクレーブ内でニトロベンゼンのアニリンへの水素化:
触媒量:0.25g
反応混合物:80gと水40g
反応圧力:25バール
反応温度:120℃
攪拌速度:2000rpm
ニトロベンゼンの100%が転化される時間が水素化活性度として利用された。
【0061】
触媒の安定性は、水素化の圧力・温度条件のもとで水素化反応後に反応混合物中で100時間処理後に生じる平均Ni結晶粒度の増加によって特徴付けられた。
【0062】
定性的に位相を割当てるXDR広角検査は、Rich. Seifert & CO Freiberger Praezisionsmechanik GmbH社の測定ステーションで以下の実験撮影条件下で実施された。
【0063】
発電機データ:34kV/30mA
測角器:HZG4
放射:Cu-Ka
フィルタ:湾曲黒鉛モノクロメータ
角度範囲:2Θ=10°〜70°
ステップ幅:ΔΘ=0.05°
計数時間:4秒
データの処理は評価ファイルAPX63(SEIFERT FPM)で実施された。結晶構造を割当てるためにJCPDS評価ファイル1997が利用された。
【0064】
やはりRich. Seifert & CO Freiberger-Praezisionsmechanik GmbH社の測定ステーションを使ってニッケルの平均一次粒度が測定された。干渉線プロフィールから(111)網平面に垂直な拡散曲線部分が以下の条件で撮影された。
【0065】
発電機データ:40kV/30mA
測角器:XDR7
放射:Cu-Ka
フィルタ:Ni
角度範囲:2Θ=41°〜49°
ステップ幅:ΔΘ=0.05°
計数時間:20秒
Jandel Corporation社のピーク除去プログラムPF4を応用してNi-(111)線プロフィールのモダリティ(モノガウス線プロフィールまたは双峰ガウス線プロフィール)についての判断が獲得された。
【0066】
触媒の性能評価は次掲の表から明らかとなる。
【0067】
【表1】
結果は、Ni微結晶粒度の僅かな増加が裏付けるように高い触媒活性と高い安定性に見られる本発明による触媒の利点を示す。
Claims (19)
- 有機化合物の官能基を水の存在下に水素化するための、ZrO2HfO2、またはSiO2・ZrO2HfO2からなる担体上にニッケルを含む触媒であって、触媒が安定化されており、単峰ニッケル結晶粒度分布のニッケル結晶と、(触媒の総質量に対して)25〜60質量%のニッケル含有量と、(触媒の総質量に対して)20〜40質量%のZrO2含有量と、少なくとも65%の還元度とを有する触媒。
- ニッケル結晶粒度分布の極大が25〜90オングストロームにある、請求項1記載の触媒。
- 担体が物質ZrO2HfO2、SiO2・ZrO2HfO2の2種以上の混合物を含み、またはこれらからなる、請求項1または2記載の触媒。
- SiO2含有量が(触媒の総質量に対して)最大40質量%である、請求項1〜3のいずれか1項記載の触媒。
- HfO2含有量が(触媒の総質量に対して)最大7.5質量%である、請求項1〜4のいずれか1項記載の触媒。
- 触媒が、粒度1〜100μmの粉末の態様で存在する、請求項1〜5のいずれか1項記載の触媒。
- 有機化合物の官能基を水の存在下に水素化するための、請求項1〜6のいずれか1項に記載されたニッケル含有担体触媒を調製するための方法であって、単峰ニッケル微結晶粒度分布のニッケル微結晶と、(触媒の総質量に対して)25〜60質量%のニッケル含有量と、(触媒の総質量に対して)20〜40質量%のZrO2含有量と、少なくとも65%の還元度とを有し、Ni2+およびZr4+含有溶液を塩基性溶液で8〜9のpH最終値にて沈殿させることによって得られる沈殿生成物を、300℃〜650℃の温度で焼成し、酸素またはCO2を含有する窒素気流下で安定化する方法。
- 沈殿生成物が焼成後かつ還元前に不活化される、請求項7記載の方法。
- 塩基性溶液がNaOH、NaHCO3、Na2CO3またはこれら物質の2種以上の混合物の溶液である、請求項7または8記載の方法。
- Ni2+およびZr4+含有溶液がNO3 −(硝酸塩)および/またはHf4+を含有している、請求項7〜9のいずれか1項記載の方法。
- Ni2+およびZr4+含有溶液がSiO2を、懸濁させて含有している、請求項7〜10のいずれか1項記載の方法。
- 沈殿が65℃〜95℃の温度で行われる、請求項7〜11のいずれか1項記載の方法。
- 沈殿生成物が沈殿後に濾過され、水で洗浄され、次に非還元性雰囲気中で、110℃〜150℃の温度において乾燥させられ、前駆体触媒が得られる、請求項7〜12のいずれか1項記載の方法。
- 前駆体触媒の調製時にニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)からなる相、またはニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)とニッケルヒドロキシカーボネート(Ni2(OH)2CO3・4H2O)とニッケルヒドロキシシリケート(Ni3Si2O5(OH)4)との混合物、またはニッケルヒドロキシナイトレート(Ni3(OH)4(NO3)2)と格子膨張を有する水酸化ニッケル(Ni(OH)2)との混合物、または海泡石類似構造物(Ni4Zr6O15(OH)2)が形成され、その際、OH−イオンを炭酸塩化によって部分的に交換しておくことができる、請求項7〜13のいずれか1項記載の方法。
- 触媒前駆体が焼成前に錠剤、押出し品、パッドまたは丸粒へと成形される、請求項7〜14のいずれか1項記載の方法。
- 触媒前駆体が焼成後に錠剤、押出し品、パッドまたは丸粒へと成形される、請求項7〜15のいずれか1項記載の方法。
- 還元時のガス負荷が500〜3000v/v時である、請求項7〜16のいずれか1項記載の方法。
- 酸素含有量0.1〜1容量%、CO2含有量0.6容量%のO2−N2−CO2混合物で触媒が安定化される、請求項7〜17のいずれか1項記載の方法。
- 安定化が80℃以下の温度で行われる、請求項7〜18のいずれか1項記載の方法。
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