JP4702880B2 - 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 - Google Patents
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この場合には、図3(A)に示されるように、入射電子は、B地点を過ぎるとその速度は徐々に減速されるものの、ほとんどの入射電子は試料71の表面に到達する。従って、一例として図4(A)に示されるように、検出器91では、一次反発電子は検出されない。
この場合には、図3(B)に示されるように、入射電子は、B地点を過ぎるとその速度は徐々に減速され、試料71の表面に到達する前に0となる。そして、そこを起点として、試料71の表面から離れる方向(+Z方向)に進む。すなわち、入射電子のZ軸方向の速度ベクトルが、試料71の表面に到達する前に反転し、入射電子は試料71の表面に到達せずに戻ることとなる。この試料71の表面に到達しなかった入射電子の一部が、一例として図4(B)に示されるように、一次反発電子として検出器91で検出される。
Claims (17)
- 荷電粒子ビームを用いて試料の表面電位の分布状態を測定する表面電位分布測定方法であって、
前記試料表面を前記荷電粒子ビームで走査し、前記試料表面の2次元面内の複数の計測点における電位情報をそれぞれ計測する工程と、
装置構成に基づいて、前記試料の電荷又は電位の分布モデルを設定する工程と、
前記分布モデルに基づいて前記荷電粒子ビームの軌道を算出する工程と、
前記算出された荷電粒子ビームの軌道に応じて前記複数の計測点における電位情報をそれぞれ算出する工程と、
前記計測された電位情報と前記算出された電位情報とを比較して前記分布モデルを修正する工程と、
前記修正された分布モデルに基づいて前記荷電粒子ビームの軌道を算出する工程と、
該算出された荷電粒子ビームの軌道に応じて前記複数の計測点における電位情報をそれぞれ算出し、該算出された電位情報に基づいて前記表面電位の分布を算出する工程と、を含む表面電位分布測定方法。 - 前記計測する工程では、前記荷電粒子ビームの加速電圧及び前記試料に印加されるバイアス電圧の少なくともいずれかを変更しながら、前記複数の計測点における電位を計測し、
前記各荷電粒子ビームの軌道を算出する工程では、前記電圧毎に前記荷電粒子ビームの軌道を算出することを特徴とする請求項1に記載の表面電位分布測定方法。 - 前記計測する工程では、前記試料の表面に到達する前に、反発された荷電粒子の検出信号を計測することを特徴とする請求項1又は2に記載の表面電位分布測定方法。
- 前記計測する工程では、前記試料表面を電子ビームで走査することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面電位分布測定方法。
- 前記計測する工程では、前記試料として感光体が用いられることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面電位分布測定方法。
- 前記計測する工程に先立って、前記試料の表面に潜像を形成する工程を、更に含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の表面電位分布測定方法。
- 前記各算出された荷電粒子ビームの軌道に基づいて、前記試料の表面電荷の分布状態を求める工程を、更に含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の表面電位分布測定方法。
- 荷電粒子ビームを用いて試料の表面電位の分布状態を測定する表面電位分布測定装置であって、
前記荷電粒子ビームを発生するビーム発生装置と、
前記ビーム発生装置と試料との間に配置され、前記ビーム発生装置からの荷電粒子ビームを前記試料表面に集束する光学系と、
前記試料近傍に配置され、前記試料の表面における電位情報が含まれる信号を検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果から前記試料の表面における電位情報を求めるとともに、装置構成に応じて設定された前記試料の電荷又は電位の分布モデルに基づいて前記荷電粒子ビームの軌道を計算し、該軌道に基づいて算出された電位情報と前記求められた電位情報とを比較して前記分布モデルを修正し、該修正された分布モデルに基づいて前記試料の表面における電位情報を算出する処理装置と、を備える表面電位分布測定装置。 - 前記処理装置は、前記ビーム発生装置を介して前記荷電粒子ビームの加速電圧を変更させ、異なる加速電圧での前記検出装置の複数の検出結果から前記電位情報を求め、前記電圧毎に前記荷電粒子ビームの軌道を算出することを特徴とする請求項8に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記試料にバイアス電圧を印加する電源回路を更に備えることを特徴とする請求項8又は9に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記処理装置は、前記電源回路を介して前記バイアス電圧を変更させ、異なるバイアス電圧での前記検出装置の複数の検出結果から前記電位情報を求め、前記電圧毎に前記荷電粒子ビームの軌道を算出することを特徴とする請求項10に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記処理装置は、更に前記試料の表面電位の分布状態に基づいて、表面電位分布のプロファイルを算出することを特徴とする請求項8〜11のいずれか一項に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記処理装置は、更に前記荷電粒子ビームの軌道の計算結果に基づいて、前記試料における表面電荷の分布状態を求めることを特徴とする請求項8〜12のいずれか一項に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記試料表面に潜像を形成する潜像形成装置を更に備えることを特徴とする請求項8〜13のいずれか一項に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記荷電粒子は電子であることを特徴とする請求項8〜14のいずれか一項に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記試料は感光体であることを特徴とする請求項8〜15のいずれか一項に記載の表面電位分布測定装置。
- 前記検出装置は、前記試料表面に到達する前に、反発された荷電粒子を検出することを特徴とする請求項8〜16のいずれか一項に記載の表面電位分布測定装置。
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