JP2008076100A - 表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定方法、及び測定装置、並びに画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】感光体試料Sに対して裏面に電位を加えて、荷電粒子光学系10で電子ビームを走査する。検出器21で感光体試料Sからの反転された1次電子を検出する。試料S裏面に加える電位を複数設定し、試料Sの表面のある位置が電子ビームが反射するか吸収される境界となった場合のVth分布を加速電圧Vaccと、裏面の印加電圧Vsubから、Vacc-Vsub により定義する。予め電荷分布試料モデルに対する電位分布Vth分布を記憶しておき、測定結果と比較し、電荷分布試料モデルの電荷分布を基本として、電荷分布試料モデルのVth分布と測定結果のVth分布の差を補正することにより、試料の表面電荷分布あるいは表面電位分布を算出する。
【選択図】図1
Description
b.感光体に光を照射して光導電性により静電潜像を形成する露光工程
c.帯電したトナー粒子を用いて、感光体上に可視画像を形成する現像工程
d.現像された可視画像を紙片等の転写材に転写する転写工程
e.転写された画像を転写材上に融着・固定する定着工程
f.可視画像転写後の感光体上の残留トナーを清掃するクリーニング工程
g.感光体上の残留電荷を除電する除電工程
試料裏面にVsub[V] の電圧を印加し、加速電圧Vacc[V] で荷電粒子ビームを照射した場合、試料表面のある位置(x,y) が荷電粒子ビームが反射するか吸収される境界となった場合のVth分布を
Vth(x,y)=Vacc-Vsub …式(1)
と定義し、
予め、電荷分布試料モデルに対する電位分布Vm(x,y) と、Vth分布Vth#m(x,y)を記憶しておき、測定結果と比較し、電荷分布試料モデルの電荷分布を基本として、電荷分布試料モデルのVth分布Vth#m(x,y)と測定結果のVth分布Vth#s(x,y)の差を補正することにより、試料の表面電荷分布あるいは表面電位分布を算出することを特徴とする。
試料裏面にVsub[V] の電圧を印加し、加速電圧Vacc[V] で荷電粒子ビームを照射した場合、試料表面のある位置(x,y) が荷電粒子ビームが反射するか吸収される境界となった場合のVth分布を
Vth(x,y)=Vacc-Vsub …式(1)
と定義し、
予め、電荷分布試料モデルに対する電位分布Vm(x,y) と、Vth分布Vth#m(x,y)を記憶する記憶手段と、測定結果と比較し、電荷分布試料モデルの電位分布を基本として、電荷分布試料モデルのVth分布Vth#m(x,y)と測定結果のVth分布Vth#s(x,y)の差を補正することにより、試料の表面電荷分布あるいは表面電位分布を算出する演算手段を有することを特徴とする。
Vm(x,y)×Vth#s(x,y)/Vth#m(x,y)
を演算する手段を有することを特徴とする。
Vth#s#max+(Vm(x,y)−Vth#s#max)×(Vth#s(x,y)−Vth#s#max)/(Vth#m(x,y)−Vth#m#max)
を演算する手段を有することを特徴とする。
Vm1(x,y)+(Vm2(x,y)−Vm1(x,y))×(Vth#s(x,y)−Vth#m1(x,y))/(Vth#m2(x,y)−Vth#m1(x,y))
を演算する手段を有することを特徴とする。
V(x,y)=(Vth#m1(x,y)+Vth#m2(x,y))/2 …式(5)
とみなすことを特徴とする。
1.0<B/A<2.0 …式(6)
0.7<D/C<0.9 …式(7)
1.0<B/A<2.0 …式(6)
0.7<D/C<0.9 …式(7)
Min |Vp|≦|Vacc|≦ Max|Vp|
の範囲で、荷電粒子の加速電圧Vaccを試料に走査させることにより、入射する荷電粒子の試料垂直方向の速度ベクトルが、反転する状態が存在し、その反転した1次反転荷電粒子を検出することにより、試料の表面電位分布の測定することが可能となる。そして、各走査位置(x,y) で、加速電圧Vaccと、試料下部印加電圧Vsubとの差を Vth(=Vacc-Vsub)とすれば、ランディングエネルギーがほぼ0となるときのVth(x,y)を測定することで電位分布V(x,y)を測定することができる。Vth(x,y)は、電位分布V(x,y)とは、一意的な対応関係がある。
V(x,y)=Vm(x,y)×Vth#s(x,y)/Vth#m(x,y) …式(2)
で与える。この変換の例は例えば図7のようになる。
V(x,y)=Vth#s#max+(Vm(x,y)−Vth#s#max)×(Vth#s(x,y)−Vth#s#max)/(Vth#m(x,y)−Vth#m#max) …式(3)
で与える。
V(x,y)=Vm1(x,y)+(Vm2(x,y)−Vm1(x,y))×(Vth#s(x,y)−Vth#m1(x,y))/(Vth#m2(x,y)−Vth#m1(x,y)) …式(4)
で与える。この変換の例は例えば図8のようになる。
1.0<B/A<2.0
を満足する感光体を選定すれば、最終出力画像で階調性、鮮鋭性の安定性が実現出来る。
ここで、下限の1.0は光の散乱及び電荷の拡散はどんな感光体でも必ず起こるのでこれ以下にはならないという原理的な限界であり、上限の2.0は最終出力画像で階調性、鮮鋭性の安定性を確保する為に必要な限界である。
0.7<D/C<0.9
を満足するように書込光量を設定すれば、1ビームスポットの再現性が向上し、かつ感光体の耐久性を損なわないため、望ましい。ここで、下限の1ビームスポットが確実に現像される為に必要な潜像深さであり、上限の0.9はこれ以上に潜像深さが深くなるほどの光を当てた場合には感光体の早期劣化が懸念される限界である。
20 検出部
21 検出器
22 試料台
30 測定制御部
100 画像形成装置
111 潜像担持体
S 感光体試料
Claims (12)
- 表面電荷分布あるいは表面電位分布を有する試料に対して、裏面に電位を加えて荷電粒子ビームを走査し、該裏面に加える電位を複数設定し、荷電粒子ビームが該試料近傍で反射されて検出手段に至る領域と該試料に吸収されて該検出手段に至らない領域分布計測により、表面電荷分布あるいは表面電位分布の状態を測定する方法において、
試料裏面にVsub[V] の電圧を印加し、加速電圧Vacc[V] で荷電粒子ビームを照射した場合、試料表面のある位置(x,y) が荷電粒子ビームが反射するか吸収される境界となった場合のVth分布を
Vth(x,y)=Vacc-Vsub …式(1)
と定義し、
予め、電荷分布試料モデルに対する電位分布Vm(x,y) と、Vth分布Vth#m(x,y)を記憶しておき、測定結果と比較し、電荷分布試料モデルの電荷分布を基本として、電荷分布試料モデルのVth分布Vth#m(x,y)と測定結果のVth分布Vth#s(x,y)の差を補正することにより、試料の表面電荷分布あるいは表面電位分布を算出することを特徴とする表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定方法。 - 表面電荷分布あるいは表面電位分布を有する試料に対して、裏面に電位を加えて荷電粒子ビームを走査し、該裏面に加える電位を複数設定し、荷電粒子ビームが該試料近傍で反射されて検出手段に至る領域と該試料に吸収されて該検出手段に至らない領域分布計測により、表面電荷分布あるいは表面電位分布の状態を測定する装置において、
試料裏面にVsub[V] の電圧を印加し、加速電圧Vacc[V] で荷電粒子ビームを照射した場合、試料表面のある位置(x,y) が荷電粒子ビームが反射するか吸収される境界となった場合のVth分布を
Vth(x,y)=Vacc-Vsub …式(1)
と定義し、
予め、電荷分布試料モデルに対する電位分布Vm(x,y) と、Vth分布Vth#m(x,y)を記憶する記憶手段と、測定結果と比較し、電荷分布試料モデルの電位分布を基本として、電荷分布試料モデルのVth分布Vth#m(x,y)と測定結果のVth分布Vth#s(x,y)の差を補正することにより、試料の表面電荷分布あるいは表面電位分布を算出する演算手段を有することを特徴とする表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置。 - 前記電荷分布試料モデルを複数用意し、
測定結果のVth分布をVth#s(x,y)と、最も近いVth分布を与えるモデルのVth分布をVth#m(x,y)、電位分布をVm(x,y) として、
試料の電位分布V(x,y)を算出するために、
Vm(x,y)×Vth#s(x,y)/Vth#m(x,y)
を演算する手段を有することを特徴とする請求項2に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置。 - 前記電荷分布試料モデルを複数用意し、
測定結果のVth分布をVth#s(x,y)、試料のVth分布で最も広い領域を占めるVth値をVth#s#max 、最も近いVth分布を与えるモデルのVth分布をVth#m(x,y)、モデルのVth分布で最も広い領域を占めるVth値をVth#m#max 、電位分布をVm(x,y) として、
試料の電位分布V(x,y)を算出するために、
Vth#s#max+(Vm(x,y)−Vth#s#max)×(Vth#s(x,y)−Vth#s#max)/(Vth#m(x,y)−Vth#m#max)
を演算する手段を有することを特徴とする請求項2に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置。 - 前記電荷分布試料モデルを複数用意し、
測定結果のVth分布をVth#s(x,y)、試料のVth分布で最も広い領域を占めるVth値をVth#s#max 、最も近いVth分布を与えるモデルのVth分布をVth#m1(x,y) 、電位分布をVm1(x,y)、
2番目に近いVth分布を与えるモデルのVth分布をVth#m2(x,y) 、電位分布をVm2(x,y)として、
試料の電位分布V(x,y)を算出するために、
Vm1(x,y)+(Vm2(x,y)−Vm1(x,y))×(Vth#s(x,y)−Vth#m1(x,y))/(Vth#m2(x,y)−Vth#m1(x,y))
を演算する手段を有することを特徴とする請求項2に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置。 - 試料に対して、荷電粒子を照射することで帯電電荷を生成させる手段と、露光させるための光学系手段と、試料面を電子ビームで走査し、該走査によって得られる検出信号により、試料面の静電潜像分布を測定する手段を有することを特徴とする請求項2乃至5のいずれか一項に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置。
- Vth#m1(x,y) とVth#m2(x,y) の差分が20V以下の場所では、
V(x,y)=(Vth#m1(x,y)+Vth#m2(x,y))/2 …式(5)
とみなすことを特徴とする請求項5に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置。 - 請求項1に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定方法または、請求項2乃至7のいずれか一項に記載の表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定装置で評価された潜像担持体を用いたことを特徴とする画像形成装置。
- 書込光源波長が680nm以下であり、かつ感光体面でのビームスポット径が60μm以下であり、感光体面でのビームスポット径をAとし、形成される潜像径をBとしたときに以下の式(6)を満足することを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。
1.0<B/A<2.0 …式(6) - 感光体の帯電電位の絶対値をC[V] 、1ビームスポットの潜像深さをD[V] としたときに以下の式(7)を満足するように書込光量を設定したことを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。
0.7<D/C<0.9 …式(7) - 書込光源波長が680nm以下であり、かつ感光体面でのビームスポット径が60μm以下であり、感光体面でのビームスポット径をAとし、形成される潜像径をBとしたときに以下の式(6)を満足する潜像担持体を用いたことを特徴とする請求項8に記載の画像形成装置。
1.0<B/A<2.0 …式(6) - 感光体の帯電電位の絶対値をC[V] 、1ビームスポットの潜像深さをD[V] としたときに以下の式(7)を満足するように書込光量を設定したことを特徴とする請求項11に記載の画像形成装置。
0.7<D/C<0.9 …式(7)
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