JP5454099B2 - 静電潜像の評価方法 - Google Patents
静電潜像の評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5454099B2 JP5454099B2 JP2009265567A JP2009265567A JP5454099B2 JP 5454099 B2 JP5454099 B2 JP 5454099B2 JP 2009265567 A JP2009265567 A JP 2009265567A JP 2009265567 A JP2009265567 A JP 2009265567A JP 5454099 B2 JP5454099 B2 JP 5454099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- latent image
- sample
- electrostatic latent
- charging
- charged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Cleaning In Electrography (AREA)
Description
また、LSIチップの評価として、電子ビームを用い、1μmオーダーの電位を計測する方法が知られている。しかし、この評価は、LSIの導電部に対する評価であり、電位は高々+5V程度の低電位であって電位が限定され、本発明が対象としている感光体試料における数百〜数千Vの負電荷に対応することはできない。
そこで、本発明者は、暗減衰を有する感光体試料であっても静電潜像を測定することができる方式を発明して特許出願した(例えば、特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6参照)。
この構成を有する感光体のうち、有機感光体(OPC)においては、出力画像枚数が増えるに従って感光体が疲労し、画像の乱れが発生するという問題がある。
感光体の疲労による静電潜像への影響を評価する方法として、特許文献7に記載のOPCドラム試験装置のような疲労試験機を用い、振動容量方式で残留電荷による表面電位を計測することが知られている。
このような場合、出力画像を用いることでミクロンスケールでの評価が可能となるが、転写、定着の工程を経なければならず評価に時間がかかる上、感光体単独での特性を評価することができない。
電子線を照射させながら、光を照射させることで、感光体に対して光疲労を与える。真空内で生成させるため、大気中での疲労実験のように、NOxガスによる暴露の影響も顕著に受ける事もない。電子線照射と光照射の同時照射が可能となり、効率良く疲労を実施することができる。
本発明に係る静電潜像の評価方法では、真空装置内で電子ビームを照射させて帯電させることができ、光疲労に直接影響を与える電子照射電流密度を制御できることが特徴のひとつであり、これにより、効率良く光疲労を与えることができる。
光照射の消灯時間を、飽和電位に達するまでの時間よりも長く設定することにより、確実に飽和電位に達し、実機相当の疲労条件を確保することができる。
光照射の点灯時間を、残留電位に達するまでの時間よりも長く設定することにより、電荷を十分に除電させることができる。
評価するときに帯電領域を複数回変えて計測する手段と、前記計測によって得られた静電潜像より、潜像の大きさを計測する手段と、複数の静電潜像の大きさを比較する手段を有し、これらを用いて形成された静電潜像を評価することで、従来できなかった、電子写真感光体上に形成される静電潜像の潜像鮮鋭度を定量的に評価することが可能となる。
広い方の帯電領域での潜像の面積をS1、狭い方の帯電領域での潜像面積をS2としたときの潜像面積比率(S2/S1)値を潜像形成能力の評価指標とすることで、様々な感光体や書込条件における潜像形成能力を評価することが可能となる。
また、静電潜像を評価することにより、設計にフィードバックすることができ、各工程のプロセスクォリティが向上するため、品質、耐久性および安定性に優れた画像を得ることができるとともに、省エネルギ化が可能な電子写真感光体(潜像担持体)を提供することができる。
図1は、本発明に係る静電潜像の評価方法を実行する静電潜像の評価装置の実施例を示す。図1において、静電潜像の評価装置は、大きく分けて、荷電粒子ビーム照射装置4と、露光装置6と、試料載置台7と、1次反転荷電粒子や2次電子などの検出器8と、信号検出部9と、画像処理手段10を有してなる。試料載置台7の上には評価対象である感光体試料20が載置される。荷電粒子ビーム照射装置4、試料載置台7、検出器8は、真空チャンバ―40内に配置されている。
また、スキャニング機構を備えたものにおいて、スキャニング機構による走査方向を主走査方向としたとき、この主走査方向に加えて、副走査方向にもスキャンさせる機構を設けて、2次元の露光パターンを形成するようにしてもよい。
このような感光体の表面に電荷が帯電している状態で露光されると、電荷発生層23の電荷発生材料(CGM)によって光が吸収され、正負両極性のチャージキャリアが発生する。そして、正のキャリアのうち、CTL24内に注入されたものは、電界によってCTL24表面まで移動し、感光体表面の負の電荷と結合して消滅する。一方、負のキャリアは、導電性支持体21に到達する。
このように、通常は正負のキャリアは感光体内を移動することができるが、光照射が大量にまたは長時間行われると、感光体が疲労して、キャリアの移動が妨げられる。その結果、それぞれのキャリアは感光体にトラップされた状態となり、残留電荷となる。
まず、感光体試料20に電子ビームを照射させる。図6(a)に示すように、加速電圧|Vacc|は、2次電子放出比が1となる加速電圧より高い加速電圧に設定すると、入射電子量が、放出電子量より上回るため、電子が感光体試料20に蓄積され、チャージアップを起こす。この結果、感光体試料20を、一様にマイナスに帯電させることができる。電子ビームの加速電圧と感光体試料20の帯電電位には、図6(b)のような関係があり、電子ビームの加速電圧と照射時間を適切に行うことにより、電子写真プロセスを用いた画像形成装置の実機と同じ帯電電位を形成することができる。照射電流は大きい方が、短時間で目的の帯電電位に到達することができるため、数nAで照射している。この後、後述の静電潜像の観察を可能にするために、入射電子量を1/100〜1/1000に下げる。
次に、感光体試料20に光照射を行い、光疲労を与える。光疲労を与える照明の光源として、波長400〜800nmの発光ダイオード(LED)や半導体レーザーが用いられる。光照射を行うための照明光学系の最も簡単な構成としては、レンズは用いずに発散光を試料全体に照射する方法がある。この場合、LEDに供給する電流量を調整することで、露光量を適切に調整することが可能となる。本実施例においては、図7及び図8(a)に示すように、光源としてLEDを用いつつも前述の構成とは異なる構成を有する照明光学系が用いられている。
L1・tanθ=L2・tanθ
の関係が成り立つ。
LEDの駆動電流IFと光出力Ponとの関係を図9に示す。駆動電流IFを閾値電流以上に上げることによって、LED発光を起こす。そのため、閾値電流以上の条件で電流量を変えることで光出力Ponの制御と像面光量の調整をすることができ、適切な光照射光量密度を設定することができる。
なお、本発明は、感光体試料に光疲労を与えることを特徴としている。光疲労を与えるための光照射光学系と帯電電荷を消去するための光学系を、共通としてもよい。
時刻T0で、感光体に対して、電子ビームを照射させる。感光体の表面電位は上昇し、時刻T1で飽和帯電電位に達する。その後、時刻T2まで飽和帯電電位を維持する。
時刻T2で光照射出力信号がONとなり、感光体に光が照射される。光を照射することで、CGLで発生したホールキャリアが表面に到達し、表面電荷が中和され減衰し、時刻T3で除電される。なお、除電されても残留電位は残るので、電位は0にはならず、一定値で推移する。
そして、時刻T4になると光出力信号がOFFとなり、照射されている電子ビームにより感光体の表面電位は再び上昇する。
このように構成することで、帯電時の静電的疲労と光照射による光疲労の両方の疲労を与えることができる。
次に、露光装置6により感光体試料20を露光して静電潜像を形成する。露光装置6の光学系は、所望のビーム径及びビームプロファイルを形成するように調整されている。必要露光エネルギは、感光体試料の特性によって決まるファクタであるが、通常、2〜10mJ/m2程度である。感度が低い感光体では、十数mJ/m2必要なこともある。帯電電位や必要露光エネルギは、感光体特性やプロセス条件に合わせて設定すると良い。
次に、感光体試料20を電子ビームで走査し、放出される2次電子を検出器(シンチレータ)8で検出し、電気信号に変換してコントラスト像を観察する。このようにすると、露光されることなく残っている帯電部は2次電子検出量が多く、露光部は2次電子検出量が少ない明暗のコントラスト像が生じる。暗の部分を露光による潜像部とみなすことができる。
従って、試料の負極性に均一帯電している部分である図のQ1点やQ2点で発生した2次電子el1、el2は、荷電粒子捕獲器24の正電位に引かれ、矢印G1や矢印G2で示すように変位し、荷電粒子捕獲器24に捕獲される。
感光体 :アゾ顔料系感光体(膜厚30μm)
加速電圧 :1.6kV
帯電電位 :−650V
帯電領域 :広域:狭域=3.75:1
書込密度 :600dpi
パターン :1dot孤立、2dot孤立
デューティ :50%
光源 :波長655nm
ビームスポット径 :主60×副80μm
また、潜像の大きさが150μmの条件において10回の測定を繰り返し行ったところ、ばらつきは初期で1.0%、1時間疲労後で2.1%となった。
具体的には、図13に示すように、電子銃41と感光体試料20との間にビームブランキング電極46を設け、光照射信号にあわせてビームブランカ信号をONにする。ビームブランカ信号がONの場合、電圧を印加することで電子ビームは曲げられて、後段の仕切り弁47を通過しなくなり、電子ビームが試料に到達しなくなる。その結果、電子ビームが試料に当たらないようにすることができる。
図15に疲労感光体の潜像評価のフローを示す。電子線照射による帯電と、光照射による除電を繰り返す。そして、繰り返した回数が所定の回数になったら、電子線照射により静電潜像パターンを形成し、電子ビームを走査して信号を検出し、静電潜像を計測する。
従来の感光体ドラムを回転させる方法では、帯電手段と露光手段が別々のところに配置されているため、両方同時に照射することはできない。一方、以下に述べる本発明に係る静電潜像の評価装置においては、電子ビーム照射と光照射を同時にすることが可能であるため、短時間で効率的に光疲労をかけることができる。
疲労終了後は、電子ビーム照射電流密度を一旦OFFにする。なお、OFFにしない場合でも、1/100以下程度の微弱な照射電流密度であれば、ほとんど帯電しないため、同等の効果が得られる。
なお、感光体疲労を観察するためには、1〜20pA程度の微弱な電子ビーム照射電流で走査すると良い。
上述した本願発明に係る静電潜像の評価方法を用いることにより、評価結果の高品質化と、直接的な特性値の評価が可能となる。
なお、電子ビームと光のうち、一時的に一方が照射されていない状態があっても良い。
このようにして得られた狭領域帯電で抽出された静電潜像と広領域帯電で抽出された静電潜像とを図18(g)のように重ね合わせ、静電潜像の大きさを比較することにより静電潜像を評価する。換言すれば、上記二つの静電潜像から潜像プロファイルを作成し、この潜像プロファイルを評価する。
図19は、中心付近の電荷量が同じで、周辺電荷だけが、広域帯電において4.3mm2、狭域帯電において0.27mm2というように、10倍以上異なっている電荷分布による電磁場シミュレーションでの、感光体試料の垂直方向の電界強度分布を示す。2次電子計測による潜像可視化では、試料の垂直方向の電界強度Ez=0をスレッシュホールドレベルとした潜像を検出することが可能である。その結果、帯電領域を狭くすると、周辺電荷によるエッジ効果の影響を受けることにより、試料面から垂直方向に電界強度が変わってくることを見出した。帯電領域が狭くなると、試料面に生じる電界強度のオフセットレベルが全体的にシフトする。
従って、帯電領域を狭くすることで、試料面に生じる電界強度のオフセットレベルを変えることができることがわかった。
予めシミュレーションで、帯電領域と電界強度バイアスレベルを掴んでおくことにより潜像プロファイルを電界強度プロファイルに変換することができる。
このようにして、一様に帯電された感光体試料20の露光が行われ、遮光部材93の遮光パターンに対応する静電潜像パターンが形成される。
1つの評価を行うために設定される帯電領域の数を2とする。まず、帯電領域C1を設定して帯電させ、所定のパターンの静電潜像を形成する。所定の観察領域C0を設定して電子ビームを照射し、放出電子を検出して静電潜像データを取り込む。ここまでの動作回数iが2に達していなければ、「i=i+1」とした後、上記の方法によって静電潜像を消去して、新たに帯電領域を設定するステップに戻る。そして再び帯電、静電潜像パターン形成、観察領域C0を設定して静電潜像データ取り込みを行う。動作回数iが2に達すると、画像処理によって潜像パターンが抽出され、潜像面積S1及びS2が算出され、S2/S1が計測され、潜像面積比率が算出される。
このように、潜像断面積比率を計測することにより相対的な静電潜像分布のシャープネスを簡易的に計測することが可能である。
潜像形成条件Aでの潜像面積比率(S2/S1)をA(S2/S1)
潜像形成条件Bでの潜像面積比率(S2/S1)をB(S2/S1)
としたとき、
A(S2/S1)<B(S2/S1)
の関係が成立する場合に、潜像形成条件Bの方が、潜像鮮鋭度が高く、潜像形成能力が高いと評価することができる。この評価をする際に基準となる潜像面積は、なるべく同等レベルに設定することが望ましい。
円相当径D=2×(S/π)^0.5 ・・・(2)
で表すことができる。
感光体 :フタロシアニン系感光体(膜厚30μm)
加速電圧 :1.4kV
帯電電位 :−500V
帯電領域 :広域:狭域=3.75:1
書込密度 :600dpi
パターン :2dot孤立
デューティ :100%
光源 :波長655nm
ビームスポット径:主45×副50μm
露光エネルギ密度:3mJ/m^2
上記条件における潜像面積比率の測定結果の一例を図24に示す。
潜像面積比率は、初期に0.71であったものが30分疲労後には0.69、2時間疲労後には0.64と、疲労時間の増加と共に減衰することがわかった。すなわち、この感光体試料は、疲労と共に潜像鮮鋭度が低下していることになる。
また、上記潜像面積比率のランクは、出力画像品質にも相関があることを確認することができた。このように、感光体試料では、潜像鮮鋭度を評価することが有効であることがわかった。
このような測定装置を用いることで、表面電荷分布や表面電位分布のプロファイルをさらに高精度に測定することが可能である。
なお、加速電圧は、正で表現することが一般的であるが、加速電圧の印加電圧Vacc
は負であり、電位ポテンシャルとして、物理的意味を持たせるためには、負で表現する方が説明しやすい。そのため、ここでは加速電圧は負(Vacc<0)と表現し、試料の電位ポテンシャルをVp(<0)とする。
mv02/2=e×|Vacc|
で表される。また、真空中ではエネルギ保存則がほぼ完全に成立するため、加速電圧の働かない領域では等速で運動し、試料面に接近するに従い、電位が高くなり、試料電荷のクーロン反発の影響を受けて速度が遅くなる。
同図(a)においては、|Vacc|≧|Vp|なので、電子は、速度は減速されるものの、試料に到達する。
同図(b)においては、|Vacc|<|Vp|なので、入射電子の速度は試料の電位ポテンシャルの影響を受けて、徐々に減速し、試料に到達する前に速度が0となって、反対方向に進む。
で走査させ、Vth分布を計測することにより、試料の表面電位情報を計測することが可
能となる。
この方法を用いることにより、従来困難であった、潜像プロファイルをミクロンオーダ
ーで可視化することが可能となる。
上記評価を用いた感光体を画像形成装置に搭載するとよい。以下に、この発明の画像形成装置の実施の1形態を説明する。
図28は上記1形態であるレーザプリンタを略示している。レーザプリンタ100は像担持体111として「円筒状に形成された光導電性の感光体」を有している。像担持体111の周囲には、帯電手段としての帯電ローラ112、現像装置113、転写ローラ114、クリーニング装置115が配備されている。この実施の形態では「帯電手段」として、オゾン発生の少ない接触式の帯電ローラ112を用いているが、コロナ放電を利用するコロナチャージャを帯電手段として用いることもできる。また、光走査装置117が設けられ、帯電ローラ112と現像装置113との間で「レーザビームLBの光走査による露光」を行うようになっている。
特にVCSELなどのマルチビーム走査光学系を搭載した画像形成装置に適する。
40 真空チャンバ
41 電子銃
46 ビームブランキング電極
6 露光装置
61 光源
7 試料載置台
8 検出器
9 信号検出部
10 画像処理手段
11 導電板
12 グリッドメッシュ
17 光源
20 感光体試料
77 走査ビーム
78 試料ステージ
100 レーザプリンタ
111 像担持体
113 現像装置
115 クリーニング装置
116 定着装置
Claims (5)
- 表面電荷分布を有する感光体試料に対して荷電粒子ビームを照射することによって得られる検出信号により前記感光体試料の静電潜像を計測し評価する方法であって、
真空内で前記感光体試料に電子線を照射して帯電させる帯電工程と、帯電させた前記感光体試料に対して光照射を行い除電する除電工程とを備え、
前記感光体試料の測定領域に対して前記電子線を照射する前記帯電工程と前記感光体試料の測定領域に対して前記電子線の照射と同時に前記光照射を行う前記除電工程とを繰り返し行うことで前記感光体試料を疲労させた後、前記帯電工程と前記除電工程とが行われた位置において前記感光体試料に対して帯電し露光することにより静電潜像パターンを形成し、この静電潜像を評価する静電潜像の評価方法。 - 帯電のための電子線の照射時間は、電子線の照射により前記感光体試料の表面電位が飽和帯電電位に到達するまでの時間よりも長い請求項1記載の静電潜像の評価方法。
- 除電のための光照射時間は、光照射により前記感光体試料の表面電位が残留電位に到達するまでの時間よりも長い請求項1又は2記載の静電潜像の評価方法。
- 1つの評価を行うために帯電領域を複数回変更し、
帯電領域の面積が異なることによって生じる検出信号の違いを複数の画像として取り込み、
得られた複数の画像より複数の静電潜像を抽出し、
抽出された複数の静電潜像の大きさを比較することにより、形成された静電潜像を評価する請求項1乃至3のいずれかに記載の静電潜像の評価方法。 - 帯電領域の面積が異なる静電潜像を計測し、
広い帯電領域での潜像面積と、狭い帯電領域での潜像面積との潜像面積比率を算出し、
算出された潜像面積比率を潜像形成能力の評価指標とする請求項4記載の静電潜像の評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009265567A JP5454099B2 (ja) | 2009-11-20 | 2009-11-20 | 静電潜像の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009265567A JP5454099B2 (ja) | 2009-11-20 | 2009-11-20 | 静電潜像の評価方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014001318A Division JP5673866B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 静電潜像の評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011107651A JP2011107651A (ja) | 2011-06-02 |
JP5454099B2 true JP5454099B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=44231144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009265567A Active JP5454099B2 (ja) | 2009-11-20 | 2009-11-20 | 静電潜像の評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5454099B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113326608B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-11-22 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种振动电容式电位检测传感器设计方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3805565B2 (ja) * | 1999-06-11 | 2006-08-02 | 株式会社日立製作所 | 電子線画像に基づく検査または計測方法およびその装置 |
JP2002196615A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Ricoh Co Ltd | 感光体の寿命試験方法及びその装置 |
JP4344909B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2009-10-14 | 株式会社リコー | 静電潜像の測定装置および静電潜像の測定方法 |
JP4559063B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2010-10-06 | 株式会社リコー | 表面電位分布の測定方法および表面電位分布測定装置 |
JP2008026496A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像測定装置、静電潜像測定方法、プログラムおよび潜像径測定装置 |
JP5434164B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2014-03-05 | 株式会社リコー | 静電潜像の評価方法、静電潜像の評価装置および画像形成装置 |
-
2009
- 2009-11-20 JP JP2009265567A patent/JP5454099B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011107651A (ja) | 2011-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5262322B2 (ja) | 静電潜像評価装置、静電潜像評価方法、電子写真感光体および画像形成装置 | |
JP5086671B2 (ja) | 静電潜像の評価方法・静電潜像評価装置 | |
US8314627B2 (en) | Latent-image measuring device and latent-image carrier | |
JP2004251800A (ja) | 表面電荷分布測定方法および装置 | |
JP5176328B2 (ja) | 静電特性計測方法及び静電特性計測装置 | |
JP5081024B2 (ja) | 静電潜像の測定装置、静電潜像の測定方法および画像形成装置 | |
JP5434164B2 (ja) | 静電潜像の評価方法、静電潜像の評価装置および画像形成装置 | |
JP2008076100A (ja) | 表面電荷分布あるいは表面電位分布の測定方法、及び測定装置、並びに画像形成装置 | |
JP5091081B2 (ja) | 表面電荷分布測定方法および装置 | |
JP4438439B2 (ja) | 表面電荷分布測定方法及び装置並びに、感光体静電潜像分布測定方法及びその装置 | |
JP5116134B2 (ja) | 表面電位分布測定装置、潜像担持体及び画像形成装置 | |
JP5454099B2 (ja) | 静電潜像の評価方法 | |
JP5673866B2 (ja) | 静電潜像の評価方法 | |
JP2004233261A (ja) | 静電潜像観測方法および装置 | |
JP5625289B2 (ja) | 静電潜像の測定装置、静電潜像の測定方法および画像形成装置 | |
JP5454025B2 (ja) | 感光体の静電潜像測定装置 | |
JP5609579B2 (ja) | 表面電荷分布測定方法および表面電荷分布測定装置 | |
JP4404724B2 (ja) | 静電潜像測定装置並びに潜像担持体の評価方法及び装置 | |
JP5369369B2 (ja) | 表面電位分布の測定方法、表面電位の測定装置、感光体静電潜像の測定装置、潜像担持体及び画像形成装置 | |
JP5299085B2 (ja) | 潜像形成方法、潜像形成装置、画像形成装置および静電潜像計測装置 | |
JP6031959B2 (ja) | 静電潜像評価方法、静電潜像評価装置および画像形成装置 | |
JP2008026496A (ja) | 静電潜像測定装置、静電潜像測定方法、プログラムおよび潜像径測定装置 | |
JP5742101B2 (ja) | 静電潜像の測定方法と測定装置 | |
JP5072081B2 (ja) | 感光体静電潜像の測定装置、画像形成装置及び感光体静電潜像の測定方法 | |
JP5081328B2 (ja) | 静電潜像の測定装置、静電潜像の測定方法および画像形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130905 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131223 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5454099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |