JP5742101B2 - 静電潜像の測定方法と測定装置 - Google Patents
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Description
このようにすると、像担持体試料表面の電位ポテンシャルを変更することができる。
すなわち、像担持体試料表面の電位ポテンシャルを変更するため前記設置台により、像担持体試料背面に電圧を印加する。
図18(a)において、|Vacc|≧|Vp|なので、入射電子の速度は減速されるものの、感光体試料31に到達する。
また、図18(b)において、|Vacc|<|Vp|なので、入射電子の速度は感光体試料31の電位ポテンシャルの影響を受けて、徐々に減速し、感光体試料31に到達する前に速度が「0」となって、反対方向に進む。
2 荷電粒子光学系
3 試料設置部
4 検出部
5 露光光学系
6 制御装置
7 ホストコンピュータ
11 光学ハウジング
12 カバー
13 構造体
14 除振台
21 電子銃
22 サプレッサ電極
23 引出電極
24 加速電極
25 コンデンサレンズ
26 ビームブランキング電極
27,53 アパーチャ
28 走査レンズ
29 静電対物レンズ
30 感光体
31 感光体試料
32 載置台
34 入射窓
35 シャッタ
37 真空チャンバ
41 検出器
50 露光走査装置
51 光源
52 カップリングレンズ
52a コリメートレンズ
53b λ/2板
54 回折光学偏向素子
54a 音響光学偏向素子
55 シリンドリカルレンズ
56 ポリゴンスキャナ
57 走査レンズ
59 同期検知手段
61 光源駆動回路
62 基準クロック生成回路
63 画素クロック生成回路
64 画像処理回路
66 書込タイミング信号生成回路
67 同期タイミング信号生成回路
81 レーザプリンタ
541 光学媒体
542 超音波トランスデューサ
543 RFアンプ
544 VCO
Claims (10)
- 表面電荷分布あるいは表面電位分布を静電潜像として有し、暗減衰を有する像担持体試料に対して、荷電粒子ビームを照射し、前記像担持体試料から放出される2次電子を検出して得られる検出信号により、前記像担持体試料の静電潜像部分におけるミクロンオーダーの領域の電位を測定する、静電潜像の測定方法であって、
前記静電潜像の測定のために、レーザ光の集光光束を潜像パターンに応じて2次元的に走査して照射することにより、前記潜像パターンに応じた静電潜像を形成するのに先立って、
電子ビームの照射により、前記像担持体試料を、設定された狙いの帯電電位に均一帯電し、
前記静電潜像を形成するための、前記集光光束による2次元的な走査のうちの、1方向の1次元は、回折光学偏向素子による回折偏向で行い、他方向の1次元は、反射により偏向を行う偏向器による偏向で行い、
光源から放射され、2次元的に偏向走査される光束を、走査結像光学系によって、前記像担持体試料上の被走査面に集光光束として照射し、前記集光光束の走査位置に合わせて前記光源を点灯・消灯させることにより、前記静電潜像を形成し、
前記回折光学偏向素子として、変調信号を与えることにより屈折率の粗密を変えて入射レーザ光に対する射出レーザ光の角度を変調することができる機械的可動部を有さない光学素子を用い、
該回折光学偏向素子を、前記光源から照射された光束を平行光束とする光学素子と前記偏向器との間に配置し、
前記静電潜像を形成するための走査周期時間:Tf内において、書込み開始するまでの時間:t1と前記回折光学偏向素子の変調応答時間:Tresとの関係が、
t1>Tresの場合、書込み開始までの間に前記回折光学偏向素子による回折偏向の偏向角の変更を行い、
t1<Tresの場合、書込み終了直後に前記回折光学偏向素子による回折偏向の偏向角の変更を行い、
前記静電潜像の形成終了後、前記静電潜像が暗減衰により消失する前に、前記像担持体試料の静電潜像部分におけるミクロンオーダーの領域の電位を測定することを特徴とする静電潜像の測定方法。 - 前記荷電粒子ビームおよび前記電子ビームは、同じ電子銃から発生されることを特徴とする請求項1記載の静電潜像の測定方法。
- 前記光源から前記偏向器までの光路に、前記偏向器側にテレセントリックなテレセントリック光学系を有することを特徴とする請求項1または2記載の静電潜像の測定方法。
- 前記光源からの光束は、回折光学偏向素子による回折偏向で前記射出レーザ光の向きが変化する方向において、前記偏向器の反射面近傍において、位置を変えて集光されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の静電潜像の測定方法。
- 前記像担持体試料が載せられた設置台に電圧を印加し、前記像担持体試料に向かって照射された前記荷電粒子ビームの照射方向における荷電粒子の速度ベクトルを、荷電粒子が前記像担持体試料に到達する前に反転させ、該反転した荷電粒子を検出することで、静電潜像を測定することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の静電潜像の測定方法。
- 表面電荷分布あるいは表面電位分布を静電潜像として有し、暗減衰を有する像担持体試料に対して、荷電粒子ビームを照射し、前記像担持体試料から放出される2次電子を検出して得られる検出信号により、前記像担持体試料の静電潜像部分におけるミクロンオーダーの領域の電位を測定する、静電潜像の測定装置であって、
電子ビームの照射により、前記像担持体試料を、設定された狙いの帯電電位に均一帯電
する手段と、
前記静電潜像の測定のために、レーザ光の集光光束を潜像パターンに応じて2次元的に走査して照射することにより、前記潜像パターンに応じた静電潜像を形成する手段と、を有し、
該静電潜像を形成する手段は、前記静電潜像を形成するための、前記集光光束による2
次元的な走査のうちの、1方向の1次元は、回折光学偏向素子による回折偏向で行い、他
方向の1次元は、反射により偏向を行う偏向器による偏向で行い、光源から放射され、2
次元的に偏向走査される光束を、走査結像光学系によって、前記像担持体試料上の被走査
面に集光光束として照射し、前記集光光束の走査位置に合わせて前記光源を点灯・消灯さ
せることにより、前記静電潜像を形成するものであり、
前記回折光学偏向素子は、変調信号を与えることにより屈折率の粗密を変えて入射レー
ザ光に対する射出レーザ光の角度を変調することができる機械的可動部を有さない光学素子であって、前記光源から照射された光束を平行光束とする光学素子と前記偏向器との間に配置され、前記静電潜像を形成するための走査周期時間:Tf内において、書込み開始するまでの時間:t1と前記回折光学偏向素子の変調応答時間:Tresとの関係が、
t1>Tresの場合、書込み開始までの間に前記回折光学偏向素子による回折偏向の偏向角の変更を行い、
t1<Tresの場合、書込み終了直後に前記回折光学偏向素子による回折偏向の偏向角の変更を行い、
前記静電潜像の形成終了後、前記静電潜像が暗減衰により消失する前に前記静電潜像を測定することを特徴とする静電潜像の測定装置。 - 前記荷電粒子ビームおよび前記電子ビームは、同じ電子銃から発生されることを特徴とする請求項6記載の静電潜像の測定装置。
- 前記回折光学偏向素子として、音響光学偏向素子を用いることを特徴とする請求項6または7記載の静電潜像の測定装置。
- 前記光源から照射された光束を平行光束とする光学素子としてコリメートレンズを用いることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の静電潜像の測定装置。
- 前記像担持体試料が載せられた設置台に電圧を印加し、前記像担持体試料に向かって照射された前記荷電粒子ビームの照射方向における荷電粒子の速度ベクトルを、荷電粒子が前記像担持体試料に到達する前に反転させ、該反転した荷電粒子を検出することで、静電潜像を測定することを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の静電潜像の測定装置。
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