JPH0349143A - 電子ビームによる静電潜像の画像取得方法 - Google Patents
電子ビームによる静電潜像の画像取得方法Info
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- JPH0349143A JPH0349143A JP1184893A JP18489389A JPH0349143A JP H0349143 A JPH0349143 A JP H0349143A JP 1184893 A JP1184893 A JP 1184893A JP 18489389 A JP18489389 A JP 18489389A JP H0349143 A JPH0349143 A JP H0349143A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
電子ビームによる静電潜像の画像取得方式に関し、
未知の電位分布、あるいは電位コントラストとして認識
できない範囲の電位分布を持つ静電潜像に対しても、電
子ビームによる静電潜像の画像の取得を可能にする方式
を提供することを目的とし、走査型電子顕微鏡の試料台
にセットされ静電潜像が形成されている試料にバックバ
イアスを印加する電源を設け、該顕微鏡の電子ビーム走
査と、二次電子信号の処理と、前記電源の制御を行なう
制御部により、前記試料を予め部分的に電子ビームで走
査し、得られた二次電子信号の量により、適切な電位コ
ントラストが得られるバックバイアス値を検知して、該
バックバイアスを試料に印加するように電源を制御し、
然る後、該制御部により改めて試料を電子ビーム走査し
、得られた二次電子信号により前記篩を潜像を表わす画
像信号を出力するよう構成する。
できない範囲の電位分布を持つ静電潜像に対しても、電
子ビームによる静電潜像の画像の取得を可能にする方式
を提供することを目的とし、走査型電子顕微鏡の試料台
にセットされ静電潜像が形成されている試料にバックバ
イアスを印加する電源を設け、該顕微鏡の電子ビーム走
査と、二次電子信号の処理と、前記電源の制御を行なう
制御部により、前記試料を予め部分的に電子ビームで走
査し、得られた二次電子信号の量により、適切な電位コ
ントラストが得られるバックバイアス値を検知して、該
バックバイアスを試料に印加するように電源を制御し、
然る後、該制御部により改めて試料を電子ビーム走査し
、得られた二次電子信号により前記篩を潜像を表わす画
像信号を出力するよう構成する。
本発明は、電子ビームによる静電潜像の画像取得方法に
関する。
関する。
医療用、あるいは複写機等に用いられる電子写真を作成
する過程で生成される静電潜像は、導電性支持体上に製
膜された高絶縁性光導電体層で作られた感光材をコロナ
電極による放電によって帯電させ、露光またはＸ線等の
放射線による曝射によって感光材上に電位（静電荷）分
布像として形成される。この静電潜像は、そのままでは
目に見えず、また時間とともに減衰・消失してしまうた
め、現像操作により可視化する必要がある。本発明はこ
の可視化（画像取得）に係るものである。
する過程で生成される静電潜像は、導電性支持体上に製
膜された高絶縁性光導電体層で作られた感光材をコロナ
電極による放電によって帯電させ、露光またはＸ線等の
放射線による曝射によって感光材上に電位（静電荷）分
布像として形成される。この静電潜像は、そのままでは
目に見えず、また時間とともに減衰・消失してしまうた
め、現像操作により可視化する必要がある。本発明はこ
の可視化（画像取得）に係るものである。
静電潜像の可視化には、トナーと呼ぶ着色微粉末に電荷
を与え、この電荷を持ったトナーと静電潜像との間に働
くクーロン力によって現像を行い、さらにこのトナー像
を、感光材上に重ねられた転写紙の背後からトナー電荷
と逆極性のコロナ放電を与えることにより転写紙上に転
写し、ヒーター等で加熱することによって転写紙上に定
着させるという方法が一般にとられている。これを第６
図に示す。
を与え、この電荷を持ったトナーと静電潜像との間に働
くクーロン力によって現像を行い、さらにこのトナー像
を、感光材上に重ねられた転写紙の背後からトナー電荷
と逆極性のコロナ放電を与えることにより転写紙上に転
写し、ヒーター等で加熱することによって転写紙上に定
着させるという方法が一般にとられている。これを第６
図に示す。
しかし紙に転写してしまったものは、拡大・縮小、ある
いは画面間の演算等の各種画像処理ができないという欠
点がある。これを解決するため、走査型電子顕微鏡等を
用いて、電子ビームで静電潜像を走査し、このとき得ら
れる二次電子検出信号をＡ／Ｄ変換してデジタル画像化
する方法も知られている。ところが、二次電子信号量の
差によって生じる電位コントラスト像において、明暗の
差を判別できる電位分布の範囲はたかだか一２０ｖ〜＋
２０Ｖであり、これに対して静電潜像の電位分布は不定
であり、数百Ｖ以上の場合もある。
いは画面間の演算等の各種画像処理ができないという欠
点がある。これを解決するため、走査型電子顕微鏡等を
用いて、電子ビームで静電潜像を走査し、このとき得ら
れる二次電子検出信号をＡ／Ｄ変換してデジタル画像化
する方法も知られている。ところが、二次電子信号量の
差によって生じる電位コントラスト像において、明暗の
差を判別できる電位分布の範囲はたかだか一２０ｖ〜＋
２０Ｖであり、これに対して静電潜像の電位分布は不定
であり、数百Ｖ以上の場合もある。
このように静電潜像の電位は数百ｖ以上という高いもの
から、数Ｖ、数十■という低いもの、などまちまちであ
り、そして明暗差を判別できる範囲は±２０Ｖ程度で、
それ以上では白または黒に飽和してしまう。従って電子
ビームの走査によって静電潜像の画像を取得する場合、
その静電潜像の電位分布が適正な範囲にないと電位コン
トラストとして認識することができないという問題があ
る。
から、数Ｖ、数十■という低いもの、などまちまちであ
り、そして明暗差を判別できる範囲は±２０Ｖ程度で、
それ以上では白または黒に飽和してしまう。従って電子
ビームの走査によって静電潜像の画像を取得する場合、
その静電潜像の電位分布が適正な範囲にないと電位コン
トラストとして認識することができないという問題があ
る。
本発明は、未知の電位分布、あるいは電位コントラスト
として認識できない範囲の電位分布を持つ静電潜像に対
しても、電子ビームによる静電潜像の画像の取得を可能
にする方式を提供することを目的とする。
として認識できない範囲の電位分布を持つ静電潜像に対
しても、電子ビームによる静電潜像の画像の取得を可能
にする方式を提供することを目的とする。
第１図に示すように本発明では、走査型電子顕微鏡１の
試料台にセットされ静電潜像が形成されている試料２に
、バックバイアスを印加する電源３を設ける。
試料台にセットされ静電潜像が形成されている試料２に
、バックバイアスを印加する電源３を設ける。
走査型電子顕微鏡１には図示しないが電子銃、電子レン
ズ、偏向器、試料台、そのＸ、 Ｙ方向駆動機構、二次
電子検出器などが設けられており、制御部６は電子ビー
ムによる試料面の走査、該走査で発生し検出器で検出さ
れた二次電子の信号５の処理、画像メモリへの書き込み
などを行ない、加えて本発明では電源３の制御を行なう
。
ズ、偏向器、試料台、そのＸ、 Ｙ方向駆動機構、二次
電子検出器などが設けられており、制御部６は電子ビー
ムによる試料面の走査、該走査で発生し検出器で検出さ
れた二次電子の信号５の処理、画像メモリへの書き込み
などを行ない、加えて本発明では電源３の制御を行なう
。
本発明では静電潜像を形成した試料２を走査型電子顕微
鏡１の試料台にセットし、制御部６により電子ビームを
偏向制御して試料２を部分的に走査する。試料２は第５
図の感光材と同種のもので導電性支持体と光導電層との
積層体である。
鏡１の試料台にセットし、制御部６により電子ビームを
偏向制御して試料２を部分的に走査する。試料２は第５
図の感光材と同種のもので導電性支持体と光導電層との
積層体である。
走査要領を第３図に示す。（ａ）は放射状、（ｂ）は渦
巻き状であるが、いずれも粗く、試料面全面を走査する
。
巻き状であるが、いずれも粗く、試料面全面を走査する
。
この走査で二次電子信号５が得られ、これを制御部６で
処理し、表示すると、第２図の７の如き画面が得られる
。画面７は全体に高輝度で白っぽくなり、明暗（電位差
）がはっきりしない画像である。このような全体に高レ
ベルの画面に対しては、電源３の出力電圧を制御して試
料２のバックバイアスを変え、電位分布が±２０Ｖ程度
の範囲に入るようにして、画面８のような適正輝度の画
像にする。なおこの第２図の７．８は縦軸は二次電子信
号量、横軸は走査位置のグラフであり、これで７は全体
が高レベルで白っぽい画面、８は適正なレベルで明暗の
はっきりした画面、としている。
処理し、表示すると、第２図の７の如き画面が得られる
。画面７は全体に高輝度で白っぽくなり、明暗（電位差
）がはっきりしない画像である。このような全体に高レ
ベルの画面に対しては、電源３の出力電圧を制御して試
料２のバックバイアスを変え、電位分布が±２０Ｖ程度
の範囲に入るようにして、画面８のような適正輝度の画
像にする。なおこの第２図の７．８は縦軸は二次電子信
号量、横軸は走査位置のグラフであり、これで７は全体
が高レベルで白っぽい画面、８は適正なレベルで明暗の
はっきりした画面、としている。
二次電子は高電位の部分からは発生しにくく、低電位の
部分から発生し易いという性質がある。
部分から発生し易いという性質がある。
従って低電位で、二次電子が多量に発生し、画面が白っ
ぽい画面７になった場合は、バックバイアスを下げて二
次電子の発生を抑え、この逆に高電位で、二次電子発生
が少なく、画面が黒っぽくなった場合はバックバイアス
を上げて二次電子の発生を促せばよい。このバックバイ
アスの調整は自動的に行なう他、オペレータがデイスプ
レィの画面を見ながら手動操作することができる。
ぽい画面７になった場合は、バックバイアスを下げて二
次電子の発生を抑え、この逆に高電位で、二次電子発生
が少なく、画面が黒っぽくなった場合はバックバイアス
を上げて二次電子の発生を促せばよい。このバックバイ
アスの調整は自動的に行なう他、オペレータがデイスプ
レィの画面を見ながら手動操作することができる。
このように本発明では、予め電子ビームで試料２上を走
査し、得られた二次電子信号５の量から試料２の電位分
布を検知し、電源３は適正な電位コントラストが得られ
るようなバックバイアスを試料２に印加する。その後あ
らためて電子ビームによって試料２を走査することによ
って、明暗の差がはっきりした静電潜像の画像を取得す
ることが可能となる。
査し、得られた二次電子信号５の量から試料２の電位分
布を検知し、電源３は適正な電位コントラストが得られ
るようなバックバイアスを試料２に印加する。その後あ
らためて電子ビームによって試料２を走査することによ
って、明暗の差がはっきりした静電潜像の画像を取得す
ることが可能となる。
第４図に本発明の実施例、特に制御部６の要部構成を示
す。図示のように制御部６は走査制御部６ａｓプロセツ
サ６ｂＳＡ／Ｄ変換器５（電源制御部６ｄ、画像処理部
６ｅを備える。ｌａは二次電子検出器で、これは図示し
ないがシンチレータチップ、ホトマルチプライヤ、これ
らの間を結ぶライトガイドなどからなる。高電圧で二次
電子をシンチレータチップに誘導し、こ＼で発光させ、
この光をライトガイドでホトマルへ導き、光電変換し、
それを出力５とする。制御部６では、二次電子検出器の
出力５をＡ／Ｄ変換器６ｃでＡ／Ｄ変換し、画像処理部
６ｅで画像メモリ４に、電子ビームの走査位置データに
従って書き込む、ＣＲＴデイスプレィ９の走査と同期し
て画像メモリ４を読み出し、読み出しデータを該ＣＲＴ
に加えて輝度変調すれば、ＣＲＴの管面に試料２の静電
潜像が可視表示される。
す。図示のように制御部６は走査制御部６ａｓプロセツ
サ６ｂＳＡ／Ｄ変換器５（電源制御部６ｄ、画像処理部
６ｅを備える。ｌａは二次電子検出器で、これは図示し
ないがシンチレータチップ、ホトマルチプライヤ、これ
らの間を結ぶライトガイドなどからなる。高電圧で二次
電子をシンチレータチップに誘導し、こ＼で発光させ、
この光をライトガイドでホトマルへ導き、光電変換し、
それを出力５とする。制御部６では、二次電子検出器の
出力５をＡ／Ｄ変換器６ｃでＡ／Ｄ変換し、画像処理部
６ｅで画像メモリ４に、電子ビームの走査位置データに
従って書き込む、ＣＲＴデイスプレィ９の走査と同期し
て画像メモリ４を読み出し、読み出しデータを該ＣＲＴ
に加えて輝度変調すれば、ＣＲＴの管面に試料２の静電
潜像が可視表示される。
本発明では最初に試料２を粗く走査し、その結果で電源
３の出力電圧を調整し、試料２の電位レベルを適正にし
、然るのち試料２を精走査し、該試料上の静電潜像を表
わす画像データをメモリ４に格納し、必要に応じてＣＲ
Ｔデ”イスプレイ９に表示する。
３の出力電圧を調整し、試料２の電位レベルを適正にし
、然るのち試料２を精走査し、該試料上の静電潜像を表
わす画像データをメモリ４に格納し、必要に応じてＣＲ
Ｔデ”イスプレイ９に表示する。
第５図に処理手順例を流れ図で示す。先ず電子ビーム走
査し■、二次電子信号をＡ／Ｄ変換し■、Ａ／Ｄ変換値
のＭＡＸ値がＦＦか否かチエツクする■。ＹＥＳならバ
ックバイアス電圧を１単位減少させ■、これで再び電子
ビーム走査し■、二次電子信号をＡ／Ｄ変換し■、Ａ／
Ｄ変換値のＭＡＸ値がＦＦか否かチエ７りする■。これ
を判定結果がＮＯになるまで行ない、ＮＯになったら電
子ビーム走査して■、静電潜像の画像を取得する。
査し■、二次電子信号をＡ／Ｄ変換し■、Ａ／Ｄ変換値
のＭＡＸ値がＦＦか否かチエツクする■。ＹＥＳならバ
ックバイアス電圧を１単位減少させ■、これで再び電子
ビーム走査し■、二次電子信号をＡ／Ｄ変換し■、Ａ／
Ｄ変換値のＭＡＸ値がＦＦか否かチエ７りする■。これ
を判定結果がＮＯになるまで行ない、ＮＯになったら電
子ビーム走査して■、静電潜像の画像を取得する。
ステップ■の判定結果がＮｏのときは、Ａ／Ｄ変換値の
ＭＩＮ値が００か否かチエツクし■、Ｎｏならステップ
■へ移る。ＹＥＳならバックバイアス電圧を１単位増加
させ［相］、この状態で電子ビーム走査し■、二次電子
信号をＡ／Ｄ変換し＠、Ａ／Ｄ変換値のＭＡＸ値がＦＦ
か否かチエツクする＠。ＹＥＳならステップ■へ移り、
ＮｏならＭＩＮ値がＯＯか否かチエツクし［相］、ＮＯ
ならステップ■へ移り、ＹＥＳならステップ［相］へ戻
って再びバックバイアス電圧を１単位増加させる。以下
同様である。この処理要領で、適正な濃淡度の画像デー
タを得ることができる。
ＭＩＮ値が００か否かチエツクし■、Ｎｏならステップ
■へ移る。ＹＥＳならバックバイアス電圧を１単位増加
させ［相］、この状態で電子ビーム走査し■、二次電子
信号をＡ／Ｄ変換し＠、Ａ／Ｄ変換値のＭＡＸ値がＦＦ
か否かチエツクする＠。ＹＥＳならステップ■へ移り、
ＮｏならＭＩＮ値がＯＯか否かチエツクし［相］、ＮＯ
ならステップ■へ移り、ＹＥＳならステップ［相］へ戻
って再びバックバイアス電圧を１単位増加させる。以下
同様である。この処理要領で、適正な濃淡度の画像デー
タを得ることができる。
なおこの処理で適正な画像にできるのは、静電潜像の電
位が全体として高くまたは低く、潜像内での電位差は大
きくない（好ましくは±２０Ｖ内）場合である。
位が全体として高くまたは低く、潜像内での電位差は大
きくない（好ましくは±２０Ｖ内）場合である。
またステップ■、■などでのＭＡＸ、ＭＩＮ判定はレベ
ルについてのものであるから、例えば粗走査におけるＡ
／Ｄ変換値の全数を加算して（平均して）その値につき
ＭＡＸ、ＭＩＮ判定する。
ルについてのものであるから、例えば粗走査におけるＡ
／Ｄ変換値の全数を加算して（平均して）その値につき
ＭＡＸ、ＭＩＮ判定する。
また第５図のようにＭＡＸ、ＭＩＮ内に入るまでバック
バイアス電圧を単位量ずつ増／滅する代りに、粗走査で
得られたＡ／Ｄ変換値の和から、予め求めておいた演算
式または予め作成しておいたＲＯＭを用いて直ちに適正
なバンクバイアス値を求め、それを試料（詳しくはその
導電性支持体または試料台など）に加えるようにしても
よい。
バイアス電圧を単位量ずつ増／滅する代りに、粗走査で
得られたＡ／Ｄ変換値の和から、予め求めておいた演算
式または予め作成しておいたＲＯＭを用いて直ちに適正
なバンクバイアス値を求め、それを試料（詳しくはその
導電性支持体または試料台など）に加えるようにしても
よい。
長時間電子ビームによる走査を行なうと試料上の帯電状
態が変化するので、上記方法はこの点で有利である。
態が変化するので、上記方法はこの点で有利である。
第５図は調整要領例を示す流れ図、
第６図は静電潜像の可視化工程の説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、走査型電子顕微鏡（１）の試料台にセットされ静電
潜像が形成されている試料（２）にバックバイアスを印
加する電源（３）を設け、 該顕微鏡の電子ビーム走査と、二次電子信号の処理と、
前記電源の制御を行なう制御部（６）により、前記試料
を予め部分的に電子ビームで走査し、得られた二次電子
信号の量により、適切な電位コントラストが得られるバ
ックバイアス値を検知して、該バックバイアスを試料に
印加するように電源を制御し、 然る後、該制御部により改めて試料を電子ビーム走査し
、得られた二次電子信号により前記静電潜像を表わす画
像信号を出力することを特徴とする電子ビームによる静
電潜像の画像取得方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184893A JPH0349143A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 電子ビームによる静電潜像の画像取得方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1184893A JPH0349143A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 電子ビームによる静電潜像の画像取得方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349143A true JPH0349143A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16161165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1184893A Pending JPH0349143A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 電子ビームによる静電潜像の画像取得方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349143A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002337634A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-27 | Fuji Heavy Ind Ltd | 衝撃吸収バンパ構造 |
| JP2006344436A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Ricoh Co Ltd | 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 |
| US7239148B2 (en) | 2003-12-04 | 2007-07-03 | Ricoh Company, Ltd. | Method and device for measuring surface potential distribution |
| JP2008275608A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-11-13 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像測定装置および静電潜像測定方法 |
| JP2009032703A (ja) * | 2001-07-12 | 2009-02-12 | Hitachi Ltd | 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 |
| EP2426559A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
| US8143603B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-03-27 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatic latent image measuring device |
| US8168947B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-05-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatic latent image evaluation device, electrostatic latent image evaluation method, electrophotographic photoreceptor, and image forming device |
| JP2012208220A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像計測方法および静電潜像計測装置 |
| US8314627B2 (en) | 2006-10-13 | 2012-11-20 | Ricoh Company, Limited | Latent-image measuring device and latent-image carrier |
| US9008526B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-04-14 | Ricoh Company, Limited | Method of measuring total amount of latent image charge, apparatus measuring total amount of latent image charge, image forming method and image forming apparatus |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1184893A patent/JPH0349143A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002337634A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-27 | Fuji Heavy Ind Ltd | 衝撃吸収バンパ構造 |
| JP2009032703A (ja) * | 2001-07-12 | 2009-02-12 | Hitachi Ltd | 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 |
| JP2009200054A (ja) * | 2001-07-12 | 2009-09-03 | Hitachi Ltd | 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 |
| US7239148B2 (en) | 2003-12-04 | 2007-07-03 | Ricoh Company, Ltd. | Method and device for measuring surface potential distribution |
| US7400839B2 (en) | 2003-12-04 | 2008-07-15 | Ricoh Company, Ltd. | Method and device for measuring surface potential distribution, method and device for measuring insulation resistance, electrostatic latent image measurement device, and charging device |
| US7783213B2 (en) | 2003-12-04 | 2010-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Method and device for measuring surface potential distribution, method and device for measuring insulation resistance, electrostatic latent image measurement device, and charging device |
| US7869725B2 (en) | 2003-12-04 | 2011-01-11 | Ricoh Company, Ltd. | Method and device for measuring surface potential distribution, method and device for measuring insulation resistance, electrostatic latent image measurement device, and charging device |
| JP2006344436A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Ricoh Co Ltd | 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 |
| JP4702880B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-06-15 | 株式会社リコー | 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 |
| US8314627B2 (en) | 2006-10-13 | 2012-11-20 | Ricoh Company, Limited | Latent-image measuring device and latent-image carrier |
| US9069023B2 (en) | 2006-10-13 | 2015-06-30 | Ricoh Companmy, Limited | Latent-image measuring device and latent-image carrier |
| US8143603B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-03-27 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatic latent image measuring device |
| JP2008275608A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-11-13 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像測定装置および静電潜像測定方法 |
| US8168947B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-05-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatic latent image evaluation device, electrostatic latent image evaluation method, electrophotographic photoreceptor, and image forming device |
| US8847158B2 (en) | 2010-09-06 | 2014-09-30 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
| EP2426559A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
| JP2012208220A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像計測方法および静電潜像計測装置 |
| US9008526B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-04-14 | Ricoh Company, Limited | Method of measuring total amount of latent image charge, apparatus measuring total amount of latent image charge, image forming method and image forming apparatus |
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