JPH10334844A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
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- JPH10334844A JPH10334844A JP14514197A JP14514197A JPH10334844A JP H10334844 A JPH10334844 A JP H10334844A JP 14514197 A JP14514197 A JP 14514197A JP 14514197 A JP14514197 A JP 14514197A JP H10334844 A JPH10334844 A JP H10334844A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料に電圧を印加して電子ビームを減速させ
る場合でも、観察像の倍率の誤差が生じない走査電子顕
微鏡を実現する。 【解決手段】 制御回路２４は各加速電圧と対物レンズ
の励磁強度と試料印加電圧の組み合わせに応じた補正信
号を予め記憶しておき、供給される３種の信号に基づい
て記憶してある組み合わせの補正信号を読み出し、この
補正信号に基づいて走査電源２１を制御する。走査電源
２１では、設定された倍率に応じた振幅の走査信号に対
して、制御回路２４から供給された補正信号によりその
振幅を補正する。この結果、設定倍率に応じた振幅の走
査信号により電子ビームを走査すると、試料への電圧印
加により、倍率に応じた試料の領域よりも広い領域を電
子ビームが走査することになる場合、走査信号の振幅は
補正信号により小さくされる。
る場合でも、観察像の倍率の誤差が生じない走査電子顕
微鏡を実現する。 【解決手段】 制御回路２４は各加速電圧と対物レンズ
の励磁強度と試料印加電圧の組み合わせに応じた補正信
号を予め記憶しておき、供給される３種の信号に基づい
て記憶してある組み合わせの補正信号を読み出し、この
補正信号に基づいて走査電源２１を制御する。走査電源
２１では、設定された倍率に応じた振幅の走査信号に対
して、制御回路２４から供給された補正信号によりその
振幅を補正する。この結果、設定倍率に応じた振幅の走
査信号により電子ビームを走査すると、試料への電圧印
加により、倍率に応じた試料の領域よりも広い領域を電
子ビームが走査することになる場合、走査信号の振幅は
補正信号により小さくされる。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、試料に電圧を印加して
も、設定倍率に応じて正確に像の表示を行うことができ
る走査電子顕微鏡に関する。
も、設定倍率に応じて正確に像の表示を行うことができ
る走査電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し
加速された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズ
で試料上に細く集束すると共に、試料の所望の２次元領
域を電子ビームで走査するようにしている。
加速された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズ
で試料上に細く集束すると共に、試料の所望の２次元領
域を電子ビームで走査するようにしている。
【０００３】試料への電子ビームの照射によって発生し
た例えば２次電子は、２次電子検出器によって検出され
る。検出器の検出信号は、その振幅や輝度レベルが調整
された後、陰極線管に輝度変調信号として供給され、そ
の結果、陰極線管上には試料の走査２次電子像が表示さ
れる。
た例えば２次電子は、２次電子検出器によって検出され
る。検出器の検出信号は、その振幅や輝度レベルが調整
された後、陰極線管に輝度変調信号として供給され、そ
の結果、陰極線管上には試料の走査２次電子像が表示さ
れる。
【０００４】ところで、このような走査電子顕微鏡で
は、電子ビームの加速電圧を数百ボルトから数十ボルト
の範囲でステップ状に変えることが可能となっている。
この電子ビームの加速電圧を変える目的であるが、例え
ば、試料の元素分析を行う際には、分析したい元素の特
性Ｘ線エネルギーに応じて、特性Ｘ線を発生可能な加速
電圧に設定する必要が生じる。
は、電子ビームの加速電圧を数百ボルトから数十ボルト
の範囲でステップ状に変えることが可能となっている。
この電子ビームの加速電圧を変える目的であるが、例え
ば、試料の元素分析を行う際には、分析したい元素の特
性Ｘ線エネルギーに応じて、特性Ｘ線を発生可能な加速
電圧に設定する必要が生じる。
【０００５】また、絶縁物試料を観察する場合、試料へ
の電子ビームの照射による２次電子発生効率が１または
それ以上となる加速電圧を選択し、試料のマイナス電位
への帯電を防止し、得られる画像のチャージアップ現象
を防ぐようにしている。
の電子ビームの照射による２次電子発生効率が１または
それ以上となる加速電圧を選択し、試料のマイナス電位
への帯電を防止し、得られる画像のチャージアップ現象
を防ぐようにしている。
【０００６】更に、電子ビームの照射エネルギーによっ
て損傷を受ける試料の観察、例えば、半導体の微細パタ
ーン等の観察では、加速電圧を下げ、プローブ電流量も
減らし、試料の損傷が発生しないようにしている。
て損傷を受ける試料の観察、例えば、半導体の微細パタ
ーン等の観察では、加速電圧を下げ、プローブ電流量も
減らし、試料の損傷が発生しないようにしている。
【０００７】また、電子ビームの加速電圧を変えること
により、試料内への電子ビームの侵入深さが変化し、特
に、１ｋボルト以下の低加速電圧にすることにより、試
料表面の酸化状態等、試料表面の状態に応じたコントラ
ストの画像を得ることができる。このように、走査電子
顕微鏡では、電子ビームの加速電圧を観察目的に応じて
変える必要がある。
により、試料内への電子ビームの侵入深さが変化し、特
に、１ｋボルト以下の低加速電圧にすることにより、試
料表面の酸化状態等、試料表面の状態に応じたコントラ
ストの画像を得ることができる。このように、走査電子
顕微鏡では、電子ビームの加速電圧を観察目的に応じて
変える必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、走査
電子顕微鏡では電子ビームの加速電圧をステップ状に変
化できるように構成されているが、電子ビームの加速電
圧が１ｋボルト以下、特に数百ボルト以下になると、変
動する磁場により電子ビームが変動し、画像ノイズが出
やすくなる。また、地球磁場や走査電子顕微鏡の真空排
気用のイオンポンプのマグネットの直流磁場の影響を受
けやすくなり、鏡筒内の電子ビームの軸合わせも困難と
なる。
電子顕微鏡では電子ビームの加速電圧をステップ状に変
化できるように構成されているが、電子ビームの加速電
圧が１ｋボルト以下、特に数百ボルト以下になると、変
動する磁場により電子ビームが変動し、画像ノイズが出
やすくなる。また、地球磁場や走査電子顕微鏡の真空排
気用のイオンポンプのマグネットの直流磁場の影響を受
けやすくなり、鏡筒内の電子ビームの軸合わせも困難と
なる。
【０００９】このような問題点を解決するため、試料に
電圧を印加することが考えられている。例えば、電子ビ
ームの加速電圧を−１ｋＶ、試料の印加電圧を−８００
Ｖとすると、試料に照射される電子ビームのエネルギー
は、２００Ｖとなる。このようにすると、試料の直前ま
で電子ビームのエネルギーは高く、電子ビームが外乱磁
場等の影響を比較的受けることが少なくなる。
電圧を印加することが考えられている。例えば、電子ビ
ームの加速電圧を−１ｋＶ、試料の印加電圧を−８００
Ｖとすると、試料に照射される電子ビームのエネルギー
は、２００Ｖとなる。このようにすると、試料の直前ま
で電子ビームのエネルギーは高く、電子ビームが外乱磁
場等の影響を比較的受けることが少なくなる。
【００１０】この試料に電圧を印加する方式は実験的に
行われているが、試料表面近傍で入射電子ビームのエネ
ルギーが変化するため、電子ビームが偏向され、観察倍
率に誤差が発生することが明らかとなった。
行われているが、試料表面近傍で入射電子ビームのエネ
ルギーが変化するため、電子ビームが偏向され、観察倍
率に誤差が発生することが明らかとなった。
【００１１】この様子を図１を用いて説明する。図１で
１は対物レンズであり、対物レンズ１により電子ビーム
は試料２に細く集束される。３，４は電子ビームを試料
２上で２次元的に走査するための走査コイルである。こ
のような構成で、電子ビームの加速電圧は−１ｋＶとさ
れ、試料２には、−８００Ｖが印加されている。
１は対物レンズであり、対物レンズ１により電子ビーム
は試料２に細く集束される。３，４は電子ビームを試料
２上で２次元的に走査するための走査コイルである。こ
のような構成で、電子ビームの加速電圧は−１ｋＶとさ
れ、試料２には、−８００Ｖが印加されている。
【００１２】この結果、モデル的に考えると、境界面Ｓ
を境にして、電子ビームの光軸Ｏに沿った垂直方向の領
域Ａ１は、電子ビームのエネルギーが１ｋＶの領域とな
り、垂直方向の領域Ａ２は、電子ビームのエネルギーが
２００Ｖの領域となる。
を境にして、電子ビームの光軸Ｏに沿った垂直方向の領
域Ａ１は、電子ビームのエネルギーが１ｋＶの領域とな
り、垂直方向の領域Ａ２は、電子ビームのエネルギーが
２００Ｖの領域となる。
【００１３】すなわち、境界面Ｓで電子ビームの加速が
変化し、電子ビームの水平方向（図では左右方向）の速
度は保たれたまま、垂直方向の速度が変化する。したが
って、電子ビームは点線で示すように屈折することにな
る。これが観察像の倍率の誤差の原因となる。
変化し、電子ビームの水平方向（図では左右方向）の速
度は保たれたまま、垂直方向の速度が変化する。したが
って、電子ビームは点線で示すように屈折することにな
る。これが観察像の倍率の誤差の原因となる。
【００１４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、試料に電圧を印加して電子ビーム
を減速させる場合でも、観察像の倍率の誤差が生じない
走査電子顕微鏡を実現するにある。
もので、その目的は、試料に電圧を印加して電子ビーム
を減速させる場合でも、観察像の倍率の誤差が生じない
走査電子顕微鏡を実現するにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく走査
電子顕微鏡は、電子銃からの電子ビームを試料上に細く
集束すると共に、試料上の電子ビームの照射位置を２次
元的に走査し、試料への電子ビームの照射にともなって
得られた信号に基づき、試料の走査像を得るようにした
走査電子顕微鏡において、試料に電圧を印加すると共
に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料へ
の印加電圧に応じて変化させるように構成したことを特
徴としている。
電子顕微鏡は、電子銃からの電子ビームを試料上に細く
集束すると共に、試料上の電子ビームの照射位置を２次
元的に走査し、試料への電子ビームの照射にともなって
得られた信号に基づき、試料の走査像を得るようにした
走査電子顕微鏡において、試料に電圧を印加すると共
に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料へ
の印加電圧に応じて変化させるように構成したことを特
徴としている。
【００１６】第１の発明では、試料に電圧を印加する場
合に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料
への印加電圧に応じて変化させ、観察像の倍率を正確に
維持する。
合に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料
への印加電圧に応じて変化させ、観察像の倍率を正確に
維持する。
【００１７】第２の発明に基づく走査電子顕微鏡は、第
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅は、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じ
て変化させられることを特徴としている。
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅は、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じ
て変化させられることを特徴としている。
【００１８】第２の発明では、試料に電圧を印加する場
合に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料
への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じて変化させ、観
察像の倍率を正確に維持する。
合に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料
への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じて変化させ、観
察像の倍率を正確に維持する。
【００１９】第３の発明に基づく走査電子顕微鏡は、第
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅は、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物
レンズの励磁強度に応じて変化させられることを特徴と
している。
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅は、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物
レンズの励磁強度に応じて変化させられることを特徴と
している。
【００２０】第３の発明では、試料に電圧を印加する場
合に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料
への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物レンズの励磁強
度に応じて変化させ、観察像の倍率を正確に維持する。
合に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料
への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物レンズの励磁強
度に応じて変化させ、観察像の倍率を正確に維持する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明を実施する走
査電子顕微鏡の一例を示している。１０は電子ビームを
発生する電界放射型電子銃であり、電界放射エミッタ１
１、引出電極１２、加速電極１３より構成されている。
施の形態を詳細に説明する。図２は本発明を実施する走
査電子顕微鏡の一例を示している。１０は電子ビームを
発生する電界放射型電子銃であり、電界放射エミッタ１
１、引出電極１２、加速電極１３より構成されている。
【００２２】加速電極１３は接地電位に保たれ、エミッ
タ１１には高圧電源１４から加速電圧が印加されてい
る。また、エミッタ１１と引出電極１２との間には高圧
電源１４から引出電圧が印加される。この結果、エミッ
タ１１先端には強電界が形成され、エミッタ１からは電
界放射電子が引き出される。エミッタ１１からの電子は
加速電極１３によって加速される。
タ１１には高圧電源１４から加速電圧が印加されてい
る。また、エミッタ１１と引出電極１２との間には高圧
電源１４から引出電圧が印加される。この結果、エミッ
タ１１先端には強電界が形成され、エミッタ１からは電
界放射電子が引き出される。エミッタ１１からの電子は
加速電極１３によって加速される。
【００２３】電子銃１０から発生し加速された電子ビー
ムは、コンデンサレンズ１５、対物レンズ１６によって
試料１７上に細く集束される。電子ビームＥＢは更に走
査コイル１８，１９によって走査され、試料１７上の所
望２次元領域は電子ビームによって走査される。
ムは、コンデンサレンズ１５、対物レンズ１６によって
試料１７上に細く集束される。電子ビームＥＢは更に走
査コイル１８，１９によって走査され、試料１７上の所
望２次元領域は電子ビームによって走査される。
【００２４】上記対物レンズ１６には対物レンズ電源２
０から励磁電流が供給され、対物レンズ電源２０からの
励磁電流を変えることにより、試料１７に照射される電
子ビームの焦点は任意に調整される。
０から励磁電流が供給され、対物レンズ電源２０からの
励磁電流を変えることにより、試料１７に照射される電
子ビームの焦点は任意に調整される。
【００２５】また、走査コイル１８，１９には走査電源
２１からＸ，Ｙ２方向の走査信号が供給される。この走
査電源２１からの走査信号の振幅を制御することによ
り、試料の２次元走査領域の大きさを変化、すなわち観
察倍率を変化させることができる。試料１７は導電性の
試料ステージ２２に載置されており、試料ステージ２２
には試料電源２３から所定の電圧が印加される。
２１からＸ，Ｙ２方向の走査信号が供給される。この走
査電源２１からの走査信号の振幅を制御することによ
り、試料の２次元走査領域の大きさを変化、すなわち観
察倍率を変化させることができる。試料１７は導電性の
試料ステージ２２に載置されており、試料ステージ２２
には試料電源２３から所定の電圧が印加される。
【００２６】上記した高圧電源１４からの電子ビームの
加速電圧、対物レンズ電源２０からの対物レンズの励磁
電流、試料電源２３からの試料１７への印加電圧に応じ
た信号は、それぞれコンピュータのごとき制御回路２４
に供給される。制御回路２４は、供給された各信号に基
づき、走査電源２１を制御する。このような構成の動作
を次に説明する。
加速電圧、対物レンズ電源２０からの対物レンズの励磁
電流、試料電源２３からの試料１７への印加電圧に応じ
た信号は、それぞれコンピュータのごとき制御回路２４
に供給される。制御回路２４は、供給された各信号に基
づき、走査電源２１を制御する。このような構成の動作
を次に説明する。
【００２７】電子銃１０から発生し加速された電子ビー
ムをコンデンサレンズ１５、対物レンズ１６によって試
料１７上に細く集束し、更に、走査コイル１８，１９に
よって電子ビームを試料１７上で２次元的に走査する。
この走査に基づき試料１７から発生した２次電子は、図
示していない２次電子検出器によって検出される。検出
器の検出信号は、図示していない陰極線管に供給される
ことから、陰極線管には試料１７の走査２次電子像が表
示される。
ムをコンデンサレンズ１５、対物レンズ１６によって試
料１７上に細く集束し、更に、走査コイル１８，１９に
よって電子ビームを試料１７上で２次元的に走査する。
この走査に基づき試料１７から発生した２次電子は、図
示していない２次電子検出器によって検出される。検出
器の検出信号は、図示していない陰極線管に供給される
ことから、陰極線管には試料１７の走査２次電子像が表
示される。
【００２８】さて、図２の構成で、高圧電源１４からエ
ミッタ１１と接地電位の加速電極１３との間には、−１
ｋＶの加速電圧が印加され、電子銃１０からは比較的高
いエネルギーで電子ビームが発生する。一方、試料１７
には、試料電源２３より例えば−８００Ｖの電圧が印加
され、試料１７には２００Ｖのエネルギーの電子ビーム
が照射される。
ミッタ１１と接地電位の加速電極１３との間には、−１
ｋＶの加速電圧が印加され、電子銃１０からは比較的高
いエネルギーで電子ビームが発生する。一方、試料１７
には、試料電源２３より例えば−８００Ｖの電圧が印加
され、試料１７には２００Ｖのエネルギーの電子ビーム
が照射される。
【００２９】この結果、試料１７の直前まで電子ビーム
のエネルギーは高く、電子ビームが外乱磁場等の影響を
受けることがほとんどなくなり、得られる像にノイズが
生じることは防止される。また、電子ビームの軸合わせ
も正確に行うことができる。
のエネルギーは高く、電子ビームが外乱磁場等の影響を
受けることがほとんどなくなり、得られる像にノイズが
生じることは防止される。また、電子ビームの軸合わせ
も正確に行うことができる。
【００３０】ここで、図１を用いて説明したように、試
料１７の近傍で電子ビームの加速が変化し、電子ビーム
は屈折して観察像の倍率の誤差の原因となる。図２に示
した実施の形態では、制御回路２４に試料電源２３から
試料１７に印加した電圧に応じた信号が供給されてい
る。
料１７の近傍で電子ビームの加速が変化し、電子ビーム
は屈折して観察像の倍率の誤差の原因となる。図２に示
した実施の形態では、制御回路２４に試料電源２３から
試料１７に印加した電圧に応じた信号が供給されてい
る。
【００３１】更に、制御回路２４には、高圧電源１４か
ら電子ビームの加速電圧に応じた信号と、対物レンズ電
源２０から対物レンズ１６の励磁電流に応じた信号とが
供給されている。制御回路２０は３種の信号に基づいて
走査電源２１を制御する。
ら電子ビームの加速電圧に応じた信号と、対物レンズ電
源２０から対物レンズ１６の励磁電流に応じた信号とが
供給されている。制御回路２０は３種の信号に基づいて
走査電源２１を制御する。
【００３２】すなわち、観察像の倍率誤差は、既に知ら
れているように、電子ビームの加速電圧と対物レンズの
励磁強度によっても生じる。したがって、制御回路２４
は各加速電圧と対物レンズの励磁強度と試料印加電圧の
組み合わせに応じた補正信号を予め記憶しておき、供給
される３種の信号に基づいて記憶してある組み合わせの
補正信号を読み出し、この補正信号に基づいて走査電源
２１を制御する。
れているように、電子ビームの加速電圧と対物レンズの
励磁強度によっても生じる。したがって、制御回路２４
は各加速電圧と対物レンズの励磁強度と試料印加電圧の
組み合わせに応じた補正信号を予め記憶しておき、供給
される３種の信号に基づいて記憶してある組み合わせの
補正信号を読み出し、この補正信号に基づいて走査電源
２１を制御する。
【００３３】走査電源２１では、設定された倍率に応じ
た振幅の走査信号に対して、制御回路２４から供給され
た補正信号によりその振幅を補正する。この結果、設定
倍率に応じた振幅の走査信号により電子ビームを走査す
ると、試料への電圧印加により、設定倍率に応じた試料
の領域よりも広い領域を電子ビームが走査する場合、走
査信号の振幅は補正信号により小さくされる。
た振幅の走査信号に対して、制御回路２４から供給され
た補正信号によりその振幅を補正する。この結果、設定
倍率に応じた振幅の走査信号により電子ビームを走査す
ると、試料への電圧印加により、設定倍率に応じた試料
の領域よりも広い領域を電子ビームが走査する場合、走
査信号の振幅は補正信号により小さくされる。
【００３４】なお、補正信号は、計算によって事前に作
成することもできるが、例えば、各加速電圧の下で試料
電圧を次々に変化させ、その都度、観察画面から倍率の
変化を求め、この求めた倍率変化により補正信号を作成
しても良い。また、試料に照射する電子ビームの加速電
圧を変える場合には、高圧電源１４からエミッタ１１に
印加される加速電圧を変化させても良く、試料電源２３
から試料１７に印加する電圧を変化させても良い。
成することもできるが、例えば、各加速電圧の下で試料
電圧を次々に変化させ、その都度、観察画面から倍率の
変化を求め、この求めた倍率変化により補正信号を作成
しても良い。また、試料に照射する電子ビームの加速電
圧を変える場合には、高圧電源１４からエミッタ１１に
印加される加速電圧を変化させても良く、試料電源２３
から試料１７に印加する電圧を変化させても良い。
【００３５】以上本発明の一実施形態を説明したが、本
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、２次電
子像を観察するようにしたが、反射電子像等の観察の場
合にも本発明を適用することができる。
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、２次電
子像を観察するようにしたが、反射電子像等の観察の場
合にも本発明を適用することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に基づ
く走査電子顕微鏡は、電子銃からの電子ビームを試料上
に細く集束すると共に、試料上の電子ビームの照射位置
を２次元的に走査し、試料への電子ビームの照射にとも
なって得られた信号に基づき、試料の走査像を得るよう
にした走査電子顕微鏡において、試料に電圧を印加する
と共に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試
料への印加電圧に応じて変化させるように構成した。
く走査電子顕微鏡は、電子銃からの電子ビームを試料上
に細く集束すると共に、試料上の電子ビームの照射位置
を２次元的に走査し、試料への電子ビームの照射にとも
なって得られた信号に基づき、試料の走査像を得るよう
にした走査電子顕微鏡において、試料に電圧を印加する
と共に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試
料への印加電圧に応じて変化させるように構成した。
【００３７】この結果、試料には比較的低い加速電圧の
電子ビームを照射できる一方で、試料の直前まで電子ビ
ームのエネルギーを高くすることができ、電子ビームが
外乱磁場等の影響をほとんど受けることがなくなる。そ
して、試料に電圧を印加したことによって生じる観察像
の倍率の誤差をほとんど無視することができる。
電子ビームを照射できる一方で、試料の直前まで電子ビ
ームのエネルギーを高くすることができ、電子ビームが
外乱磁場等の影響をほとんど受けることがなくなる。そ
して、試料に電圧を印加したことによって生じる観察像
の倍率の誤差をほとんど無視することができる。
【００３８】第２の発明に基づく走査電子顕微鏡は、第
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅を、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じ
て変化させるようにした。この結果、試料に電圧を印加
したことによって生じる観察像の倍率の誤差をほとんど
無視することができる。
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅を、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じ
て変化させるようにした。この結果、試料に電圧を印加
したことによって生じる観察像の倍率の誤差をほとんど
無視することができる。
【００３９】第３の発明に基づく走査電子顕微鏡は、第
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅を、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物
レンズの励磁強度に応じて変化させるようにした。この
結果、試料に電圧を印加したことによって生じる観察像
の倍率の誤差をほとんど無視することができる。
１の発明において、電子ビームの走査のための走査信号
の振幅を、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物
レンズの励磁強度に応じて変化させるようにした。この
結果、試料に電圧を印加したことによって生じる観察像
の倍率の誤差をほとんど無視することができる。
【図１】試料への電圧印加に伴う観察倍率の変化を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】本発明を実施する走査電子顕微鏡の一例を示す
図である。
図である。
１０ 電子銃 １１ エミッタ １２ 引出電極 １３ 加速電極 １４ 高圧電源 １５ コンデンサレンズ １６ 対物レンズ １７ 試料 １８，１９ 走査コイル ２０ 対物レンズ電源 ２１ 走査電源 ２２ 試料ステージ ２３ 試料電源 ２４ 制御回路
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃からの電子ビームを試料上に細く
集束すると共に、試料上の電子ビームの照射位置を２次
元的に走査し、試料への電子ビームの照射にともなって
得られた信号に基づき、試料の走査像を得るようにした
走査電子顕微鏡において、試料に電圧を印加すると共
に、電子ビームの走査のための走査信号の振幅を試料へ
の印加電圧に応じて変化させるように構成した走査電子
顕微鏡。 - 【請求項２】 電子ビームの走査のための走査信号の振
幅は、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧に応じて変
化させられる請求項１記載の走査電子顕微鏡。 - 【請求項３】 電子ビームの走査のための走査信号の振
幅は、試料への印加電圧と電子銃の加速電圧と対物レン
ズの励磁強度に応じて変化させられる請求項１記載の走
査電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14514197A JPH10334844A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14514197A JPH10334844A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10334844A true JPH10334844A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15378373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14514197A Pending JPH10334844A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10334844A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653632B2 (en) | 2001-11-15 | 2003-11-25 | Jeol Ltd. | Scanning-type instrument utilizing charged-particle beam and method of controlling same |
| JP2006344436A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Ricoh Co Ltd | 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 |
| JP2010015731A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡における画像の改良方法 |
| EP2426559A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP14514197A patent/JPH10334844A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653632B2 (en) | 2001-11-15 | 2003-11-25 | Jeol Ltd. | Scanning-type instrument utilizing charged-particle beam and method of controlling same |
| JP2006344436A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Ricoh Co Ltd | 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 |
| JP4702880B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2011-06-15 | 株式会社リコー | 表面電位分布測定方法及び表面電位分布測定装置 |
| JP2010015731A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡における画像の改良方法 |
| EP2426559A2 (en) | 2010-09-06 | 2012-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
| US8847158B2 (en) | 2010-09-06 | 2014-09-30 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030610 |