JPH1167137A - 粒子線装置 - Google Patents
粒子線装置Info
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- JPH1167137A JPH1167137A JP9226199A JP22619997A JPH1167137A JP H1167137 A JPH1167137 A JP H1167137A JP 9226199 A JP9226199 A JP 9226199A JP 22619997 A JP22619997 A JP 22619997A JP H1167137 A JPH1167137 A JP H1167137A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２次電子の検出効率を常に最大とし、また、
粒子プローブの試料上の位置ずれを最小にすることがで
きる粒子線装置を実現する。 【解決手段】 電子ビームのエネルギＥを変えた場合、
検出器１１のコレクタ１２に印加する電圧が、２次電子
の検出効率が最大となるように変えられる。この電圧の
変化によりコレクタによる電界も変化し、電子ビームの
電界による偏向量が変化する。メモリー２１のテーブル
には、電子ビームのエネルギＥに対応した電子ビームの
偏向量の補正値も格納されている。ＣＰＵ１８は、電子
ビームのエネルギＥが変えられると、それに対応した偏
向量の補正値を読みだし、偏向器制御部１０に送る。偏
向器制御部１０では、走査信号にこの補正値を加算し、
偏向器７，８に供給する。この結果、コレクタ１２によ
る電界によって曲げられる分、偏向器７，８によって予
め逆方向に偏向されるので、電界の強さが変化しても、
電子ビームの走査領域は変わらない。
粒子プローブの試料上の位置ずれを最小にすることがで
きる粒子線装置を実現する。 【解決手段】 電子ビームのエネルギＥを変えた場合、
検出器１１のコレクタ１２に印加する電圧が、２次電子
の検出効率が最大となるように変えられる。この電圧の
変化によりコレクタによる電界も変化し、電子ビームの
電界による偏向量が変化する。メモリー２１のテーブル
には、電子ビームのエネルギＥに対応した電子ビームの
偏向量の補正値も格納されている。ＣＰＵ１８は、電子
ビームのエネルギＥが変えられると、それに対応した偏
向量の補正値を読みだし、偏向器制御部１０に送る。偏
向器制御部１０では、走査信号にこの補正値を加算し、
偏向器７，８に供給する。この結果、コレクタ１２によ
る電界によって曲げられる分、偏向器７，８によって予
め逆方向に偏向されるので、電界の強さが変化しても、
電子ビームの走査領域は変わらない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームやイオ
ンビームを試料に照射し、試料から発生した２次電子を
検出するようにした粒子線装置に関する。
ンビームを試料に照射し、試料から発生した２次電子を
検出するようにした粒子線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】走査電子顕微鏡や電子プローブマイクロ
アナライザ（ＥＰＭＡという）等の粒子線を用いて試料
表面の観察や分析を行う装置では、試料に電子ビームや
イオンビームを照射し、その結果試料から発生した２次
電子を検出するようにしている。この場合、検出器は一
次電子ビームや一次イオンビームの光軸から離れた位置
に配置される。そのため２次電子を検出器側に引き寄せ
る必要があることから、試料に照射する粒子線プローブ
に対し直交する成分を有する電界を印加することがあ
る。
アナライザ（ＥＰＭＡという）等の粒子線を用いて試料
表面の観察や分析を行う装置では、試料に電子ビームや
イオンビームを照射し、その結果試料から発生した２次
電子を検出するようにしている。この場合、検出器は一
次電子ビームや一次イオンビームの光軸から離れた位置
に配置される。そのため２次電子を検出器側に引き寄せ
る必要があることから、試料に照射する粒子線プローブ
に対し直交する成分を有する電界を印加することがあ
る。
【０００３】例えば、試料面上に漏洩する磁場が少ない
装置では、対物レンズと試料との間の空間に検出器を配
置し、対物レンズと試料との間でこの電界を用いて試料
からの２次電子を検出器に向かわせる。また、試料から
の２次電子を対物レンズの磁場を用いて対物レンズの上
部に取り出すようにした装置では、対物レンズの上部に
検出器を配置し、対物レンズと粒子線源との間でこの電
界を用いて２次電子を検出器に向かわせる。
装置では、対物レンズと試料との間の空間に検出器を配
置し、対物レンズと試料との間でこの電界を用いて試料
からの２次電子を検出器に向かわせる。また、試料から
の２次電子を対物レンズの磁場を用いて対物レンズの上
部に取り出すようにした装置では、対物レンズの上部に
検出器を配置し、対物レンズと粒子線源との間でこの電
界を用いて２次電子を検出器に向かわせる。
【０００４】従来の２次電子検出器では、一次粒子線の
加速電圧を低くした場合や、試料と対物レンズとの間の
距離（作動距離）を大きくした場合、この電界によって
粒子プローブが比較的大きく偏向をうけ、試料上の照射
位置が変化する。この影響を少なくするため、電界を発
生させている電極の電圧を段階的に弱めたり、電極自体
を光軸から遠ざけたりしている。
加速電圧を低くした場合や、試料と対物レンズとの間の
距離（作動距離）を大きくした場合、この電界によって
粒子プローブが比較的大きく偏向をうけ、試料上の照射
位置が変化する。この影響を少なくするため、電界を発
生させている電極の電圧を段階的に弱めたり、電極自体
を光軸から遠ざけたりしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方式では、２次電子の検出効率を常に最大とすること
はできず、また、粒子プローブの試料上の位置ずれを常
に最小にすることもできない。
た方式では、２次電子の検出効率を常に最大とすること
はできず、また、粒子プローブの試料上の位置ずれを常
に最小にすることもできない。
【０００６】本発明は、上記した点に鑑みてなされたも
ので、２次電子の検出効率を常に最大とし、また、粒子
プローブの試料上の位置ずれを最小にすることができる
粒子線装置を実現するにある。
ので、２次電子の検出効率を常に最大とし、また、粒子
プローブの試料上の位置ずれを最小にすることができる
粒子線装置を実現するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく粒子
線装置は、粒子線を試料上に細く絞って照射すると共
に、試料上の粒子線の照射位置を２次元的に走査し、試
料への粒子線の照射にともなって発生した２次電子を電
界によって検出器に引き寄せ検出するようにした粒子線
装置において、粒子線のエネルギーに応じて前記電界の
強さを変化させると共に、電界の強さに応じて粒子線の
偏向量を変えるようにしたことを特徴としている。
線装置は、粒子線を試料上に細く絞って照射すると共
に、試料上の粒子線の照射位置を２次元的に走査し、試
料への粒子線の照射にともなって発生した２次電子を電
界によって検出器に引き寄せ検出するようにした粒子線
装置において、粒子線のエネルギーに応じて前記電界の
強さを変化させると共に、電界の強さに応じて粒子線の
偏向量を変えるようにしたことを特徴としている。
【０００８】第１の発明においては、試料に照射する粒
子線のエネルギーに応じて検出器からの電界の強さを変
化させて２次電子の検出効率を最適な状態とし、電界の
強さに応じて粒子線の偏向量を変え、粒子線の試料上の
位置ずれを最小とする。
子線のエネルギーに応じて検出器からの電界の強さを変
化させて２次電子の検出効率を最適な状態とし、電界の
強さに応じて粒子線の偏向量を変え、粒子線の試料上の
位置ずれを最小とする。
【０００９】第２の発明においては、第１の発明におい
て、試料や試料ホルダの形状に応じて電界の強さを変化
させるようにし、試料や試料ホルダの形状に関係せず、
２次電子の検出効率を最適とする。
て、試料や試料ホルダの形状に応じて電界の強さを変化
させるようにし、試料や試料ホルダの形状に関係せず、
２次電子の検出効率を最適とする。
【００１０】第３の発明においては、第１の発明におい
て、粒子線の電流に応じて電界の強さを変化させるよう
にし、プローブ電流の値に関係せず、２次電子の検出効
率を最適とする。
て、粒子線の電流に応じて電界の強さを変化させるよう
にし、プローブ電流の値に関係せず、２次電子の検出効
率を最適とする。
【００１１】第４の発明においては、第１の発明におい
て、２次電子検出器の２次電子を引き寄せるためのコレ
クタ電極をネット状とし、このネットの先端に針状の電
極を設け、２次電子の検出効率を高める。
て、２次電子検出器の２次電子を引き寄せるためのコレ
クタ電極をネット状とし、このネットの先端に針状の電
極を設け、２次電子の検出効率を高める。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく走
査電子顕微鏡を示しており、１は電子銃である。電子銃
１の加速電圧は加速電圧制御部２によって変えられるよ
うに構成されている。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明に基づく走
査電子顕微鏡を示しており、１は電子銃である。電子銃
１の加速電圧は加速電圧制御部２によって変えられるよ
うに構成されている。
【００１３】電子銃１から発生し加速された電子ビーム
ＥＢは、コンデンサレンズ３、対物レンズ４によって集
束され、試料ホルダ５に保持された試料６上に照射され
る。試料６上の電子ビームＥＢの照射位置は、２段の偏
向器７，８によって走査される。なお、対物レンズ４の
励磁は対物レンズ制御部９からの励磁電流により調整さ
れ、また、偏向器７，８は偏向器制御部１０からの走査
信号により駆動される。
ＥＢは、コンデンサレンズ３、対物レンズ４によって集
束され、試料ホルダ５に保持された試料６上に照射され
る。試料６上の電子ビームＥＢの照射位置は、２段の偏
向器７，８によって走査される。なお、対物レンズ４の
励磁は対物レンズ制御部９からの励磁電流により調整さ
れ、また、偏向器７，８は偏向器制御部１０からの走査
信号により駆動される。
【００１４】試料６への一次電子ビームの照射によって
発生した２次電子ｅは、対物レンズ４と試料６との間に
配置された２次電子検出器１１によって検出される。２
次電子検出器１１は、２次電子を引き寄せるためのコレ
クター１２、シンチレータ１３、光パイプ１４、光電子
変換面や光電子増倍管を含む光電変換部１５より構成さ
れている。
発生した２次電子ｅは、対物レンズ４と試料６との間に
配置された２次電子検出器１１によって検出される。２
次電子検出器１１は、２次電子を引き寄せるためのコレ
クター１２、シンチレータ１３、光パイプ１４、光電子
変換面や光電子増倍管を含む光電変換部１５より構成さ
れている。
【００１５】コレクター１２には検出器の制御部１６か
ら２次電子ｅをシンチレータ１３に引き寄せるための数
百Ｖ程度の電圧が印加されている。この結果、試料６か
らの２次電子は、コレクター１２に印加された電圧によ
りシンチレータ１３に向け引き寄せられ、シンチレータ
１３を発光させる。
ら２次電子ｅをシンチレータ１３に引き寄せるための数
百Ｖ程度の電圧が印加されている。この結果、試料６か
らの２次電子は、コレクター１２に印加された電圧によ
りシンチレータ１３に向け引き寄せられ、シンチレータ
１３を発光させる。
【００１６】シンチレータ１３の光は、光パイプ１４を
透過して光電変換部１５に入り電気信号に変換される。
検出器１１からの信号は、検出器制御部１６、信号ライ
ン１７を介してＣＰＵ１８に供給される。
透過して光電変換部１５に入り電気信号に変換される。
検出器１１からの信号は、検出器制御部１６、信号ライ
ン１７を介してＣＰＵ１８に供給される。
【００１７】ＣＰＵ１８は加速電圧制御部２、偏向器制
御部１０、対物レンズ制御部９を制御している。また、
ＣＰＵ１８には、入力手段１９、陰極線管のごとき表示
装置２０、メモリー２１が接続されている。例えば、入
力手段１９により任意の加速電圧を指示すると、ＣＰＵ
１８はその指示にしたがって加速電圧制御部２を制御
し、電子銃１の加速電圧を任意の値とする。このような
構成の動作を次に説明する。
御部１０、対物レンズ制御部９を制御している。また、
ＣＰＵ１８には、入力手段１９、陰極線管のごとき表示
装置２０、メモリー２１が接続されている。例えば、入
力手段１９により任意の加速電圧を指示すると、ＣＰＵ
１８はその指示にしたがって加速電圧制御部２を制御
し、電子銃１の加速電圧を任意の値とする。このような
構成の動作を次に説明する。
【００１８】走査２次電子像を観察する場合、電子銃１
からの電子ビームＥＢをコンデンサレンズ３、対物レン
ズ４によって集束すると共に、偏向器７，８によって電
子ビームを２次元的に走査する。この結果、試料５上に
は細く絞られた電子ビームが照射されると共に、試料上
の電子ビームの照射位置は２次元的に走査される。
からの電子ビームＥＢをコンデンサレンズ３、対物レン
ズ４によって集束すると共に、偏向器７，８によって電
子ビームを２次元的に走査する。この結果、試料５上に
は細く絞られた電子ビームが照射されると共に、試料上
の電子ビームの照射位置は２次元的に走査される。
【００１９】試料５への電子ビームの照射によって発生
した２次電子は、２次電子検出器１１に引き寄せられ検
出される。検出器１１の検出信号は、検出器制御部１
６、信号ライン１７を介してＣＰＵ１８に供給される。
ＣＰＵ１８は検出信号を電子ビームの走査と同期した表
示装置２０に供給することから、表示装置２０には試料
６の特定領域の走査２次電子像が表示される。
した２次電子は、２次電子検出器１１に引き寄せられ検
出される。検出器１１の検出信号は、検出器制御部１
６、信号ライン１７を介してＣＰＵ１８に供給される。
ＣＰＵ１８は検出信号を電子ビームの走査と同期した表
示装置２０に供給することから、表示装置２０には試料
６の特定領域の走査２次電子像が表示される。
【００２０】さて、電子銃１における加速電圧を変える
と、電子ビームのエネルギＥが変化する。このため、電
子ビームを試料６上でフォーカスするための対物レンズ
４の励磁も変えなければならない。
と、電子ビームのエネルギＥが変化する。このため、電
子ビームを試料６上でフォーカスするための対物レンズ
４の励磁も変えなければならない。
【００２１】この動作は、ＣＰＵ１８によって加速電圧
制御部２を制御して電子銃１における加速電圧を任意に
変化させた場合、ＣＰＵ１８は対物レンズ制御部９を制
御し、対物レンズ４の励磁強度を加速電圧に応じて変化
させ、常に最適なフォーカス状態となるようにしてい
る。
制御部２を制御して電子銃１における加速電圧を任意に
変化させた場合、ＣＰＵ１８は対物レンズ制御部９を制
御し、対物レンズ４の励磁強度を加速電圧に応じて変化
させ、常に最適なフォーカス状態となるようにしてい
る。
【００２２】ところで、与えられた電子ビーム等の粒子
線のエネルギＥに対し、２次電子検出器１１のコレクタ
１２の電圧Ｖｃを変えると、図２に示すように２次電子
の検出効率ηが変化する。このコレクタ電圧Ｖｃには、
最適値Ｖｃｏが存在する。この最適値Ｖｃｏは、粒子線
のエネルギＥを変化させるとそれに応じて変化する。図
３は粒子線のエネルギＥと最適コレクタ電圧Ｖｃｏとの
関係を示している。
線のエネルギＥに対し、２次電子検出器１１のコレクタ
１２の電圧Ｖｃを変えると、図２に示すように２次電子
の検出効率ηが変化する。このコレクタ電圧Ｖｃには、
最適値Ｖｃｏが存在する。この最適値Ｖｃｏは、粒子線
のエネルギＥを変化させるとそれに応じて変化する。図
３は粒子線のエネルギＥと最適コレクタ電圧Ｖｃｏとの
関係を示している。
【００２３】このような現象から、図１に示した実施の
形態では、メモリー２１に各加速電圧に対応した最適な
コレクタ電圧がテーブルの形で記憶されている。そし
て、電子銃１における加速電圧を変化させた場合、ＣＰ
Ｕ１８は、その時の加速電圧に対応したコレクタ電圧を
メモリー２１から読みだし、検出器制御部１６にその信
号を供給する。その結果、検出器１１のコレクタ１２に
は、検出効率が最大となる電圧が印加される。
形態では、メモリー２１に各加速電圧に対応した最適な
コレクタ電圧がテーブルの形で記憶されている。そし
て、電子銃１における加速電圧を変化させた場合、ＣＰ
Ｕ１８は、その時の加速電圧に対応したコレクタ電圧を
メモリー２１から読みだし、検出器制御部１６にその信
号を供給する。その結果、検出器１１のコレクタ１２に
は、検出効率が最大となる電圧が印加される。
【００２４】上記したように、電子ビーム（粒子線）の
エネルギＥを変えた場合、検出器１１のコレクタ１２に
印加する電圧が変えられるが、この電圧の変化によりコ
レクタによる電界も変化し、それにともない電子ビーム
の電界による偏向量が変化する。この結果、試料上の電
子ビームの照射位置（走査領域）がずれてしまう。
エネルギＥを変えた場合、検出器１１のコレクタ１２に
印加する電圧が変えられるが、この電圧の変化によりコ
レクタによる電界も変化し、それにともない電子ビーム
の電界による偏向量が変化する。この結果、試料上の電
子ビームの照射位置（走査領域）がずれてしまう。
【００２５】この実施の形態では、メモリー２１のテー
ブルには、電子ビームのエネルギＥに対応した電子ビー
ムの偏向量の補正値も格納されている。ＣＰＵ１８は、
電子ビームのエネルギＥが変えられると、それに対応し
た偏向量の補正値を読みだし、偏向器制御部１０に送
る。偏向器制御部１０では、走査信号にこの補正値を加
算し、偏向器７，８に供給する。この結果、コレクタ１
２による電界によって曲げられる分、偏向器７，８によ
って予め逆方向に偏向されるので、電界の強さが変化し
ても、電子ビームの走査領域は変わらない。
ブルには、電子ビームのエネルギＥに対応した電子ビー
ムの偏向量の補正値も格納されている。ＣＰＵ１８は、
電子ビームのエネルギＥが変えられると、それに対応し
た偏向量の補正値を読みだし、偏向器制御部１０に送
る。偏向器制御部１０では、走査信号にこの補正値を加
算し、偏向器７，８に供給する。この結果、コレクタ１
２による電界によって曲げられる分、偏向器７，８によ
って予め逆方向に偏向されるので、電界の強さが変化し
ても、電子ビームの走査領域は変わらない。
【００２６】次に、２次電子検出器の構造によっては、
試料６や試料ホルダ５の形状が変わるとコレクタ１２が
対物レンズ４と試料面との間に形成する電界分布が変化
する。特に、対物レンズと試料ホルダの間隔が狭い場合
には、試料ホルダ５の大小が電界分布に強く影響する。
試料６や試料ホルダ５の形状が変わるとコレクタ１２が
対物レンズ４と試料面との間に形成する電界分布が変化
する。特に、対物レンズと試料ホルダの間隔が狭い場合
には、試料ホルダ５の大小が電界分布に強く影響する。
【００２７】この電界分布が変化すれば、２次電子検出
効率とプローブの位置ずれ量も変化する。したがって、
図１の構成で、メモリー２１に、試料や試料ホルダの形
状に対応して、最適な検出効率となるようなコレクタ１
２の電圧値とその際の偏向量の補正値とを記憶させ、そ
れぞれの値を検出器制御部１６と偏向器制御部１０に供
給すれば、試料や試料ホルダの形状に関係せず、最適な
検出効率で２次電子の検出を行うことができ、また、電
子ビームの試料上の位置ずれも最小とすることができ
る。
効率とプローブの位置ずれ量も変化する。したがって、
図１の構成で、メモリー２１に、試料や試料ホルダの形
状に対応して、最適な検出効率となるようなコレクタ１
２の電圧値とその際の偏向量の補正値とを記憶させ、そ
れぞれの値を検出器制御部１６と偏向器制御部１０に供
給すれば、試料や試料ホルダの形状に関係せず、最適な
検出効率で２次電子の検出を行うことができ、また、電
子ビームの試料上の位置ずれも最小とすることができ
る。
【００２８】また、対物レンズ４と試料ホルダ５の間隔
が狭い場合には、ネット状の電極の先に光軸に向かって
針状の電極を伸ばすことにより、２次電子の検出効率を
高めることができる。この場合には、電子ビームの位置
ずれ量も大きくなるが、ＣＰＵ１８により偏向器制御部
１０を制御して電子ビームの位置の補正を行えば、この
大きな位置ずれも最小にすることができる。
が狭い場合には、ネット状の電極の先に光軸に向かって
針状の電極を伸ばすことにより、２次電子の検出効率を
高めることができる。この場合には、電子ビームの位置
ずれ量も大きくなるが、ＣＰＵ１８により偏向器制御部
１０を制御して電子ビームの位置の補正を行えば、この
大きな位置ずれも最小にすることができる。
【００２９】更に、プローブの電流が極めて大きい場合
には、シンチレータ１３の劣化を防ぐため、２次電子検
出効率を低下させるようにコレクタ電圧Ｖｃを制御する
ことが必要になる。特に、プローブ電流を広範に変える
場合には、２次電子の検出効率が最大となるようなコレ
クタ電圧Ｖｃｏと、シンチレータ１３の劣化が生じない
設定が望ましい。
には、シンチレータ１３の劣化を防ぐため、２次電子検
出効率を低下させるようにコレクタ電圧Ｖｃを制御する
ことが必要になる。特に、プローブ電流を広範に変える
場合には、２次電子の検出効率が最大となるようなコレ
クタ電圧Ｖｃｏと、シンチレータ１３の劣化が生じない
設定が望ましい。
【００３０】更にまた、ＣＰＵ１８からプローブ電流を
指定した時、これに応じてＣＰＵ１８により２次電子検
出効率が最適になるようにコレクタ電圧Ｖｃを制御する
と共に、前記した偏向器制御部によるプローブ位置の補
正を用いて電子ビームの照射位置のずれ量を最小とする
ことができる。
指定した時、これに応じてＣＰＵ１８により２次電子検
出効率が最適になるようにコレクタ電圧Ｖｃを制御する
と共に、前記した偏向器制御部によるプローブ位置の補
正を用いて電子ビームの照射位置のずれ量を最小とする
ことができる。
【００３１】以上本発明の実施の形態を詳述したが、本
発明はこの形態に限定されない。例えば、走査電子顕微
鏡を例に説明したが、ＥＰＭＡにも本発明を適用するこ
とができ、また、イオンビームを用いた装置にも本発明
を使用することができる。
発明はこの形態に限定されない。例えば、走査電子顕微
鏡を例に説明したが、ＥＰＭＡにも本発明を適用するこ
とができ、また、イオンビームを用いた装置にも本発明
を使用することができる。
【００３２】また、コレクタ電圧Ｖｃによって２次電子
検出効率を変えるようにしたが、シンチレータの電圧を
変えたり、零にしたりする制御によって２次電子検出効
率を変えてもよい。もちろん、コレクタの電圧とシンタ
レータの電圧を変えることを併用しても良い。
検出効率を変えるようにしたが、シンチレータの電圧を
変えたり、零にしたりする制御によって２次電子検出効
率を変えてもよい。もちろん、コレクタの電圧とシンタ
レータの電圧を変えることを併用しても良い。
【００３３】更に、２次電子検出器を対物レンズと試料
との間の空間に配置した例を説明したが、検出器を対物
レンズの上部に配置して、対物レンズ内を上方に向かう
２次電子を検出する方式にも本発明を適用することがで
きる。
との間の空間に配置した例を説明したが、検出器を対物
レンズの上部に配置して、対物レンズ内を上方に向かう
２次電子を検出する方式にも本発明を適用することがで
きる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の発
明においては、試料に照射する粒子線のエネルギーに応
じて検出器からの電界の強さを変化させ、更に電界の強
さに応じて粒子線の偏向量を変えるように構成したの
で、２次電子の検出効率を最適な状態とし、粒子線の試
料上の位置ずれを最小とすることができる。
明においては、試料に照射する粒子線のエネルギーに応
じて検出器からの電界の強さを変化させ、更に電界の強
さに応じて粒子線の偏向量を変えるように構成したの
で、２次電子の検出効率を最適な状態とし、粒子線の試
料上の位置ずれを最小とすることができる。
【００３５】第２の発明においては、第１の発明におい
て、試料や試料ホルダの形状に応じて電界の強さを変化
させるようにしたので、試料や試料ホルダの形状に関係
せず、２次電子の検出効率を最適とすることができる。
て、試料や試料ホルダの形状に応じて電界の強さを変化
させるようにしたので、試料や試料ホルダの形状に関係
せず、２次電子の検出効率を最適とすることができる。
【００３６】第３の発明においては、第１の発明におい
て、粒子線の電流に応じて電界の強さを変化させるよう
にしたので、プローブ電流の値に関係せず、２次電子の
検出効率を最適とすることができる。
て、粒子線の電流に応じて電界の強さを変化させるよう
にしたので、プローブ電流の値に関係せず、２次電子の
検出効率を最適とすることができる。
【００３７】第４の発明においては、第１の発明におい
て、２次電子検出器の２次電子を引き寄せるためのコレ
クタ電極をネット状とし、このネットの先端に針状の電
極を設けるようにしたので、２次電子の検出効率を高め
ることができる。
て、２次電子検出器の２次電子を引き寄せるためのコレ
クタ電極をネット状とし、このネットの先端に針状の電
極を設けるようにしたので、２次電子の検出効率を高め
ることができる。
【図１】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一例を示す図
である。
である。
【図２】コレクタ電圧と２次電子検出効率との関係を示
す図である。
す図である。
【図３】粒子線エネルギーと最適コレクタ電圧との関係
を示す図である。
を示す図である。
１ 電子銃 ２ 加速電圧制御部 ３ コンデンサレンズ ４ 対物レンズ ５ 試料ホルダ ６ 試料 ７，８ 偏向器 ９ 対物レンズ制御部 １０ 偏向器制御部 １１ ２次電子検出器 １２ コレクタ １７ 信号ライン １８ ＣＰＵ １９ 入力装置 ２０ 表示装置 ２１ メモリー
Claims (4)
- 【請求項１】 粒子線を試料上に細く絞って照射すると
共に、試料上の粒子線の照射位置を２次元的に走査し、
試料への粒子線の照射にともなって発生した２次電子を
電界によって検出器に引き寄せ検出するようにした粒子
線装置において、粒子線のエネルギーに応じて前記電界
の強さを変化させると共に、電界の強さに応じて粒子線
の偏向量を変えるようにした粒子線装置。 - 【請求項２】 試料や試料ホルダの形状に応じて電界の
強さを変化させるようにした請求項１記載の粒子線装
置。 - 【請求項３】 粒子線の電流に応じて電界の強さを変化
させるようにした請求項１記載の粒子線装置。 - 【請求項４】 ２次電子検出器の２次電子を引き寄せる
ためのコレクタ電極をネット状とし、このネットの先端
に針状の電極を設けた請求項１記載の粒子線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9226199A JPH1167137A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 粒子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9226199A JPH1167137A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 粒子線装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167137A true JPH1167137A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16841449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9226199A Withdrawn JPH1167137A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 粒子線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210702A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法 |
| JP2018195546A (ja) * | 2017-05-22 | 2018-12-06 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
-
1997
- 1997-08-22 JP JP9226199A patent/JPH1167137A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210702A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置及び印加電圧制御方法 |
| JP2018195546A (ja) * | 2017-05-22 | 2018-12-06 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |