JP4700103B2 - 揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体及びそれを用いたニッケル薄膜の蒸着法 - Google Patents
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また、本発明の化(I)の化合物は、下記反応式Bで示すように、トルエンなどの有機溶媒中で化(IV)の化合物と化(V)の化合物とを還流条件下で反応させて得ることができる。
本発明のニッケル錯体は分解反応の際に分子内β−水素除去の過程を通じて金属ニッケルに還元されると共に、アミノアルコール、ケトン及びエンジアミンのような揮発性炭化水素種を生成する。
実施例1:ビス(ジメチルアミノ−2−メチル−2−プロポキソ)ニッケル(II)[Ni(dmamp)2]
125mlのシュレンクフラスコ中で3.50g(15.10mmol)のNi(NH3)6Cl2を50mlのトルエンに懸濁させ、4.62g(33.20mmol)のジメチルアミノ−2−メチル−2−プロポキシドナトリウム[Na(dmamp)]を徐々に加えた。前記混合溶液の色が徐々に暗褐色に変った後、該混合物を窒素雰囲気下で約8時間還流させてからろ過した。得られたろ液を真空蒸留して溶媒を除去した後、得られた固体化合物を10−2Torrの減圧下で60℃で昇華させることによって精製し、融点が118〜119℃(収率:72.9%)である暗褐色固体状の標題化合物3.20gを得た。
125mlのシュレンクフラスコ中で2.00g(8.63mmol)のNi(NH3)6Cl2を50mlのトルエンに懸濁させ、2.90g(17.34mmol)のジエチルアミノ−2−メチル−2−プロポキシドナトリウム[Na(deamp)]を徐々に加えた。前記混合溶液の色が徐々に暗褐色に変った後、該混合物を窒素雰囲気下で約8時間還流させてからろ過した。得られたろ液を真空蒸留して溶媒を除去した後、得られた固体化合物を10−2Torrの減圧下で60℃で昇華させることによって精製し、融点が54〜55℃(収率:61.7%)である暗褐色固体状の標題化合物3.20gを得た。
125mlのシュレンクフラスコ中で4.50g(19.3mmol)のNi(NH3)6Cl2を50mlのトルエンに懸濁させ、6.00g(38.6mmol)のジメチルアミノ−2−メチル−2−ブトキシドナトリウム[Na(dmamb)]を徐々に加えた。前記混合溶液の色が徐々に暗褐色に変った後、該混合物を窒素雰囲気下で約8時間還流させてからろ過した。得られたろ液を真空蒸留して溶媒を除去した後、得られた液体残渣を10−2Torrの減圧下で80℃で昇華させることによって精製し、緑色の液状の標題化合物5.07gを得た。
実施例4
表面に酸化膜が形成されたSi(001)ウエハを10−5Torrの初期圧力下で200、250、300又は350℃の温度に加熱処理した。実施例1で製造されたNi(dmamp)2を60℃で蒸発させ、その蒸気をアルゴンキャリアガス(流速:4sccm)を用いて全圧10mTorrの条件下でウエハ表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
表面に酸化膜が形成されたSi(001)ウエハを10−3Torrの初期圧力下で250、300、350、400、450又は500℃の温度に加熱処理した。実施例1で製造されたNi(dmamp)2を60℃で蒸発させ、その蒸気をアルゴンキャリアガス(流速:4sccm)を用いて全圧100mTorr下でウエハ表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
表面に酸化膜が形成されたSi(001)ウエハを40mTorrの初期圧力下で300℃の温度に加熱処理した。実施例3で製造されたNi(dmamp)2を40℃で蒸発させ、その蒸気をアルゴンキャリアガス(流速:4sccm)と一緒に水素ガス流(流速:10sccm)を用いて全圧70mTorr下でウエハの表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
表面に酸化膜が形成されたSi(001)ウエハを2mTorrの初期圧力下で270、280、290、300、310、330又は350℃の温度に加熱処理した。実施例3で製造されたNi(dmamp)2を70℃で蒸発させ、その蒸気を全圧80mTorr下でキャリアガスを用いずにウエハの表面に搬送させ、該ウエハ表面上に膜を蒸着させた。
Claims (7)
- 前記R1 は線状または分枝状のC 2−4 アルキルであり、前記R2、R3及びR4はそれぞれ独立的にCH3、C2H5、CH(CH3)2またはC(CH3)3であり、mは1または2であることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
- 請求項1に記載の化合物の蒸気を200〜500℃の範囲の温度に加熱された基材に接触させることを含む、基材上にニッケル薄膜を蒸着させる方法。
- 前記基材が250〜350℃の範囲の温度に加熱されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記化合物が30〜100℃の範囲の温度で揮発されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
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