KR100576932B1 - 휘발성 니켈 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조 방법 및이를 이용한 니켈 박막의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 신규한 니켈 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 니켈 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 자성 물질 박막의 증착 또는 여러 가지 합금의 증착에 니켈의 원료 물질로서 유용하게 사용할 수 있다:
상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C1-C4의 선형 또는 분지형 알킬기이다.
Description
도 1은 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조한 Ni(dmamp)2 화합물의 양성자 핵자기 공명 분광 (1H NMR) 스펙트럼이고,
도 2는 본 발명에 따른 실시예 2에서 제조한 Ni(deamp)2 화합물의 양성자 핵자기 공명 분광 (1H NMR) 스펙트럼이고,
도 3은 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조한 Ni(dmamp)2 화합물의 푸리에 변환 적외선 분광 (FT-IR) 스펙트럼이고,
도 4는 본 발명에 따른 실시예 2에서 제조한 Ni(deamp)2 화합물의 푸리에 변환 적외선 분광 (FT-IR) 스펙트럼이고,
도 5는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조한 Ni(dmamp)2 화합물의 열무게 분석 (TGA) 및 시차 열분석 (DTA) 결과를 나타내는 그래프이고,
도 6은 본 발명에 따른 실시예 2에서 제조한 Ni(deamp)2 화합물의 열무게 분석 (TGA) 및 시차 열분석 (DTA) 결과를 나타내는 그래프이고,
도 7은 본 발명에 따른 실시예 3에서 제조한 Ni(dmamp)2 화합물을 사용하여 기질 온도 250 ℃에서 얻은 박막의 X-선 회절 무늬이고,
도 8은 본 발명에 따른 실시예 4에서 제조한 Ni(dmamp)2 화합물을 사용하여 기질 온도 200 ℃에서 얻은 박막의 X-선 회절 무늬이며,
도 9는 본 발명에 따른 실시예 3에서 제조한 Ni(dmamp)2 화합물을 사용하여 기질 온도 250 ℃에서 얻은 박막의 주사 전자 현미경 사진이다.
본 발명은 신규한 니켈 2가 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속 유기물 화학 증착법(MOCVD)으로 니켈 박막을 제조하는 데 선구 물질로서 유용한 니켈 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 박막의 제조에 관한 것이다.
니켈은 다양한 박막 물질로 사용되고 있으며 흔히 다른 금속과의 합금 형태로 이용되고 있다. 예를 들어, 반도체 장치에서 접촉 물질(contact material)로서 AuGeNi 합금이 널리 이용되고 있으며, NiP2는 InP 화합물 반도체에서 이용되고 있다. 또한, 니켈 실리사이드 (nickel silicides), 니켈 갈라이드 (nickel gallides), 니켈 알루미나이드 (nickel aluminides) 등도 잠재적인 응용가능성 물질로서 주목받고 있다. 니켈을 포함하고 있는 다른 박막 형태는 나노 구조체의 자성 물질(T. Al-Kassab, M.-P. Macht, V. Naundorf, H. Wollenberger, S. Chambreland, F. Danoix, D. Blavette, Appl. Surf. Sci., 1996,
94/95, 306), 수소 저장 합금(N. Kuriyama, T. Sakai, H. Miyamura, H. Tanaka, H. Ishikawa, I. Uehara, Vacuum, 1996, 47, 889), 미소 기전 가동 장치(microelectromechanical actuator) (F. Goldberg, Ё, J. Knystautas, Mater. Sci. Eng., 1996, B40, 185) 등에 널리 응용되고 있다.
이러한 박막의 제조 기술로는 금속 유기물 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)이 가장 널리 이용되고 있는데, 이는 제조된 막의 층덮임이 우수하고 기판에 대한 선택 증착이 가능하며 대면적 박막의 제조에 적합하다는 장점이 있기 때문이다. 그러나 MOCVD를 박막 제조에 효과적으로 적용하기 위해서는 우선적으로 우수한 특성을 갖는 선구 물질의 확보가 중요하며, 따라서 선구 물질의 개발과 특성의 이해가 필수적이다. MOCVD용 선구 물질은 증기압이 충분히 높아야 하고, 기화시키기 위해 가열하는 동안 분해되지 않을 만큼 열적으로 충분히 안정해야 하며, 비교적 낮은 기질 온도에서 분해되어 원하는 물질을 증착시킬 수 있어야 한다. 또한 취급과 저장이 용이해야 하며 인체에 유해하지 않아야 하는 부수적인 조건도 필요하다.
니켈 증착을 위한 선구 물질로 처음에는 사카르보닐화니켈 [Ni(CO)4]이 사용되었으나, 이는 매우 유독하다(H. E. Carlton, J. H. Oxley, AIChE Journal
1967, 13, 86). 다른 선구 물질로는 비스시클로펜타디에닐니켈 [Ni(η5-C5H5
)2] (G. T. Stauf, D. C. Driscoll, P. A. Dowen, S. Barfuss, M. Grade, Thin Solid Films
1987, 153, 421), 비스(메틸시클로펜타디에닐)니켈 [Ni(η5-CH3C5
H4)2] (H. D. Kaesz, R. S. Williams, R. F. Hicks, Y. J. A. Chen, Z. Xue, D. Xu, D. K. Shuh, H. Thridandam, Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
1989, 131, 395)과 같은 니켈로센 (nickelocene) 화합물이 있으며, Ni(acac)2 (여기에서, acac는 2,4-펜탄디오네이트이다) 및 Ni(hfac)2 (여기에서, hfac는 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디오네이트이다)와 같은 베타디케토네이트 리간드를 이용한 화합물이 있다 (R. L. Van Hemert, L. B. Spendlove, R. E. Sievers, J. Electrochem. Soc.,
1965, 112, 1123).
그러나, 이들 베타디케토네이트 리간드를 포함하는 화합물을 써서 금속 박막을 만드는 경우 산소와 탄소의 오염으로 인하여 막의 성질이 나빠지는 경향을 볼 수 있다. 이들 오염은 금속과 결합하고 있는 베타디케토네이트 리간드의 강한 결합성에 기인하는 것으로, 이를 줄이기 위하여 니켈에 질소가 결합한 형태의 리간드를 사용하여 니켈 박막을 제조한 예가 알려졌다 (J. D. Martin, P. Hogan, K. A. Abboud, K. H. Dahmen, Chem. Mater., 1998, 10, 2525). 그러나, 열분석 결과를 보면 이들 화합물은 비교적 높은 온도에서 휘발함을 알 수 있으며 또한 니켈 금속 막을 제조하기 위하여 수소를 환원제로 사용하였지만, 제조한 막은 여전히 탄소와 산소로 오염하여 있음을 알 수 있다.
일반적으로 MOCVD용 선구 물질로 사용되기 위하여 가장 중요한 것 중의 하나는 휘발성이 높은 화합물의 합성이다. 화합물의 휘발성을 증진하기 위하여 단순한 알콕사이드 리간드 대신에 두자리 리간드를 사용하여 금속의 배위 자리를 포화시키는 방법이 알려져 있으며, 두자리 리간드 중에서도 아미노알콕사이드 계열이 알콕시알콕사이드보다 더 유용하다고 알려져 있다 (L. G. Hubert-Pfalzgraf, H. Guillon, Appl. Organomet. Chem.,
1998, 12, 221). 그러나, 이러한 아미노알콕사이드 또는 알콕시알콕사이드 리간드를 사용하여 니켈 2가 화합물을 합성한 예는 아주 드물다 (P. Werndrup, S. Gohil, V. G. Kessler, M. Kritikos, L. G. Hubert-Pfalzgraf, Polyhedron
2001, 20, 2163).
이상과 같이 종래에 알려진 니켈 2가 화합물은 독성이 있거나, 충분히 높지 않은 휘발성, 제조한 막에 생기는 탄소 및 산소의 오염 등의 문제점이 있다.
이에, 본 발명자들은 예의 연구한 결과 니켈 박막 제조에 사용할 수 있는 MOCVD 선구 물질로서, 열적으로 안정하고 독성이 없고 휘발성이 높으며 수소 분자와 같은 외부 환원제 없이 낮은 온도에서 순수한 니켈 박막을 증착시킬 수 있는 니켈 2가 화합물을 개발함으로써 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서 본 발명에서는 이러한 종래의 문제점을 해결하고자 열적으로 안정하면서 휘발성이 매우 높은, 플루오르를 포함하지 않는 니켈 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 이용하여 니켈 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 아미노알콕사이드 화합물을 제공한다:
화학식 1
상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이며, R 및 R'은 C1-C4의 선형 또는 분지형 알킬기이다.
또한, 본 발명에서는 하기 화학식 2로 표시되는 니켈 아미노알콕사이드 화합물을 제공한다:
화학식 2
상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C1-C4의 선형 또는 분지형 알킬기이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
상기 화학식 1 및 2의 화합물에서, m은 1 또는 2인 것이 바람직하며, n은 2 또는 3인 것이 바람직하다. 특히, 화학식 1로 표시되는 화합물 중 R'이 메틸기고 R이 메틸 또는 에틸기인 화합물은 승화 온도가 10-2 Torr에서 60-70 ℃로 휘발성이 아주 뛰어난 고체이며, 녹는점 (< 120 ℃)이 비교적 낮은 것으로 나타났다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1 및 2의 니켈 아미노알콕사이드 화합물은 Ni[OCR'2(CH2)mNR2]2 및 Ni[OCR'2(CH
2)mO(CH2)nNR2]2로 표시될 수 있으며, 이들은 반응식 1 및 반응식 2에 나타낸 바와 같이 니켈 헥사아민 디클로라이드 [Ni(NH3)6Cl2
]와 같은 디할로겐화헥사아민니켈 화합물[Ni(NH3)6X2](여기에서, X는 Cl, Br 또는 I이다)과 2당량의 알칼리 금속염 형태의 화합물 MOCR'2(CH2)mNR2 또는 MOCR'2(CH2)mO(CH2)nNR2 (여기에서, M은 Li 또는 Na이다)을 각각 톨루엔과 같은 유기 용매중에서 환류 반응시켜 리간드 치환반응을 유도하여 얻을 수 있다:
또한, 상기와 같이 리간드 치환 반응을 이용하는 것 외에, 하기 반응식 3 및 4에 나타난 바와 같이, 니켈(II) 알콕사이드 [Ni(OR")2](여기에서, R"은 메틸, 에틸, 이소프로필 또는 t-부틸이다) 화합물과 2당량의 아미노알코올 화합물 [ HOC(R')2(CH2)mNR2 또는 HOC(R')2(CH2)
mO(CH2)nNR2](여기에서, m, n, R 및 R'는 상기에서 정의한 바와 같다)을 각각 톨루엔과 같은 유기 용매중에서 환류 반응시켜 알코올 교환반응을 유도하여 얻을 수 있다:
한편, 본 발명에서 합성한 니켈(II) 아미노알콕사이드 화합물이 열분해를 통해 금속 니켈로 환원되는 분해 반응 메커니즘은 예를 들어 하기 반응식 5로 나타낼 수 있다:
상기 반응식 5에 따른 환원 반응은 본 출원인의 대한민국 특허 출원 제 2003-0012108호에 제시된 Cu(dmamp)2를 사용하여 구리 박막을 제조한 반응의 메커니즘과 같은 방식으로, 본 발명에 따른 Ni(dmamp)2 화합물을 선구 물질로 사용하여 니켈 박막을 제조할 수 있다. 즉, 분해 반응 생성물들은 아미노알코올 [HOC(Me)2CH2NR2], 아세톤 (Me2CO), 및 엔디아민 [Me2
NC(H)=C(H)NMe2] 화합물들로 구성되고 이는 상기 반응식 5에 나타낸 분해 반응 메커니즘을 통해 진행된다.
상기 화학식 1 및 2로 표시되는 니켈 2가 화합물인 비스(아미노알콕시)니켈(II)은 상온에서 고체로서, 디에틸에테르, 테트라하이드로퓨란, 톨루엔 및 헥산 등과 같은 유기 용매에 대한 용해도가 매우 높으며, 분해 온 도 이전에서 충분한 휘발성을 보여줄 뿐만 아니라, 열분해를 통해 니켈로 환원되므로 니켈 증착(MOCVD)용 선구물질로서 적합하다. 본 발명에 따른 니켈 증착의 바람직한 온도 범위는 250 내지 350℃ 이다.
본 발명의 화합물들이 녹는점이 낮고, 휘발성이 높으며 유기 용매에 대한 용해도가 뛰어난 것은 아미노알콕사이드 리간드 2개가 니켈 2가 이온에 4배위함으로써 니켈 이온의 배위수를 충족시켜 줄 뿐만 아니라 알파 탄소 위치에 있는 2개의 메틸 기와 아민의 질소 원자에 치환된 2개의 알킬 기가 산소와 질소를 효과적으로 가림으로써 분자간 상호 작용을 감소시킴과 동시에 유기 용매에 대한 친화성을 높여주기 때문인 것으로 보인다.
이상에서 언급한 바와 같이, 본 발명에 따른 니켈 화합물들은 분해 온도 이전에 충분한 휘발성을 보일 뿐만 아니라 열분해를 통해 니켈 금속으로 환원되기 때문에 외부의 환원제 없이 니켈 박막을 제조할 수 있는 선구 물질로서 매우 적합하다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예비 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
모든 실험은 장갑 상자 (glove box) 또는 슐렝크 관 (Schlenk line)을 이용하여 비활성 아르곤 또는 질소 분위기에서 수행하였다. 실시예 1 및 2에서 수득한 반응 생성물은 양성자 핵자기 공명 분광법 (1H NMR), 푸리에 변환 적외선 분광법 (Fourier transform infrared spectroscopy, FT-IR), 원소 분석법 (elemental analysis, EA), 질량 분석법 (mass spectrometry, MS; electron ionization, EI)을 이용하여 확인하였다.
실시예 1 및 2에서 합성한 니켈 화합물들의 열적 안정성, 휘발성 및 분해 온도를 측정하는 데는 열무게 분석법/시차 열분석법 (thermogravimetric analysis/differential thermal analysis, TGA/DTA)을 이용하였다.
니켈 아미노알콕사이드 화합물의 합성 및 분석
실시예 1: 비스(디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)니켈(II) (C12H28N2O2
Ni)
125㎖의 슐렝크 플라스크에서 Ni(NH3)6Cl2 (3.50g, 15.10mmol)를 톨루엔 (50㎖)에 녹여 현탁액을 만든 후에 Na(dmamp) (4.62 g, 33.20 mmol)를 서서히 가하였다. 용액의 색깔이 수분 후에 어두운 갈색으로 변하기 시작하면 플라스크 위에 냉각관을 연결하여 질소 분위기에서 약 8시간 동안 환류 반응시켰다. 반응이 끝나면 용액을 여과하고, 감압하에서 용매를 제거하여 진한 갈색의 고체 화합물을 얻었다. 얻은 고체 화합물을 다시 10-2 Torr로 감압하고 60℃에서 승화시켜 갈색 결정 형태로 정제하였다
녹는점: 118-119 ℃
수율: 3.20g (72.9%)
1H NMR (ppm, C6D6): 1.379 (s, 6H, -C(CH 3)2), 1.728 (s, 2H, -CH 2), 2.317 (s, 6H, -N(CH 3)2)
원소 분석: 계산치 C, 49.52; H, 9.70; N, 9.62; 실측치 C, 49.08; H, 9.45; N, 9.47.
FT-IR (cm-1, KBr 펠렛): ｖ(Ni-O) 551, 527, 453
질량 분석 (EI, 70 eV), m/z (이온, 상대 강도): 290 ([Ni(L)2]+, 38), 232 ([Ni(L)2-CH2NMe2]+, 11), 217 ([Ni(L)2-CH2
NMe2-Me]+, 14), 174 ([Ni(L)]+, 100), 159 ([Ni(L)-Me]+, 20), 116 ([Ni(L)-CH2NMe2]+, 29), 58 ([CH2
NMe2]+, 77)
실시예 2: 비스(디에틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)니켈(II) (C16H36N2O2
Ni)
125㎖의 슐렝크 플라스크에서 Ni(NH3)6Cl2 (2.00 g, 8.63 mmol)를 톨루엔(50 ㎖)에 녹여 현탁액을 만든 후에, Na(deamp) (2.90 g, 17.34 mmol)를 서서히 가하였다. 용액의 색깔이 수분 후에 짙은 갈색으로 변하기 시작하면 플라스크 위에 냉각관을 연결하여 질소 분위기에서 약 8시간 동안 환류 반응시켰다. 반응이 끝나면, 용액을 여과하고 감압하에서 용매를 제거하여 짙은 갈색 고체 화합물을 얻었다. 얻은 고체 화합물을 다시 10-2 Torr로 감압하고, 60℃에서 승화시켜 짙은 갈색 결정 형태로 정제하였다.
녹는점: 54-55 ℃
수율: 1.85g (61.7%)
1H NMR (ppm, C6D6): 1.335 (s, 6H, -C(CH 3)2), 1.675 (s, br, 6H, -N(CH2CH 3)), 1.873 (s, 2H, -CH 2), 2.422, 3.009 (s, br 4H, -N(CH 2CH3))
원소 분석: 계산치 C, 55.35; H, 10.45; N, 8.07; 실측치 C, 50.95; H, 9.69; N, 8.60.
FT-IR (cm-1, KBr 펠릿): ⅴ(Ni-O) 592, 531, 443
질량 분석 (EI, 70 eV), m/z (이온, 상대 강도): 346 ([Ni(L)2]+, 16), 230 ([Ni(L)2-CH2NEt2-Me2]+, 25), 202 ([Ni(L)]+
, 39), 130 ([Ni(L)-NEt2]+, 44), 86 ([L-Et2]+, 100), 58 ([OCMe2]+, 45)
상기 실시예 1 및 2에서 합성한 니켈 화합물의 핵자기 공명 분광(1H NMR) 스펙트럼을 각각 도 1 및 2에, FT-IR(푸리에 변환 적외선 분광법) 스펙트럼을 각각 도 3 및 4에 나타내었다.
또한, 상기 실시예 1 및 2에서 합성한 니켈 화합물의 열분해 무게 분석 시차 열분석(TGA/DTA) 그래프를 각각 도 5 및 도 6에 나타내었다. 도 5 및 도 6에서, Ni(dmamp)2와 Ni(deamp)2 화합물은 모두 100 내지 200 ℃에서 질량이 급격히 감소하였다. 또한, TG 그래프에서 T1/2 (온도에 따른 무게 감소에서 원래 시료의 1/2 무게에 도달할 때에 해당하는 온도)가 각각 150 ℃ 및 170 ℃ 였다.
니켈 박막의 제조
실시예 3
상기 실시예 1에서 합성한 비스(디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)니켈(II)을 선구 물질로서 사용하여 니켈 금속 박막을 규소 기질 위에 증착시켰다. 박막 증착에는 스테인레스 강 반응기를 사용하였고, 기질로는 규소 (001) 면 웨이퍼를 사용하였다. 먼저, 증류수와 아세톤으로 기질을 세척한 후에 황산과 과산화수소수를 3:1로 섞은 용액에 담그고 이를 80℃로 30분간 가열 처리하여 산화막이 형성된 규소 기질을 준비하였다. 산화막이 형성된 규소 기질을 증류수로 다시 세척한 후에 질소를 이용하여 말리고 반응기 안의 가열기에 장착하였다. 반응기의 초기 압력은 10-5 mTorr였고, 증착 중에는 선구 물질의 온도를 60 ℃로 유지하였으며, 운반 가스로 아르곤을 4sccm 사용하여 반응기 안으로 실시예 1에서 얻은 선구 물질을 주입하였다. 이때 반응기의 압력을 10 mTorr로 유지하였으며 기질의 온도를 250℃로 유지하였다.
수득된 박막을 X선 광전자 분광법으로 확인한 결과, 니켈의 광전자 봉우리와 니켈 오제 (Auger) 선으로부터 금속 니켈 박막임을 알 수 있었다. 박막의 성분은 니켈, 산소 및 탄소로 되어 있었으나, 산소와 탄소는 박막 증착 후에 분석을 위해 이동하는 과정에서 오염된 것으로 보인다. 이 니켈 금속 박막의 결정성을 X선 회절법으로 관찰하였으며, 도 7에 도시된 X선 회절 무늬는 2θ= 39.31o, 2θ = 41.70o, 2θ= 44.81o 및 2θ= 58.79o 위치에서 봉우리를 보였다. 이로부터, 비스(디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)니켈(II) 선구 물질을 사용하여 250℃에서 규소 기질 위에 제조한 금속 니켈 박막은 결정성을 가짐을 알 수 있다.
또한, 250℃에서 수득된 니켈 박막의 주사 전자 현미경 사진에서는 각 입자의 크기가 100nm 이하인 박막이 아주 치밀하게 형성되었음을 알 수 있다(도 9).
실시예 4
기질의 온도를 200, 300, 350 ℃로 변화시켜 증착 실험을 하는 것을 제외하고는 실시예 3과 같은 공정으로 니켈 박막을 제조하였다. 수득된 박막의 X선 광전자 스펙트럼에서 니켈 광전자 봉우리와 니켈 오제(Auger)선이 뚜렷이 보여 금속 니켈 박막이 형성되었음을 확인하였다. 각 온도에서의 박막의 결정성을 X선 회절법으로 조사한 결과, 300 및 350℃에서 제조한 박막의 경우 250 ℃의 경우와 비슷한 2θ위치에서 봉우리가 관찰된 반면, 도 8에 도시된 바와 같이 200℃에서 제조한 박막의 경우에는 아무런 봉우리도 관찰되지 않아 비결정성임을 확인하였다.
이로부터, 비스(디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)니켈(II)을 선구 물질로서 사용하여 250 내지 350 ℃에서 규소 기질 위에 제조한 금속 니켈 박막이 결정성을 가짐을 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 니켈(II) 아미노알콕사이드 화합물은 휘발성이 매우 높고 열적으로 충분히 안정하며 또한 외부 환원제 없이 자체 열분해하여 니켈로 환원되므로 고순도, 고품질의 니켈 박막을 제조하기 위한 MOCVD용 선구 물질로서 유용하게 사용할 수 있다.
Claims (6)
- 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 아미노알콕사이드 화합물:화학식 1
상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이며, R 및 R'은 C1-C4의 선형 또는 분지형 알킬기이다. - 하기 화학식 2로 표시되는 니켈 아미노알콕사이드 화합물:화학식 2
상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C1-C4의 선형 또는 분지형 알킬기이다. - 할로겐화헥사아민니켈 화합물[Ni(NH3)6X2](여기에서, X는 Cl, Br 또는 I이다)을 아미노알콕사이드의 알칼리 금속염[MOCR'2(CH2)mNR2](여기에서, M은 Li 또는 Na이고, m, R 및 R'는 제 1항에서 정의한 바와 같다)와 반응시키는 것을 포함하는, 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 화합물의 제조 방법.
- 니켈 알콕사이드 화합물 [Ni(OR")2](여기에서, R"은 메틸, 에틸, 이소프로필 또는 t-부틸이다)을 아미노알코올 화합물 [ HOC(R')2(CH2)mNR2](여기에서, m, R 및 R'는 제 1항에서 정의한 바와 같다)과 반응시키는 것을 포함하는, 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 화합물의 제조 방법.
- 제 1항 또는 제 2항의 니켈 아미노알콕사이드 화합물을 선구 물질로 사용하여 니켈 박막을 성장시키는 방법.
- 제 5항에 있어서, 니켈 박막의 성장 온도를 250 내지 350℃ 범위로 하는 것을 특징으로 하는 방법.
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