KR101720371B1 - 인듐 클로르디알콕사이드의 제조 방법 - Google Patents
인듐 클로르디알콕사이드의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101720371B1 KR101720371B1 KR1020127015505A KR20127015505A KR101720371B1 KR 101720371 B1 KR101720371 B1 KR 101720371B1 KR 1020127015505 A KR1020127015505 A KR 1020127015505A KR 20127015505 A KR20127015505 A KR 20127015505A KR 101720371 B1 KR101720371 B1 KR 101720371B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- indium
- radical
- formula
- composition
- alkyl
- Prior art date
Links
- -1 indium chloride alkoxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims description 12
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M indium(i) bromide Chemical compound [Br-].[In+] KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N indium(3+) Chemical compound [In+3] RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 2
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HQPSKTOGFFYYKN-UHFFFAOYSA-N CC(C)[Na] Chemical compound CC(C)[Na] HQPSKTOGFFYYKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical class CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKVXNPJXXJUGQ-UHFFFAOYSA-N [CH2]CCCC Chemical compound [CH2]CCCC BFKVXNPJXXJUGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- URQZMABFPYVXBW-UHFFFAOYSA-M chloro(dimethoxy)indigane Chemical compound CO[In](Cl)OC URQZMABFPYVXBW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009838 combustion analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N methanolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical class C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical class CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical class C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
본 발명은 인듐 3할로겐화물 InX3 (상기 식에서, X는 F, Cl, Br 및/또는 I임) 및 화학식 ROH (상기 식에서, R은 알킬 라디칼, 알킬옥시알킬 라디칼임)의 1종 이상의 알코올을 포함하는 배합물 (A)를, 화학식 R'2NH (상기 식에서, R'은 알킬 라디칼임)의 1종 이상의 2차 아민을 포함하는 배합물 (B)와 반응시키는, 화학식 InX(OR)2 (상기 식에서, X는 F, Cl, Br, I이고, R은 알킬 라디칼, 알킬옥시알킬 라디칼임)의 인듐(III)할로겐 디알콕사이드의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 상기 방법에 따라 제조되는 인듐(III)할로겐 디알콕사이드 및 그의 용도에 관한 것이다.
Description
본 발명은 인듐 클로르디알콕사이드의 제조 방법, 본 발명에 따른 방법에 의해 제조할 수 있는 인듐 클로르디알콕사이드 및 그의 용도에 관한 것이다.
인쇄 및 다른 액착 공정에서 반도체의 침착을 연속 공정으로 실시할 수 있기 때문에, 인쇄 및 다른 액착 공정을 통한 반도성 전자 부품 층의 제조는 많은 다른 공정, 예를 들어, 화학 증착 (CVD)과 비교하여 훨씬 더 낮은 생산 비용을 가능케 한다. 더구나, 비교적 낮은 공정 온도의 경우, 또한 가요성 기판 상에서의 작업 및 임의로는 (특별히 매우 얇은 층의 경우 및 특히 산화물 반도체의 경우에) 인쇄된 층의 광학적 투명성을 달성하는 것이 가능하다. 여기 및 하기에서, 반도성 층은 50 V 게이트 소스 전압(gate source voltage) 및 50 V 소스 드레인 전압(source drain voltage)에서 채널 깊이가 20 μm인 부품의 경우에 전하 캐리어 이동성이 1 내지 50 cm2/Vs인 층을 의미하는 것으로 해석된다.
인쇄 공정을 통해 제조하고자 하는 부품 층의 물질이 각각의 층의 특성을 결정적으로 결정하기 때문에, 그의 선택은 상기 부품 층을 함유하는 각 부품에 유의한 영향을 미친다. 인쇄된 반도체 층에 있어서 중요한 파라미터는 이들 각각의 전하 캐리어 이동성 및 이들의 제조에 사용되는 인쇄가능한 전구체의 가공성 및 가공 온도이다. 상기 물질은 다수의 적용 및 기판에 적합하게 하기 위해 전하 캐리어 이동성이 양호해야 하고 용액으로부터 및 실질적으로 500℃ 미만의 온도에서 제조될 수 있어야 한다. 제조된 반도성 층의 광학적 투명성도 또한 많은 신규한 적용에 있어 바람직하다.
3.6 내지 3.75 eV의 큰 에너지 갭 (증착에 의해 도포된 층에 대해 측정함, 문헌 [H.S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, T.J. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581])으로 인해, 산화인듐 (산화인듐(III), In2O3)은 유망하고 이에 따라 손쉽게 사용되는 반도체이다. 더구나, 수백 나노미터 두께의 박막은 550 nm에서 90% 초과의 가시 스펙트럼 범위에서 높은 투명도를 가질 수 있다. 극도로 고도로 정렬된 산화인듐 단결정에서, 160 cm2/Vs 이하의 전하 캐리어 이동성이 또한 측정될 수 있다. 그러나, 이러한 값은 지금까지의 용액으로부터의 가공에 의해서는 아직 달성되지 못하였다 (문헌 [H. Nakazawa, Y. Ito, E. Matsumoto, K. Adachi, N. Aoki, Y. Ochiai; J. Appl. Phys. 2006, 100, 093706] 및 [A. Gupta, H. Cao, Parekh, K.K.V. Rao, A.R. Raju, U.V. Waghmare; J. Appl. Phys. 2007, 101, 09N513]).
산화인듐은 특히 산화주석(IV) (SnO2)과 함께 반도성 혼합 산화물 ITO로서 종종 사용된다. ITO 층의 비교적 높은 전도도와 동시에 가시 스펙트럼 범위에서의 투명도로 인해, 이는 특히 액정 디스플레이 (LCD) 영역에서, 특히 "박막 전극"으로 사용된다. 이러한 일반적으로 도핑된 금속 산화물 층은 특히 고진공에서 값비싼 증착 방법에 의해 공업적으로 제조된다. ITO-코팅된 기판의 큰 상업적 관심으로 인해, 현재, 특히 졸-겔 기법을 기초로 하는, 산화인듐 함유 층을 위한 코팅 방법이 존재한다.
원칙적으로, 인쇄 공정을 통한 산화인듐 반도체의 제조를 위해서 1) (나노)입자가 인쇄가능한 분산액 중에 존재하고 인쇄 공정 이후에 소결 공정에 의해 목적하는 반도체 층으로 전환되는 입자 개념, 및 2) 하나 이상의 가용성 또는 분산성 전구체가 상응하는 조성물의 인쇄 후 산화인듐 함유 층으로 전환되는 전구체 개념의 2가지 가능성이 있다. 입자 개념은 전구체의 사용에 비해 2가지 중요한 이점이 있다: 첫째로, 입자 분산액은 콜로이드 불안정성을 가지며, 이는 (후속 층의 특성에 불리한) 분산 보조제의 사용을 필요로 하고, 두번째로, 사용할 수 있는 입자 중 다수는 (예를 들어 부동태화 층으로 인해) 소결에 의해 단지 불완전한 층만을 형성하므로, 일부 경우에 미립자 구조가 층 내에 발생할 수도 있다. 상당한 입자-입자 저항성이 이들의 입자 경계에서 일어나고 이는 전하 캐리어의 이동성을 감소시키고 일반적인 층 저항성을 증가시킨다.
산화인듐 층의 제조를 위한 다양한 전구체가 있다. 따라서, 인듐 염에 더하여, 인듐 알콕사이드 (동종리간드 화합물, 즉, 인듐 및 알콕사이드 라디칼만을 갖는 화합물)를 산화인듐 함유 층의 제조를 위한 전구체로 사용하는 것이 가능하다.
예를 들어, 막스(Marks) 등은 메톡시에탄올 중에 용해된 염기 모노에탄올아민 (MEA) 및 염 InCl3을 포함하는 전구체 함유 조성물을 사용하여 제조되는 부품을 기재하였다. 조성물의 스핀-코팅 이후, 상응하는 산화인듐 층을 400℃에서 열 처리에 의해 제조한다 (문헌 [H.S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, T.J. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581 및 보충 정보]).
인듐 염 함유 조성물과 비교하면, 인듐 알콕사이드 함유 조성물은 보다 낮은 온도에서 산화인듐 함유 코팅으로 전환할 수 있다는 이점이 있다. 또한, 할로겐 함유 전구체가 잠재적으로 보다 낮은 품질의 할로겐 함유 층을 야기하는 단점이 있다고 지금까지 가정되어 왔다. 상기 이유로, 층 형성시 인듐 알콕사이드를 이용한 시도가 과거에 수행되었다.
인듐 알콕사이드 및 그의 합성은 지난 백년 중 70년대부터 기재되어 왔다.
따라서, 예를 들어, 카말트(Carmalt) 등은 종설 논문에서, 특히, 인듐(III) 알콕사이드 및 알킬알콕사이드의 합성, 구조 및 반응성에 관해 지금까지 공지된 데이터를 개괄하였다 (문헌 [Carmalt et al., Coord. Chem Rev. 250 (2006), 682 - 709]).
인듐 알콕사이드의 가장 오랫동안 공지된 합성 중 하나는 차터지( Chatterjee) 등에 의해 기재되어 있다. 이들은 인듐(III) 클로라이드 (InCl3)와 나트륨 알콕사이드 Na-OR (R은 -메틸, -에틸, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸 및 n-펜틸, sec-펜틸 및 tert-펜틸 라디칼을 나타냄)로부터의 인듐 트리스알콕사이드 In(OR)3의 제조를 기재하였다 (문헌 [S. Chatterjee, S. R. Bindal, R.C. Mehrotra; J. Indian Chem. Soc. 1976, 53, 867]).
브래들리(Bradley) 등은 차터지 등과 유사한 반응을 보고하였고, 거의 동일한 출발 물질 (InCl3, 이소프로필-나트륨) 및 반응 조건으로, 중심 원자로서 산소를 갖는 인듐-옥소 클러스터를 얻었다 (문헌 [D.C. Bradley, H. Chudzynska, D.M. Frigo, M.E. Hammond, M.B. Hursthouse, M.A. Mazid; Polyhedron 1990, 9, 719]).
생성물 내 염소의 특히 낮은 오염을 유발하는 상기 방법의 특히 양호한 변형은 US 2009-0112012 A1호에 기재되어 있다. 생성물 내의 염소 불순물을 가능한 한 낮은 정도로 달성하고자 하는 노력은 염소 불순물이 전자 부품의 성능 및 수명의 감소에 기여한다고 지금까지 가정되어 왔다는 점에 기인한다 (예를 들어 US 6,426,425 B2호 참조).
또한, 인듐(III) 할라이드가 염기성 매질에서 알코올과 반응하는, 인듐 할라이드이지만 다른 염기를 기재로 하는 순수한 인듐 알콕사이드의 제조를 위한 방법이 US 5,237,081 A호에 기재되어 있다. 염기는 친핵성이 낮은 강염기인 것으로 언급되어 있다. 예로서 언급되는 착물 환형 헤테로사이클에 더하여, 예로서 언급되는 염기는 3차 아민이다.
US 4,681,959 A호에는 적어도 2가인 금속의 할라이드를, 바람직하다면 방향족 용매의 존재하에, 알코올과 반응시켜 중간체 (금속의 할로겐-알콕시 화합물)를 먼저 제공하는, 금속 알콕사이드 (특히 테트라알콕시 화합물, 예컨대 테트라메틸 티타네이트)의 제조를 위한 일반적인 2단계 방법이 기재되어 있다. 이어서, 중간체를 히드로겐 할라이드 수용체 (특히 3차 아민)의 존재하에 알코올과 반응시켜 금속 알콕사이드를 형성한다.
동종리간드 인듐 알콕사이드 착물에 대한 별법의 합성 경로는 문헌 [Seigi Suh et al., J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9396 - 9404]에 기재되어 있다. 그러나, 상기 문헌에 기재된 방법은 매우 복잡하고/하거나 시판되지 않는 (그리고 이에 따라 먼저 상류 단계에서 불리한 방식으로 합성해야 하는) 출발 물질을 기재로 한다.
놀랍게도, 본 발명에 이르러, 염소 함유 전구체가 불가피하게 불리한 층을 야기한다는 지금까지의 가정이 항상 진실인 것은 아님을 발견하였다. 따라서, 액체 전구체 조성물을 기판에 도포하고 코팅 필름을 열 전환 이전에 먼저 UV 복사로 처리하는 전구체 기재 방법에서, 인듐 알콕사이드 대신에 인듐 클로르디알콕사이드를 사용하는 경우, 보다 양호한 전기 특성, 특히 보다 높은 전계 효과 이동성 μFET를 갖기 때문에 훨씬 더 양호한 층이 생성된다. 따라서, 인듐 클로르디알콕사이드의 합성 방법은 상당히 흥미롭다.
할로겐-알콕시-금속 화합물의 제조를 위한 일반적인 방법은 US 4,681,959 A호에 기재되어 있으며, 여기에 적어도 2가인 금속의 할라이드를 - 바람직하다면 방향족 용매의 존재하에 - 알코올과 반응시켜 중간체 (금속의 할로겐-알콕시 화합물)를 먼저 제공하는, 금속 알콕사이드 (특히 테트라알콕시 화합물, 예컨대 테트라메틸 티타네이트)의 제조를 위한 2단계 방법이 일반적으로 기재되어 있다. 형성되는 히드로겐 할라이드는 바람직하게는, 예를 들어, 질소와 같은 비활성 기체를 이용하여 배출한다. 그러나, 상기 문헌에 기재된 방법은 인듐 할라이드를 출발 물질로 사용하는 경우, 알코올과의 반응이 매우 느리게 일어나거나 InCl3(ROH)x 유형의 부가물의 형성 이후에 종결된다는 단점이 있다.
인듐 할로알콕사이드 및 그의 합성은 JP 02-113033 A호 및 JP 02-145459 A호에 기재되어 있다. 따라서, JP 02-113033 A호에는 혼입하고자 하는 알콕사이드 라디칼에 상응하는 알코올 중에 인듐 클로라이드를 용해시킨 후에, 특정 비의 알칼리 금속 또는 알칼리 금속 알콕사이드를 후속 첨가하여 인듐의 염소 함유 알콕사이드를 제조할 수 있음이 개시되어 있다. 상응하는 방법은 또한 JP 02-145459 A호에 기재되어 있다. 그러나, 생성된 인듐 클로르알콕사이드의 나트륨으로의 가능한 오염은 상기 방법의 단점을 구성한다.
따라서, 본 발명의 목적은 선행 기술의 단점, 특히 느린 반응 속도 및 합성에서 생성되는 불순물을 피하는 인듐 클로로디알콕사이드의 합성 방법을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 상기 목적은 인듐 트리할라이드 InX3 (상기 식에서, X는 F, Cl, Br 및/또는 I임) 및 화학식 ROH (상기 식에서, R은 알킬 라디칼, 옥시알킬 라디칼임)의 1종 이상의 알코올을 포함하는 조성물 (A)를, 화학식 R'2NH (상기 식에서, R'은 알킬 라디칼임)의 1종 이상의 2차 아민을 포함하는 조성물 (B)와 반응시키는, 화학식 InX(OR)2 (상기 식에서, X는 F, Cl, Br, I이고, R은 알킬 라디칼, 알킬옥시알킬 라디칼임)의 인듐(III) 할로디알콕사이드의 제조를 위한 본 발명에 따른 방법에 의해 달성된다.
도 1은 실시예에서의 생성물 및 사용 출발 물질 InCl3의 IR 스펙트럼을 도시한다.
알킬 또는 알킬옥시알킬 라디칼 R은 바람직하게는 C1- 내지 C15-알킬 또는 알콕시알킬 기, 즉, 총 1개 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 알킬옥시알킬 기를 의미하는 것으로 해석된다. -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2OCH3, -CH(CH3)2 또는 -C(CH3)3으로부터 선택되는 알킬 또는 알킬옥시알킬 라디칼 R이 바람직하다.
원칙적으로, 모든 인듐 트리할라이드 InX3을 사용할 수 있다. 상기 식에서, X는 각 경우 서로 독립적으로 F, Cl, Br 및/또는 I일 수 있다. 그러나, 오직 1종의 할라이드의 인듐 트리할라이드, 즉 InF3, InCl3, InBr3 또는 InI3 인듐 트리할라이드가 바람직하게 사용된다. 이들의 손쉬운 이용가능성으로 인해, InCl3 및 InBr3 인듐 트리할라이드의 사용이 특히 바람직하다.
인듐 트리할라이드 InX3은, 조성물 (A)의 총 질량을 기준으로, 바람직하게는 0.1 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 1 내지 25 중량%, 매우 특히 바람직하게는 2 내지 10 중량%의 비로 사용된다.
인듐 트리할라이드를 포함하는 조성물 (A)는 이를 용해된 형태로, 즉, 해리된 형태로 또는 용매 분자/알코올 분자와 착물화된 분자 수준으로, 또는 액체 상 중에 분산된 형태로 포함할 수 있다.
조성물 (A)는 화학식 ROH (상기 식에서, R은 알킬 또는 알콕시알킬 라디칼임)의 1종 이상의 알코올을 추가로 포함한다. 따라서, 조성물은 또한 2종 이상의 알코올을 포함할 수 있다. 그러나, 특정 유형의 알콕사이드의 인듐(III) 할로디알콕사이드의 바람직한 제조를 위해서는, 오직 1종의 알코올만이 조성물 (A) 내에 존재해야 한다.
바람직하게 사용할 수 있는 알코올은 바람직하게는 C1- 내지 C15-알킬 또는 알콕시알킬 라디칼, 즉, 총 1개 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 알킬옥시알킬 기로부터 선택되는 라디칼 R을 갖는다. -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2OCH3, -CH(CH3)2 또는 -C(CH3)3으로부터 선택되는 알킬 또는 알킬옥시알킬 라디칼 R을 갖는 알코올이 바람직하게 사용된다.
알코올 ROH는, 조성물 (A)의 총 질량을 기준으로, 바람직하게는 50 내지 99.9 중량%, 특히 바람직하게는 75 내지 99 중량%, 매우 특히 바람직하게는 80 내지 96 중량%의 비로 사용된다.
조성물 (A)는 반응에 대해 불활성인 1종 이상의 액체 용매 또는 분산 매질, 즉, 반응 조건하에 InX3과 반응하지 않는 용매/분산 매질 또는 여러 용매/분산 매질의 혼합물을 추가로 포함할 수 있다. 비양성자성 용매, 특히 비양성자성 비극성 용매, 즉, 알칸, 치환된 알칸, 알켄, 알킨, 지방족 또는 방향족 치환체가 있거나 없는 방향족 화합물, 할로겐화 탄화수소 및 테트라메틸실란으로 이루어진 군, 및 비양성자성 극성 용매, 즉, 에테르, 방향족 에테르, 치환된 에테르, 에스테르 또는 산 무수물, 케톤, 3차 아민, 니트로메탄, DMF (디메틸포름아미드), DMSO (디메틸 설폭사이드) 또는 프로필렌 카르보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 비양성자성 용매를 바람직하게 사용할 수 있다.
반응에 대해 불활성인 이러한 1종 이상의 액체 용매 또는 분산 매질이 조성물 (A) 내에 존재하는 경우, 조성물을 기준으로 한 그의 비는, 조성물의 총 질량을 기준으로, 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 1 내지 25 중량%, 매우 특히 바람직하게는 1 내지 10 중량%이다.
본 발명에 따르면, InX3을 포함하는 조성물 (A)는 또한, 인듐(III) 할로디알콕사이드의 합성을 위해, 화학식 R'2NH (상기 식에서, R'은 알킬 라디칼임)의 1종 이상의 2차 아민을 포함하는 조성물 (B)와 반응시킨다. 화학식 R'2NH의 1종 이상의 2차 아민은 바람직하게는 C1-C10-알킬 라디칼로 이루어진 군으로부터 서로 독립적으로 선택되는 라디칼 R'을 갖는 2차 아민이다. 바람직하게는, 오직 1종의 2차 아민이 사용된다. 보다 바람직하게는, 2차 아민은 라디칼 R'과 동일한 알킬 라디칼을 갖는다. 특히 바람직한 라디칼 R'은 선형 C1-C10-알킬 라디칼이다. 라디칼 R'이 메틸, 에틸 및 n-프로필인 경우 특히 양호한 결과가 얻어진다. R'이 메틸인 화학식 R'2NH의 2차 아민이 사용되는 경우 매우 특히 양호한 결과가 얻어지는데, 이는 상기 2차 아민이 바람직하게 사용되는 용매 또는 분산 매질 중에 특히 즉시 가용성이고, 이에 따라 특히 양호한 수율을 야기하기 때문이다.
특히 양호한 수율을 달성하기 위해, 1종 이상의 2차 아민을 인듐 트리할라이드 InX3에 대한 화학량론적 양의 실질적으로 2배 이상으로 첨가한다. 특히 바람직하게는, 2차 아민을 InX3 몰량의 4 내지 6배에 상응하는 양으로 사용한다.
증가된 생성물 수율을 달성하기 위해, 2차 아민을 용액 중에서 뿐 아니라 바람직하게는 분산 매질 중에 분산시켜 사용할 수도 있다. 그러나, 조성물 (B)는 특히 간단한 반응 절차를 위해 2차 아민을 배타적으로 포함할 수 있다.
반응은 바람직하게는 25℃ 내지 250℃ 범위의 온도에서 수행한다. 반응은 특히 바람직하게는 25℃ 내지 사용되는 알코올의 비등점에 상응하는 온도 범위인 온도에서 수행한다. 따라서, 온도는 특히 바람직하게는 25℃ 내지 125℃ 범위이다.
합성은 원칙적으로 대기압에서 또는 증가된 압력에서 실시할 수 있다. 그러나, 합성은 바람직하게는 대기압 (1013 mbar)에서 수행한다.
합성은 추가로 바람직하게는 무수 조건하에, 즉, 200 ppm 이하의 H2O의 존재하에서 실시한다. 특히 양호한 수율을 달성하기 위해, 반응은 추가로 불활성 기체 분위기에서, 바람직하게는 Ar, He 또는 N2 분위기에서, 특히 바람직하게는 N2 분위기에서 수행해야 한다.
특히 높은 수율을 달성하기 위해, 반응 혼합물은 또한 후처리 이전에 10 내지 20℃ 범위의 온도로 냉각시킨다.
정제는 바람직하게는 반응 혼합물을 증발시키고, 사용되는 알코올 중의 잔류물을 취하고, 여과 및 세척함으로써 실시할 수 있다. 이어서, 생성물을 바람직하게는 고 진공에서 건조시킬 수 있다.
본 발명은 추가로 본 발명에 따른 방법을 통해 제조할 수 있는 인듐(III) 할로디알콕사이드에 관한 것이다. 이는 화학식 InX(OR)2를 가질 뿐 아니라 합성으로부터의 알코올 ROH 또는 이차 아민 R'2NH로 결정 또는 수성 상 내에 배위되거나 용매화될 수도 있다.
본 발명에 따른 방법에 의해 제조할 수 있는 인듐(III) 할로디알콕사이드는 유리하게는, 특히 습식 화학 방법을 통한 산화인듐 함유 코팅의 제조에 적합하다. 이 경우, 산화인듐 함유 코팅은 산화인듐 층 및 산화인듐 및 추가 금속 및/또는 금속 산화물을 실질적으로 포함하는 층 둘 다를 의미하는 것으로 해석된다. 본원에서, 산화인듐 층은 언급된 인듐 알콕사이드로부터 제조할 수 있고 실질적으로 인듐 원자 또는 이온을 가지며, 인듐 원자 또는 이온은 실질적으로 산화물 형태로 존재하는 것인 금속 함유 층을 의미하는 것으로 해석된다. 바람직하다면, 산화인듐 층은 불완전 전환으로부터의 할로겐, 카르벤 또는 알콕사이드 잔기를 또한 포함할 수 있다. 산화인듐 및 추가 금속 및/또는 금속 산화물을 실질적으로 포함하는 층도 또한 그러하되, 이는 추가 금속 및/또는 금속 산화물을 추가로 포함한다.
본 발명에 따른 방법에 의해 제조할 수 있는 인듐(III) 할로디알콕사이드는 추가로 반도성 산화인듐 함유 코팅의 제조를 위해 특히 손쉽게 사용할 수 있다는 놀라운 이점이 있다. 본 발명에 따른 방법을 통해 제조할 수 있는 인듐(III) 할로디알콕사이드는 또한 유리하게는 전자 부품용 반도성 또는 전도성 층의 제조, 특히 (박막) 트랜지스터, 다이오드 또는 태양 전지의 제조에 아주 적합하다.
하기 실시예는 그 자체에 제한적인 영향을 미치지 않으면서 본 발명의 주제를 추가로 설명하고자 한다.
실시예
잔류 수분이 없는 500 ml 둥근 바닥 유리 플라스크에서, 5.0 g의 인듐(III) 클로라이드 (InCl3, 22.5 mmol)를 비활성 기체 분위기하에 교반하여 250 ml의 건조 메탄올 중에 용해시켜, (사용한 중량을 기준으로) 10 중량% 미만의 InCl3 잔류물이 남게 하였다. 염기 디메틸아민 (5.0 g, 111 mmol에 상응함)의 계량을 질량 유동 제어기를 통해 보장하고 실온에서 5시간의 기간에 걸쳐 InCl3을 기준으로 화학량론적 양으로 첨가하였고, 초기에 약간의 발열 반응이 관찰되었다. 그 후, 용액을 완전히 증발시키고, 잔류 고체를 250 ml의 건조 메탄올에 녹이고, 비활성 기체 N2 하에 여과하고, 건조 메탄올로 수회 (10회 초과의 공정) 세척하고, 진공 (10 mbar 미만)에서 12시간 동안 실온에서 건조시켰다. 생성물 수율은 80 mol% 초과의 인듐(III) 클로르디메톡사이드였다 (인듐 함량은 ICP-OES를 통해 측정하고, 염소 함량은 은적정법으로 측정하고, 탄소 및 산소 함량은 연소 분석을 통해 측정함). 도 1은 생성물 및 사용 출발 물질 InCl3의 IR 스펙트럼을 도시한다.
Claims (11)
- - 인듐 트리할라이드 InX3 (상기 식에서, X는 F, Cl, Br 및/또는 I임), 및
- 화학식 ROH (상기 식에서, R은 알킬 라디칼, 알킬옥시알킬 라디칼임)의 1종 이상의 알코올
을 포함하는 조성물 (A)를,
화학식 R'2NH (상기 식에서, R'은 알킬 라디칼임)의 1종 이상의 2차 아민을 포함하는 조성물 (B)와 반응시키는,
화학식 InX(OR)2 (상기 식에서, X는 F, Cl, Br, I이고, R은 알킬 라디칼, 알킬옥시알킬 라디칼임)의 인듐(III) 할로디알콕사이드의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 인듐 트리할라이드가 InF3, InCl3, InBr3 및 InI3로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 인듐 트리할라이드 InX3이 조성물 (A)의 총 질량을 기준으로 0.1 내지 50 중량%의 비로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 알코올 ROH가 C1- 내지 C15-알킬 또는 -알콕시알킬 라디칼로부터 선택되는 라디칼 R을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 알코올 ROH가 조성물 (A)의 총 질량을 기준으로 50 내지 99.9 중량%의 비로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 조성물 (A)가 반응에 대해 불활성인 1종 이상의 액체 용매 또는 분산 매질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학식 R'2NH의 2차 아민이 C1-C10-알킬 라디칼로 이루어진 군으로부터 선택되는 라디칼 R'을 갖는 2차 아민인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 화학식 R'2NH의 2차 아민이 인듐 트리할라이드에 대한 화학량론적 양의 2배 이상으로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009054998.6 | 2009-12-18 | ||
| DE102009054998A DE102009054998A1 (de) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
| PCT/EP2010/059376 WO2011072887A1 (de) | 2009-12-18 | 2010-07-01 | Verfahren zur herstellung von indiumchlordialkoxiden |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120104998A KR20120104998A (ko) | 2012-09-24 |
| KR101720371B1 true KR101720371B1 (ko) | 2017-03-27 |
Family
ID=42697254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127015505A KR101720371B1 (ko) | 2009-12-18 | 2010-07-01 | 인듐 클로르디알콕사이드의 제조 방법 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8580989B2 (ko) |
| EP (1) | EP2513120B1 (ko) |
| JP (1) | JP5575263B2 (ko) |
| KR (1) | KR101720371B1 (ko) |
| CN (1) | CN102652137B (ko) |
| DE (1) | DE102009054998A1 (ko) |
| RU (1) | RU2541539C2 (ko) |
| TW (1) | TWI519510B (ko) |
| WO (1) | WO2011072887A1 (ko) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102013212019A1 (de) * | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| EP3009402A1 (de) * | 2014-10-15 | 2016-04-20 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Verfahren zur Herstellung von gemischten Metallhalogenid-Alkoxiden und Metalloxid-Nanopartikeln |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU375293A1 (ru) * | 1971-08-02 | 1973-03-23 | Способ получения триметилгаллия или триметилиндия | |
| JPS59198607A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜を備えた透明導電膜 |
| JPS59198606A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| JPS63243091A (ja) * | 1985-04-22 | 1988-10-07 | ストウフア− ケミカル カンパニ− | 金属アルコキシドの製法 |
| US4681959A (en) | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
| JPH01115010A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Central Glass Co Ltd | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
| JPH02113033A (ja) | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Central Glass Co Ltd | 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法 |
| JPH02145459A (ja) | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Central Glass Co Ltd | 複写機用ガラスおよびその製造法 |
| FR2659649B1 (fr) * | 1990-03-16 | 1992-06-12 | Kodak Pathe | Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques. |
| JP2831431B2 (ja) * | 1990-04-10 | 1998-12-02 | 株式会社ジャパンエナジー | 高純度金属アルコキサイドの製造方法 |
| JP4073146B2 (ja) | 2000-03-17 | 2008-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | ガリウムアルコキシドの精製方法 |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| GB2454019B (en) | 2007-10-27 | 2011-11-09 | Multivalent Ltd | Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
-
2009
- 2009-12-18 DE DE102009054998A patent/DE102009054998A1/de not_active Ceased
-
2010
- 2010-07-01 KR KR1020127015505A patent/KR101720371B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-01 JP JP2012543537A patent/JP5575263B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 RU RU2012130177/04A patent/RU2541539C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-07-01 EP EP10726542.3A patent/EP2513120B1/de not_active Not-in-force
- 2010-07-01 US US13/515,007 patent/US8580989B2/en active Active
- 2010-07-01 CN CN201080057796.4A patent/CN102652137B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 WO PCT/EP2010/059376 patent/WO2011072887A1/de active Application Filing
- 2010-12-15 TW TW099143968A patent/TWI519510B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012130177A (ru) | 2014-01-27 |
| US20120289728A1 (en) | 2012-11-15 |
| US8580989B2 (en) | 2013-11-12 |
| TWI519510B (zh) | 2016-02-01 |
| RU2541539C2 (ru) | 2015-02-20 |
| JP2013514290A (ja) | 2013-04-25 |
| WO2011072887A1 (de) | 2011-06-23 |
| TW201136877A (en) | 2011-11-01 |
| CN102652137B (zh) | 2015-12-02 |
| EP2513120B1 (de) | 2017-08-30 |
| DE102009054998A1 (de) | 2011-06-22 |
| JP5575263B2 (ja) | 2014-08-20 |
| KR20120104998A (ko) | 2012-09-24 |
| CN102652137A (zh) | 2012-08-29 |
| EP2513120A1 (de) | 2012-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101720371B1 (ko) | 인듐 클로르디알콕사이드의 제조 방법 | |
| KR101719853B1 (ko) | 산화인듐 함유 층의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 산화인듐 함유 층 및 그의 용도 | |
| KR101884956B1 (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| KR20130132730A (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| JP6366702B2 (ja) | 酸化インジウム含有層を製造するための配合物、当該層の製造法及び当該層の使用 | |
| KR100897495B1 (ko) | 신규의 갈륨 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법 | |
| JP6373373B2 (ja) | インジウムアルコキシド化合物を製造するための方法、当該方法に従って製造可能なインジウムアルコキシド化合物及び当該化合物の使用 | |
| JP4656292B2 (ja) | 金属のアルカノールアミン化合物の製造法 | |
| JPH11199591A (ja) | チタン錯体及びその合成方法 | |
| KR100464810B1 (ko) | 유기 알칼리토금속 착화합물 | |
| JPH11255784A (ja) | チタン錯体およびその合成方法 | |
| Lim et al. | A study of the development of CVD precursors III-synthesis and properties of new lead β-diketonate derivatives | |
| KR101603969B1 (ko) | 금속 산화물 전구체 화합물 및 이를 이용한 코팅액 | |
| US9790238B2 (en) | Strontium precursor, method for preparing same, and method for forming thin film by using same | |
| JP2003081908A (ja) | アルカリ土類金属のβ−ジケトネート金属錯体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200312 Year of fee payment: 4 |