RU2541539C2 - Способ получения хлордиалкоксидов индия - Google Patents
Способ получения хлордиалкоксидов индия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2541539C2 RU2541539C2 RU2012130177/04A RU2012130177A RU2541539C2 RU 2541539 C2 RU2541539 C2 RU 2541539C2 RU 2012130177/04 A RU2012130177/04 A RU 2012130177/04A RU 2012130177 A RU2012130177 A RU 2012130177A RU 2541539 C2 RU2541539 C2 RU 2541539C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- indium
- general formula
- composition
- alkyl
- secondary amine
- Prior art date
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract 5
- -1 indium (III) halide Chemical class 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M indium(i) bromide Chemical compound [Br-].[In+] KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 125000006732 (C1-C15) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 13
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N indium(3+) Chemical compound [In+3] RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 2
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N methanolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQPSKTOGFFYYKN-UHFFFAOYSA-N CC(C)[Na] Chemical compound CC(C)[Na] HQPSKTOGFFYYKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBSISVHKEUJHDC-UHFFFAOYSA-N ClC[O-].[In+3].ClC[O-].ClC[O-] Chemical compound ClC[O-].[In+3].ClC[O-].ClC[O-] ZBSISVHKEUJHDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical class CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical class CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000009838 combustion analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical class C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical class CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Настоящее изобретение относится к способу получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулы InX(OR)2 с Х=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток. Способ включает взаимодействие композиции (А), включающей тригалогенид индия InX3, где Х=F, Cl, Br и/или I и, по меньшей мере, один спирт общей формулы ROH, где R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток с, по меньшей мере, одним вторичным амином общей формулы R'2NH, где R' = алкильный остаток. Изобретение позволяет снизить содержание хлора в целевом продукте. 7 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
Description
Настоящее изобретение относится к способу получения хлордиалкоксидов индия, хлордиалкоксидам индия, получаемым способом согласно изобретению, а также их применению.
Изготовление полупроводниковых электронных структурных слоев в процессах печати и в других жидких процессах осаждения в сравнении со многими другими способами, такими как метод химического осаждения из газовой фазы (CVD), делает возможным намного более низкие цены продукции, так как осаждение полупроводника здесь может происходить в непрерывном процессе. Кроме того, в случае более низких температур процесса открывается возможность работать также на гибких подложках и при необходимости (прежде всего в случае очень тонких слоев и особенно при оксидных полупроводниках) достигать оптического светопропускания печатных слоев. Под полупроводниковыми слоями здесь и в дальнейшем можно понимать слои, которые имеют подвижности носителей заряда от 1 до 50 см2/В*с у структурного элемента с длиной канала 20 мкм при напряжении затвор-исток 50 В и напряжении сток-исток 50 В.
Так как материал структурного слоя, получаемого способом печати, в значительной степени определяет соответствующие свойства слоя, его выбор имеет существенное влияние на каждый структурный элемент, содержащий этот структурный слой. Важными параметрами для печатных полупроводниковых слоев являются их соответствующие подвижности носителей заряда, а также обрабатываемость и температуры обработки примененных при их изготовлении пригодных для печатания прекурсоров. Материалы должны были бы иметь хорошую подвижность носителей заряда, и быть пригодными к получению из раствора и при температурах четко ниже 500°С, чтобы подходить для множества задач и подложек. Также для многих задач нового типа желательно оптическое светопропускание полученных полупроводниковых слоев.
Оксид индия (оксид индия (III), In2O3), по причине большой энергетической щели между 3,6 и 3,75 эВ (измерено для напыленных слоев, M.S.Kirn, P.D.Byrne, A.Facchetti, T.J.Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581), является перспективным и, таким образом, охотно применяемым полупроводником. Тонкие пленки толщиной в несколько сотен нанометров могут иметь, кроме того, высокое светопропускание в видимом диапазоне спектра более 90% при 550 нм. В крайне высоко упорядоченных монокристаллах оксида индия к тому же можно измерить подвижности носителей заряда до 160 см2/В*с. Однако до сих пор такие значения все еще не могут быть достигнуты посредством переработки из раствора (Н.Nakazawa, Y.Ito, Е.Matsumoto, К.Adachi, N.Aoki, Y.Ochiai; J. Appl. Phys. 2006, 100, 093706. и A.Gupta, Н.Cao, Parekh, K.K.V. Rao, A.R.Raju, U.V.Waghmare; J. Appl. Phys. 2007, 101, 09N513).
Оксид индия часто применяется прежде всего вместе с оксидом олова (IV) (SnO2) в качестве полупроводникового смешанного оксида ITO. В связи со сравнительно высокой проводимостью ITO-слоев при одновременном светопропускании в видимой области спектра он находит применение, в числе прочего, в области жидкокристаллических экранов (LCD; liquid crystal display), особенно в качестве "прозрачных электродов". Эти преимущественно легированные слои оксидов металлов в промышленности получают прежде всего дорогостоящими методами напыления в высоком вакууме. В связи с большим экономическим интересом к ITO-покрытым подложкам между тем существуют некоторые основанные прежде всего на технологии золь-гель способы покрытия для содержащих оксид индия слоев.
Принципиально существуют две возможности для производства полупроводников на основе оксида индия способом печати: 1) «концепции частиц», при которых (нано)частицы представлены в виде пригодной для печатания дисперсии и в результате процесса печати посредством метода спекания превращаются в требуемый полупроводниковый слой, и 2) «концепции прекурсоров», при которых по меньшей мере один растворимый или диспергируемый продукт-предшественник в результате печати соответствующей композиции превращается в содержащий оксид индия слой. «Концепция частиц» имеет два значительных недостатка по сравнению с применением прекурсоров: с одной стороны дисперсии частиц имеют коллоидную нестабильность, которая делает необходимым применение (невыгодных относительно будущих свойств) диспергирующих добавок, с другой стороны многие из применяемых частиц (например, на основании пассивирующих слоев) посредством спекания формируют только не полностью покрытые слои, так что в слоях встречаются частично еще обособленные структуры, на границах частиц которых наблюдается значительное сопротивление частица-частица, которое понижает подвижность носителей заряда и повышает общее сопротивление слоя.
Существуют различные прекурсоры для получения слоев оксида индия. Так, наряду с солями индия в качестве прекурсоров для получения слоев, содержащих оксид индия, могут применяться алкоксиды индия (гомолептические, то есть соединения, имеющие только индий и остатки алкоксидов).
Например, Marks и др. описывают структурные элементы, при получении которых применяется содержащая прекурсор композиция, включающая соль InCl3, а также основание моноэтаноламин (МЕА), растворенное в метоксиэтаноле. После нанесения покрытия композиции методом центрифугирования (Spin-coating) посредством термической обработки при 400°С получают соответствующий слой оксида индия (M.S.Kim, P.D.Byrne, A.Facchetti, T.J.Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581 и дополнительная информация (supplemental informations)).
По сравнению с композициями, содержащими соль индия, композиции, содержащие алкоксид индия, обнаруживают то преимущество, что они при более низких температурах могут превращаться в содержащие оксид индия покрытия. Кроме того, до сих пор исходили из того, что галогенсодержащие прекурсоры потенциально имеют недостаток приводить к галогенсодержащим слоям с пониженным качеством. По этой причине в прошлом эксперименты для образования слоя проводили с алкоксидами индия.
Алкоксиды индия и их синтез описаны еще с семидесятых годов прошлого столетия.
Так, например, Carmalt и др. в обзорной статье обобщают известные к этому моменту времени данные для синтеза, структуры и активностей, в том числе алкоксидов и алкилалкоксидов индия (III) (Carmalt et al., Coord. Chem Rev. 250 (2006), 682-709).
Один из наиболее давно известных синтезов алкоксидов индия описывают Chatterjee и др. Они описывают получение трисалкоксида индия In(OR)3 из хлорида индия (III) (InCl3) с алкоксидом натрия Na-OR, причем R означает остатки -метила, -этила, изо-пропила, н-, в-, т-бутила и -пентила (S.Chatterjee, S.R.Bindal, R.C.Mehrotra; J.Indian Chem. Soc.1976, 53, 867).
Bradley и др. сообщают о подобной реакции, как Chatterjee и др., и получают при примерно идентичных эдуктах (InCl3, изопропил-натрий) и условиях реакции индий-оксо-кластер с кислородом в качестве центрального атома (D.C.Bradley, Н.Chudzynska, D.M.Frigo, M.E.Hammond, M.B.Hursthouse, M.A.Mazid; Polyhedron 1990, 9, 719).
Особенно хороший вариант этого способа, который приводит к особенно малой примеси хлора в продукте, описывается в US 2009-0112012 А1. Стремление достичь по возможности малой степени примесей хлора в продукте сводится при этом к тому, что до сих пор исходили из того, что примеси хлора способствуют понижению производительности или технического ресурса/срока службы электронных структурных элементов (сравни, например, US 6,426,425 В2).
Также на галогениде индия, однако на других основаниях, основывается описанный в US 5,237,081 А способ получения чистых алкоксидов индия, у которых галогенид индия (III) взаимодействует со спиртом в основной среде. Основание должно быть сильным основанием с низкой нуклеофильностью. Наряду с названными в качестве примера комплексными циклическими гетероциклами упомянутые основания являются, например, третичными аминами.
US 4,681,959 А описывает общий двухступенчатый способ получения алкоксидов металлов (особенно тетраалкокси-соединений, таких как тетраметилтитанат), при котором галогенид по меньшей мере двухвалентного металла взаимодействует со спиртом, при необходимости в присутствии ароматического растворителя, сначала с образованием промежуточного продукта (галоген-алкокси-соединения металла). Затем промежуточный продукт взаимодействует со спиртом в присутствии галогенводородного акцептора (особенно третичным амином) с образованием алкоксида металла.
Альтернативные пути синтеза с образованием гомолептических комплексов алкоксидов индия описываются Seigi Sun et at. в J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9396-9404. Описанные там способы являются, однако, очень дорогостоящими и/или основаны не на коммерчески доступных (и, следовательно, лишь невыгодно синтезируемых на предшествующей стадии) исходных продуктах.
Неожиданным образом сейчас было установлено, что прежнее предположение, что хлорсодержащие прекурсоры неизбежно приводят к образованию ущербных слоев, более не соответствует действительности. Так, при основанном на прекурсоре способе, при котором жидкая композиция-прекурсор наносится на подложку и покрывающая пленка перед термическим превращением обрабатывается сначала УФ-облучением, в случае применения вместо алкоксидов индия хлордиалкоксидов индия получаются даже лучшие покрытия, так как последние имеют лучшие электрические свойства, особенно более высокую подвижность в поле µFET. Таким образом, способ синтеза хлордиалкоксидов индия представляет собой большой интерес.
Общий способ получения соединений галоген-алкокси-металл описан в US 4,681,959 А: там в общих чертах описывается двухступенчатый способ получения алкоксидов металлов (особенно тетраалкоксисоединений, таких как тетраметилтитанат), при котором галогенид по меньшей мере двухвалентного металла взаимодействует со спиртом, при необходимости в присутствии ароматического растворителя, сначала с образованием промежуточного продукта (галоген-алкокси-соединения металла). Образующийся при этом галогенводород предпочтительно удаляют с инертным газом, таким как азот. Однако описанный там способ имеет тот недостаток, что в случае если в качестве исходных соединений применяются галогениды индия, взаимодействие со спиртом происходит очень медленно или заканчивается после образования аддуктов типа InCl3(ROH)х.
Галогеналкоксиды индия и их синтез описаны в JP 02-113033 А и JP 02-145459 А. Так, JP 02-113033 А раскрывает, что хлорсодержащие алкоксиды индия могут быть получены после растворения хлорида индия в спирте, соответствующем встраиваемому алкоксидному остатку, посредством последующего добавления определенной доли щелочного металла или оксида щелочного металла. Соответствующий способ описывает также JP 02-145459 А. Недостатком данных способов, однако, является возможность загрязнения соответствующих хлоралкоксидов индия натрием.
Следовательно, задача настоящего изобретения состоит в том, чтобы предоставить способ синтеза хлордиалкоксидов индия, который позволяет снизить содержание хлора, величина которого ответственна за наличие в целевом продукте примеси, дихлоралкоксида индия.
Поставленная задача решается предлагаемым способом получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулы InX(OR)2 с Х=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток, в котором композицию (А), включающую тригалогенид индия InX3 с Х=F, Cl, Br и/или I и, по меньшей мере, один спирт общей формулы ROH с R = алкильный остаток, оксиалкильный остаток, подвергают взаимодействию с, по меньшей мере, одним вторичным амином общей формулы R'2NH с R' = алкильный остаток.
При этом под алкильным или алкилоксиалкильным остатком R можно понимать предпочтительно С1-С15-алкильную или алкилоксиалкильную группу, т.е. алкильную или алкилоксиалкильную группу с, в целом, 1-15 атомами углерода. Предпочтительно речь идет об алкильном или алкилоксиалкильном остатке R, выбранном из -СН3, -CH2CH3, -CH2CH2OCH3, -СН(СН3)2 или -С(СН3)3.
В принципе применяться могут все тригалогениды индия InX3. У последних каждый X, независимо друг от друга, может быть F, Cl, Br и/или I. Однако предпочтительно применяются тригалогениды индия только одного галогенида, т.е. тригалогениды индия InF3, InCl3, InBr3, или InI3. Применение тригалогенидов индия InCl3 и InBr3 особенно предпочтительно по причине их легкой доступности.
Галогенид индия InX3 предпочтительно применяется с содержанием от 0,1 до 50% масс., особенно предпочтительно 1-25% масс., наиболее предпочтительно 2-10% масс.в пересчете на общую массу композиции (А).
Композиция (А), включающая тригалогенид индия, может содержать его растворенным, т.е. диссоциированным или соответственно комплексованным на молекулярном уровне с молекулами растворителя/спирта или диспергированным в жидкой фазе.
Кроме того, композиция (А) имеет по меньшей мере один спирт общей формулы ROH с R = алкильный или алкилоксиалкильный остаток. Таким образом, композиция может иметь также два или более спиртов. Однако для предпочтительного получения галогендиалкоксидов индия (III) специфического типа алкоксидов в композиции (А) должен был быть представлен только один спирт.
Предпочтительно применяемые спирты имеют остатки R, выбранные из С1-С15-алкильных или -алкилоксиалкильных остатков, т.е. алкильных или алкилоксиалкильных групп с, в целом, 1-15 атомами углерода. Предпочтительно применяются спирты с алкильным или алкилоксиалкильным остатком R, выбранным из -СН3, -CH2CH3, -CH2CH2OCH3, -СН(СН3)2 или -С(СН3)3.
Спирт ROH применяется предпочтительно с содержанием от 50 до 99,9% масс., особенно предпочтительно 75-99% масс., наиболее предпочтительно 80-96% масс., в пересчете на общую массу композиции (А).
Кроме того, композиция (А) может иметь по меньшей мере один, инертный по отношению к реакции, жидкий растворитель или дисперсионную среду, т.е. растворитель/дисперсионную среду или смесь различных растворителей/дисперсионных сред, которые в условиях реакции не реагируют с InX3. Предпочтительно применимыми являются апротонные растворители, особенно таковые, выбранные из группы апротонных неполярных растворителей, т.е. алканов, замещенных алканов, алкенов, алкинов, ароматических углеводородов без или с алифатическими или ароматическими заместителями, галогенированных углеводородов или тетраметилсилана, и группы апротонных полярных растворителей, т.е. эфиров, ароматических эфиров, замещенных эфиров, сложных эфиров или ангидридов кислот, кетонов, третичных аминов, нитрометана, ДМФ (диметилформамид), ДМСО (диметилсульфоксид) или пропиленкарбоната.
Если в композиции (А) представлен по меньшей мере один такой, инертный в отношении реакции, жидкий растворитель или дисперсионная среда, то его часть в композиции предпочтительно составляет 1-50% масс., особенно предпочтительно 1-25% масс., наиболее предпочтительно 1-10% масс., в пересчете на общую массу композиции.
Согласно изобретению композиция (А), включающая InX3 для синтеза галогендиалкоксидов индия (III), далее взаимодействует с композицией (В), включающей по меньшей мере один вторичный амин обобщенной формулы R'2NH с R' = алкильный остаток. Для по меньшей мере одного вторичного амина общей формулы R'2NH речь предпочтительно идет о вторичном амине с остатками R', независимо друг от друга выбранными из группы, состоящей из алкильных остатков с 1-10 атомами углерода. Предпочтительно применяется только вторичный амин. Кроме того, вторичный амин предпочтительно имеет в качестве остатков R' одинаковые алкильные остатки. Особенно предпочтительными остатками R' являются линейные алкильные остатки с 1-10 атомами углерода. Особенно хорошие результаты достигаются с остатками R' = метил, этил и н-пропил. Наиболее хорошие результаты получаются, если применяется вторичный амин общей формулы R'2NH с R = метил, так как последний особенно хорошо растворим в предпочтительно примененных растворителях или дисперсионных средах и, следовательно, приводит к особенно хорошим выходам.
Для достижения особенно хороших выходов по меньшей мере один вторичный амин добавляется преимущественно по меньшей мере в двойном стехиометрическом количестве в пересчете на тригалогенид индия (III) InX3. Особенно предпочтительно вторичный амин применяется в количестве, которое соответствует 4-6-кратному молярному количеству InX3.
Для достижения повышенных выходов продукта вторичный амин может применяться не только в растворе, но и предпочтительно диспергированным в дисперсионной среде. Однако для особенно простого проведения реакции композиция (В) может состоять исключительно из вторичного амина.
Реакция предпочтительно проводится при температуре в диапазоне 25-250°С. Особенно предпочтительно применяется реакция при температуре в диапазоне от 25°С до температуры, которая соответствует точке кипения примененного спирта. Следовательно, особенно предпочтительно температура находится в диапазоне от 25°С и до 125°С.
Принципиально синтез может происходить при нормальном или при повышенном давлении. Однако предпочтительно синтез проводится при нормальном давлении (1013 мбар).
Кроме того, предпочтительно синтез происходит без воды, т.е. в присутствии максимум 200 ч/млн H2O. Наряду с этим, для достижения особенно хороших выходов реакция должна была проводиться в атмосфере инертного газа, предпочтительно в атмосфере Ar, He или N2, наиболее предпочтительно в атмосфере N2.
Далее, для достижения особенно высоких выходов реакционная смесь перед обработкой охлаждается до температуры в диапазоне 10-20°С.
Очистка предпочтительно может происходить посредством выпаривания реакционной смеси, растворения осадка в примененном спирте, фильтрации и промывки. Затем продукт предпочтительно может быть высушен в высоком вакууме.
Далее, предметом изобретения являются получаемые способом согласно изобретению галогендиалкоксиды индия (III). Последние имеют суммарную формулу/брутто-формулу InX(OR)2, однако, кроме того, могут быть скоординированы или сольватированы в кристалле или в водной фазе с происходящим из синтеза спиртом ROH или вторичным амином R'2NH.
Получаемые способом согласно изобретению галогендиалкоксиды индия (III) пригодны преимущественно для изготовления содержащих оксид индия покрытий, особенно жидкостным химическим способом. Под покрытиями, содержащими оксид индия, в этом случае можно понимать как слои оксида индия, так и слои, преимущественно включающие оксид индия и дополнительные металлы и/или оксиды металлов. Под слоем оксида индия согласно настоящему изобретению при этом можно понимать содержащий металл слой, получаемый из упомянутых алкоксидов индия, который имеет главным образом атомы или ионы индия, причем атомы или ионы индия представлены преимущественно окисленными. При необходимости слой оксида индия может иметь также еще доли галогена, карбена или алкоксида из неполного превращения. То же самое верно также для слоев, главным образом включающих оксид индия и дополнительные металлы и/или оксиды металлов, при условии, что они наряду с этим имеют дополнительные металлы и/или оксиды металлов.
Кроме того, галогендиалкоксиды индия (III), получаемые способом согласно изобретению, имеют неожиданное преимущество - они особенно хорошо могут применяться для изготовления полупроводниковых покрытий, содержащих оксид индия. Получаемые способом согласно изобретению галогендиалкоксиды индия (III) наряду с этим пригодны в этом отношении преимущественно для изготовления полупроводниковых или проводниковых слоев для электронных структурных элементов, особенно изготовления (тонкопленочных) транзисторов, диодов или солнечных элементов.
Следующий пример должен дополнительно раскрыть предмет настоящего изобретения, не ограничивая его.
Пример
В стеклянной круглодонной колбе на 500 мл, свободной от остаточной влажности, растворяют 5,0 г хлорида индия (III) (InCl3, 22,5 мМоль) в атмосфере инертного газа посредством перемешивания в 250 мл сухого метанола, причем остается <10% масс.(относительно навески) осадка InCl3. Дозирование основания диметиламина (5,0 г, соответствующие 111 ммоль) обеспечивается контроллером массового расхода и подается при комнатной температуре в течение интервала времени 5 часов в стехиометрическом количестве относительно InCl3, причем вначале наблюдалась слабо экзотермическая реакция. Затем раствор полностью упаривают, оставшуюся твердую фазу растворяют 250 мл сухого метанола, фильтруют под инертным газом, многократно (>10 актов) промывают сухим метанолом и сушат под вакуумом (<10 мбар) за 12 часов при комнатной температуре. Выход продукта составил>80% мол. хлордиметоксида индия (III) (содержание индия определено посредством ICP-OES (оптико-эмиссионного спектрометра с индуктивно-связанной плазмой), а содержание углерода и водорода определено анализом сжигания). Определенное аргентометрически содержание хлора составляет 15,8%.
Фигура 1 показывает ИК-спектр продукта и использованного исходного InCl3.
Claims (8)
1. Способ получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулы
InX(OR)2
с X=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,
при котором композицию (А), включающую
- тригалогенид индия InX3 с X=F, Cl, Br и/или I и,
- по меньшей мере, один спирт общей формулы ROH с R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,
подвергают взаимодействию с, по меньшей мере, одним вторичным амином общей формулы R′2NH с R′ = алкильный остаток.
InX(OR)2
с X=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,
при котором композицию (А), включающую
- тригалогенид индия InX3 с X=F, Cl, Br и/или I и,
- по меньшей мере, один спирт общей формулы ROH с R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,
подвергают взаимодействию с, по меньшей мере, одним вторичным амином общей формулы R′2NH с R′ = алкильный остаток.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что тригалогенид индия выбран из группы, состоящей из InF3, InCl3, InBr3 и InI3.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что тригалогенид индия InХ3 используют с содержанием от 0,1 до 50 мас.% в пересчете на суммарную массу композиции (А).
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что спирт ROH имеет остаток R, выбранный из С1-С15-алкильных или -алкилоксиалкильных остатков.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что спирт ROH используют с содержанием 50-99,9 мас.% в пересчете на суммарную массу композиции (А).
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что композиция (А) дополнительно имеет, по меньшей мере, один инертный в отношении реакции жидкий растворитель или дисперсионную среду.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что вторичный амин общей формулы R′2NH является вторичным амином с остатками R′, выбранными из группы, состоящей из алкильных остатков с 1-10 атомами углерода.
8. Способ по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что вторичный амин общей формулы R′2NH используют, по меньшей мере, в двойном стехиометрическом количестве по отношению к тригалогениду индия.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009054998.6 | 2009-12-18 | ||
| DE102009054998A DE102009054998A1 (de) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
| PCT/EP2010/059376 WO2011072887A1 (de) | 2009-12-18 | 2010-07-01 | Verfahren zur herstellung von indiumchlordialkoxiden |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012130177A RU2012130177A (ru) | 2014-01-27 |
| RU2541539C2 true RU2541539C2 (ru) | 2015-02-20 |
Family
ID=42697254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012130177/04A RU2541539C2 (ru) | 2009-12-18 | 2010-07-01 | Способ получения хлордиалкоксидов индия |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8580989B2 (ru) |
| EP (1) | EP2513120B1 (ru) |
| JP (1) | JP5575263B2 (ru) |
| KR (1) | KR101720371B1 (ru) |
| CN (1) | CN102652137B (ru) |
| DE (1) | DE102009054998A1 (ru) |
| RU (1) | RU2541539C2 (ru) |
| TW (1) | TWI519510B (ru) |
| WO (1) | WO2011072887A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102013212019A1 (de) * | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| EP3009402A1 (de) * | 2014-10-15 | 2016-04-20 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Verfahren zur Herstellung von gemischten Metallhalogenid-Alkoxiden und Metalloxid-Nanopartikeln |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU375293A1 (ru) * | 1971-08-02 | 1973-03-23 | Способ получения триметилгаллия или триметилиндия | |
| US4681959A (en) * | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198607A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜を備えた透明導電膜 |
| JPS59198606A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| JPS63243091A (ja) * | 1985-04-22 | 1988-10-07 | ストウフア− ケミカル カンパニ− | 金属アルコキシドの製法 |
| JPH01115010A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Central Glass Co Ltd | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
| JPH02113033A (ja) | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Central Glass Co Ltd | 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法 |
| JPH02145459A (ja) | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Central Glass Co Ltd | 複写機用ガラスおよびその製造法 |
| FR2659649B1 (fr) * | 1990-03-16 | 1992-06-12 | Kodak Pathe | Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques. |
| JP2831431B2 (ja) * | 1990-04-10 | 1998-12-02 | 株式会社ジャパンエナジー | 高純度金属アルコキサイドの製造方法 |
| JP4073146B2 (ja) | 2000-03-17 | 2008-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | ガリウムアルコキシドの精製方法 |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| GB2454019B (en) | 2007-10-27 | 2011-11-09 | Multivalent Ltd | Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
-
2009
- 2009-12-18 DE DE102009054998A patent/DE102009054998A1/de not_active Ceased
-
2010
- 2010-07-01 KR KR1020127015505A patent/KR101720371B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-01 JP JP2012543537A patent/JP5575263B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 RU RU2012130177/04A patent/RU2541539C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-07-01 EP EP10726542.3A patent/EP2513120B1/de not_active Not-in-force
- 2010-07-01 US US13/515,007 patent/US8580989B2/en active Active
- 2010-07-01 CN CN201080057796.4A patent/CN102652137B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 WO PCT/EP2010/059376 patent/WO2011072887A1/de active Application Filing
- 2010-12-15 TW TW099143968A patent/TWI519510B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU375293A1 (ru) * | 1971-08-02 | 1973-03-23 | Способ получения триметилгаллия или триметилиндия | |
| US4681959A (en) * | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012130177A (ru) | 2014-01-27 |
| US20120289728A1 (en) | 2012-11-15 |
| US8580989B2 (en) | 2013-11-12 |
| TWI519510B (zh) | 2016-02-01 |
| JP2013514290A (ja) | 2013-04-25 |
| WO2011072887A1 (de) | 2011-06-23 |
| TW201136877A (en) | 2011-11-01 |
| CN102652137B (zh) | 2015-12-02 |
| EP2513120B1 (de) | 2017-08-30 |
| DE102009054998A1 (de) | 2011-06-22 |
| JP5575263B2 (ja) | 2014-08-20 |
| KR20120104998A (ko) | 2012-09-24 |
| KR101720371B1 (ko) | 2017-03-27 |
| CN102652137A (zh) | 2012-08-29 |
| EP2513120A1 (de) | 2012-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2541539C2 (ru) | Способ получения хлордиалкоксидов индия | |
| RU2567142C2 (ru) | Способ получения слоев, содержащих оксид индия, полученные этим способом слои, содержащие оксид индия, и их применение | |
| KR101884955B1 (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| KR20130036288A (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| TWI631100B (zh) | 用於製造含氧化銦層之調合物、製造彼等之方法及彼等之用途 | |
| US9802964B2 (en) | Process for preparing indium alkoxide compounds, the indium alkoxide compounds preparable by the process and the use thereof | |
| JP4266285B2 (ja) | バナジウムトリス（β−ジケトネート）の製造方法 | |
| KR101124216B1 (ko) | 신규의 알칼리 토금속 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법 | |
| JP2003081908A (ja) | アルカリ土類金属のβ−ジケトネート金属錯体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200702 |