KR101884955B1 - 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 - Google Patents
산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101884955B1 KR101884955B1 KR1020137001419A KR20137001419A KR101884955B1 KR 101884955 B1 KR101884955 B1 KR 101884955B1 KR 1020137001419 A KR1020137001419 A KR 1020137001419A KR 20137001419 A KR20137001419 A KR 20137001419A KR 101884955 B1 KR101884955 B1 KR 101884955B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- indium
- oxoalkoxide
- hoch
- oxide
- layer
- Prior art date
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 40
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 43
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- -1 indium (III) halide Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WQKGAJDYBZOFSR-UHFFFAOYSA-N potassium;propan-2-olate Chemical compound [K+].CC(C)[O-] WQKGAJDYBZOFSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 3
- 125000006732 (C1-C15) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims 1
- RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N indium(3+) Chemical compound [In+3] RJMMFJHMVBOLGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 4
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000012552 review Methods 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCCOCCN(CCOCCOC)CCOCCOC XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108700031620 S-acetylthiorphan Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 1
- QDWYJELKQAEENI-UHFFFAOYSA-N [In].[In].[In].[In] Chemical compound [In].[In].[In].[In] QDWYJELKQAEENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000003948 formamides Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HWYHDWGGACRVEH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-(4-pyrrolidin-1-ylbut-2-ynyl)acetamide Chemical compound CC(=O)N(C)CC#CCN1CCCC1 HWYHDWGGACRVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- YNOGYQAEJGADFJ-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CCCO1 YNOGYQAEJGADFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C31/00—Saturated compounds having hydroxy or O-metal groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C31/28—Metal alcoholates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
본 발명은 하기 화학식의 할로겐-함유 인듐 옥소 알콕시드, 이들의 제조 방법 및 이들의 용도에 관한 것이다.
In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x
상기 식에서, R = C1-C15-알킬, C1-C15-알케닐, C1-C15-알키닐, C1-C15-알콕시알킬, C6-C15-아릴- 또는 C7-C15-알콕시아릴, X = F, Cl, Br, I, 및 x = 0 내지 10.
In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x
상기 식에서, R = C1-C15-알킬, C1-C15-알케닐, C1-C15-알키닐, C1-C15-알콕시알킬, C6-C15-아릴- 또는 C7-C15-알콕시아릴, X = F, Cl, Br, I, 및 x = 0 내지 10.
Description
본 발명은 산화인듐-함유 층의 제조를 위한 인듐 옥소 알콕시드, 이들의 제조 방법 및 특별히 산화인듐-함유 층의 제조를 위한, 코팅 조성물의 구성물로서 및 전자 부품의 제조를 위한 이들의 용도에 관한 것이다.
3.6 내지 3.75 eV (증착된 층에 대해 측정됨)의 큰 밴드 갭 (band gap)때문에 (문헌 [H.S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, T.J. Marks; J. Am . Chem . Soc . 2008, 130, 12580-12581]) 산화인듐 (산화인듐(III), In2O3)은 유망한 반도체이다. 두께가 수백 나노미터인 박막은 추가적으로 550 nm의 가시 스펙트럼 범위에서 90% 초과의 높은 투명성을 가질 수 있다. 극도로 고도로 정렬된 단일 산화인듐 결정에서, 최대 160 cm2/Vs의 전하 캐리어 이동도를 측정하는 것이 추가적으로 가능하다.
산화인듐은 특히 산화주석(IV) (SnO2)과 함께 반도체 혼합 산화물 ITO로서 종종 사용된다. ITO 층이 가시 스펙트럼 범위에서 투명성과 함께 비교적 높은 전도성을 갖기 때문에, 이들의 한 적용분야는 특별히 "투명 전극"으로서의 액정 디스플레이 (LCD) 분야이다. 이러한 통상적으로 도핑된 금속 산화물 층은 특히 비용이 많이 드는 고진공하에서의 증착 방법에 의해 산업적으로 제조된다.
따라서, 산화인듐-함유 층 및 이들의 제조, 특별히 ITO 층 및 순수 산화인듐 층 및 이들의 제조가 반도체 및 디스플레이 산업에서 매우 중요하다.
산화인듐-함유 층의 합성을 위해 논의되는 가능한 반응물 및 전구체에는 여러 화합물 종이 포함된다. 예에는 인듐 염이 포함된다. 예를 들어, 막스 (Marks) 등은 메톡시에탄올에 용해된 염기 모노에탄올아민 (MEA) 및 InCl3로 이루어진 전구체 용액을 사용하여 제조된 성분들을 기재하였다. 용액의 스핀-코팅 후, 400℃에서 열처리함으로써 상응하는 산화인듐 층을 수득한다 (문헌 [H.S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, T.J. Marks; J. Am . Chem . Soc . 2008, 130, 12580-12581] 및 추가 정보).
다른 부분에서, 산화인듐 합성을 위해 논의되는 가능한 반응물 또는 전구체는 인듐 알콕시드이다. 인듐 알콕시드는 하나 이상의 인듐 원자, 화학식 -OR (R = 유기 라디칼)의 하나 이상의 알콕시드 라디칼 및 임의로 하나 이상의 유기 라디칼 -R, 하나 이상의 할로겐 라디칼 및/또는 하나 이상의 -OH 또는 -OROH 라디칼로 이루어진 화합물이다.
산화인듐 형성을 위한 가능한 용도에 관계 없이, 선행 기술에는 다양한 인듐 알콕시드 및 인듐 옥소 알콕시드가 기재되어 있다. 앞서 언급된 인듐 알콕시드에 비해, 인듐 옥소 알콕시드는 인듐 원자에 직접 결합되거나 또는 2개 이상의 인듐 원자에 연결된 하나 이상의 추가의 산소 라디칼 (옥소 라디칼)을 또한 갖는다.
메로트라 (Mehrotra) 등은 염화인듐(III) (InCl3)과 Na-OR (여기서, R은 메틸, 에틸, 이소프로필, n-, s-, t-부틸 및 펜틸 라디칼임)로부터의 인듐 트리스알콕시드 In(OR)3의 제조를 기재하였다 (문헌 [S. Chatterjee, S. R. Bindal, R.C. Mehrotra; J. Indian Chem . Soc . 1976, 53, 867]).
카말트 (Carmalt) 등에 의한 리뷰 논문 (review article) [Coordination Chemistry Reviews 250 (2006), 682-709]에는 다양한 갈륨(III) 및 인듐(III) 알콕시드 및 아릴옥사이드가 기재되어 있으며, 이들 중 일부는 또한 알콕시드기를 통해 연결되어 존재할 수 있다. 옥소 알콕시드이고 [In(OiPr)3]로부터 제조될 수 없는 화학식 In5(μ-O)(OiPr)13의 옥소-중앙 클러스터 (cluster), 보다 구체적으로는 [In5(μ5-O)(μ3-OiPr)4(μ2-OiPr)4(OiPr)5]가 추가적으로 제시되어 있다.
엔.투로바 (N.Turova) 등에 의한 리뷰 논문 [Russian Chemical Reviews 73 (11), 1041-1064 (2004)]에는 졸-겔 기법을 통한 산화 물질의 제조를 위한 전구체로서 간주되는 금속 옥소 알콕시드의 합성, 특성 및 구조가 요약되어 있다. 여러 다른 화합물들 이외에, [Sn3O(OiBu)10(iBuOH)2], 앞서 언급된 화합물 [In5O(OiPr)13] 및 [Sn6O4(OR)4] (R = Me, Pri)의 합성 및 구조가 기재되어 있다.
엔.투로바 등에 의한 논문 [Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2, 17-23 (1994)]에는 알콕시드 및 알콕시드-기재 분말의 졸-겔 방법의 개발을 위한 과학적 기반으로서 간주되는 알콕시드에 대한 연구의 결과가 제시되어 있다. 이와 관련하여, 카말트 등에 의해 또한 기재된 화학식 M5(μ-O)(OiPr)13의 중앙의 산소 원자 및 5개의 둘레 금속 원자를 갖는 옥소 알콕시드인 것으로 밝혀진 "인듐 이소프로폭시드"라고 알려진 것에 대해 논의되어 있다.
이러한 화합물의 합성 및 이들의 결정 구조는 문헌 [Bradley et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1988, 1258-1259]에 기재되어 있다. 상기 저자들에 의한 추가 연구는 이러한 화합물의 형성이 중간에 형성되는 In(OiPr)3의 가수분해에 기인할 수 없다는 결과를 초래하였다 (문헌 [Bradley et al., Polyhedron Vol. 9, No. 5, pp. 719-726, 1990]). 문헌 [Suh et al., J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9396-9404]에서는 이러한 화합물이 In(OiPr)3로부터 열적 경로에 의해 제조될 수 없음을 추가적으로 발견하였다. 또한, 브래들리 (Bradley) (문헌 [Bradley et al., Polyhedron Vol. 9, No. 5, pp. 719-726, 1990])는 이러한 화합물이 승화될 수 없음을 발견하였다.
원칙적으로, 금속 산화물 층은 다양한 방법을 통해 제조될 수 있다.
금속 산화물 층의 한 제조 방법은 스퍼터링 기법을 기초로 한다. 그러나, 이들 기법은 이들이 고진공하에서 수행되어야 한다는 단점을 갖는다. 추가의 단점은 이렇게 제조된 필름이 층의 제어되고 재현가능한 화학량론을 설립할 수 없게 하여 제조되는 층의 열등한 특성을 초래하는 많은 산소 결함을 갖는다는 것이다.
원칙적으로, 금속 산화물 층을 제조하기 위한 또다른 방법은 화학 기상 침착을 기초로 한다. 예를 들어, 기상 침착을 통해 산화인듐 전구체, 예컨대 인듐 알콕시드 또는 인듐 옥소 알콕시드로부터 산화인듐-함유 층을 제조할 수 있다. 예를 들어, US 6,958,300 B2는 기상 침착, 예를 들어 CVD 또는 ALD에 의한 반도체 또는 금속 산화물 층의 제조에서의 화학식 M1 q(O)x(OR1)y (q = 1-2; x = 0-4, y = 1-8, M1 = 금속; 예를 들어 Ga, In 또는 Zn, R1 = 유기 라디칼; x = 0인 경우 알콕시드, 1 이상인 경우 옥소 알콕시드)의 1종 이상의 금속 유기 옥사이드 전구체 (알콕시드 또는 옥소 알콕시드)의 사용을 교시한다. 그러나, 모든 기상 침착 방법은 i) 열적 반응 방식의 경우에, 매우 높은 온도의 사용, 또는 ii) 전자기 복사선의 형태로 전구체의 분해를 위해 요구되는 에너지를 도입하는 경우에, 높은 에너지 밀도를 필요로 한다는 단점을 갖는다. 두 경우에, 제어되고 균일한 방식으로 전구체를 분해하는데 필요한 에너지를 도입하는데에는 단지 매우 높은 수준의 장치 복잡성으로만 가능하다.
유리하게는, 따라서 금속 산화물 층은 액상 공정, 즉 코팅하고자 하는 기판을 금속 산화물의 1종 이상의 전구체의 액체 용액으로 코팅하고, 임의로는 후속적으로 건조시키고, 전환시키는, 금속 산화물로의 전환 전에 하나 이상의 공정 단계를 포함하는 방법을 통해 제조된다. 금속 산화물 전구체는 금속 산화물-함유 층이 산소 또는 다른 산화 물질의 존재하에 또는 부재하에 형성될 수 있는 열적으로 또는 전자기 복사선으로 분해가능한 화합물을 의미하는 것으로 해석된다. 금속 산화물 전구체의 중요한 예에는, 예를 들어 금속 알콕시드가 있다. 원칙적으로, 층은 i) 사용되는 금속 알콕시드가 물의 존재하에 가수분해에 의해 먼저 겔로 전환되고, 후속적으로 축합되고, 이어서 금속 산화물로 전환되는 졸-겔 방법에 의해, 또는 ii) 비수성 용액으로부터 제조될 수 있다.
액상으로부터의 인듐 알콕시드로부터 산화인듐-함유 층을 제조하는 것은 선행 기술의 일부를 또한 형성한다.
유의한 양의 물의 존재하의 졸-겔 방법을 통한 인듐 알콕시드로부터의 산화인듐-함유 층의 제조는 선행 기술의 일부를 형성한다. WO 2008/083310 A1에는 금속 알콕시드 (예를 들어, 화학식 R1M-(OR2)y-x 중 하나) 또는 이들의 예비중합체를 기재에 적용하고, 이어서 생성된 금속 알콕시드 층을 물의 존재하에, 그리고 물과 반응시켜 경화시키는, 기재상에 무기 층 또는 유기/무기 혼성 층을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 사용가능한 금속 알콕시드에는 인듐, 갈륨, 주석 또는 아연의 알콕시드가 포함될 수 있다. 그러나, 졸-겔 방법을 사용하는 것의 단점은 가수분해-축합 반응이 물의 첨가에 의해 자동적으로 시작되고, 시작 후에는 단지 어렵게 제어가능하다는 것이다. 기재에 적용 전에 가수분해-축합 공정이 실제로 시작되는 경우, 한편 이들의 증가된 점도때문에 수득된 겔은 미세한 옥사이드 층을 수득하기 위한 방법에 종종 부적합하다. 반대로, 액체 형태 또는 증기로서의 물의 공급에 의해 기재에 적용 후 가수분해-축합 공정이 시작되는 경우, 생성된 열등하게 혼합되고 불균일한 겔은 불리한 특성을 갖는 상응하게 불균일한 층을 종종 초래한다.
JP 2007-042689 A에는 인듐 알콕시드를 함유할 수 있는 금속 알콕시드 용액 및 또한 이들 금속 알콕시드 용액을 사용하는 반도체 부품의 제조 방법이 기재되어 있다. 금속 알콕시드 필름은 열적으로 처리되고 옥사이드 층으로 전환되나, 이들 시스템도 충분히 균일한 필름을 제공하지 않는다. 그러나, 순수 산화인듐 층은 상기 특허 문헌에 기재된 방법에 의해 제조될 수 없다.
본 출원의 우선일에 아직 공개되지 않은 DE 10 2009 009 338에는 무수 용액으로부터의 산화인듐-함유 층의 제조에서의 인듐 알콕시드의 용도가 기재되어 있다. 생성된 층이 졸-겔 방법을 통해 제조된 층보다 균일할지라도, 무수 시스템에서의 인듐 알콕시드의 사용은 인듐 알콕시드-함유 제형물의 산화인듐-함유 층으로의 전환이 생성된 층의 충분히 양호한 전기적 성능을 제공하지 않는다는 단점을 여전히 갖는다.
본 출원의 우선일에 역시 아직 공개되지 않은 DE 10 2009 028 801에는 무수 조성물이 i) 화학식 MxOy(OR)z[O(R'O)cH]aXb[R"OH]d (여기서, M = In, x = 3-25, y = 1-10, z = 3-50, a = 0-25, b = 0-20, c = 0-1, d = 0-25, R, R', R" = 유기 라디칼, X = F, Cl, Br, I)의 1종 이상의 인듐 옥소 알콕시드를 함유하고, ii) 1종 이상의 용매를 기재에 적용하고, 임의로는 건조시키고, 산화인듐-함유 층으로 전환시키는, 비수성 용액으로부터 비교적 개선된 산화인듐-함유 층을 제조하기 위한 액상 방법이 기재되어 있다.
그럼에도 불구하고, 더욱 양호한 산화인듐-함유 층을 제조하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 목적은 더욱 양호한 전기적 성능 (특별히, 더욱 양호한 전계-효과 이동도 μFET)을 갖는 산화인듐-함유 층 (특별히, 산화인듐 층)의 제조에 사용될 수 있는 물질을 제공하는 것이다. 또한, 보다 간단한 방식으로 가공될 수 있는 물질을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
이러한 목적은 화학식 In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x (여기서, R = C1-C15-알킬, C1-C15-알케닐, C1-C15-알키닐, C1-C15-알콕시알킬, C6-C15-아릴- 또는 C7-C15-알콕시아릴, X = F, Cl, Br, I 및 x = 0 내지 10)의 본 발명의 할로겐화된 인듐 옥소 알콕시드에 의해 본원에서 달성된다. 놀랍게도, 이들 물질로 공기하에 특히 고품질의 산화인듐-함유 층을 제조하는 것이 추가적으로 가능하다.
현재까지 문헌에 기재되지 않은 이들 화합물 In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x은 할로겐화인듐(III) InX3, 나트륨 또는 칼륨 이소프로폭시드 및 (바람직하게는 건조된) 이소프로판올을 포함하는 반응 혼합물 (A)을 전환시키고, 바람직하게는 중간체로서 형성된 고체 (F1)를 여과에 의해 제거하고 이소프로판올로 세척하여 이소프로판올-함유 세척 용액 (B)을 수득하고, 이소프로판올-함유 용액 (A) 및/또는 (B)로부터 이소프로판올을 제거하여 고체 (F2)를 수득하고, 고체 (F2)를 알콜 ROH에 넣어 혼합물 (C)을 수득하고, 바람직하게는 하나 이상의 여과 단계를 수행하고, 혼합물 (C)로부터 인듐 옥소 알콕시드를 결정화함으로써 합성될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에서, 사용되는 나트륨 또는 칼륨 이소프로폭시드 대 할로겐화인듐(III) InX3의 몰비는 바람직하게는 2.0 내지 2.51 : 1, 특별히 2.4 내지 2.5 : 1이다.
추가적으로 바람직하게는, 사용되는 이소프로판올 대 사용되는 할로겐화인듐(III) InX3의 몰비는 5 내지 3000 : 1, 가장 바람직하게는 15 내지 100 : 1이다.
바람직한 인듐 옥소 알콕시드는 상응하는 염화물, 즉 X = Cl인 상응하는 화합물이다. 이들 화합물은 상응하는 산화인듐-함유 층의 특히 양호한 전기적 특성을 초래하고 특히 간단한 방식으로 제조될 수 있다.
R = -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH3, -CH(CH3)2, -CH2CH2CH2CH3, -CH(CH3)(CH2CH3), -CH2CH2(CH3)2 또는 -C(CH3)3이고 특히 간단한 방식으로 제조 및 가공할 수 있는 상응하는 인듐 옥소 알콕시드가 역시 바람직하다.
R = -CH2CH2-OCH3, -CH2CH2-OCH2CH3, -CH2CH2-OCH2CH2CH3, -CH2CH2-OCH(CH3)2, -CH2CH2-OCH2CH2CH2CH3, -CH2CH2-OCH2CH(CH3)2, -CH2CH2-OCH(CH3)(CH2CH3) 또는 -CH2CH2-OC(CH3)3이고 특히 간단한 방식으로 제조 및 가공할 수 있는 상응하는 인듐 옥소알콕시 알콕시드가 또한 바람직하다.
기재된 방법이 CH3OH, HOCH2CH3, HOCH2CH2CH3, HOCH(CH3)2, HOCH2CH2CH2CH3, HOCH(CH3)(CH2CH3), HOCH2CH2(CH3)2 및 HOC(CH3)3로 이루어진 군으로부터 선택된 알콜 및 InCl3로 수행되는 경우, 본 발명에 따른 방법에서 특히 양호한 수율이 초래된다. 형성되는 바람직한 공정 생성물은 In7O2(OH)(OCH3)12Cl4(CH3OH)x, In7O2(OH)(OCH2CH3)12Cl4(CH3CH2OH)x, In7O2(OH)(OCH2CH2CH3)12Cl4(CH3CH2CH2OH)x, In7O2(OH)(OCH(CH3)2)12Cl4(HOCH(CH3)2)x, In7O2(OH)(OCH2CH2CH2CH3)12Cl4(HOCH2CH2CH2CH3)x, In7O2(OH)(OCH(CH3)(CH2CH3))12Cl4(HOCH(CH3)(CH2CH3))x 및 In7O2(OH)(OC(CH3)3)12Cl4(HOC(CH3)3 )x이며, 여기서 각각의 경우에 x는 0 - 10이다.
특히 바람직한 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드는 도 1에 나타낸 구조식을 갖는 화학식 In7(μ4-O)2(μ2-OH)(μ1-OEt)3(μ2-OEt)7(μ3-OEt)2(μ1-Cl)4의 인듐 옥소 알콕시드이고 이는 추가적으로 결정에서 최대 10개의 배위결합된 에탄올 분자와 함께 존재할 수 있다.
이러한 화합물은 하기 실시예에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다.
본 발명은 산화인듐-함유 층의 제조를 위한 본 발명의 인듐 알콕시드의 용도 및 산화인듐-함유 층을 제조하기 위한 상응하는 방법을 또한 제공한다. 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드는 스퍼터링 공정을 통한 층 제조, 기상 침착을 통한 층 제조, 졸-겔 방법 및 비수성 용액으로부터의 침착에 원칙적으로 적합하다. 그러나, 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드는 비수성 용액으로부터의 침착에 특히 적합하고, 화학식 In7O2(OH)(OCH3)12Cl4(CH3OH)x, In7O2(OH)(OCH2CH3)12Cl4(CH3CH2OH)x, In7O2(OH)(OCH2CH2CH3)12Cl4(CH3CH2CH2OH)x, In7O2(OH)(OCH(CH3)2)12Cl4(HOCH(CH3)2)x, In7O2(OH)(OCH2CH2CH2CH3)12Cl4(HOCH2CH2CH2CH3)x, In7O2(OH)(OCH(CH3)(CH2CH3))12Cl4(HOCH(CH3)(CH2CH3))x 및 In7O2(OH)(OC(CH3)3)12Cl4(HOC(CH3)3 )x (여기서, x = 0 - 10)의 인듐 옥소 알콕시드가 보다 바람직하고, 화학식 In7(μ4-O)2(μ2-OH)(μ1-OEt)3(μ2-OEt)7(μ3-OEt)2(μ1-Cl)4(μ1-EtOH)x (여기서, x = 0 - 10)의 인듐 옥소 알콕시드가 매우 특히 바람직하다.
비수성 용액으로부터의 침착을 통해 산화인듐-함유 층을 제조하기 위한 이러한 방법은 코팅하고자 하는 기재를 1종 이상의 본 발명의 할로겐화된 인듐 옥소 알콕시드를 포함하는 액체 비수성 용액으로 코팅하고, 임의로는 후속적으로 건조시키고, 이어서 산화인듐-함유 층으로 전환하는 방법이다. 본 발명의 문맥에서 액체 조성물은 SATP 조건 ("표준 주변 온도 및 압력"; T = 25℃ 및 p = 1013 hPa)하에 그리고 코팅하고자 하는 기재에 적용시 액체 형태로 존재하는 것을 의미하는 것으로 해석된다. 여기서 그리고 하기에서 비수성 용액 또는 무수 조성물은 200 ppm 이하의 H2O를 포함하는 용액 또는 제형물을 의미하는 것으로 해석된다.
본 발명에 따른 방법의 공정 생성물, 산화인듐-함유 층은 인듐 원자 또는 이온 (산화 형태로 본질적으로 존재함)을 포함하는 금속- 또는 반금속-함유 층을 의미하는 것으로 해석된다. 임의로, 산화인듐-함유 층은 불완전한 전환 또는 형성되는 부산물의 불완전한 제거로부터의 탄소, 질소, 할로겐 또는 알콕시드 성분을 또한 포함할 수 있다. 산화인듐-함유 층은 순수 산화인듐 층이거나, 즉 어떠한 탄소, 질소, 알콕시드 또는 할로겐 성분도 없이 인듐 원자 또는 이온 (산화 형태로 존재함)으로 본질적으로 이루어지거나, 또는 자체로 원소, 산화 또는 또다른 형태로 존재할 수 있는 추가의 원소를 일부 포함할 수 있다. 순수 산화인듐 층을 수득하기 위해, 본 발명의 1종 이상의 인듐 옥소 알콕시드 이외에, 단지 인듐-함유 전구체, 바람직하게는 단지 인듐 옥소 알콕시드 및 인듐 알콕시드가 본 발명에 따른 방법에서 사용되어야 한다. 반대로, 인듐-함유 전구체 이외에 다른 금속을 포함하는 층을 수득하기 위해, 0 산화 상태의 금속의 전구체 (비전하 형태의 추가의 금속을 함유하는 층을 제조하기 위해) 또는 금속 산화물 전구체 (예를 들어, 다른 금속 알콕시드 또는 옥소 알콕시드)를 사용하는 것이 또한 가능하다.
본 발명에 따른 방법은 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드가 유일한 금속 산화물 전구체로서 사용되는 경우 산화인듐 층을 제조하기에 특히 적합하다. 유일한 금속 산화물 전구체가 화학식 In7(μ4-O)2(μ2-OH)(μ1-OEt)3(μ2-OEt)7(μ3-OEt)2(μ1-Cl)4에 상응하는 경우 매우 특히 양호한 층이 초래된다.
1종 이상의 인듐 옥소 알콕시드는 무수 조성물의 총 질량을 기준으로 바람직하게는 0.1 내지 15 중량%, 보다 바람직하게는 1 내지 10 중량%, 가장 바람직하게는 2 내지 5 중량%의 비율로 존재한다.
무수 조성물은 1종 이상의 용매를 추가로 함유하는데, 즉 조성물은 1종의 용매 또는 여러 용매의 혼합물을 함유할 수 있다. 비양성자성 및 약한 양성자성 용매, 즉 비양성자성 비극성 용매, 즉 알칸, 치환된 알칸, 알켄, 알킨, 지방족 또는 방향족 치환기를 갖거나 갖지 않는 방향족 화합물, 할로겐화된 탄화수소, 테트라메틸실란의 군, 비양성자성 극성 용매, 즉 에테르, 방향족 에테르, 치환된 에테르, 에스테르 또는 산 무수물, 케톤, 3차 아민, 니트로메탄, DMF (디메틸포름아미드), DMSO (디메틸술폭사이드) 또는 프로필렌 카보네이트 및 약한 양성자성 용매, 즉 알콜, 1차 및 2차 아민 및 포름아미드의 군으로부터 선택된 것들이 본 발명에 따른 방법을 위한 제형물에서 바람직하게 사용가능하다. 특히 바람직하게 사용가능한 용매는 알콜 및 또한 톨루엔, 크실렌, 아니솔, 메시틸렌, n-헥산, n-헵탄, 트리스(3,6-디옥사헵틸)아민 (TDA), 2-아미노메틸테트라히드로푸란, 페네톨, 4-메틸아니솔, 3-메틸아니솔, 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 테트랄린 및 디에틸 에테르이다. 매우 특히 바람직한 용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 테트라히드로푸르푸릴 알콜, tert-부탄올, n-부탄올, 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트 및 톨루엔 및 이들의 혼합물이다.
특히 양호한 인쇄성을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 방법에서 사용되는 조성물의 점도는 DIN 53019 1 및 2부에 따라 그리고 20℃에서 측정하였을 때 바람직하게는 1 mPa·s 내지 10 Pa·s, 특별히 1 mPa·s 내지 100 mPa·s이다. 상응하는 점도는 중합체, 셀룰로스 유도체 또는, 예를 들어 에어로실 (Aerosil) (상표명)하에 수득가능한 SiO2를 첨가함으로써 그리고 특별히 PMMA, 폴리비닐 알콜, 우레탄 증점제 또는 폴리아크릴레이트 증점제를 통해 설정될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에서 사용되는 기재는 바람직하게는 유리, 규소, 이산화규소, 금속 산화물 또는 전이 금속 산화물, 금속 또는 중합체 물질, 특별히 PI 또는 PET로 이루어진 기재이다.
산화인듐-함유 층은 바람직하게는 인쇄 공정 (특별히, 플렉소그래픽 (flexographic)/그라비아 (gravure) 인쇄, 잉크젯 (inkjet) 인쇄, 오프셋 (offset) 인쇄, 디지털 오프셋 인쇄 및 스크린 인쇄), 분무 공정, 회전 코팅 공정 ("스핀 코팅"), 침지 공정 ("침지-코팅")으로부터 선택된 코팅 공정 및 메니스커스 (meniscus) 코팅, 슬릿 (slit) 코팅, 슬랏-다이 (slot-die) 코팅 및 커튼 (curtain) 코팅으로부터 선택된 공정을 통해 제조된다. 가장 바람직하게는, 코팅 공정은 인쇄 공정이다.
코팅 후에 그리고 전환 전에, 코팅된 기재를 추가적으로 건조시킬 수 있다. 이러한 목적을 위한 상응하는 방법 및 조건은 당업자에게 공지되어 있다.
산화인듐-함유 층으로의 전환은 열적 경로 및/또는 전자기, 특별히 화학선 복사선의 조사에 의해 수행될 수 있다. 150℃ 초과의 온도를 통한 열적 경로에 의해 전환시키는 것이 바람직하다. 그러나, 전환을 위해 250℃ 내지 360℃의 온도를 사용하는 경우 특히 양호한 결과가 달성될 수 있다.
전형적으로, 수 초 내지 최대 수 시간의 전환 시간이 사용된다.
열적 처리 이전에, 열적 처리 동안 또는 열적 처리 후에 UV, IR 또는 VIS 복사선을 주입하거나 또는 코팅된 기재를 공기 또는 산소로 처리함으로써 열적 전환을 추가적으로 촉진시킬 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 의해 수득된 층의 품질은 전환 단계를 뒤따르는 열적 및 가스 처리 (H2 또는 O2로)의 결합, 플라즈마 처리 (Ar, N2, O2 또는 H2 플라즈마), 레이저 처리 (UV, VIS 또는 IR 범위의 파장으로) 또는 오존 처리에 의해 또한 추가적으로 개선될 수 있다.
본 발명은 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드를 통해 제조가능한 산화인듐-함유 층을 또한 제공한다. 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드로부터 제조가능하고 순수 산화인듐 층인 산화인듐-함유 층은 특히 양호한 특성을 갖는다.
액상으로부터 산화인듐-함유 층을 제조하기 위한 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드의 양호한 적합성 때문에, 본 발명은 액체 코팅 조성물의 제조를 위한 본 발명의 인듐 옥소 알콕시드의 용도를 또한 제공한다. 액체 코팅 조성물은 SATP 조건 ("표준 주변 온도 및 압력"; T = 25℃ 및 p = 1013 hPa)하에서 그리고 코팅하고자 하는 기재에 적용시 액체 형태로 존재하는 것을 의미하는 것으로 해석된다.
본 발명의 인듐 옥소 알콕시드는 전자 부품의 제조, 특별히 트랜지스터 (특별히, 박층 트랜지스터), 디스플레이, RFID 태그 (tag), 회로, 다이오드, 센서 또는 태양 전지의 제조에 추가적으로 유리하게 적합하다.
하기 실시예는 본 발명의 대상을 제한 없이 상세히 예시하도록 의도된다.
실시예
In
7
(μ
4
-O)
2
(μ
2
-
OH
)(μ
1
-
OEt
)
3
(μ
2
-
OEt
)
7
(μ
3
-
OEt
)
2
(μ
1
-
Cl
)
4
(μ
1
-
HOEt
)
5
의 합성
잔류 수분을 제거한 1 l 유리 둥근 바닥 플라스크에서, 보호 가스 대기하에 환류시키면서 나트륨 1.3 g (56.55 mmol, 2.5 당량)을 250 ml의 이소프로판올에 용해시켰다. 형성된 NaOiPr 용액에 250 ml의 건조된 이소프로판올 중의 염화인듐(III) (InCl3) 5.0 g (22.6 mmol)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 환류하에 2시간 동안 격렬하게 교반시켰다. 냉각시킨 후, 용액을 여과하고 침전물을 각각 이소프로판올 100 ml로 2회 세척하였다. 합한 액체 분획물을 감압하에 농축시켰다. 잔류 고체를 200 ml의 에탄올 (H2O <10 ppm)에 넣고 여과하였다. 대략 1주 후, -30℃에서 용액으로부터 결정이 형성되었다 (대략 20% 수율). 단일 결정 구조 분석에 따라, 결정에서의 분자 구조는 화학식 In7(μ4-O)2(μ2-OH)(μ1-OEt)3(μ2-OEt)7(μ3-OEt)2(μ1-Cl)4(μ1-HOEt)5에 상응하였다.
산화인듐 층의 제조
가장자리 길이가 약 15 mm이고 산화규소 코팅 두께가 대략 200 nm인 도핑된 규소 기재 및 ITO/금의 핑거 (finger) 구조물을 알콜 (메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올) 또는 톨루엔 중의 In7(μ4-O)2(μ2-OH)(μ1-OEt)3(μ2-OEt)7(μ3-OEt)2(μ1-Cl)4(μ1-HOEt)5의 5 중량% 용액 100 μl로 스핀-코팅 (2000 rpm)에 의해 코팅하였다. 코팅 작업 후, 코팅된 기재를 공기하에 260℃ 또는 350℃의 온도에서 1시간 동안 열처리하였다.
본 발명의 코팅은 최대 1.5 cm2/Vs (게이트-소스 (gate-source) 전압 30 V, 소스-드레인 (source-drain) 전압 30 V, 채널 너비 1 cm 및 채널 길이 20 μm)의 전하 캐리어 이동도를 나타내었다.
| 전하 캐리어 이동도 | ||
| 전하 캐리어 이동도/cm2Vㅡ1sㅡ1 | ||
| 용매 | 260℃ | 350℃ |
| 메탄올 | 0.2 | 1.0 |
| 에탄올 | 0.25 | 1.1 |
| 이소프로판올 | 0.5 | 1.5 |
| 톨루엔 | 0.1 | 0.8 |
Claims (11)
- 하기 화학식의 할로겐화된 인듐 옥소 알콕시드.
In7O2(OH)(OR)12X4(ROH)x
상기 식에서,
R = C1-C15-알킬,
X = F, Cl, Br, I 및
x = 0 내지 10. - 제1항에 있어서, 하기 화학식으로 기재될 수 있음을 특징으로 하는 인듐 옥소 알콕시드.
In7(μ4-O)2(μ2-OH)(μ1-OEt)3(μ2-OEt)7(μ3-OEt)2(μ1-Cl)4 - - 할로겐화인듐(III) InX3, 나트륨 또는 칼륨 이소프로폭시드 및 이소프로판올을 포함하는 반응 혼합물 (A)을 반응시키고,
- 반응된 혼합물 (A)로부터 이소프로판올을 제거하여 고체 (F2)를 수득하고,
- 고체 (F2)를 알콜 ROH에 넣어 혼합물 (C)을 수득하고,
- 혼합물 (C)로부터 인듐 옥소 알콕시드를 결정화시키는
것을 특징으로 하는, 제1항 또는 제2항에 따른 인듐 옥소 알콕시드의 제조 방법. - 제3항에 있어서, 할로겐화인듐(III) InX3이 InCl3이고 알콜이 CH3OH, HOCH2CH3, HOCH2CH2CH3, HOCH(CH3)2, HOCH2CH2CH2CH3, HOCH(CH3)(CH2CH3) 및 HOC(CH3)3로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 인듐 옥소 알콕시드의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,
반응된 혼합물 (A)로부터 이소프로판올을 제거하기 전에, 중간체로서 형성된 고체 (F1)를 여과하고 이소프로판올로 세척하는 것을 특징으로 하는 인듐 옥소 알콕시드의 제조 방법. - 제3항에 있어서, 혼합물 (C)을 수득한 후 하나 이상의 여과 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 인듐 옥소 알콕시드의 제조 방법.
- 산화인듐-함유 코팅물의 제조를 위한 제1항 또는 제2항에 따른 인듐 옥소 알콕시드의 사용 방법.
- 제7항에 있어서, 산화인듐-함유 코팅물이 비수성 용액으로부터의 침착을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 액체 코팅 조성물의 제조를 위한 제1항 또는 제2항에 따른 인듐 옥소 알콕시드의 사용 방법.
- 전자 부품의 제조를 위한 제1항 또는 제2항에 따른 인듐 옥소 알콕시드의 사용 방법.
- 트랜지스터, 디스플레이, RFID 태그 (tag), 회로, 다이오드, 센서 또는 태양 전지의 제조를 위한 제1항 또는 제2항에 따른 인듐 옥소 알콕시드의 사용 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010031895.7 | 2010-07-21 | ||
| DE102010031895A DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2010-07-21 | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| PCT/EP2011/061867 WO2012010464A1 (de) | 2010-07-21 | 2011-07-12 | Indiumoxoalkoxide für die herstellung indiumoxid-haltiger schichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130132730A KR20130132730A (ko) | 2013-12-05 |
| KR101884955B1 true KR101884955B1 (ko) | 2018-08-02 |
Family
ID=44629389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020137001419A KR101884955B1 (ko) | 2010-07-21 | 2011-07-12 | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9650396B2 (ko) |
| EP (1) | EP2595999B1 (ko) |
| JP (1) | JP5877832B2 (ko) |
| KR (1) | KR101884955B1 (ko) |
| CN (1) | CN102985429B (ko) |
| DE (1) | DE102010031895A1 (ko) |
| RU (1) | RU2572784C2 (ko) |
| TW (1) | TWI548642B (ko) |
| WO (1) | WO2012010464A1 (ko) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102010031592A1 (de) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
| DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212019A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102013212018A1 (de) * | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| CN115220300A (zh) * | 2021-04-14 | 2022-10-21 | 华为技术有限公司 | 图案化材料、图案化组合物和图案形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237081A (en) | 1990-03-16 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | Preparation of indium alkoxides soluble in organic solvents |
| US20090112012A1 (en) | 2007-10-27 | 2009-04-30 | Multivalent Limited | Synthesis of gallium and indium alkoxides |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2181389C2 (ru) * | 1999-06-29 | 2002-04-20 | Омский научно-исследовательский институт приборостроения | Способ получения прозрачной электропроводящей пленки на основе оксидов индия и олова |
| CN1101352C (zh) * | 2000-07-15 | 2003-02-12 | 昆明理工大学 | 铟锡氧化物薄膜溶胶—凝胶制备方法 |
| US6958300B2 (en) | 2002-08-28 | 2005-10-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides |
| JP2004193330A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Sharp Corp | モノリシック多波長レーザ素子とその製法 |
| JP2004231495A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Nippon Shokubai Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP4767616B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-09-07 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス |
| US8227040B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-07-24 | 3M Innovative Properties Company | Method of curing metal alkoxide-containing films |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009028801B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-04-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Indiumoxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
| DE102009054997B3 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102009054998A1 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102011084145A1 (de) | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochperformanten und elektrisch stabilen, halbleitenden Metalloxidschichten, nach dem Verfahren hergestellte Schichten und deren Verwendung |
-
2010
- 2010-07-21 DE DE102010031895A patent/DE102010031895A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-07-12 CN CN201180035604.4A patent/CN102985429B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-12 RU RU2013107449/04A patent/RU2572784C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-07-12 US US13/809,423 patent/US9650396B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-12 EP EP11738673.0A patent/EP2595999B1/de not_active Not-in-force
- 2011-07-12 KR KR1020137001419A patent/KR101884955B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-12 JP JP2013520061A patent/JP5877832B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-12 WO PCT/EP2011/061867 patent/WO2012010464A1/de active Application Filing
- 2011-07-19 TW TW100125460A patent/TWI548642B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237081A (en) | 1990-03-16 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | Preparation of indium alkoxides soluble in organic solvents |
| US20090112012A1 (en) | 2007-10-27 | 2009-04-30 | Multivalent Limited | Synthesis of gallium and indium alkoxides |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| J. AM. CHEM. SOC., Vol. 130, pp. 12580-12581, 2008 |
| Z. Anorg. Allg. Chem., Vol. 633, pp. 2154-2158, 2007 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013532640A (ja) | 2013-08-19 |
| US20130104773A1 (en) | 2013-05-02 |
| EP2595999A1 (de) | 2013-05-29 |
| CN102985429A (zh) | 2013-03-20 |
| TW201217389A (en) | 2012-05-01 |
| JP5877832B2 (ja) | 2016-03-08 |
| DE102010031895A1 (de) | 2012-01-26 |
| US9650396B2 (en) | 2017-05-16 |
| WO2012010464A1 (de) | 2012-01-26 |
| TWI548642B (zh) | 2016-09-11 |
| EP2595999B1 (de) | 2014-05-21 |
| CN102985429B (zh) | 2015-11-25 |
| RU2572784C2 (ru) | 2016-01-20 |
| RU2013107449A (ru) | 2014-08-27 |
| KR20130132730A (ko) | 2013-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101884955B1 (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| KR101884956B1 (ko) | 산화인듐을 함유하는 코팅물을 제조하기 위한 인듐 옥소 알콕시드 | |
| KR101725573B1 (ko) | 금속 산화물-함유 층의 제조 방법 | |
| KR101719853B1 (ko) | 산화인듐 함유 층의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 산화인듐 함유 층 및 그의 용도 | |
| KR101662980B1 (ko) | 산화 인듐을 함유하는 층의 제조 방법 | |
| KR101801431B1 (ko) | 인듐 산화물-함유 층의 제조 방법 | |
| US8580989B2 (en) | Process for the preparation of indium chlordialkoxides | |
| KR102032168B1 (ko) | 산화 인듐-함유 층 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |