RU2012130177A - Способ получения хлордиалкоксидов индия - Google Patents
Способ получения хлордиалкоксидов индия Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012130177A RU2012130177A RU2012130177/04A RU2012130177A RU2012130177A RU 2012130177 A RU2012130177 A RU 2012130177A RU 2012130177/04 A RU2012130177/04 A RU 2012130177/04A RU 2012130177 A RU2012130177 A RU 2012130177A RU 2012130177 A RU2012130177 A RU 2012130177A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- general formula
- indium
- composition
- secondary amine
- alkyl
- Prior art date
Links
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 10
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract 8
- -1 indium (III) halide Chemical class 0.000 claims abstract 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M indium(i) bromide Chemical compound [Br-].[In+] KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 125000006732 (C1-C15) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/003—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
1. Способ получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулыс Х=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,при котором композиция (А), включающаятригалогенид индия InXс Х=F, Cl, Br и/или I ипо меньшей мере один спирт общей формулы ROH с R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,взаимодействует с композицией (В), включающей по меньшей мере один вторичный амин общей формулы R'NH с R' = алкильный остаток.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что тригалогенид индия выбран из группы, состоящей из InF, InCl, InBrи InI.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что тригалогенид индия InXприменяется с содержанием от 0,1 до 50% масс.в пересчете на суммарную массу композиции (А).4. Способ по п.1, отличающийся тем, что спирт ROH имеет остаток R, выбранный из С1-С15-алкильных или -алкилоксиалкильных остатков.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что спирт ROH применяется с содержанием 50-99,9% масс. в пересчете на суммарную массу композиции (А).6. Способ по п.1, отличающийся тем, что композиция (А) дополнительно имеет по меньшей мере один инертный в отношении реакции жидкий растворитель или дисперсионную среду.7. Способ по п.1, отличающийся тем, что вторичный амин общей формулы R'NH является вторичным амином с остатками R', выбранными из группы, состоящей из алкильных остатков с 1-10 атомами углерода.8. Способ по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что вторичный амин общей формулы R'NH применяется по меньшей мере в двойном стехиометрическом количестве по отношению к тригалогениду индия.9. Применение по меньшей мере одного галогендиалкоксида индия (III) общей формулы InX(OR), получаемого способом по одному из пп.1-8 для изготовления покрытий, содержащих оксид индия.10. Применение п
Claims (10)
1. Способ получения галогендиалкоксидов индия (III) общей формулы
с Х=F, Cl, Br, I и R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,
при котором композиция (А), включающая
тригалогенид индия InX3 с Х=F, Cl, Br и/или I и
по меньшей мере один спирт общей формулы ROH с R = алкильный остаток, алкилоксиалкильный остаток,
взаимодействует с композицией (В), включающей по меньшей мере один вторичный амин общей формулы R'2NH с R' = алкильный остаток.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что тригалогенид индия выбран из группы, состоящей из InF3, InCl3, InBr3 и InI3.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что тригалогенид индия InX3 применяется с содержанием от 0,1 до 50% масс.в пересчете на суммарную массу композиции (А).
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что спирт ROH имеет остаток R, выбранный из С1-С15-алкильных или -алкилоксиалкильных остатков.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что спирт ROH применяется с содержанием 50-99,9% масс. в пересчете на суммарную массу композиции (А).
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что композиция (А) дополнительно имеет по меньшей мере один инертный в отношении реакции жидкий растворитель или дисперсионную среду.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что вторичный амин общей формулы R'2NH является вторичным амином с остатками R', выбранными из группы, состоящей из алкильных остатков с 1-10 атомами углерода.
8. Способ по одному из пп.1-7, отличающийся тем, что вторичный амин общей формулы R'2NH применяется по меньшей мере в двойном стехиометрическом количестве по отношению к тригалогениду индия.
9. Применение по меньшей мере одного галогендиалкоксида индия (III) общей формулы InX(OR)2, получаемого способом по одному из пп.1-8 для изготовления покрытий, содержащих оксид индия.
10. Применение по меньшей мере одного галогендиалкоксида индия (III) общей формулы InX(OR)2 для изготовления полупроводниковых или проводниковых слоев для электронных структурных элементов, в частности для производства (тонкопленочных) транзисторов, диодов или солнечных элементов.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009054998.6 | 2009-12-18 | ||
| DE102009054998A DE102009054998A1 (de) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
| PCT/EP2010/059376 WO2011072887A1 (de) | 2009-12-18 | 2010-07-01 | Verfahren zur herstellung von indiumchlordialkoxiden |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012130177A true RU2012130177A (ru) | 2014-01-27 |
| RU2541539C2 RU2541539C2 (ru) | 2015-02-20 |
Family
ID=42697254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012130177/04A RU2541539C2 (ru) | 2009-12-18 | 2010-07-01 | Способ получения хлордиалкоксидов индия |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8580989B2 (ru) |
| EP (1) | EP2513120B1 (ru) |
| JP (1) | JP5575263B2 (ru) |
| KR (1) | KR101720371B1 (ru) |
| CN (1) | CN102652137B (ru) |
| DE (1) | DE102009054998A1 (ru) |
| RU (1) | RU2541539C2 (ru) |
| TW (1) | TWI519510B (ru) |
| WO (1) | WO2011072887A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007018431A1 (de) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| DE102008058040A1 (de) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009028802B3 (de) | 2009-08-21 | 2011-03-24 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung Metalloxid-haltiger Schichten, nach dem Verfahren herstellbare Metalloxid-haltige Schicht und deren Verwendung |
| DE102010031895A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010031592A1 (de) | 2010-07-21 | 2012-01-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumoxoalkoxide für die Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102010043668B4 (de) | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102012209918A1 (de) | 2012-06-13 | 2013-12-19 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten |
| DE102013212017A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Indiumalkoxid-Verbindungen, die nach dem Verfahren herstellbaren Indiumalkoxid-Verbindungen und ihre Verwendung |
| DE102013212019A1 (de) * | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Formulierungen zur Herstellung Indiumoxid-haltiger Schichten, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102013212018A1 (de) | 2013-06-25 | 2015-01-08 | Evonik Industries Ag | Metalloxid-Prekursoren, sie enthaltende Beschichtungszusammensetzungen, und ihre Verwendung |
| DE102014202718A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Evonik Degussa Gmbh | Beschichtungszusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| EP3009402A1 (de) * | 2014-10-15 | 2016-04-20 | Justus-Liebig-Universität Gießen | Verfahren zur Herstellung von gemischten Metallhalogenid-Alkoxiden und Metalloxid-Nanopartikeln |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU375293A1 (ru) * | 1971-08-02 | 1973-03-23 | Способ получения триметилгаллия или триметилиндия | |
| JPS59198607A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜を備えた透明導電膜 |
| JPS59198606A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| JPS63243091A (ja) * | 1985-04-22 | 1988-10-07 | ストウフア− ケミカル カンパニ− | 金属アルコキシドの製法 |
| US4681959A (en) | 1985-04-22 | 1987-07-21 | Stauffer Chemical Company | Preparation of insoluble metal alkoxides |
| JPH01115010A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Central Glass Co Ltd | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
| JPH02113033A (ja) | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Central Glass Co Ltd | 静電防止処理を施された非金属材料およびこれらの処理方法 |
| JPH02145459A (ja) | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Central Glass Co Ltd | 複写機用ガラスおよびその製造法 |
| FR2659649B1 (fr) * | 1990-03-16 | 1992-06-12 | Kodak Pathe | Preparation d'alkoxydes d'indium solubles dans les solvants organiques. |
| JP2831431B2 (ja) * | 1990-04-10 | 1998-12-02 | 株式会社ジャパンエナジー | 高純度金属アルコキサイドの製造方法 |
| JP4073146B2 (ja) | 2000-03-17 | 2008-04-09 | 株式会社高純度化学研究所 | ガリウムアルコキシドの精製方法 |
| DE102007018431A1 (de) | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Pyrogenes Zinkoxid enthaltender Verbund von Schichten und diesen Verbund aufweisender Feldeffekttransistor |
| GB2454019B (en) | 2007-10-27 | 2011-11-09 | Multivalent Ltd | Improvements in or relating to synthesis of gallium and indium alkoxides |
| DE102008058040A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-27 | Evonik Degussa Gmbh | Formulierungen enthaltend ein Gemisch von ZnO-Cubanen und sie einsetzendes Verfahren zur Herstellung halbleitender ZnO-Schichten |
| DE102009009337A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-Schichten und deren Verwendung |
| DE102009009338A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Evonik Degussa Gmbh | Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| DE102009050703B3 (de) | 2009-10-26 | 2011-04-21 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Selbstassemblierung elektrischer, elektronischer oder mikromechanischer Bauelemente auf einem Substrat und damit hergestelltes Erzeugnis |
-
2009
- 2009-12-18 DE DE102009054998A patent/DE102009054998A1/de not_active Ceased
-
2010
- 2010-07-01 KR KR1020127015505A patent/KR101720371B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-01 JP JP2012543537A patent/JP5575263B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 RU RU2012130177/04A patent/RU2541539C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-07-01 EP EP10726542.3A patent/EP2513120B1/de not_active Not-in-force
- 2010-07-01 US US13/515,007 patent/US8580989B2/en active Active
- 2010-07-01 CN CN201080057796.4A patent/CN102652137B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-07-01 WO PCT/EP2010/059376 patent/WO2011072887A1/de active Application Filing
- 2010-12-15 TW TW099143968A patent/TWI519510B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120289728A1 (en) | 2012-11-15 |
| US8580989B2 (en) | 2013-11-12 |
| TWI519510B (zh) | 2016-02-01 |
| RU2541539C2 (ru) | 2015-02-20 |
| JP2013514290A (ja) | 2013-04-25 |
| WO2011072887A1 (de) | 2011-06-23 |
| TW201136877A (en) | 2011-11-01 |
| CN102652137B (zh) | 2015-12-02 |
| EP2513120B1 (de) | 2017-08-30 |
| DE102009054998A1 (de) | 2011-06-22 |
| JP5575263B2 (ja) | 2014-08-20 |
| KR20120104998A (ko) | 2012-09-24 |
| KR101720371B1 (ko) | 2017-03-27 |
| CN102652137A (zh) | 2012-08-29 |
| EP2513120A1 (de) | 2012-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012130177A (ru) | Способ получения хлордиалкоксидов индия | |
| RU2014117188A (ru) | Способ получения производных 4,4-дифтор-3,4-дигидроизохинолина | |
| RU2012138259A (ru) | Способ получения ривароксабана | |
| JP2011514884A5 (ru) | ||
| RU2010117520A (ru) | Промежуточные соединения и способы синтеза аналогов галихондрина в | |
| RU2015121797A (ru) | Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент | |
| NO20080473L (no) | Drivstoffadditiver | |
| EP2151444A3 (en) | A fluorine-containing acrylate cross references | |
| JP2011227454A5 (ru) | ||
| JP2013170170A5 (ru) | ||
| JP2020527840A5 (ru) | ||
| JP2008123714A5 (ru) | ||
| EP2292586A3 (en) | Photoelectric conversion material, film containing the material, photoelectric conversion device, production method thereof, photosensor, imaging device and their use methods | |
| TW201402470A (zh) | 複合氧化物薄膜製造用組合物及使用該組合物之薄膜之製造方法、與複合氧化物薄膜 | |
| WO2013153065A3 (en) | Silicon-containing (meth)acrylate compounds | |
| JP2009224258A5 (ru) | ||
| JP2007210969A5 (ru) | ||
| EP2455812A3 (en) | Photosensitive copolymer and photoresist composition | |
| WO2020211140A1 (zh) | 电致发光材料、电致发光材料的制备方法及发光器件 | |
| WO2011136890A1 (en) | Organosilicon glycol-based electrolytes with a hydroxy terminus | |
| JP2021508145A5 (ru) | ||
| JP6860597B2 (ja) | 蛍光材料及びその製造方法 | |
| JP2015218139A (ja) | ケイ素系化合物 | |
| JP2009211921A5 (ru) | ||
| JP2019147941A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200702 |