JP4697732B2 - 酸化チタン薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態に係る製造方法では、まずカーボンナノチューブに表面改質処理を行う。表面改質処理は、カーボンナノチューブの表面に欠陥部位や細孔、酸化部位を設けるための処理であり、例えば超音波や高周波を照射することによって行う。あるいはカーボンナノチューブに熱処理を施すことによって表面に欠陥部位や細孔、酸化部位を設けるようにしても良い。適用するカーボンナノチューブとしては、単層のものであっても良いし、多層のものであっても良い。特に、稠密多層カーボンナノチューブ(d-CNTs)の場合には、金属触媒を要せずに合成することが可能であり、金属不純物をまったく含んでいないため好適である。
図1に示すように、高周波プラズマ装置(日本高周波株式会社製 HIK-100)を用いてグラファイトの直接蒸発により稠密多層カーボンナノチューブを生成し、この稠密多層カーボンナノチューブをエチルアルコールに分散させた。このエチルアルコール中の稠密多層カーボンナノチューブに対して超音波処理装置(Hielscher UP400s)により、300W/cm2 で30分間超音波処理し、表面に欠陥部位や細孔、酸化部位等の改質部分を設けた稠密多層カーボンナノチューブ(r-CNTs)を調製した。
高周波プラズマ装置(日本高周波株式会社製 HIK-100)を用いてグラファイトの直接蒸発により稠密多層カーボンナノチューブを生成し、この稠密多層カーボンナノチューブをエチルアルコールに分散させた。
高周波プラズマ装置(日本高周波株式会社製 HIK-100)を用いてグラファイトの直接蒸発により稠密多層カーボンナノチューブを生成し、この稠密多層カーボンナノチューブをエチルアルコールに分散させた。
図4〜図6は、レーザーアブレーションを行った後のガラス基板の表面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)(日立製作所 S-4000)及び透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)(日立製作所 H-9000)によって観察した結果を示したものである。SEMにおいては加速電圧18.0kVで観察を行った。尚、チャージアップを防ぐために、ガラス基板の表面にAu蒸着を120秒×2回行っている。TEM観察においては加速電圧300kVで観測を行った。図4は、実施例であるガラス基板のSEM観察結果を示し、図5は、実施例であるガラス基板のTEM観察結果を示す。図6は、比較例であるガラス基板の表面をSEM観察した結果を示したもので、(a)が比較例1、(b)が比較例2のものである。
以下の参考例に係る製造方法は、基板にカーボンナノチューブを垂直配向した後、この基板に対して酸化チタンの蒸着処理を施すようにしたものである。
10 石英管
11 真空チャンバー
Claims (2)
- 表面改質処理を施したカーボンナノチューブを基板に分散配置した後、この基板に酸化チタンの蒸着処理を施すことを特徴とする酸化チタン薄膜の製造方法。
- カーボンナノチューブの表面に欠陥部位及び/または細孔及び/または酸化部位を設けることによって表面改質を行うことを特徴とする請求項1に記載の酸化チタン薄膜の製造方法。
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