JP4691241B2 - 高純度コバルトの製造方法および塩化コバルトの精製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅などの不純物の含有量を低減した高純度コバルトおよびその製造方法ならびに高純度コバルトターゲットに関する。
【0002】
【従来の技術】
VLSI(very Large Scale Integrated circuit),ULSI(ultra LSI)などの半導体デバイスは、例えば、シリコン(Si)ウェハーの上に様々な金属の薄膜が設けられた構造を有している。近年では、配線材料としてコバルト(Co)を用いる検討がなされているが、コバルトに有害な不純物が含まれていると、半導体デバイスに誤動作あるいは劣化などを生じさせる原因となり好ましくない。例えば、銅(Cu)はシリコン中での拡散速度が大きく短絡の原因となり、ウラン(U)あるいはトリウム(Th)などの放射性元素は誤作動を引き起こす可能性が高く、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属は特性劣化の原因となる。
【0003】
ところが、現在世界的に取引されている粗コバルトの品位は98%〜99.8%程度である。このような粗コバルトには、ニッケル(Ni),鉄(Fe)あるいはクロム(Cr)などの遷移金属、および酸素(O),窒素(N)あるいは硫黄(S)などのガス性元素をはじめ、様々な不純物が含有されている。よって、コバルトを半導体デバイスに利用するには、粗コバルトからこれらの不純物を除去し高純度化する必要がある。また、コバルトは、半導体デバイス以外にも、強磁性金属としての特性を生かし、磁気記録媒体あるいは磁気記録ヘッドなどの材料として非常に有望視されている。コバルトの高純度化はこれらへの利用を図る上でも必須である。
【0004】
粗コバルトから不純物を除去する方法は、これまでにも種々研究されてきており、例えば、溶媒抽出,イオン交換あるいは電解精製などの湿式処理による金属元素の分離、乾燥水素ガス(H2)処理による酸素あるいは窒素などのガス性元素の除去、または浮遊帯熔融精製がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、溶媒抽出では、抽出・逆抽出の制御が難しく工業的に安定にコバルトを精製することが難しいという問題があった。イオン交換では、ほぼすべての金属不純物を分離できるものの、銅の除去が困難であり、精製前後で含有量が変わらないという問題があった。電解精製では、電解液のpH領域での制御が必要であり、またニッケルあるいは銅などの除去が困難であるという問題もあった。浮遊帯熔融精製はある程度純化した金属に適用して更に純度をあげることを目的とするが、コバルトの場合、浮遊帯熔融による効果は非常に少ないことが報告されている(V.G.Glebovsky,et al.,Materials Letters,36(1998),pp.308−314)。よって、容易に安定してコバルトを高純度化する方法、特に銅を除去する方法の開発が望まれていた。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、容易に安定して高純度コバルトを得ることができる高純度コバルトの製造方法および塩化コバルトの精製方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明による高純度コバルトの製造方法は、塩化コバルト水溶液に不純物として含まれる銅を1価イオンとし、塩酸濃度を0.1kmol/m3 以上3kmol/m3 以下の範囲内に調整して、1価イオンの銅を陰イオン交換樹脂により塩化コバルト水溶液から分離する工程と、銅を分離した塩化コバルト水溶液から塩化コバルトあるいはその水和物を得る工程と、塩化コバルトあるいはその水和物を、水素雰囲気中において623K以上873K未満の温度で加熱し、コバルトを得る工程とを含むものである。
【0011】
本発明による塩化コバルトの精製方法は、塩化コバルト水溶液に不純物として含まれる銅を1価イオンとし、塩酸濃度を0.1kmol/m 3 以上3kmol/m 3 以下の範囲内に調整して、1価イオンの銅を陰イオン交換樹脂により塩化コバルト水溶液から分離する工程を含むものである。
【0015】
本発明による高純度コバルトの製造方法または塩化コバルトの精製方法では、銅を1価イオンとし、塩酸濃度を調整する。これにより、銅は陰イオン交換樹脂に吸着されるのに対して、コバルトは吸着されず、塩化コバルト水溶液から銅が容易にかつ安定して分離される。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0018】
本発明の一実施の形態に係る高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットは、純度が99.99質量%以上、または残留抵抗比が150以上であり、不純物である銅の濃度が50質量ppb以下のものである。
【0019】
ここで、純度(すなわち化学的純度)は、現在利用できる分析機器・方法を用いて定量可能なすべての不純物濃度を定量し、1から差し引いたものである(一色実,三村耕司,日本金属学会会報、31(1992),880−887参照)。例えば,分析機器にグロー放電質量分析(Glow Discharge Mass Spectroscopy)を使用し、定量可能な70元素あるいはそれ以上の不純物を測定して1から差し引くことにより求められる。酸素,窒素あるいは水素などのガス性元素については、必要に応じて非分散赤外線吸収法,熱伝導度法あるいは不活性ガス中で融解したのちカラムで分離し熱伝導度を測定するなどの適当な方法が適用される。
【0020】
また、残留抵抗比は高純度金属の純度を示す一つの指標となるものであり、数1に示したように298Kにおける比抵抗と4.2Kにおける比抵抗との比を取ったものである。比抵抗は抵抗値(電気抵抗)と数2に示したような関係があるので、残留抵抗比は数3に示したように変換することができ、温度による体積変化が無視できる程度であれば、298Kにおける抵抗値と4.2Kにおける抵抗値との比で近似される。なお、コバルトは強磁性金属であるので、抵抗を測定する際には、地磁気,消磁条件あるいは測定電流による磁場などによる影響を抑える必要があり、通常60kA/m程度の縦磁場をかけて測定を行うようにする(高木清一,まてりあ,33(1994),6−10参照)。
【0021】
【数1】
RRR=ρ298K/ρ4.2K
RRR;残留抵抗比
ρ298K;298Kにおける比抵抗(Ωm)
ρ4.2K;4.2Kにおける比抵抗(Ωm)
【0022】
【数2】
ρ=R×(S/L)
ρ;比抵抗(Ωm)
R;抵抗値(Ω)
S;電流の方向に垂直な断面積(m2)
L;長さ(m)
【0023】
【数3】
RRR;残留抵抗比
R298K,S298K,L298K
;298Kにおける抵抗値,断面積,長さ
R4.2K,S4.2K,L4.2K
;4.2Kにおける抵抗値,断面積,長さ
【0024】
この高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットは、例えば、半導体デバイス,磁気記録媒体,磁気記録ヘッドあるいは環境半導体を用いたデバイスなどの材料として用いられる。なお、環境半導体とは、地球上に豊富に存在しかつ環境に優しい材料から構成される半導体物質のことであり、例えば、ケイ化鉄(FeSi2)あるいはケイ化カルシウム(Ca2Si)が挙げられる(環境半導体研究会ホームページ(http://kan.engjm.saitama−u.ac.jp/SKS/index2.html)参照)。
【0025】
このような高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットは、次のようにして製造することができる。
【0026】
図1および図2は本実施の形態に係る高純度コバルトの製造工程を表すものである。まず、銅などの不純物を含むコバルトを塩酸溶液に溶解し、塩化コバルト(CoCl2)水溶液を作製する(ステップS101)。その際、塩酸濃度を0.1kmol/m3以上3kmol/m3以下の範囲内に調整する。
【0027】
次いで、図3に示したように、この塩化コバルト水溶液Mをコバルトなどの金属11と共に容器12に入れ、窒素ガス(N2)あるいはアルゴンガス(Ar)などの不活性ガス13を吹き込むと共に、塩化コバルト水溶液Mと金属11とを例えばスターラー14により攪拌して十分に接触させる(ステップS102)。これにより、塩化コバルト水溶液Mに含まれる銅は、例えば化1に示したように反応し、2価イオンから1価イオンとなる。
【0028】
【化1】
2[CuCl2]0+Co(固)
→Co2++2[CuCl2]−
【0029】
ここで塩化コバルト水溶液Mに不活性ガス13を吹き込むのは、塩化コバルト水溶液Mに溶存している酸素を追い出すためであり、化1に示した反応などは塩化コバルト水溶液Mに酸素が溶存していると進行しない。この不活性ガス13の吹き込みは塩化コバルト水溶液Mと金属11とを攪拌する際に同時に行ってもよく、塩化コバルト水溶液Mに金属11を入れる前に行ってもよい。
【0030】
金属11は粉末のように表面積の大きいものが好ましい。塩化コバルト水溶液Mとの接触面積を大きくすることにより、銅を十分に反応させることができるからである。金属11にはコバルト以外のものも用いることができるが、好ましいのはコバルトである。塩化コバルト水溶液Mに他の不純物が混入することを可能な限り防止するためである。
【0031】
なお、ここでは塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を調整したのち、塩化コバルト水溶液Mと金属11とを接触させて銅を1価イオンとするようにしたが、塩化コバルト水溶液Mを金属11と接触させて銅を1価イオンとしたのち、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を調整するようにしてもよい。
【0032】
続いて、図4に示したように、陰イオン交換樹脂21を充填したカラム22を用意し、塩化コバルト水溶液Mを貯蔵タンク23からカラム22に流し込み、陰イオン交換樹脂21と十分に接触させる(ステップS103)。塩化コバルト水溶液Mの流速は、塩化コバルト水溶液Mが陰イオン交換樹脂21と十分に接触するように、樹脂容量分を1時間かけて流す程度(1bed volume(s)/hour)が好ましい。ここでは、銅を1価イオンとしているので、1価イオンの銅は陰イオン交換樹脂21に吸着され、コバルトは陰イオン交換樹脂21に全く吸着することなくカラム22から溶出される。この時の溶出液中における金属イオン濃度の変化(溶離曲線)を図5に示す。図5において横軸は溶出容量、縦軸は金属イオンの最大濃度で規格化した濃度である。このように、2価イオンのコバルトと1価イオンの銅との溶離曲線のピークは全く重なる部分がなく、塩化コバルト水溶液から銅を完全に分離できることが分かる。すなわち、回収タンク24には、銅が分離された塩化コバルト水溶液Mが回収される。
【0033】
なお、塩化コバルト水溶液Mに亜鉛(Zn)などの不純物が含まれている場合には、図5に示したように、ステップS103において亜鉛も銅と共に陰イオン交換樹脂21に吸着され、塩化コバルト水溶液Mから分離される。亜鉛と同様にして分離される元素には、例えば、テクネチウム(Tc),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),銀(Ag),カドミウム(Cd),インジウム(In),スズ(Sn),レニウム(Re),オスミウム(Os),イリジウム(Ir),白金(Pt),金(Au),水銀(Hg),タリウム(Tl),鉛(Pb),ビスマス(Bi)およびポロニウム(Po)がある。すなわち、塩化コバルト水溶液Mにこれらのうちの少なくとも1種の不純物が含まれている場合には、銅と共に分離される。
【0034】
銅を分離したのち、塩化コバルト水溶液Mにチタン(Ti),クロム(Cr),マンガン(Mn),ニッケル(Ni),アルミニウム(Al),アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群のうちの少なくとも1種の不純物が含まれている場合には、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を7kmol/m3以上11kmol/m3以下の範囲内に調整し、図4に示したように、塩化コバルト水溶液Mを陰イオン交換樹脂21と十分に接触させる(ステップS104)。これにより、コバルトは陰イオン交換樹脂21に吸着され、陰イオン交換樹脂21吸着されないチタン,クロム,マンガン,ニッケル,アルミニウム,アルカリ金属またはアルカリ土類金属と分離される。
【0035】
また、塩化コバルト水溶液Mに鉄,亜鉛,モリブデン(Mo),テクネチウム,ルテニウム,パラジウム,銀,カドミウム,インジウム,スズ,タングステン(W),レニウム,オスミウム,イリジウム,白金,金,水銀,タリウム,鉛,ビスマスおよびポロニウムからなる群のうちの少なくとも1種の不純物が含まれている場合には、ステップS104においてこれらの不純物もコバルトと共に陰イオン交換樹脂21に吸着される。この場合には、コバルトを陰イオン交換樹脂21に吸着させたのち、濃度が2.5kmol/m3以上5kmol/m3以下の塩酸溶液を流して陰イオン交換樹脂21からコバルトを溶離させ、コバルトと共に陰イオン交換樹脂に吸着された鉄,亜鉛,モリブデン,テクネチウム,ルテニウム,パラジウム,銀,カドミウム,インジウム,スズ,タングステン,レニウム,オスミウム,イリジウム,白金,金,水銀,タリウム,鉛,ビスマスまたはポロニウムとコバルトとを分離する(ステップS105)。
【0036】
但し、ここでは、ステップS103において既に亜鉛,テクネチウム,ルテニウム,パラジウム,銀,カドミウム,インジウム,スズ,レニウム,オスミウム,イリジウム,白金,金,水銀,タリウム,鉛,ビスマスおよびポロニウムは銅と共に塩化コバルト水溶液Mから分離されているので、ステップS105では主として鉄,モリブデンおよびタングステンがコバルトと分離される。
【0037】
コバルトを溶離したのち、得られた塩化コバルト水溶液Mを蒸発乾固させ、塩化コバルトあるいはその水和物とする(ステップS106)。そののち、塩化コバルトあるいはその水和物を、図6に示したような装置を用い、水素雰囲気中において623K以上873K未満(350℃以上600℃未満)の温度で加熱する(ステップS107)。これにより、塩化コバルトあるいはその水和物は化2に示したように反応し、コバルトが得られる。なお、図6に示した装置は、加熱炉31内に反応管32が設置され、反応管32には一端部から水素ガス33が供給されると共に、他端部から反応により生成した塩化水素ガスが排出されるようになっており、排出された塩化水素ガスは処理部34において吸収されるようになっている。
【0038】
【化2】
CoCl2(固)+H2(気)
=Co(固)+2HCl(気)
【0039】
その際、加熱温度を623K以上とするのは、これよりも低温では塩化コバルトを十分に反応させることができないからであり、加熱温度を873K未満とするのは、873K未満でも塩化コバルトを十分に反応させることができるので、できるだけ低温の方がコストを低減することができると共に、製造装置を簡易とできるからである。図7に加熱温度と反応速度(還元速度)との関係を示す。図7において横軸は時間、縦軸は還元率であり、反応速度は、化3に示したように、1molのコバルトが還元されると2molの塩化水素が生成することに基づき、回収した塩化水素の濃度変化から求めたものである。図7からも、623K以上873K未満で十分にコバルトを還元できることが分かる。
【0040】
塩化コバルトを反応させたのち、得られたコバルトを、活性水素を含むプラズマ生成ガスを用いたプラズマアークで溶融し、酸素,窒素,炭素(C),硫黄,ハロゲン,アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群のうちの少なくとも1種の不純物を除去する(ステップS108)。これにより、本実施の形態に係る高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットが得られる。
【0041】
なお、本実施の形態に係る高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットは、次のような手順で塩化コバルト水溶液Mから不純物を分離して製造するようにしてもよい。
【0042】
まず、塩化コバルト水溶液Mに不活性ガスを吹き込むと共に、塩化コバルト水溶液Mを金属11と接触させて銅を1価イオンとする(ステップS102)。次いで、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を7kmol/m3以上11kmol/m3以下に調整し、陰イオン交換樹脂21にコバルトを吸着させてチタンなどの不純物と分離する(ステップS104)。続いて、濃度が2.5kmol/m3以上5kmol/m3以下の塩酸溶液により陰イオン交換樹脂21に吸着させたコバルトを溶離させ、コバルトと共に陰イオン交換樹脂21に吸着されたモリブデンなどの不純物と分離する(ステップS105)。そののち、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を0.1kmol/m3以上3kmol/m3以下に調整し(ステップS101)、陰イオン交換樹脂21に銅を吸着させて塩化コバルト水溶液Mから分離する(ステップS103)。
【0043】
また、銅を1価イオンとしたのち(ステップS102)、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を調整して陰イオン交換樹脂21にコバルトを吸着させてチタンなどの不純物と分離し(ステップS104)、次いで、濃度が0.1kmol/m3以上3kmol/m3以下の塩酸溶液により陰イオン交換樹脂21に吸着させたコバルトを溶離させ、コバルトと共に陰イオン交換樹脂21に吸着された銅などの不純物と分離し、そののち、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を2.5kmol/m3以上5kmol/m3以下に調整して陰イオン交換樹脂21に鉄,モリブデンあるいはタングステンなどの不純物を吸着させて塩化コバルト水溶液Mから分離するようにしてもよい。
【0044】
これらの場合、陰イオン交換樹脂21に吸着させたコバルトを溶離する塩酸溶液の濃度を2.5kmol/m3以上3kmol/m3以下に調整し、銅と共に鉄,モリブデンあるいはタングステンなどの不純物をコバルトと分離するようにしてもよい。
【0045】
更に、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を調整して陰イオン交換樹脂21にコバルトを吸着させてチタンなどの不純物と分離し(ステップS104)、濃度を調整した塩酸溶液により陰イオン交換樹脂21に吸着させたコバルトを溶離させてモリブデンなどの不純物と分離したのち(ステップS105)、銅を1価イオンとし(ステップS102)、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を調整して陰イオン交換樹脂21に銅を吸着させて分離する(ステップS103)ようにしてもよい。但し、この場合、銅を1価イオンとする工程で不純物が混入される可能性があるので、上述したいずれかの手順で行う方が好ましい。
【0046】
このように本実施の形態の高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットによれば、銅の濃度を50質量ppb以下とすることができるので、例えば、半導体デバイスに用いても短絡を生じさせることがなく、半導体デバイスの特性を向上させることができる。また、磁気記録媒体,磁気記録ヘッドあるいは環境半導体を用いたデバイスなどにも用いることができ、それらの特性を向上させることができる。
【0047】
また、本実施の形態に係る高純度コバルトの製造方法によれば、銅を1価イオンとし、塩酸濃度を0.1kmol/m3以上3kmol/m3以下の範囲内に調整するようにしたので、銅を陰イオン交換樹脂に吸着させて塩化コバルト水溶液から容易に分離することができる。よって、銅の濃度が低い高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットを容易に安定して得ることができる。
【0048】
更に、塩化コバルトあるいはその水和物を、水素雰囲気中において623K以上873K未満の温度で加熱するようにしたので、低温で容易に安定してコバルトを得ることができる。よって、製造コストを低減することができると共に、製造装置を簡素化することができる。
【0049】
【実施例】
更に、本発明の実施例について、図1ないし図6を参照して具体的に説明する。なお、以下の実施例では、上記実施の形態において用いた符合および記号をそのまま対応させて用いる。
【0050】
まず、スクラップコバルトを原料とし、これを濃度1.5kmol/m3の塩酸溶液にコバルト濃度が0.34kmol/m3(20g/dm3)となるように溶解し、塩化コバルト水溶液Mを作製した(ステップS101)。次いで、図3に示したように、この塩化コバルト水溶液Mに粉末状のコバルト11を入れ、不活性ガスを吹き込みつつ攪拌して銅を1価イオンとした(ステップS102)。続いて、図4に示したように、塩化コバルト水溶液Mを陰イオン交換樹脂21に接触させ、銅を吸着させて塩化コバルト水溶液Mから分離した(ステップS103)。
【0051】
銅を分離したのち、塩化コバルト水溶液Mの塩酸濃度を9kmol/m3とし、塩化コバルト水溶液Mを陰イオン交換樹脂21に接触させてコバルトを吸着させ、チタンなどの不純物と分離した(ステップS104)。そののち、濃度4kmol/m3の塩酸溶液により陰イオン交換樹脂21からコバルトを溶離させ、モリブデンなどの不純物と分離した(ステップS105)。
【0052】
コバルトを陰イオン交換樹脂21から溶離したのち、得られた塩化コバルト水溶液Mを蒸発乾固させ、塩化コバルトあるいはその水和物を得た(ステップS106)。そののち、図6に示したように、得られた塩化コバルトあるいはその水和物を水素雰囲気中において743Kで加熱し、コバルトを得た(ステップS107)。図8に得られたコバルトの粒子構造を表す写真を示す。図8から分かるように、得られたコバルトは粉末状ではなく、スポンジ状のものであった。コバルトを得たのち、このコバルトを活性水素を含むプラズマアークで溶融して酸素などの不純物を除去し(ステップS108)、高純度コバルトを得た。
【0053】
得られた高純度コバルトについて、グロー放電質量分析により不純物の定量を行い純度を求めると共に、残留抵抗比を求めた。その結果を表1に示す。表1に示したように、銅の濃度は50質量ppb以下と極めて低く、純度は99.9997%、残留比抵抗は207と極めて高い値が得られた。
【0054】
【表1】
【0055】
すなわち、銅を1価イオンとすると共に塩酸濃度を0.1kmol/m3以上3kmol/m3以下に調整することにより、塩化コバルト水溶液から銅を容易に分離でき、銅の濃度を50質量ppb以下に低減した高純度コバルトを容易に得られることが分かった。
【0056】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、塩化コバルトあるいはその水和物を水素雰囲気中において加熱しコバルトを生成する際に、加熱温度を623K以上873K未満とするようにしたが、873K以上で加熱するようにしてもよい。
【0057】
また、上記実施の形態および実施例では、銅以外の不純物を除去する方法についても具体的に説明したが、他の方法により除去するようにしてもよい。
【0058】
更に、上記実施の形態および実施例では、塩化コバルト水溶液から不純物を分離する方法について具体的に説明したが、他の方法により不純物を分離した場合についても、塩化コバルトあるいはその水和物を水素雰囲気中において623K以上873K未満の温度で加熱することによりコバルトを生成する方法を適用することができる。
【0060】
【発明の効果】
以上説明したよう本発明の高純度コバルトの製造方法、または塩化コバルトの精製方法によれば、銅を1価イオンとし、塩酸濃度を0.1kmol/m3 以上3kmol/m3 以下の範囲内に調整するようにしたので、銅を陰イオン交換樹脂に吸着させて塩化コバルト水溶液から容易に分離することができる。よって、銅の濃度が低い高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットを容易に安定して得ることができるという効果を奏する。
【0061】
更に、本発明の高純度コバルトの製造方法によれば、塩化コバルトあるいはその水和物を、水素雰囲気中において623K以上873K未満の温度で加熱するようにしたので、低温で容易に安定してコバルトを得ることができる。よって、製造コストを低減することができると共に、製造装置を簡素化することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る高純度コバルトおよび高純度コバルトターゲットの製造工程を表す流れ図である。
【図2】図1に続く製造工程を表す流れ図である。
【図3】図1に示した一製造工程を説明するための図である。
【図4】図1に示した他の一製造工程を説明するための図である。
【図5】陰イオン交換樹脂の溶出液中における金属イオン濃度の変化を表す特性図である。
【図6】図2に示した一製造工程を説明するための図である。
【図7】塩化コバルトの加熱温度と反応速度との関係を表す特性図である。
【図8】本発明の実施例において得られたコバルトの粒子構造を表す写真である。
【符号の説明】
11…金属、12…容器、13…不活性ガス、14…スターラー、21…陰イオン交換樹脂、22…カラム、23…貯蔵タンク、24…回収タンク、31…加熱炉、32…反応管、33…水素ガス、34…処理部、M…塩化コバルト溶液。
Claims (8)
- 塩化コバルト水溶液に不純物として含まれる銅を1価イオンとし、塩酸濃度を0.1kmol/m3 以上3kmol/m3 以下の範囲内に調整して、1価イオンの銅を陰イオン交換樹脂により塩化コバルト水溶液から分離する工程と、
銅を分離した塩化コバルト水溶液から塩化コバルトあるいはその水和物を得る工程と、
塩化コバルトあるいはその水和物を、水素雰囲気中において623K以上873K未満の温度で加熱し、コバルトを得る工程と
を含む、高純度コバルトの製造方法。 - 塩化コバルト水溶液に不純物として含まれる銅を1価イオンとする工程と、
塩化コバルト水溶液の塩酸濃度を0.1kmol/m3 以上3kmol/m3 以下の範囲内に調整する工程と、
銅を1価イオンとしかつ塩酸濃度を調整したのち、塩化コバルト水溶液を陰イオン交換樹脂と接触させ、塩化コバルト水溶液から銅を分離する工程と
を含む、請求項1記載の高純度コバルトの製造方法。 - 塩化コバルト水溶液に不活性ガスを吹き込むと共に、塩化コバルト水溶液とコバルトとを接触させることにより、塩化コバルト水溶液に含まれる銅を1価イオンとする、請求項1記載の高純度コバルトの製造方法。
- 亜鉛,テクネチウム,ルテニウム,パラジウム,銀,カドミウム,インジウム,スズ,レニウム,オスミウム,イリジウム,白金,金,水銀,タリウム,鉛,ビスマスおよびポロニウムからなる群のうちの少なくとも1種の不純物を、銅と共に塩化鉄水溶液から分離する、請求項1記載の高純度コバルトの製造方法。
- 更に、
得られたコバルトを、活性水素を含むプラズマ生成ガスを用いたプラズマアークで溶融し、酸素,窒素,炭素,硫黄,ハロゲン,アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群のうちの少なくとも1種の不純物を除去する工程
を含む、請求項1記載の高純度コバルトの製造方法。 - 更に、
塩化コバルト水溶液の塩酸濃度を7kmol/m3 以上11kmol/m3 以下の範囲内に調整したのち、塩化コバルト水溶液を陰イオン交換樹脂と接触させてコバルトを吸着させ、塩化コバルト水溶液に含まれるチタン,クロム,マンガン,ニッケル,アルミニウム,アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群のうちの少なくとも1種の不純物とコバルトとを分離する工程と、
陰イオン交換樹脂に吸着させたコバルトを、塩酸溶液により陰イオン交換樹脂から溶離させる工程と
を含む、請求項1記載の高純度コバルトの製造方法。 - 陰イオン交換樹脂に吸着させたコバルトを、濃度が2.5kmol/m3 以上5kmol/m3 以下の塩酸溶液により陰イオン交換樹脂から溶離させ、コバルトと共に陰イオン交換樹脂に吸着された鉄,亜鉛,モリブデン,テクネチウム,ルテニウム,パラジウム,銀,カドミウム,インジウム,スズ,タングステン,レニウム,オスミウム,イリジウム,白金,金,水銀,タリウム,鉛,ビスマスおよびポロニウムからなる群のうちの少なくとも1種の不純物とコバルトとを分離する、請求項6記載の高純度コバルトの製造方法。
- 塩化コバルト水溶液に不純物として含まれる銅を1価イオンとし、塩酸濃度を0.1kmol/m3 以上3kmol/m3 以下の範囲内に調整して、1価イオンの銅を陰イオン交換樹脂により塩化コバルト水溶液から分離する工程
を含む塩化コバルトの精製方法。
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