JP4641664B2 - 半導体スイッチ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力信号の出力切替を行う半導体スイッチ回路に係り、特に、高周波信号の出力切替を可能とした半導体スイッチ回路における構成の簡素化、動作特性の向上等を図ったものに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の回路としては、例えば、図4に示されたような構成を有してなるものが公知・周知となっている。
以下、同図を参照しつつこの従来回路について説明すれば、まず、この従来回路は、正電源により動作するよう第1乃至第4の電界効果トランジスタFET1〜FET4を中心に回路構成されてなるものである。
この従来回路は、信号入力端子PCに外部から印加された高周波信号が、次述するような切替電圧の印加によって第1の出力端子P1又は第2の出力端子P2へ選択的に出力されるようになっているものである。すなわち、まず、電源印加端子VDDには、所定の正の電源電圧が印加される。そして、信号入力端子PCへ印加された信号を、第1の出力端子P1へ出力したい場合には、第1の切替電圧印加端子VCTL1に、正の電源電圧と同一の電圧を印加する一方、第2の切替電圧印加端子VCTL2には、いわゆるピンチオフ電圧以下の電圧を印加する。
その結果、第1及び第4の電界効果トランジスタFET1,FET2が導通状態となる一方、第2及び第3の電界効果トランジスタFET2,FET3は、非導通状態となる。そして、信号入力端子PCへ印加された高周波信号は、第1の電界効果トランジスタFET1及び直流阻止用コンデンサC4を介して第1の出力端子P1へ出力されることとなる。一方、非導通状態にある第2の電界効果トランジスタFET2を介して第4の電界効果トランジスタFET4側へ漏洩してきた高周波信号は、導通状態にある第4の電界効果トランジスタFET4及び直流阻止用コンデンサC2を介して高周波的に接地されることとなるために、第2の出力端子P2に漏れ出ることはないようになっている。
【0003】
また、信号入力端子PCに印加された高周波信号を第2の出力端子P2へ出力したい場合には、第1の切替電圧印加端子VCTL1にピンチオフ電圧以下の電圧を印加する一方、第2の切替電圧印加端子VCTL2には、正の電源電圧と同一の電圧を印加する。
その結果、この場合には、第2及び第3の電界効果トランジスタFET2,FET3が導通状態となる一方、第1及び第4の電界効果トランジスタFET1,FET4は、非導通状態となる。
そして、信号入力端子PCへ入力された高周波信号は、第2の電界効果トランジスタFET2及び直流阻止用コンデンサC5を介して第2の出力端子P2から出力されることとなる。一方、非導通状態にある第1の電界効果トランジスタFET1を介して第3の電界効果トランジスタFET3側へ漏洩してきた高周波信号は、導通状態にある第3の電界効果トランジスタFET3及び直流阻止用コンデンサC1を介して高周波的に接地されることとなり、第1の出力端子P1へ漏れ出ることはないようになっている。
【0004】
また、図5に示されたような構成を有してなる半導体スイッチ回路も公知・周知となっている。以下、同図を参照しつつこの従来回路について説明すれば、まず、この従来回路は、先の図4に示された従来回路における電源印加端子VDDを不要としつつ、正電圧によるスイッチング動作を可能とした構成となっているものである。
すなわち、この図5に示された回路においては、第1及び第2の切替電圧印加端子VCTL1,VCTL2に印加される電圧は、先の図4に示された従来回路と同様で、この電圧の印加と、第1乃至第4の電界効果トランジスタFET1〜FET4の内部容量とによって、各部の電位が定まるようになっているものである。したがって、図4に示された従来回路と同様に、第1の切替電圧印加端子VCTL1に正電圧を、第2の切替電圧印加端子VCTL2にピンチオフ電圧を、それぞれ印加した場合には、第1及び第4の電界効果トランジスタFET1,FET4が導通状態となる一方、第2及び第3の電界効果トランジスタFET2,FET3が非導通状態となる。
【0005】
また、第1の切替電圧印加端子VCTL1にピンチオフ電圧を、第2の切替電圧印加端子VCTL2に正電圧を、それぞれ印加した場合には、第1及び第4の電界効果トランジスタFET1,FET4が非導通状態となる一方、第2及び第3の電界効果トランジスタFET2,FET3が導通状態となる。
このようにして、図4の従来回路同様の出力切替動作を得ることができるものとなっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図4に示された従来回路にあっては、電界効果トランジスタの動作状態を決定する基準電圧となる正電圧を与えるための電源印加端子VDDが、第1及び第2の出力端子P1,P2の切替のための電圧を印加する第1及び第2の切替電圧印加端子VCTL1,VCTL2とは別個に必要であるため、特に、この種の回路を集積回路化する際には、端子数の削減とチップサイズの小型化という要求という観点から、図5に示された従来回路に比して例え一個でも端子数が多いということは満足できるものではない。
一方、図5に示された従来回路にあっては、図4に示されたような電源印加端子VDDは不要であるが、その回路構成故に、電界効果トランジスタのチャンネル内の残留電荷によってスイッチ動作開始直後の各々の電界効果トランジスタの節点電位の設定に時間を要することがあり、その為、例えば、信号入力端子PCにバースト信号が印加された際に、通過信号の立ち上がりが鈍化し、出力電力が低下するという不都合を招くという問題があった。
【0007】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、切替電圧端子と別個に正電圧印加のための端子を必要とすることなく、かつ、バースト信号入力時においても信号の立ち上がりの鈍化を招くことのない正電圧動作の半導体スイッチ回路を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成するため、本発明に係る半導体スイッチ回路は、
一端が信号入力端子に、他端がそれぞれ出力端子に接続された電界効果トランジスタからなる第1及び第2のスイッチ素子と、
前記第2のスイッチ素子と共に導通状態とされて、前記第1のスイッチ素子の他端が接続される第1の出力端子への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たす電界効果トランジスタからなる第3のスイッチ素子と、
前記第1のスイッチ素子と共に導通状態とされて、前記第2のスイッチ素子の他端が接続される第2の出力端子への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たす電界効果トランジスタからなる第4のスイッチ素子と、を具備し、
前記第1乃至第4の電界効果トランジスタのゲートへ制御用の電圧の印加によって、前記第1乃至第4のスイッチ素子の動作切替を行い、前記第1及び第2の出力端子からの信号出力を選択可能に構成されてなる半導体スイッチ回路であって、
導通状態とされた前記第1又は第2のスイッチ素子を構成する前記第1又は第2の電界効果トランジスタのドレイン、ソースを抵抗器を介して接地せしめる放電接地手段が設けられ、
前記第3のスイッチ素子は、一端が前記第1のスイッチ素子の他端と共に前記第1の出力端子に接続される一方、他端は、第1の直流阻止用コンデンサを介して接地され、
前記第4のスイッチ素子は、一端が前記第2のスイッチ素子の他端と共に前記第2の出力端子に接続される一方、他端は、第2の直流阻止用コンデンサを介して接地され、
前記放電接地手段は、一端が前記信号入力端子に接続された前記第1及び第2のスイッチ素子の一端に接続された放電接地用第1の抵抗器が設けられ、前記放電接地用第1の抵抗器の他端には、放電接地用第2及び第3の抵抗器の一端が共に接続され、
前記放電接地用第2の抵抗器の他端は、前記第3のスイッチ素子の他端と前記第1の直流阻止用コンデンサとの接続点に接続され、
前記放電接地用第3の抵抗器の他端は、前記第4のスイッチ素子の他端と前記第2の直流阻止用コンデンサとの接続点に接続され、
前記第1の直流阻止用コンデンサには、放電接地用第4の抵抗器が、前記第2の直流阻止用コンデンサには、放電接地用第5の抵抗器が、それぞれ並列接続されてなるものである。
【0009】
かかる構成においては、第1又は第2の電界効果トランジスタのドレイン、ソースが高抵抗値の抵抗器を用いてなる接地回路により接地されているため、その直流動作レベルに何ら影響を及ぼすことなく、第1又は第2の電界効果トランジスタの動作状態の切り替わりの際に影響を与える電界効果トランジスタのチャンネルの残留電荷が、放電接地手段を構成する抵抗器を介して接地側へ放電されることとなり、バースト信号入力時においても信号の立ち上がりの鈍化を招くことのない正電圧動作の半導体スイッチ回路できることとなるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1乃至図3を参照しつつ説明する。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における第1の構成例について、図1を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において、電界効果トランジスタは、Nチャンネル、Pチャンネルいずれのものを使用しても良いので、ドレイン、ソースについての接続箇所の説明においては、Nチャンネル電界効果トランジスタの場合の接続箇所を記述した後に括弧書きでPチャンネル電界効果トランジスタの場合の接続を記述することとする。
この第1の構成例における半導体スイッチ回路S1は、第1乃至第4のスイッチ素子としての第1乃至第4の電界効果トランジスタ(図1においては、それぞれ「FET1」、「FET2」、「FET3」、「FET4」と表記)1〜4を中心に構成され、信号入力端子(図1においては「PC」と表記)31に印加された高周波信号が、第1及び第2の切替電圧印加端子(図1においては、それぞれ「VCTL1」、「VCTL2」と表記)34,35に印加される電圧に応じて第1の出力端子(図1においては「P1」と表記)32又は第2の出力端子(図1においては「P2」と表記)33へ出力されるように構成されてなるものである。
【0011】
すなわち、具体的にその構成を説明すれば、まず、第1及び第2の電界効果トランジスタ1,2は、各々のドレイン(又はソース)が相互に接続されると共に、第3の直流阻止用コンデンサ(図1においては「C3」と表記)7を介して信号入力端子31に接続されている。
また、第1の電界効果トランジスタ1のソース(又はドレイン)は、第4の直流阻止用コンデンサ(図1においては「C4」と表記)4を介して第1の出力端子32に接続されると共に、第3の電界効果トランジスタ3のドレイン(又はソース)に接続されたものとなっている。
さらに、第2の電界効果トランジスタ2のソース(又はドレイン)は、第5の直流阻止用コンデンサ(図1においては「C5」と表記)9を介して第2の出力端子33に接続されると共に第4の電界効果トランジスタ4のドレイン(又はソース)に接続されたものとなっている。
【0012】
第3の電界効果トランジスタ3は、そのソース(又はドレイン)が第1の直流阻止用コンデンサ(図1においては「C1」と表記)5を介して接地されるようになっており、この第1の直流阻止用コンデンサ5には、第8の抵抗器(図1においては「R8」と表記)18(放電接地用第4の抵抗器)が並列接続されている。
第4の電界効果トランジスタ4は、そのソース(又はドレイン)が第2の直流阻止用コンデンサ(図1においては「C2」と表記)6を介して接地されるようになっており、この第2の直流阻止用コンデンサ6には、第9の抵抗器(図1においては「R9」と表記)19(放電接地用第5の抵抗器)が並列接続されている。
【0013】
一方、第1の電界効果トランジスタ1のゲートは、第1の抵抗器(図1においては「R1」と表記)11を介して第1の切替電圧印加端子34に接続されると共に、この第1の抵抗器11及び第4の抵抗器(図1においては「R4」と表記)14を介して第4の電界効果トランジスタ4のゲートに接続されたものとなっている。
また、第2の電界効果トランジスタ2のゲートは、第2の抵抗器(図1においては「R2」と表記)12を介して第2の切替電圧印加端子35に接続されると共に、この第2の抵抗器12及び第3の抵抗器(図1においては「R3」と表記)13を介して第3の電界効果トランジスタ3のゲートに接続されたものとなっている。
【0014】
さらに、第1及び第2の電界効果トランジスタ1,2のドレイン(又はソース)の相互の接続点には、第5の抵抗器(図1においては「R5」と表記)15(放電接地用第1の抵抗器)の一端が接続される一方、この第5の抵抗器15の他端には、第6及び第7の抵抗器(図1においては、それぞれ「R6」、「R7」と表記)16,17(放電接地用第2及び第3の抵抗器)の一端が接続されている。そして、第6の抵抗器16の他端は、第3の電界効果トランジスタ3のソース(又はドレイン)に、第7の抵抗器17の他端は、第4の電界効果トランジスタ4のソース(又はドレイン)に、それぞれ接続されたものとなっている。
かかる構成において、第1乃至第9の抵抗器11〜19は、いずれも高抵抗値(大凡数kΩ以上)のものを用いるのが好適である。
そして、この第1の構成例においては、放電接地手段は、第5乃至第9の抵抗器15〜19によって構成される部分によって実現されたものとなっている。
【0015】
次に、かかる構成における動作について説明する。
まず、以下の動作説明においては、第1乃至第4の電界効果トランジスタFET1〜FET4はデプレッション型のものであるとする。
この第1の構成例における半導体スイッチ回路S1において、信号入力端子31に印加された高周波信号を、第1の出力端子32又は第2の出力端子33から得るためには、第1及び第2の切替電圧印加端子34,35の一方に、相補的にピンチオフ電圧の絶対値より高い正電圧を印加する一方、他方には、接地電位を印加する。
すなわち、例えば、信号入力端子31に外部より印加された高周波信号を第1の出力端子32から得たい場合には、第1の切替電圧印加端子34に正電圧を印加する一方、第2の切替電圧印加端子35には接地電位を印加する。その結果、第1及び第4の電界効果トランジスタ1,4が導通状態となる一方、第2及び第3の電界効果トランジスタ2,3は非導通状態となる。
【0016】
したがって、信号入力端子31へ印加された高周波信号は、第1の電界効果トランジスタ1及び第4の直流阻止用コンデンサ8を介して第1の出力端子32から出力されることとなる。一方、非導通状態にある第2の電界効果トランジスタ2を介して第4の電界効果トランジスタ4と第5の直流阻止用コンデンサ9との接続点側へ漏洩してきた高周波信号は、第4の電界効果トランジスタ4及び第2の直流阻止用コンデンサ6を介して高周波的に接地されるため、第2の出力端子33へ漏れ出ることは殆どない。すなわち、第4の電界効果トランジスタ4は、第2の出力端33への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たすものとなっている。
かかる状態において、信号入力端子31へバースト信号を印加した場合、信号が通過する第1の電界効果トランジスタ1のドレイン及びソースは、第5、第6、第8の抵抗器15、16、18を介して接地状態とされているため、第1の電界効果トランジスタ1のチャンネル内の残留電荷は接地側へ放電されることとなる。そのために、各々の電界効果トランジスタ1〜4の節点電位が速やかに決定され、従来と異なり、残留電荷による第1の電界効果トランジスタ1の動作遅れを生ずるようなことがなく、第1の出力端子32からは、従来と異なり、立ち上がりに鈍りのない信号が得られることとなる。
【0017】
一方、第2の出力端子33から信号を得たい場合には、上述の場合とは逆に、第1の切替電圧印加端子34を接地電位とする一方、第2の切替電圧印加端子35に正電圧を印加する。その結果、第2及び第3の電界効果トランジスタ2,3が導通状態となる一方、第1及び第4の電界効果トランジスタ1,4は非導通状態となる。
そして、信号入力端子31へ印加された高周波信号は、第2の電界効果トランジスタ2及び第5の直流阻止用コンデンサ9を介して第2の出力端子33から出力されることとなる。一方、非導通状態にある第1の電界効果トランジスタ1を介して第3の電界効果トランジスタ3と第4の直流阻止用コンデンサ8との接続点側へ漏洩してきた高周波信号は、第3の電界効果トランジスタ3及び第1の直流阻止用コンデンサ5を介して高周波的に接地されるため、第1の出力端子32へ漏れ出ることは殆どない状態となる。すなわち、第3の電界効果トランジスタ3は、第1の出力端子32への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たすものとなっている。
そして、信号入力端子31へバースト信号が印加された場合の動作は、先に第1及び第4の電界効果トランジスタ1,4が導通状態にある場合において説明したと基本的に同様に、第2の電界効果トランジスタ2のドレイン及びソースは、第5、第7、第9の抵抗器15、17、19を介して接地状態とされているため、電界効果トランジスタのチャンネル内の残留電荷は接地側へ放電され、そのため、第2の出力端子33からは、従来と異なり、立ち上がりに鈍りのない信号が得られることとなる。
【0018】
次に、第2の構成例について、図2を参照しつつ説明する。なお、図1に示された第1の構成例と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明することとする。
この第2の構成例における半導体スイッチ回路S2は、先の図1に示された第1の構成例における第5乃至第7の抵抗器15〜17を廃し、新たに第14乃至第17の抵抗器(図2においては、それぞれ「R14」、「R15」、「R16」、「R17」と表記)24〜27が次述するように設けられてなるものである。
すなわち、第14の抵抗器24(放電接地用第1の抵抗器)が第1の電界効果トランジスタ1のドレイン・ソース間に接続され、第15の抵抗器25(放電接地用第2の抵抗器)が第2の電界効果トランジスタ2のドレイン・ソース間に接続されたものとなっている。
【0019】
また、第16の抵抗器26(放電接地用第3の抵抗器)が第3の電界効果トランジスタ3のドレイン・ソース間に、第17の抵抗器27(放電接地用第4の抵抗器)が第4の電界効果トランジスタ4のドレイン・ソース間に、それぞれ接続されている。
なお、この第2の構成例においては、第8の抵抗器18は、放電接地用第5の抵抗器として、第9の抵抗器19は、放電接地用第6の抵抗器として、それぞれ機能を果たすものとなる。
この第2の構成例においては、放電接地手段は、第14乃至第17の抵抗器24〜27と、第8及び第9の抵抗器18,19により構成される部分によって実現されたものとなっている。
【0020】
次に、かかる構成における動作について説明する。
まず、バースト信号以外の高周波信号を信号入力端子31へ印加した場合の動作は、先の図1に示された第1の構成例の場合と同様であるので、ここでの再度の説明は省略することとする。
次いで、信号入力端子31にバースト信号が印加された場合であるが、この第2の構成例においては、まず、第1の電界効果トランジスタ1が導通状態される場合(換言すれば、第1の出力端子32から信号が出力される場合)には、第1の電界効果トランジスタ1のドレイン及びソースは、第14の抵抗器24、第16の抵抗器26及び第8の抵抗器18を介して接地された状態となっているため、第1の電界効果トランジスタ1の残留電荷は、これらの抵抗器24,26,18を介して接地側へ放電されることとなる。そのため、各々の電界効果トランジスタ1〜4の節点電位が速やかに決定され、先の第1の構成例の場合と同様に第1の出力端子32からは、従来と異なり、立ち上がりに鈍りのない信号が得られることとなる。
また、第2の電界効果トランジスタ2が導通状態とされる場合(換言すれば、第2の出力端子33から信号が出力される場合)には、第2の電界効果トランジスタ2のドレイン及びソースは、第15の抵抗器25、第17の抵抗器27及び第9の抵抗器19を介して接地された状態となっているため、第2の電界効果トランジスタ2の残留電荷は、これらの抵抗器25,27,19を介して接地側へ放電されることとなる。したがって、この場合も上述した第1の構成例と同様に、第2の出力端子33からは、従来と異なり、立ち上がりに鈍りのない信号が得られることとなる。
【0021】
次に、第3の構成例について、図3を参照しつつ説明する。なお、図1に示された第1の構成例と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明することとする。
この第3の構成例における半導体スイッチ回路S3は、先の図1に示された第1の構成例における第6乃至第9の抵抗器16〜19を廃する一方、第5の抵抗器15の一端を接地したものとなっている。
次に、かかる構成における動作について説明する。
まず、バースト信号以外の高周波信号を信号入力端子31へ印加した場合の動作は、先の図1に示された第1の構成例の場合と同様であるので、ここでの再度の説明は省略することとする。
次いで、信号入力端子31にバースト信号が印加された場合であるが、この第3の構成例においては、第1及び第2の電界効果トランジスタ1,2のドレイン及びソースは、第5の抵抗器15(放電接地用抵抗器)を介して接地された状態となるので、第1及び第2の電界効果トランジスタ1,2の残留電荷は第5の抵抗器15を介して接地側へ放電されて除去されることとなるため、バースト信号が入力された場合にも、第1の構成例における半導体スイッチ回路S1同様に、所望により第1の出力端子32又は第2の出力端子33から、従来と異なり、立ち上がりに鈍りのない信号が得られることとなる。
【0022】
【発明の効果】
以上、述べたように、本発明によれば、電界効果トランジスタのチャンネル内の残留電荷を、直流動作レベルに何ら変動を来すことなく接地側へ放電できるような構成とすることにより、第1又は第2の電界効果トランジスタの動作状態の切り替わりの際に影響を与えるチャンネルの残留電荷が、抵抗器を介して接地側へ放電されることとなり、バースト信号のような信号が入力された場合であっても、従来と異なり、切替電圧端子と別個に正電圧印加のための端子を必要とすることなく、信号の立ち上がりの鈍化を招くことのない正電圧動作の半導体スイッチ回路を提供することができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の第1の構成例における半導体スイッチ回路の回路構成を示す回路図である。
【図2】本発明の実施の形態の第2の構成例における半導体スイッチ回路の回路構成を示す回路図である。
【図3】本発明の実施の形態の第3の構成例における半導体スイッチ回路の回路構成を示す回路図である。
【図4】従来回路の第1の構成例を示す回路図である。
【図5】従来回路の第2の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
1…第1の電界効果トランジスタ(第1のスイッチ素子)
2…第2の電界効果トランジスタ(第2のスイッチ素子)
3…第3の電界効果トランジスタ(第3のスイッチ素子)
4…第4の電界効果トランジスタ(第4のスイッチ素子)
31…信号入力端子
32…第1の出力端子
33…第2の出力端子
34…第1の切替電圧印加端子
35…第2の切替電圧印加端子
Claims (2)
- 一端が信号入力端子に、他端がそれぞれ出力端子に接続された電界効果トランジスタからなる第1及び第2のスイッチ素子と、
前記第2のスイッチ素子と共に導通状態とされて、前記第1のスイッチ素子の他端が接続される第1の出力端子への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たす電界効果トランジスタからなる第3のスイッチ素子と、
前記第1のスイッチ素子と共に導通状態とされて、前記第2のスイッチ素子の他端が接続される第2の出力端子への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たす電界効果トランジスタからなる第4のスイッチ素子と、を具備し、
前記第1乃至第4の電界効果トランジスタのゲートへ制御用の電圧の印加によって、前記第1乃至第4のスイッチ素子の動作切替を行い、前記第1及び第2の出力端子からの信号出力を選択可能に構成されてなる半導体スイッチ回路であって、
導通状態とされた前記第1又は第2のスイッチ素子を構成する前記第1又は第2の電界効果トランジスタのドレイン、ソースを抵抗器を介して接地せしめる放電接地手段が設けられ、
前記第3のスイッチ素子は、一端が前記第1のスイッチ素子の他端と共に前記第1の出力端子に接続される一方、他端は、第1の直流阻止用コンデンサを介して接地され、
前記第4のスイッチ素子は、一端が前記第2のスイッチ素子の他端と共に前記第2の出力端子に接続される一方、他端は、第2の直流阻止用コンデンサを介して接地され、
前記放電接地手段は、一端が前記信号入力端子に接続された前記第1及び第2のスイッチ素子の一端に接続された放電接地用第1の抵抗器が設けられ、前記放電接地用第1の抵抗器の他端には、放電接地用第2及び第3の抵抗器の一端が共に接続され、
前記放電接地用第2の抵抗器の他端は、前記第3のスイッチ素子の他端と前記第1の直流阻止用コンデンサとの接続点に接続され、
前記放電接地用第3の抵抗器の他端は、前記第4のスイッチ素子の他端と前記第2の直流阻止用コンデンサとの接続点に接続され、
前記第1の直流阻止用コンデンサには、放電接地用第4の抵抗器が、前記第2の直流阻止用コンデンサには、放電接地用第5の抵抗器が、それぞれ並列接続されてなることを特徴とする半導体スイッチ回路。 - 一端が信号入力端子に、他端がそれぞれ出力端子に接続された電界効果トランジスタからなる第1及び第2のスイッチ素子と、
前記第2のスイッチ素子と共に導通状態とされて、前記第1のスイッチ素子の他端が接続される第1の出力端子への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たす電界効果トランジスタからなる第3のスイッチ素子と、
前記第1のスイッチ素子と共に導通状態とされて、前記第2のスイッチ素子の他端が接続される第2の出力端子への漏洩信号を接地側へ流すシャント機能を果たす電界効果トランジスタからなる第4のスイッチ素子と、を具備し、
前記第1乃至第4の電界効果トランジスタのゲートへ制御用の電圧の印加によって、前記第1乃至第4のスイッチ素子の動作切替を行い、前記第1及び第2の出力端子からの信号出力を選択可能に構成されてなる半導体スイッチ回路であって、
導通状態とされた前記第1又は第2のスイッチ素子を構成する前記第1又は第2の電界効果トランジスタのドレイン、ソースを抵抗器を介して接地せしめる放電接地手段が設けられ、
前記第3のスイッチ素子は、一端が前記第1のスイッチ素子の他端と共に前記第1の出力端子に接続される一方、他端は、第1の直流阻止用コンデンサを介して接地され、
前記第4のスイッチ素子は、一端が前記第2のスイッチ素子の他端と共に前記第2の出力端子に接続される一方、他端は、第2の直流阻止用コンデンサを介して接地され、
前記放電接地手段は、前記第1のスイッチ素子に並列接続された放電接地用第1の抵抗器と、
前記第2のスイッチ素子に並列接続された放電接地用第2の抵抗器と、
前記第3のスイッチ素子に並列接続された放電接地用第3の抵抗器と、
前記第4のスイッチ素子に並列接続された放電接地用第4の抵抗器と、
前記第1の直流阻止用コンデンサに並列接続された放電接地用第5の抵抗器と、
前記第2の直流阻止用コンデンサに並列接続された放電接地用第6の抵抗器と、を具備してなることを特徴とする半導体スイッチ回路。
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