JP4621690B2 - 多層回路の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は液晶ポリマー（ＬＣＰ）を含む多層回路およびその製造方法に関する。

本明細書で使用されるように、回路材料は、回路および多層回路を製造する際に使用される物品であり、回路積層板、ボンドプライ（ｂｏｎｄ ｐｌｙ）、導電層、樹脂コート導電層、およびカバーフィルムを含む。これらの回路材料はそれぞれ、熱硬化性または熱可塑性ポリマーから形成される誘電体材料を含む。ボンドプライ、樹脂カバー導電層、またはカバーフィルム中の誘電体材料は、実質的に流動性のない誘電体材料、すなわち、製造中に軟化する、または流動するが、回路の使用中にはそうではない材料を含んでもよい。対照的に、回路積層板（すなわち、誘電体基板）中の誘電体材料は、回路または多層回路の製造または使用中に軟化しない、または流動しないように設計される。誘電体基板材料はさらに、典型的には２つのクラス、可撓性および剛性に分割される。可撓性誘電体基板材料は一般に、いわゆる剛性誘電体材料よりも薄く、より曲がりやすい傾向があり、典型的には繊維状ウエブまたは他の形態の補強材、例えば短いもしくは長い繊維またはフィラーを含む。

回路積層板はさらに、誘電体基板層に固定された導電層を有する。第２の導電層が誘電体層の反対側に配置される場合、材料はしばしばダブルクラッド回路積層板と呼ばれる。例えばエッチングにより、回路積層板の導電層をパターニングすると、回路層が得られる。ダブルクラッド積層板の導電層の１つまたは両方を、回路層を提供するように加工してもよい。

前記回路材料および回路を、様々な構造で組み合わせて、多層回路を提供してもよい。本明細書で使用されるように「多層回路」は、少なくとも２つの誘電体層と、少なくとも３つの導電層とを有する材料を示し（ここで、導電層の少なくとも１つは回路化されている（ｃｉｒｃｕｉｔｉｚｅｄ））、最終回路を形成するために使用されるサブアセンブリならびに最終回路自体の両方が含まれる。

１つの簡単な形態では、多層回路はダブルクラッド回路と樹脂コート導電層とを含み、ここで、樹脂コート導電層の誘電体材料はダブルクラッド回路の回路層上に配置される。別の態様では、第２の樹脂コート導電層が存在し、この場合、第２の樹脂コート導電層の誘電体材料は、ダブルクラッド回路の第２の導電層（または回路層）上に配置される。さらに別の簡単な形態では、多層回路は、第１の回路の回路層と第２の回路の誘電体基板との間に配置されたボンドプライにより結合された第１の回路と第２の回路とを含む。典型的には、そのような多層回路は、熱および／または圧力を用いて、（１つまたは複数の）回路および／または（１つまたは複数の）回路材料を正しく整合させて積層することにより形成される。回路間および／または回路と導電層との間、または２つの導電層の間の接着を提供するためのボンドプライを使用することができる。ボンドプライにより回路にボンディングさせた導電層の代わりに、多層回路は、回路の外側層に直接ボンディングさせた樹脂コート導電層を含んでもよい。そのような多層構造では、積層後、公知のホール形成技術およびめっき技術を使用して、導電層間で有益な電気経路を生成させてもよい。

液晶ポリマーは、回路および多層回路において、誘電体層、ボンドプライとして、およびキャップ層において使用されることが知られている。フォルシエール（Ｆｏｒｃｉｅｒ）のカナダ特許出願第２，２７３，５４２号では、例えば、接着樹脂コート銅ホイルを薄い液晶ポリマー膜にボンディングさせることにより形成させた回路積層板が記述されているが、これらの回路積層板をどのようにして積層回路にするかについては開示されていない。

さらに、回路において使用する前に液晶ポリマーをアニールすることが知られている。アニーリングにより高温に対する耐性、ならびにはんだ耐性および面内熱膨張係数を増大させることができるからである。本明細書で使用されるように「アニーリング」という用語は、ポリマーをそのガラス転移温度より高く、その融点より低い温度で、長時間保持することにより、液晶ポリマーの結晶からネマチックへの融点（示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定においてガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される）を上昇させるプロセスである。ベクトラ（ＶＥＣＴＲＡ、登録商標）液晶ポリマーの製造者であるチコナ（Ｔｉｃｏｎａ）により出版されているパンフレットに記述されているように、「ベクトラ液晶ポリマーの高熱偏向耐性（ｈｉｇｈ ｈｅａｔ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）は、成形部品の熱による後処理により３０〜５０℃だけ上昇させることができる」。２８０℃の融点を有する液晶ポリマー組成物をアニールするために、オーブンおよび部品を室温から２２０℃まで２時間にわたり加熱し、徐々に１時間にわたり温度を２２０℃〜２４０℃まで上昇させ、２時間にわたり温度を２４０℃で維持し、徐々に１時間にわたり２４０℃から２５０℃まで温度を上昇させ、２５０の温度で２時間維持し、室温まで冷却することがパンフレットで示唆されている。異なる融点およびガラス転移温度を有する、異なるグレードの液晶ポリマーに対する異なる温度設定点を用いた同様のアニーリングサイクルも提供される。米国特許第６，２７４，２４２号では、より迅速に液晶ポリマー膜をアニールするために比熱処理スケジュールの使用が開示されている。

アニールされた液晶ポリマーを含む、液晶ポリマーを使用した多層回路を製造するために、様々な材料および方法が公知であるが、多くの欠点があり、有用性が限定される。例えば、従来の電気加熱プレスの温度限界は約２８０℃以下であるので、約２８０℃より低いかなりの低温、好ましくは約２５０℃未満で軟化し、流動するボンドプライを使用することが非常に望ましい。しかしながら、多層回路は２６０℃以上の温度に対し耐性があることも非常に望ましい。これは、多層回路基板にデバイスを取り付けるためのはんだ付け操作にとって特に重要である。現在市販されている液晶ポリマーをボンドプライとして使用する場合、ボンドプライははんだ付けおよび他の高温操作で再融解し、これにより、ボンドプライ中にブリスタリング、または部品の寸法歪みが生じることがある。

ブロス（Ｂｒｏｓｓ）らの米国特許第５，２５９，１１０号では、液晶ポリマー誘電体基板層を有する多層プリント回路基板が開示されている。ブロスらは、さらに、いくつかのそのような層を熱および圧力を用いて共にボンディングしてもよいこと、別の液晶ポリマー層などのボンドプライ接着層を使用してもよいことを開示している。しかしながら、ブロスらの多層基板の製造中、良好な接着を達成するために液晶ポリマー層をその融点以上の温度まで加熱しなければならず、これにより回路層の歪みまたは流動化が起こることがある。

ジェスター（Ｊｅｓｔｅｒ）らに付与された米国特許第５，７１９，３５４号では、融点が、液晶ポリマー回路層誘電体材料の融点よりも少なくとも１０℃低い液晶ポリマーボンドプライを用いた、多層回路の製造が開示されている。低融点ボンドプライを使用することにより、積層中の回路層の歪みが排除され、または実質的に減少するが、その後の積層および／または部品のはんだ付け中の多層回路の最大加工温度は、歪みまたはブリスタリングおよび接着の喪失を避けるために、ボンドプライの融点以下に制限される。

セント・ローレンス（Ｓｔ．Ｌａｗｒｅｎｃｅ）らに付与された米国特許第６，５３８，２１１号では、回路と、回路上に積層された液晶ポリマー層を含むキャップ層とを備える多層回路が開示されている。この回路は、高配線密度多層回路基板に細線外側薄層を付与して用いることができる。しかし、いくつものキャップ層が多層回路に順次付与される場合、前に積層させた層の変形を避けるために、順次低い融点を有する液晶ポリマーを含むキャップ層が用いられなければならない。これは、はんだのような完成した多層回路のその後の処理を樹脂被覆箔液晶ポリマー樹脂層の最も低い融点の組成の融点より低い温度で実施しなければならないときに特に問題になる。

カナダ特許第２，２７３，５４２号明細書 米国特許第６，２７４，２４２号明細書 米国特許第５，２５９，１１０号明細書 米国特許第５，７１９，３５４号明細書 米国特許第６，５３８，２１１号明細書

したがって、当技術分野では、従来の電気加熱プレスと共に使用することができる温度での層の組み立て、ならびにより高温での、そり、ブリスタリングおよび／またはボンドの喪失のない、その後の加工の両方が可能となる、熱可塑性液晶ポリマー層を有する多層回路を製造するための方法が必要である。

上記欠点および不都合は、示差走査熱量計測定でガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される、液晶ポリマー層の結晶からネマチックへの融点を少なくとも約１０℃だけ、上昇させるのに有効な一定量の熱で多層回路を処理する工程を含む、液晶ポリマー層を備える多層回路の製造法により緩和される。回路材料ではなく多層回路のアニーリングにより、従来の電気加熱プレスと共に使用することができる温度での多層回路の製造、ならびにそり、ブリスタリングおよび／またはボンドの喪失のない、その後のより高温での加工が可能となる。

本方法によりさらに、広範囲にわたる構造を有する多層回路を製造することができる。１つの実施形態では、多層回路は、第１の回路および第２の回路の間に配置された液晶ポリマーボンドプライを用いて第２の回路にボンディングされた第１の回路を備える。別の実施形態では、多層回路は、回路（シングルクラッドまたはダブルクラッド）と、回路の回路層にボンディングされたキャップ層と、を備える。本発明の上記および他の特徴ならびに利点は、下記の詳細な説明により、当業者に認識および理解されるであろう。

以下、例示的な図面について説明する。７つの図面において、同様の要素には同様の符号を付する。

本発明の発明者らは、液層ポリマー層を備える多層回路では、組み立て後多層回路をアニールすると、その後の組み立ておよび製造において著しい利点が得られ、製造プロセスのフレキシビリティが増大し、製品品質が改善されることを見いだした。特に、本発明の方法により、従来よりも低い温度下での多層回路の製造が可能となり、従来よりも高い温度耐性を有する多層回路が製造される。多層回路は、液晶ポリマー層のガラス転移温度とネマチック融点との間の温度の熱に曝露することによりアニールされる。アニーリングにより液晶ポリマー層のネマチック融点が上昇し、これにより多層回路の最大温度耐性が増加する。好ましくは、ネマチック融点は少なくとも１０℃以上、より好ましくは少なくとも１５℃以上、上昇する。この方法により、最大使用温度が積層温度よりも高い、液晶ポリマーボンディング多層回路または回路サブアセンブリの製造が可能となる。

本明細書で記述した製造方法で使用するのに適した液晶ポリマー類は公知であり、時として「剛性ロッド」または「ロッド状」または配向ポリマー類（ｏｒｄｅｒｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒｓ）として記述される。これらのポリマー類は、ポリマー鎖を含む繰り返しユニットの性質のため、固定された分子形状、例えば直線などを有すると考えられる。繰り返しユニットは典型的には剛性分子要素を含む。剛性分子要素（メソゲン、ｍｅｓｏｇｅｎ）はしばしば形状がロッド状またはディスク状であり、典型的には芳香族であり、しばしば複素環である。剛性分子要素はポリマーの主鎖（バックボーン）または側鎖のいずれかに存在してもよい。主鎖または側鎖に存在する場合、よりフレキシブルな分子要素により分離されてもよく、それらはしばしばスペーサと呼ばれる。

液晶ポリマー類は、液晶ポリマー類ではないポリマー類（以後、非液晶ポリマー類と呼ぶ）とブレンドすることができる。これらのブレンドは時としてポリマー合金（ｐｏｌｙｍｅｒ ａｌｌｏｙｓ）と呼ばれる。これらのブレンドの中には、液晶ポリマー類と同様の加工特性および機能特性を有するものがあり、このように本発明の範囲内に含まれる。非液晶ポリマー類および液晶ポリマー成分は一般に１０：９０〜９０：１０、好ましくは３０：７０〜７０：３０の重量比で混合される。以後、液晶ポリマーという用語は液晶ポリマーブレンド類を含む。

有益な液晶ポリマー類は熱可塑性または熱硬化性とすることができる。適したサーモトロピック液晶ポリマー類は液晶ポリエステル類、液晶ポリカーボネート類、液晶ポリエーテルエーテルケトン類、液晶ポリエーテルケトンケトン類、および液晶ポリエステルイミド類を含み、具体例としては、（全）芳香族ポリエステル類、ポリエステルアミド類、ポリアミドイミド類、ポリエステルカーボネート類、およびポリアゾメチン類が挙げられる。

有益なサーモトロピック液晶ポリマー類はまた、１つのポリマー鎖の一部として異方性溶融相を形成することができるポリマーセグメントと、ポリマー鎖の残りとして異方性溶融相を形成することができないポリマーセグメントとを含むポリマー類、ならびに複数のサーモトロピック液晶ポリマー類の複合体をも含む。

サーモトロピック液晶ポリマー類の形成のために使用可能なモノマー類の代表的な例としては、（ａ）少なくとも１つの芳香族ジカルボン酸化合物、（ｂ）少なくとも１つの芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物、（ｃ）少なくとも１つの芳香族ジオール化合物、（ｄ）少なくとも１つの芳香族ジチオール（ｄ_１）、芳香族チオフェノール（ｄ_２）、および芳香族チオールカルボン酸化合物（ｄ_３）、および（ｅ）少なくとも１つの芳香族ヒドロキシアミン化合物および芳香族ジアミン化合物が挙げられる。モノマー類は時として単独で使用してもよいが、しばしば、モノマー類（ａ）と（ｃ）、（ａ）と（ｄ）、（ａ）と（ｂ）と（ｃ）、（ａ）と（ｂ）と（ｅ）、（ａ）と（ｂ）と（ｃ）と（ｅ）などの組み合わせで使用してもよい。

芳香族ジカルボン酸化合物（ａ）の例としては、芳香族ジカルボン酸類、例えば、テレフタル酸、４，４’−ジフェニルジカルボン酸、４，４’−トリフェニルジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸、ジフェノキシエタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェノキシブタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルエタン−４，４’−ジカルボン酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテル−３，３’−ジカルボン酸、ジフェノキシエタン−３，３’−ジカルボン酸、ジフェニルエタン−３，３’−ジカルボン酸、および１，６−ナフタレンジカルボン酸、ならびに上記芳香族ジカルボン酸のアルキル−、アルコキシ−およびハロゲン−置換誘導体、例えば、クロロテレフタル酸、ジクロロテレフタル酸、ブロモテレフタル酸、メチルテレフタル酸、ジメチルテレフタル酸、エチルテレフタル酸、メトキシテレフタル酸、およびエトキシテレフタル酸が挙げられる。

芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物（ｂ）の例としては、芳香族ヒドロキシカルボン酸類、例えば、４−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、および６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、ならびに芳香族ヒドロキシカルボン酸類のアルキル−、アルコキシ−およびハロゲン−置換誘導体、例えば、３−メチル−４−ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−５−メチル−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−５−メトキシ−２−ナフトエ酸、２−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３−クロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、２，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ安息香酸、３−ブロモ−４−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロキシ−５−クロロ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−７−クロロ−２−ナフトエ酸、および６−ヒドロキシ−５，７−ジクロロ−２−ナフトエ酸が挙げられる。

芳香族ジオール化合物（ｃ）の例としては、芳香族ジオール類、例えば、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、３，３’−ジヒドロキシジフェニル、４，４’−ジヒドロキシトリフェニル、ヒドロキノン、レゾルシノール、２，６−ナフタレンジオール、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）エタン、３，３’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、１，６−ナフタレンジオール、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、およびビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ならびに芳香族ジオール類のアルキル−、アルコキシ−およびハロゲン−置換誘導体、例えば、クロロヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ｔ−ブチルヒドロキノン、フェニルヒドロキノン、メトキシヒドロキノン、フェノキシヒドロキノン、４−クロロレゾルシノール、および４−メチルレゾルシノールが挙げられる。

芳香族ジチオール（ｄ_１）の例としては、ベンゼン−１，４−ジチオール、ベンゼン−１，３−ジチオール、２，６−ナフタレン−ジチオール、および２，７−ナフタレン−ジチオールが挙げられる。芳香族チオフェノール（ｄ_２）の例としては、４−メルカプトフェノール、３−メルカプトフェノール、および６−メルカプト−フェノールが挙げられる。芳香族チオールカルボン酸（ｄ_３）の例としては、４−メルカプト安息香酸、３−メルカプト安息香酸、６−メルカプト−２−ナフトエ酸、および７−メルカプト−２−ナフトエ酸が挙げられる。

芳香族ヒドロキシアミン化合物および芳香族ジアミン化合物（ｅ）の例としては、４−アミノフェノール、Ｎ−メチル−４−アミノフェノール、１，４−フェニレンジアミン、Ｎ−メチル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、３−アミノフェノール、３−メチル−４−アミノフェノール、２−クロロ−４−アミノフェノール、４−アミノ−１−ナフトール、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニル、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニルエーテル、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニルメタン、４−アミノ−４’−ヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド（チオジアニリン）、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、２，５−ジアミノトルエン、４，４’−エチレンジアニリン、４，４’−ジアミノジフェノキシエタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン（メチレンジアニリン）、および４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（オキシジアニリン）が挙げられる。

サーモトロピック液晶ポリマー類は、溶融酸分解またはスラリー重合などの様々なエステル化法、または同様の方法により調製される。好適に使用してもよいサーモトロピック液晶ポリエステルの分子量は約２，０００〜約２００，０００としてもよく、４，０００〜約１００，０００が好ましい。分子量測定は例えば、赤外分光法により圧縮膜の末端基を決定することにより、またはゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、実施してもよい。

サーモトロピック液晶ポリマー類は単独で、または少なくとも２つの混合物として使用してもよい。好ましいサーモトロピック液晶ポリマーは（４−アセチルオキシ）安息香酸を有する２−ナフタレンカルボン酸、６−（アセチルオキシ）−ポリマーである。

適した液晶ポリマーとしては、例えば、特に、チコナ（Ｔｉｃｏｎａ）から市販されているベクトラ（ＶＥＣＴＲＡ、登録商標）、アモコポリマーズ（Ａｍｏｃｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）から市販されているキシダール（ＸＹＤＡＲ、登録商標）、およびデュポン（ＤｕＰｏｎｔ）から市販されているゼナイト（ＺＥＮＩＴＥ、登録商標）が挙げられる。上記で記述した液晶ポリマー類およびポリマーブレンド類は、説明のためのものであり、制限するものではなく、多くの他の適した液晶ポリマー類およびポリマーブレンド類が当技術分野で公知である。同様に、相溶化剤、可塑剤、難燃剤および他の添加剤を液晶ポリマー類に含有させてもよい。本明細書で開示したもの以外の誘電体材料を、回路材料、回路および多層回路の形成において、少なくとも１つの液晶ポリマー層と組み合わせて使用してもよいことが、さらに企図される。

液晶ポリマー類は、無機または有機粒状フィラー、および／または織布または不織布を含む、複合体の形態で使用してもよい。有益な粒状フィラーとしては、二酸化チタン（ルチルおよびアナターゼ）、チタン酸バリウム、ストロンチウム、チタネート、融解アモルファスシリカおよびヒュームドシリカを含むシリカ（粒子および中空球）、コランダム、ウォラストナイト、アラミドファイバ（例えば、デュポンが提供しているケブラール（ＫＥＶＬＡＲ））、繊維ガラス、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、ガラス球、石英、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ベリリア、アルミナおよびマグネシアが挙げられるが、これらに限定されない。粒状フィラーは単独で、または組み合わせて使用してもよい。特に好ましい粒状フィラーは、ルチル二酸化チタンおよびアモルファスシリカである。これらのフィラーはそれぞれ、高いおよび低い誘電率を有し、これにより、組成物中の２つのフィラーの各々の量を調整することにより、最終製品で、低い散逸率を有する広範囲にわたる誘電率が達成できるからである。

使用する場合、粒状フィラーは組成物の総重量の約１〜約７０重量％（ｗｔ％）で存在してもよく、約６０ｗｔ％以下が好ましく、約５０ｗｔ％以下がより好ましい。

フィラー表面をポリマーと結合させる共有結合の形成を促進し、またはその結合に関与させるためにカップリング剤を使用してもよい。例示的なカップリング剤としては、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランおよび３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが挙げられる。カップリング剤は、使用する場合、樹脂組成物の総重量の約０．１ｗｔ％〜約１ｗｔ％の量で添加してもよい。

剛性回路積層板用の誘電体基板など、実質的に非流動性の誘電体材料として使用する場合、繊維状ウエブを液晶ポリマー中に組み入れてもよい。「繊維状ウエブ」は本明細書において、誘電体材料、ボンドプライ材料、回路材料およびそれらから形成される回路の形成に関連する加工条件に耐えることができる織または不織繊維集合体として規定される。繊維状ウエブ材料は有機であっても無機であってもよい。特に有益な繊維状ウエブは、最も高い加工温度より高い、またはそれに等しい融点を有する材料を含んでもよい。例示的な繊維状ウエブは約２５０℃以上の融点を有し、約２８０℃以上が好ましく、約３００℃以上がより好ましい。繊維状ウエブは、適した繊維、好ましくはガラス（Ｅ、ＳおよびＤガラス）または高温ポリマー繊維（例えば、イーストマンコダック（Ｅａｓｔｍａｎ Ｋｏｄａｋ）から提供されているコデル（ＫＯＤＥＬ）ポリエステルまたはフィリップスペトロリウム（Ｐｈｉｌｌｉｐｓ Ｐｅｔｒｏｌｅｕｍ）から提供されているポリフェニレンスルフィド繊維）の熱的に安定なウエブを含む。そのような熱的に安定な繊維強化により、複合体には所望の構造強度が付与される。さらに、繊維状ウエブを使用すると、誘電体材料、ボンドプライ材料、または回路材料に、かなり高い機械強度が提供される。

繊維状ウエブの好ましい例を下記表で説明する。

一般に、繊維ウエブは総液晶ポリマー組成物の約５０ｗｔ％以下の量で存在し、約４０ｗｔ％以下が好ましく、約３０ｗｔ％以下がより好ましい。繊維ウエブの量は好ましくは約１０ｗｔ％以上であり、約１５ｗｔ％以上が好ましく、約２０ｗｔ％以上がより好ましい。繊維ウエブに対する有益な厚さは約２５〜約１５０μｍであり、約５０〜約１００μｍが好ましい。

回路材料、回路、および多層回路を形成するのに有益な導電層としては、ステンレス鋼、銅、アルミニウム、亜鉛、鉄、遷移金属、および前記の少なくとも１つを含む合金が挙げられ、銅が好ましい。導電層の厚さに関しては特別な制限は存在せず、導電層の形状、サイズまたは表面構造についても制限はない。しかしながら、好ましくは、導電層は約３μｍ〜約２００μｍの厚さを有し、約９μｍ〜約１８０μｍがとりわけ好ましい。２またはそれ以上の導電層が存在する場合、２つの層の厚さは同じであっても異なってもよい。

銅導電層が好ましい。銅導電層は、表面積を増大させるように、安定化剤を用い導電層の酸化を阻止するように（すなわち、汚れ防止）、または断熱層を形成するように処理することができる。亜鉛または亜鉛合金断熱層を用いて処理した粗さの低いおよび高い銅導電層はどちらも特に有益であり、さらに選択的に汚れ防止層を備えてもよい。そのような銅導電層は、例えば、コテック（Ｃｏ−Ｔｅｃｈ）から商標名「ＴＷＸ」、「ＴＷ」および「ＴＡＸ」で、オーク−ミツイ（Ｏａｋ−Ｍｉｔｓｕｉ）から商標名「ＴＯＢ」で、サーキットホイルルクセンブルグ（Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｆｏｉｌ Ｌｕｘｅｍｂｏｕｒｇ）から商標名「ＴＷＳ」および「ＮＴ ＴＯＲ」で、ゴールドエレクトロニクス（Ｇｏｕｌｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）から商標名「ＪＴＣＳ」で、およびチャンチュンペテロケミカルカンパニー（Ｃｈａｎｇ Ｃｈｕｎ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ）から商標名「ＰＩＮＫ」で入手可能である。

時に、導電クラッディングの固体シート、例えばグラウンド面またはパワー面は、アニーリング中に放出されることがあるわずかなガス状物質をトラップする場合があり、ブリスタリングが起きる。グラウンド面とパワー面との間でブリスタリングが起きる場合、「グリッド」面構造を使用するとそれを軽減させることができる。本質的には、グリッドは固体導電面内にエッチしたホールのパターンから構成され、発生したガスは抜け出ることができる。

多層回路は、当技術分野で公知のバッチ式または半連続プロセスを用いて組み立ておよび積層させてもよい。例えば、多層回路を形成するために使用される層は所望の順に配列され、スタックが形成される。層は個々に組み立てられてもよく、または回路積層板、キャップ層、などの回路および／または回路材料の形態で提供されてもよい。その後、スタックをプレス内に置き、プレスは排気して真空を形成しても、しなくてもよい。温度は典型的には、約０．５〜３ＭＰａの圧力下、約２〜約１０℃／分の割合で増加させる。所望の積層温度に到達した時点で、スタックを所望の温度および圧力で、層を接着させるのに十分な時間、例えば約５分〜約４５分保持する。所望の温度は液晶ポリマーの組成およびスタック材料の他の成分に依存するが、温度は典型的には液晶ポリマーの融点と、液晶ポリマーの融点より約２０℃高い温度との間である。そのような温度は一般的には約２００〜約３５０℃である。本明細書で記述するようにアニーリングプロセスは、低温、好ましくは約２００〜約２９０℃、より好ましくは約２００〜約２７５℃、さらにより好ましくは約２００℃〜約２５０℃で積層させることができる液晶ポリマーを使用することができ好都合である。そのような温度は、従来の電気加熱プレスと適合する。したがって、積層目的のためには、アニーリング前の液晶ポリマーの融点は好ましくは約２９０℃以下、より好ましくは約２８５℃以下、さらに好ましくは約２５０℃以下、より好ましくは約２４０℃以下、より好ましくは約２３０℃以下である。

得られた多層回路をその後、一般に加圧下で、冷却し、温度が約１００℃以下になるとプレスから取り出す。多層回路はアニーリング前に保存してもよい。

その後、多層回路を、液晶ポリマー層のネマチック融点を上昇させるのに有効な温度で、一定時間アニールし、それにより、多層回路の関連する熱特性、例えば熱変形温度、はんだ耐性温度、および／または最大使用温度を改善させる。有効なアニール温度は液晶ポリマーのガラス転移温度より高いがネマチック融点より低く、液晶ポリマー層のアイデンティティ、液晶ポリマー層の数、別の層の数およびアイデンティティ、ならびに同様の検討材料に基づき、必要以上の実験せずに容易に決定することができる。アニーリングは一般に、多層回路を、液晶ポリマー層のガラス転移温度より高いが融点より低い一連のプログラムされた温度下に置く工程を含む。

好ましくは、アニーリングにより液晶ポリマーの融点が約１０℃以上、好ましくは約１５℃以上、上昇する。上昇した融点は好ましくは、約２５０℃以上、より好ましくは約２９０℃以上、最も好ましくは約３００℃以上である。このように、１つの好ましい実施形態では、液晶ポリマーは、有効積層温度が約２９０℃以下であり、アニールされた液晶ポリマーの上昇融点が約３００℃以上となるように選択される。これは、例えば、融点が約２５０℃〜約２９０℃である液晶ポリマーボンドプライを使用し、積層後ボンドプライをアニールし、融点を約３００〜約３１５℃まで上昇させることにより達成してもよい。別の実施形態では、液晶ポリマーは、有効積層温度が約２５０℃以下であり、アニールされた液晶ポリマーの上昇融点は約２６５℃以上となるように選択される。さらに別の実施形態では、液晶ポリマーは、有効積層温度が約２３５℃以下であり、アニールされた液晶ポリマーの上昇融点は約２５０℃以上となるように選択される。これは、例えば、融点が約２００℃〜約２３５℃である液晶ポリマーボンドプライを使用し、積層後ボンドプライをアニールし、融点を約２５０〜約２８５℃まで上昇させることにより達成してもよい。

１つの実施形態では、多層回路のアニーリングを、完成多層回路に対し実施し、ボンディング層の融点を上昇させ、これにより、完成多層回路のはんだ耐性温度、熱変形温度、および最大使用温度を上昇させる。

また、アニーリングを、別の多層回路の形成においてその後使用される多層回路に対し実施してもよい。好ましい実施形態では、複数の逐次アニーリング工程を、新しい層が追加された時に実施する。外側導電層の回路化後、多層回路をアニーリングし、続いてその後の追加の導電層を積層するプロセスを、所望の数の導電層が達成されるまで続けることができる。好都合なことに、同じ組成の液晶ポリマーボンドプライと同じ積層温度を使用する複数の連続積層を、前に積層させた層を融解させずに、実施することができる。

本発明の方法により製造した多層回路の例示的な実施形態を図２の１０で示す。この回路は、ダブルクラッド回路１４上に配置された樹脂コート導電層１２を備える。ダブルクラッド回路１４は誘電体基板２０と、２つの導電層２２、２４とを備え、少なくとも導電層２２は回路化されている。本明細書で使用されるように、「配置された」という用語は、複数の層が部分的に、または完全に互いを被覆することを意味する。１つの製造方法では、実質的に流動性（高温で）の誘電体材料１６と導電層１８とを備える樹脂コート導電層１２を、ダブルクラッド回路１４の回路層２２に隣接して設置する。誘電体材料１６および／または誘電体基板２０は液晶ポリマーを含む。誘電体基板２０はさらに、粒状フィラーおよび／または織ウエブ２８を含んでもよい。また、織ウエブ２８は、不織集合体により置換してもよい。その後、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層１６および／または２０の融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させる。積層させた多層回路はその後、上記のようにアニールしてもよく、または他の多層回路の製造において使用してもよい。

本発明の方法により製造した多層回路１１０の別の例示的な実施形態を図３に示す。この回路は、ボンドプライ１１５によりダブルクラッド回路１１４にボンディングさせた第１の回路１１２を備える。第１の回路１１２は実質的に非流動性の誘電体基板１１６と回路層１１８とを備える。ダブルクラッド回路１１４は回路層１２２と、実質的に非流動性の誘電体基板１２０と、その反対側に配置された導電層１２４と、を備える。導電層１２４は回路化されても、されなくてもよい。誘電体材料１１５および／または誘電体基板１１６、１２０のうちの１つもしくは両方が液晶ポリマーを含む。誘電体基板１１６、１２０の各々が粒状フィラーおよび／または織もしくは不織ウエブ（図示せず）を含んでもよい。１つの製造方法では、ボンドプライ１１５を回路層１２２と誘電体基板１１６との間に設置する。その後、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層の融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させる。積層させた多層回路はその後、上記のようにアニールしてもよく、または他の多層回路の製造において使用してもよい。

図４の２１０で示されるように、液晶ポリマーボンドプライ１１５を追加のポリマー層１１７と一緒にして、多層ボンドプライを形成させてもよい。層１１７は好ましくは液晶ポリマーであり、ボンドプライ１１５と同じまたは異なる組成および／または特性を有してもよい。１つの実施形態では、層１１７は層１１５よりも薄くおよび／またはより低い温度で融解する。多層回路２１０は、図示されるように、ボンドプライ層１１５、１１７を含む多層膜を回路層１２２と誘電体基板１１６との間に設置し、スタックを積層させることにより製造することができる。その後、積層させた多層回路を上記のようにアニールしてもよく、または他の多層回路の製造で使用してもよい。

本出願の必要条件から示されるように、１を超える追加の層を使用することも本発明の範囲内に含まれる。図５で示されるように、例示的な多層ボンドプライ１４０はポリマー層１１５、１１７および１１９を備え、この場合、１１５、１１７および１１９のうちの少なくとも１つ、好ましくは全てが液晶ポリマー層である。１つの実施形態では、層１１５および１１９は層１１７より薄く、および／またはより低い温度で融解する。図５の多層回路３１０の製造は、図示されるように、回路層１３４と回路層１２２との間に多層膜１４０を設置し、スタックを積層させることにより実施することができる。３を超える層（図示せず）を備える多層膜もまた、本発明の範囲内に含まれ、少なくとも２つの外側ボンドプライ層と所望の数の内側ボンドプライ層とが備えられる。その後、多層膜を１つのまたは複数の導電層に隣接して配置し、スタックを形成させ、上記のように積層させる。

本発明の方法により製造した多層回路のさらに別の例示的な実施形態を図６の４１０で示す。この回路は第１のボンドプライ２２４により第２の回路２１４にボンディングされた第１の回路２１２と、ボンドプライ２３２により第２の回路２１４にボンディングされた第３の回路２１６を備える。第１のダブルクラッド回路２１２は実質的に非流動性の誘電体基板２２０と、回路層２１８、２２２とを備える。第２の回路２１４はダブルクラッド回路であり、実質的に非流動性の誘電体基板２２８と、２つの回路層２２６、２３０とを備え、第３の回路２１６は実質的に非流動性の誘電体基板２３６と回路層２３４、２３８とを備える。他の構造も可能である。１または複数のボンドプライ２２４、２３２および／または誘電体基板２２０、２２８、２３６は液晶ポリマーを含む。好ましくは、各々が液晶ポリマーである。誘電体基板２２２、２２６、２３０の各々が粒状フィラーおよび／または織もしくは不織ウエブを含んでもよい。

１つの製造方法では、ボンドプライ２２４、２３２を図示されるように回路２１２、２１４、２１６間に設置させ、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層の融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させる。積層させた多層回路はその後、上記のようにアニールしてもよく、または他の多層回路の製造において使用してもよい。

別の製造方法では、逐次アニールを使用し、すなわち、図示されるようにボンドプライ２２４を第１の回路２１２と第２の回路２１４との間に設置し、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層の融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させ、その後、本明細書で記述したようにアニールする。その後、ボンドプライ２３２を第２の回路２１４と第３の回路２１６との間に設置し、スタックを、好ましくは液晶ポリマー層のいずれかの融点よりせいぜい約２０℃高い温度で、積層させる。得られた積層体をその後アニールしてもよく、または別の多層回路積層板を形成するのに使用してもよい。

明らかに、本発明の方法は従来技術に比べ多くの利点を有している。２９０℃より低い、好ましくは２５０℃より低い積層温度を使用することは、積層工程が、従来の電気加熱プレスにより実施することができることを意味する。多層回路の新規積層後アニーリング工程の使用により、液晶ポリマー融点が積層温度よりも高い値まで上昇する。これにより逐次アニーリングが可能となり、多層回路製造者に、最大の製造フレキシビリティが提供される。

上記方法について、下記実施例によりさらに説明する。これらの実施例は例示であり、制限するものではない。

（実施例１）
＜ベクトラ（Ｖｅｃｔｒａ）ＬＫＸ１１１２液晶ポリマーボンドプライの温度耐性の増加＞
積層化後アニーリング工程により達成することができる実際の多層回路特性の増加を証明するために、下記実験を実施した。１７μｍの厚さのＮＴ−ＴＯＲ銅箔（サーキットホイルルクセンブルグ（Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｆｏｉｌｓ Ｌｕｘｅｍｂｏｕｒｇ）により製造）の２つのシートを５０μｍの厚さの液晶ポリマーボンドプライベクトラ（Ｖｅｃｔｒａ、登録商標）ＬＫＸ１１１２液晶ポリマー（チコナコーポレーション）シートと共に積層させた。ベクトラＬＫＸ１１１２液晶ポリマーは２３２℃の融点を示す（示差走査熱量法（ＤＳＣ）により融点のピーク値により測定）。プレス温度プログラムは９５℃まで予め加熱したプレスを用いて開始させ、圧力４００ｐｓｉ、３．３℃／分の割合で温度を２３０℃まで上昇させ、プレスを１５分間２３０℃で保持し、その後３．３℃／分の割合でプレスを室温まで冷却させた。

４つの異なるサンプルを上記積層板から調製し、アニール無しの対照サンプルと、オーブンで８時間２００℃、２１０℃および２２０℃でアニールした３つのサンプルとした。

はんだフロート耐性温度をＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．１３試験法に従い測定した。

融点は、窒素雰囲気下、１０℃／分の加熱速度で、ＴＡインスツルメント（Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）ＭＤＳＣモデル２９２０を用いて、ＤＳＣトレースにおける吸熱ピーク値を記録することにより測定した。

熱変形温度（ＨＤＴ）を、ＴＡインスツルメントモデル２９４０熱機械分析計内で引張負荷下をかけた３ｍｍ×９ｍｍのサンプル上で「面内」測定した。ＨＤＴは、０．０１ニュートンの引張負荷下、１０℃／分の加熱温度下、サンプルが突然曲がる温度として記録する。

図１で示されるように、２２０℃のアニーリングにより、３つの実際の熱特性全てが実質的に増加する。

（実施例２）
＜ロジャース（Ｒｏｇｅｒｓ）Ｒ／フレックス（Ｒ／ｆｌｅｘ）３８００ＬＣＰ膜を用いた逐次多層積層化＞
下記実施例は、液晶ポリマー樹脂コート導電箔を用いた逐次積層化を説明するものであり、積層後、多層回路サブアセンブリをアニールすることにより方法が改善される。

銅箔で両側が被覆されており、誘電体層としてロジャースＲ／フレックス３８００液晶ポリマー膜を含む回路は、ロジャースコーポレーションから商標名Ｒ／フレックス３８５０（Ｒ／ｆｌｅｘ３８５０、登録商標）で入手可能である。この材料中の液晶ポリマー回路基板は、ＤＳＣで測定すると３１５℃のネマチック融点を示す。１つの側が銅箔で被覆されており、誘電体層としてロジャースＲ／フレックス３８００液晶ポリマー膜を有する回路基板は、ロジャースコーポレーションから商標名Ｒ／フレックス３６００（Ｒ／ｆｌｅｘ３６００、登録商標）で入手可能である。この材料中の液晶ポリマー回路基板は、ＤＳＣで測定すると２９０℃のネマチック融点を示す。

６インチ×６インチ×０．００２インチＲ／フレックス３８５０（Ｒ／ｆｌｅｘ３８５０、登録商標）積層板の銅箔に一連の平行１／８インチ幅線をエッチングすることにより、モデル両面回路を作製した。０．００２インチの厚さのＲ／フレックス３６００（Ｒ／ｆｌｅｘ３６００、登録商標）回路基板の２つのシートを、その後、２９０℃の温度および７５ｐｓｉの圧力で３５分間、Ｒ／フレックス３８５０（Ｒ／ｆｌｅｘ３８５０、登録商標）積層板の外側層に積層させた。多層回路サブアセンブリをプレス内で室温まで冷却し、その後、圧力を排除した。１／８インチ幅のストリップが銅箔の外側層でエッチングされた。その後、多層回路サブアセンブリを、オーブン内、０．１００インチの厚さのステンレス鋼プレート間に１．５時間、２７０℃の温度で置くことによりアニールした。

０．００２インチの厚さのＲ／フレックス３６００（Ｒ／ｆｌｅｘ３６００、登録商標）回路基板の追加の２つの層を、２９０℃の温度および７５ｐｓｉの圧力で３５分間、上記多層回路アセンブリの外側層に積層させた。得られた多層回路サブアセンブリ（この時点では、Ｒ／フレックス３６００（Ｒ／ｆｌｅｘ３６００、登録商標）基板の追加の２つの層を有する）をプレス内で室温まで冷却し、その後、圧力を排除した。再び、１／８インチ幅のストリップが銅箔の外側層でエッチングされた。その後、多層回路サブアセンブリを、オーブン内、０．１００インチの厚さのステンレス鋼プレート間に１．５時間、２７０℃の温度で置くことによりアニールした。

１／８インチの幅の線のエッチングおよび第３のアニーリング工程を含む、Ｒ／フレックス３６００（Ｒ／ｆｌｅｘ３６００、登録商標）基板の外側層を追加する同じプロセスを繰り返した。

外側層膜のネマチック融点を、ＤＳＣ法を用いて第３のアニーリング工程後に測定した。アニーリングにより、Ｒ／フレックス３６００（Ｒ／ｆｌｅｘ３６００、登録商標）基板の融点が２９０℃から３１１℃まで増加することがわかった。

多層回路アセンブリを切断し、検査した。３つの積層段階のいずれの間でも、銅トレースの移動は起きないことがわかった。

有効なオーブンアニーリング工程無しで、同じプロセスを繰り返した。ネマチック融点の実質的な増加は見られなかった。内部相ではエッチングした銅線のかなりの移動が見られた。アニーリング工程がないと、同じ融点液晶ポリマー材料および同じボンディング温度を用いて多層回路アセンブリを逐次積層しても使用可能な多層回路が得られない。

好ましい実施形態を図示し、説明してきたが、本発明の精神および範囲から逸脱せずに、様々な改変および置換が可能である。したがって、本発明について、上記で、例示により記述してきたが、限定するものではないことを理解すべきである。

比較の多層回路および本発明の多層回路に対する比較データを示す図である。 例示的な多層回路の概略図である。 別の例示的な多層回路の概略断面図である。 別の例示的な多層回路の概略図である。 別の例示的な多層回路の概略図である。 さらに別の例示的な多層回路の概略図である。

Claims (18)

1. 第１の回路と、第２の回路と、それらの間に配置されたボンドプライ層と、を備えるスタックを積層する工程であって、前記ボンドプライは、ガラス転移温度と示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される結晶からネマチックへの第１の融点とを有する液晶ポリマー層を含む、工程と、
   前記スタックを積層する工程に引き続き、前記積層スタックを、前記ガラス転移温度と前記第１の融点との間の、示差走査熱量計測定で前記ガラス転移温度を超える吸熱ピークとして規定される、結晶からネマチックへの第２の融点まで前記第１の融点を上昇させるのに有効な温度で処理する工程と、
   を含み、
   前記第２の融点は前記第１の融点より少なくとも約１０℃高い、多層回路の製造方法。
2. 前記第２の融点は前記第１の融点よりも少なくとも約１５℃高い、請求項１記載の方法。
3. 前記第１の融点は約２５０℃以下である、請求項１記載の方法。
4. 前記第１の融点は約２９０℃以下である、請求項１記載の方法。
5. 前記第２の融点は約２５０℃以上である、請求項１記載の方法。
6. 前記第２の融点は約３００℃以上である、請求項１記載の方法。
7. 前記積層温度は約２９０℃以下であり、前記第２の融点は約３００℃以上である、請求項１記載の方法。
8. 前記積層温度は約２５０℃以下であり、前記第２の融点は約２６５℃以上である、請求項１記載の方法。
9. 前記積層温度は約２３５℃以下であり、前記第２の融点は約２５０℃以上である、請求項１記載の方法。
10. 前記処理済みの積層スタックと、第３の回路と、それらの間に配置された第２のボンドプライ層と、を備える第２のスタックを積層する工程であって、前記第２のボンドプライは、ガラス転移温度と示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される結晶からネマチックへの第１の融点とを有する液晶ポリマー層を含む、工程と、
    前記第２のスタックを積層する工程に引き続き、前記第２の積層スタックを、前記第２のボンドプライのガラス転移温度と前記第２のボンドプライの第１の融点との間の、示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される、前記第２のボンドプライの前記第１の融点を前記第２のボンドプライの結晶からネマチックへの第２の融点まで上昇させるのに有効な温度で処理する工程と、
    をさらに含み、
    前記第２のボンドプライの前記第２の融点は前記第２のボンドプライの前記第１の融点より少なくとも約１０℃高い、請求項１記載の方法。
11. 前記第１および／または第２の回路はシングルクラッド回路である、請求項１記載の方法。
12. 前記第１および／または第２の回路は２つの導電層間に配置された誘電体基板層を備え、ここで、前記導電層の少なくとも１つは回路化されている、請求項１記載の方法。
13. 前記第１および／または第２の回路は多層回路である、請求項１記載の方法。
14. ダブルクラッド回路と樹脂カバー導電層とを備えるスタックを積層する工程であって、前記樹脂カバー導電層の誘電体層は、前記ダブルクラッド回路の回路層上に配置され、さらに前記樹脂カバー導電層の前記誘電体層は、ガラス転移温度と示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される結晶からネマチックへの第１の融点とを有する、工程と、
    前記スタックを積層する工程に引き続き、前記積層スタックを、前記ガラス転移温度と前記第１の融点との間の、示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される、結晶からネマチックへの第２の融点まで前記第１の融点を上昇させるのに有効な温度で処理する工程と、
    を含み、
    前記第２の融点は前記第１の融点より少なくとも約１０℃高い、多層回路の製造方法。
15. 第２の樹脂コート導電層を前記ダブルクラッド回路の第２の回路層上に配置する工程であって、前記第２の樹脂カバー導電層の誘電体層は第３のガラス転移温度と示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される結晶からネマチックへの第３の融点とを有する、工程と、
    前記積層スタックを、前記第３のガラス転移温度と前記第３の融点との間の、示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される、結晶からネマチックへの第４の融点まで前記第３の融点を上昇させるのに有効な温度で処理する工程と、
    をさらに含み、
    前記第４の融点は前記第１の融点より少なくとも約１０℃高い、請求項１４記載の方法。
16. ダブルクラッド回路と、第１の樹脂カバー導電層と、第２の樹脂カバー導電層とを備えるスタックを積層する工程を含み、
    前記ダブルクラッド回路は第１の回路層と第２の回路層との間に配置された誘電体基板を備え、
    前記第１の樹脂カバー導電層は、第１の誘電体層と第１の導電層とを備え、前記第１の誘電体層は第１のガラス転移温度と示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される結晶からネマチックへの第１の融点とを有し、
    前記第２の樹脂カバー導電層は、第２の誘電体層と第２の導電層とを備え、前記第２の誘電体層は第２のガラス転移温度と示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される結晶からネマチックへの第２の融点とを有し、
    さらに、
    前記第１の誘電体層は前記第１の回路層上に配置され、前記第２の誘電体層は前記第２の回路層上に配置され、
    ならびに、
    前記積層スタックを、前記第１のガラス転移温度と前記第１の融点との間の、示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される、結晶からネマチックへの第３の融点まで前記第１の融点を上昇させるのに有効な温度で処理する工程を含み、
    前記第３の融点は前記第１の融点より少なくとも約１０℃高い、
    多層回路の製造方法。
17. 前記処理温度は、前記第２のガラス転移温度と前記第２の融点との間にあり、示差走査熱量計測定でそのガラス転移温度を超える吸熱ピークにより規定される、結晶からネマチックへの第４の融点まで前記第２の融点を上昇させるのに有効な温度であり、前記第４の融点は前記第１の融点より少なくとも約１０℃高い、請求項１６記載の方法。
18. 前記第１および第２のガラス転移温度は同じであり、前記第１および第２の融点は同じである、請求項１６記載の方法。

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