TW202417551A - 製造液晶聚合物薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
一種製造液晶聚合物薄膜的方法包括以下操作。接收液晶寡聚物，其中液晶寡聚物的熔點為T
m1，液晶寡聚物的平均聚合度為10至100。執行第一加熱製程以熔化液晶寡聚物，其中第一加熱製程的第一加熱溫度高於T
m1。執行押出製程，以將液晶寡聚物製為第一薄膜。執行具有第二加熱溫度的第二加熱製程以加熱第一薄膜，其中第一薄膜內的液晶寡聚物進行聚合反應，以形成含有液晶聚合物的第二薄膜。
Description
本揭示內容是關於一種製造液晶聚合物薄膜的方法，特別是關於一種以液晶寡聚物製造液晶聚合物薄膜的方法。
液晶聚合物薄膜具有優異的低吸濕性、耐熱性、耐化學試劑性及介電性質。以液晶聚合物薄膜作為電路板的介電層可以減少電阻電容延遲(resistance-capacitance delay, RC delay)所產生的不良影響。然而，在製作液晶聚合物薄膜時，可能會有膜厚不均的問題。因此，目前亟需開發出液晶聚合物薄膜的製造方法以解決上述問題。
本揭示內容提供一種製造液晶聚合物薄膜的方法，包括以下操作。接收液晶寡聚物，其中液晶寡聚物的第一熔點為T
m1，液晶寡聚物的平均聚合度為10至100。執行第一加熱製程以熔化液晶寡聚物，其中第一加熱製程的第一加熱溫度高於T
m1。執行押出製程(extrusion process)，以將液晶寡聚物製為第一薄膜。執行具有第二加熱溫度的第二加熱製程以加熱第一薄膜，其中第一薄膜內的液晶寡聚物進行聚合反應，以形成含有液晶聚合物的第二薄膜。
在一些實施方式中，第二加熱製程的第二加熱溫度為T
m1-30°C至T
m1+10°C。
在一些實施方式中，第二加熱製程的加熱時間為1小時至60小時。
在一些實施方式中，第二加熱製程的升溫速率為0.1°C/分鐘至200°C/分鐘。
在一些實施方式中，方法更包括執行第三加熱製程以加熱第二薄膜，其中液晶聚合物的第二熔點為T
m2，液晶聚合物的玻璃轉化溫度為T
g，第三加熱製程的第三加熱溫度為T
g至T
m2。
在一些實施方式中，第三加熱製程的加熱時間為1分鐘至180分鐘。
在一些實施方式中，方法更包括在執行第三加熱製程以加熱第二薄膜後，執行第四加熱製程以加熱第二薄膜，第四加熱製程的第四加熱溫度為T
m2-40°C至T
m2。
在一些實施方式中，第四加熱製程的升溫速率為0.1°C/分鐘至30°C/分鐘。
在一些實施方式中，第四加熱製程的加熱時間為10分鐘至900分鐘。
在一些實施方式中，押出製程的押出溫度介於第一加熱製程的第一加熱溫度與T
m1之間。
以附圖詳細描述及揭露以下的複數個實施方式。為明確說明，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應當理解，這些實務上的細節並非旨在限制本揭示內容。也就是說，在本揭示內容部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。
雖然下文中利用一系列的操作或步驟來說明在此揭露之方法，但是這些操作或步驟所示的順序不應被解釋為本揭示內容的限制。例如，某些操作或步驟可以按不同順序進行及/或與其它步驟同時進行。此外，並非必須執行所有繪示的操作、步驟及/或特徵才能實現本揭示內容的實施方式。此外，在此所述的每一個操作或步驟可以包含數個子步驟或動作。
本揭示內容提供一種製造液晶聚合物薄膜的方法。請參閱第1圖，第1圖是根據本揭示內容各種實施方式的製造液晶聚合物薄膜的方法的流程圖。方法100包含操作110、操作120、操作130、操作140、操作150及操作160。
在操作110中，接收液晶寡聚物，其中液晶寡聚物的第一熔點為T
m1。液晶寡聚物的平均聚合度為10至100，例如10、20、30、40、50、60、70、80、90或100。平均聚合度為液晶寡聚物的分子鏈所含重複單元數目的平均值。在一些實施方式中，液晶寡聚物是由用於製備熱致液晶聚合物(thermotropic liquid crystal polymer)的複數個單體合成，因此液晶寡聚物亦可稱為熱致液晶寡聚物。在後續的製程中，再由此液晶寡聚物合成熱致液晶聚合物。在一些實施方式中，液晶寡聚物的重量平均分子量為2900至44000，例如2900、3000、4000、5000、6000、7000、8000、9000、10000、12000、14000、16000、18000、20000、22000、24000、26000、28000、30000、32000、34000、36000、38000、40000、42000或44000。
在一些實施方式中，用於合成熱致液晶寡聚物的成分包括成分(1)、成分(2)及成分(3)。成分(1)為芳香族二羧酸和脂環族二羧酸中的至少一種成分。成分(2)為芳香族二醇、脂環族二醇和脂肪族二醇中的至少一種成分。成分(3)為芳香族羥基羧酸中的至少一種成分。熱致液晶寡聚物可由以下組合物(A)~(C)中的任一者合成。組合物(A)包含成分(1)和成分(2)。舉例來說，可由芳香族二羧酸及成分(2)製備芳香族聚酯類的熱致液晶寡聚物。舉例來說，可由成分(1)及芳香族二醇製備芳香族聚酯類的熱致液晶寡聚物。組合物(B)包含成分(3)，可製備芳香族聚酯類的熱致液晶寡聚物。組合物(C)包含成分(1)、(2)和(3)，可製備芳香族聚酯類的熱致液晶寡聚物。
舉例來說，芳香族二羧酸可包括對苯二甲酸(terephthalic acid, TA)、4,4'-二苯基二羧酸(4,4'-diphenyldicarboxylic acid)、4,4'-三苯基二羧酸(4,4'-triphenyldicarboxylic acid)、2,6-萘二羧酸(2,6-naphthalenedicarboxylic acid)、二苯基醚-4,4'-二羧酸(diphenyl ether-4,4'-dicarboxylic acid)、二苯氧基乙烷-4,4'-二羧酸(diphenoxyethane-4,4'-dicarboxylic acid)、二苯氧基丁烷-4,4'-二羧酸(diphenoxybutane-4,4'-dicarboxylic acid)、間苯二甲酸(isophthalic acid)、二苯醚-3,3'-二羧酸(diphenyl ether-3,3'-dicarboxylic acid)、萘-1,6-二羧酸(naphthalene-1,6-dicarboxylic acid)、上述化合物的衍生物或其組合。衍生物例如為氯對苯二甲酸(chloroterephthalic acid)、二氯對苯二甲酸(dichloroterephthalic acid)、溴對苯二甲酸(bromoterephthalic acid)、甲基對苯二甲酸(methylterephthatic acid)、二甲基對苯二甲酸(dimethylterephthalic acid)、乙基對苯二甲酸(ethylterephthalic acid)、甲氧基對苯二甲酸(methoxyterephthalic acid)或乙氧基對苯二甲酸(ethoxyterephthalic acid)。舉例來說，脂環族二羧酸可包括反式1,4-環己烷二甲酸(trans-1,4-cyclohexanedicarboylic acid)、順式1,4-環己烷二甲酸(cis-1,4-cyclohexanedicarboxylic acid)、1,3-環己烷二甲酸(1,3-cyclohexanedicarboxylic acid)或其組合。
舉例來說，芳香族二醇可包括4,4'-二羥基聯苯(4,4’-biphenol)、對苯二酚(hydroquinone)、間苯二酚(resorcinol)、4,4'-二羥基二苯基(4,4'-dihydroxydiphenyl)、4-4'-二羥基三苯基(4-4'-dihydroxytriphenyl)、2,6-萘二醇(2,6-naphalenediol)、4,4'-二羥基二苯基醚(4,4'-dihydroxydiphenyl ether)、雙(4-羥基苯氧基)乙烷(bis(4-hydroxyphenoxy)ethane)、3,3'-二羥基二苯基醚(3,3'-dihydroxydiphenyl ether)、1,6-萘二醇(1,6-naphthalenediol)、2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(2,2-bis(4-hydroxyphenyl)propane)、1,1-雙(4-羥基苯基)甲烷(1,1-bis(4-hydroxyphenyl)methane)或其組合。舉例來說，脂環族二醇可包括反式-1,4-環己二醇(trans-1,4-cyclohexanediol)、順式-1,4-環己二醇(cis-1,4-cyclohexanediol)、反式-1,4-環己烷二甲醇(trans-1,4-cyclohexanedimethanol)、反式-1,3-環己二醇(trans-1,3-cyclohexanediol)、順式-1,2-環己二醇(cis-1,2-cyclohexanediol)、反式-1,3-環己烷二甲醇(trans-1,3-cyclohexanedimethanol)或其組合。舉例來說，脂肪族二醇可包括直鏈和支鏈脂肪族二醇，例如乙二醇(ethylene glycol)、1,3-丙二醇(1,3-propanediol)、1,4-丁二醇(1,4-butanediol)、新戊二醇(neopentyl glycol)或其組合。
舉例來說，芳香族羥基羧酸可包括對羥基苯甲酸(p-hydroxybenzoic acid, HBA)、3-羥基苯甲酸(3-hydroxybenzoic acid)、6-羥基-2-萘甲酸(6-hydroxy-2-naphthoic acid)、6-羥基-1-萘甲酸(6-hydroxy-1-naphthoic acid)、上述化合物的衍生物或其組合。衍生物例如包括3-甲基-4-羥基苯甲酸(3-methyl-4-hydroxybenzoic acid)、3,5-二甲基-4-羥基苯甲酸(3,5-dimethyl-4-hydroxybenzoic acid)、2,6-二甲基-4- 羥基苯甲酸(2,6-dimethyl-4-hydroxybenzoic acid)、3-甲氧基-4-羥基苯甲酸(3-methoxy-4-hydroxybenzoic acid)、3,5-二甲氧基-4-羥基苯甲酸(3,5-dimethoxy-4-hydroxybenzoic acid)、6-羥基-5-甲基-2-萘甲酸(6-hydroxy-5-methyl-2-naphthoic acid)、6-羥基-5-甲氧基-2-萘甲酸(6-hydroxy-5-methoxy-2-naphthoic acid)、3-氯-4-羥基苯甲酸(3-chloro-4-hydroxybenzoic acid)、2,3-二氯-4-羥基苯甲酸(2,3-dichloro-4-hydroxybenzoic acid)、3,5-二氯-4-羥基苯甲酸(3,5-dichloro-4-hydroxybenzoic acid)、2,5-二氯-4-羥基苯甲酸(2,5-dichloro-4-hydroxybenzoic acid)、3-溴-4-羥基苯甲酸(3-bromo-4-hydroxybenzoic acid)、6-羥基-5-氯-2-萘甲酸(6-hydroxy-5-chloro-2-naphthoic acid)、6-羥基-7-氯-2-萘甲酸(6-hydroxy-7-chloro-2-naphthoic acid)、6-羥基-5,7-二氯-2-萘甲酸(6-hydroxy-5,7-dichloro-2-naphthoic acid)或其組合。
舉例來說，熱致液晶聚合物包括第一型(高耐熱型)、第二型(中耐熱型)及第三型(低耐熱型)。(1)高耐熱型熱致液晶聚合物具有大於約330°C的液晶態過渡(LC transition)溫度。高耐熱型熱致液晶聚合物具有高拉伸强度和高彈性模量，並且，耐化學腐蝕性好，適用於要求高溫性能的環境，但高耐熱型熱致液晶聚合物加工性能略差。(2)中耐熱型液晶聚合物具有介於約280°C至約320°C的液晶態過渡溫度。中耐熱型液晶聚合物具有耐化學腐蝕性和水解穩定性，且具有優異的電氣性及阻燃性，並具有很强的防滲性，综合性能較佳。(3) 低耐熱型液晶聚合物為低耐熱型具有小於約240°C的液晶態過渡溫度。低耐熱型液晶聚合物的耐熱性能略差，但加工性好且價格低。值得注意的是，液晶態過渡溫度為熱致型液晶聚合物樹脂於加熱狀態下由固態轉變為液晶態的某一特定溫度。可以理解的是，不同類型的熱致型液晶聚合物依據其單體結構的不同而具有不同的液晶態過渡溫度。
在一些實施方式中，液晶寡聚物是由對羥基苯甲酸(HBA)、對苯二甲酸(TA)以及4,4'-二羥基聯苯(4,4’-biphenol)合成。液晶寡聚物會具有以下式(1)的重複單元，重複單元數目例如為10至100。此液晶寡聚物可用於合成市售名稱為Xydar®的高耐熱型熱致液晶聚合物。
式(1)
在一些實施方式中，液晶寡聚物是由對羥基苯甲酸(HBA)以及6-羥基-2-萘甲酸(6-hydroxy-2-naphthoic acid, HNA)合成。液晶寡聚物會具有以下式(2)的重複單元，重複單元數目例如為10至100。此液晶寡聚物可用於合成市售名稱為Vectra®的中耐熱型熱致液晶聚合物。
式(2)
在一些實施方式中，液晶寡聚物是由對苯二甲酸(TA)、乙二醇及對羥基苯甲酸(HBA)合成。液晶寡聚物會具有以下式(3)的重複單元，重複單元數目例如為10至100。此液晶寡聚物可用於合成市售名稱為X
7G®的低耐熱型熱致液晶聚合物。
式(3)
在操作120中，執行第一加熱製程以熔化液晶寡聚物。第一加熱製程的第一加熱溫度高於T
m1。在一些實施方式中，第一加熱製程的第一加熱溫度與T
m1的差值小於或等於10°C。差值例如為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10°C。
在操作130中，執行押出製程，以將液晶寡聚物製為第一薄膜。在一些實施方式中，押出製程的押出溫度介於第一加熱製程的第一加熱溫度與T
m1之間。值得注意的是，一般而言，相較於液晶聚合物來說，液晶寡聚物具有較窄的分子量分布範圍。若直接以押出製程將液晶聚合物製為薄膜，由於液晶聚合物具有較寬的分子量分布範圍，不易控制膜厚和均勻度。當以押出製程將本揭示內容的液晶寡聚物製為第一薄膜時，較容易控制押出溫度，以調控第一薄膜的膜厚和均勻度。液晶寡聚物的平均聚合度為10至100。當平均聚合度越小，液晶寡聚物的分子量分布範圍越窄，越容易控制第一薄膜的膜厚和均勻度。
在操作140中，執行第二加熱製程，其中第一薄膜內的液晶寡聚物進行聚合反應，以形成含有液晶聚合物的第二薄膜，液晶聚合物的第二熔點為T
m2。在一些實施方式中，第二加熱製程的第二加熱溫度為T
m1-30°C至T
m1+10°C。第二加熱溫度例如為T
m1-30、T
m1-25、T
m1-20、T
m1-15、T
m1-10、T
m1-5、T
m1、T
m1+5或T
m1+10°C。若第二加熱溫度低於T
m1-30或高於T
m1+10°C，可能對於第二薄膜的外觀、厚度、機械性質、熱性質或電性有不利影響。舉例來說，若第二加熱溫度高於T
m1+10°C，第二薄膜的厚度可能變化，而無法維持在目標厚度。在一些實施方式中，第二加熱製程的加熱時間長於操作130的押出製程的押出時間，以使液晶寡聚物有足夠的進行聚合反應時間，在聚合反應後，第二薄膜可具有比第一薄膜更高的機械強度。在一些實施方式中，第二加熱製程的加熱時間為1小時至60小時。加熱時間例如為1、5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55或60小時。若加熱時間低於1小時，可能會使液晶寡聚物無法完全反應，換言之，無法形成足夠的液晶聚合物而影響第二薄膜的物性。若加熱時間高於60小時，可能對於第二薄膜的外觀、厚度、機械性質、熱性質或電性有不利影響。舉例來說，第二薄膜的機械強度會下降，當壓合時多個第二薄膜時，可能會有接合不良的問題。在一些實施方式中，第二加熱製程的升溫速率為0.1°C/分鐘至200°C/分鐘。升溫速率例如為0.1、0.5、1、5、10、20、40、60、80、100、120、140、160、180或200°C/分鐘。升溫速率會影響第二薄膜的物性，若升溫速率低於0.1°C/分鐘可能會使第二薄膜的熔點過高，而無法具有目標熔點。在一些實施方式中，操作140是在惰性環境下進行，舉例來說，惰性環境中的惰性氣體為氮氣、氬氣或其組合。
在操作150中，執行第三加熱製程，以調整第二薄膜的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion, CTE)。更詳細來說，執行第三加熱製程以加熱第二薄膜，其中液晶聚合物的第二熔點為T
m2，液晶聚合物的玻璃轉化溫度為T
g，第三加熱製程的第三加熱溫度為T
g至T
m2。在第三加熱製程過程中，第二薄膜內的聚合物會重新排列，從而可將第二薄膜的熱膨脹係數(CTE)調整為約17ppm/°C至20ppm/°C，例如17、18、19或20ppm/°C。本揭示內容的第二薄膜，亦即液晶聚合物薄膜，可做為電路板的介電層。一般而言，電路板內的導電元件是以銅製作，銅的CTE介於約16.5ppm/°C至約18ppm/°C的範圍內。由於可藉由操作150使本揭示內容第二薄膜的CTE落於17ppm/°C至20ppm/°C的範圍內，可使第二薄膜與嵌設於第二薄膜內的銅導電元件具有相近的CTE，從而使兩者不易剝離。在一些實施方式中，第三加熱製程的加熱時間為1分鐘至120分鐘。加熱時間例如為1、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120分鐘。在一些實施方式中，第三加熱製程的升溫速率為20°C/分鐘至200°C/分鐘，例如20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200°C/分鐘。在一些實施方式中，操作150是在惰性環境下進行，舉例來說，惰性環境中的惰性氣體為氮氣、氬氣或其組合。
在操作160中，執行第四加熱製程，以調整第二薄膜的熔點。在一些實施方式中，執行第四加熱製程以加熱第二薄膜，第四加熱製程的第四加熱溫度為T
m2-40°C至T
m2。第四加熱溫度例如為T
m2-40、T
m2-35、T
m2-30、T
m2-25、T
m2-20、T
m2-15、T
m2-10、T
m2-5或T
m2°C。在第四加熱製程過程中，第二薄膜內的聚合物會重新排列，使聚合物排列地更為整齊，從而使經第四加熱製程處理的第二薄膜熔點上升。提升熔點可使第二薄膜具有較好的耐熱性，當壓合多層第二薄膜形成積層板時，能夠使壓合的品質較佳。舉例來說，在執行操作160前，第二薄膜的熔點為230°C至330°C，可藉由操作160將第二薄膜的熔點調整落於280°C至350°C的範圍內。執行操作160後第二薄膜的熔點高於執行操作160前第二薄膜的熔點。第三加熱製程的升溫速率高於第四加熱製程的升溫速率。在一些實施方式中，第四加熱製程的升溫速率為0.1°C/分鐘至30°C/分鐘。升溫速率例如為0.1、0.5、1、5、10、15、20、25或30°C/分鐘。在一些實施方式中，第四加熱製程的加熱時間為10分鐘至900分鐘。加熱時間例如為10、20、40、60、80、100、200、300、400、500、600、700、800或900分鐘。在一些實施方式中，操作160是在惰性環境下進行，舉例來說，惰性環境中的惰性氣體為氮氣、氬氣或其組合。
藉由本揭示內容的方法所製得的液晶聚合物薄膜可具有以下優點。(1)可壓合多層本揭示內容的液晶聚合物薄膜形成積層板(laminate)，當壓合溫度升高，積層板的壓合品質也會隨之提升，積層板中的這些液晶聚合物薄膜不易剝離。(2)可藉由蝕刻在此積層板中形成孔洞，再填入導電層。一般來說，在蝕刻之後，液晶聚合物可能會形成浮渣殘留在孔壁上，因此需要藉由濕蝕刻(除膠渣製程(desmear process))去除浮渣。然而，濕蝕刻所使用的化學品可能會回蝕孔壁，因此，在填入導電層到孔洞後，孔壁和導電層之間可能會形成間隙，而對整體結構的可靠性產生不利影響。然而，由本揭示內容的液晶聚合物薄膜形成的積層板抗蝕性較佳，在濕蝕刻時孔壁不易被回蝕，因此在填入導電層到孔洞後，孔壁和導電層之間不會形成間隙，而使得積層板具有良好的可靠性。
下文將參照實驗例，更具體地描述本揭示內容的特徵。雖然描述了以下實施例，但是在不逾越本揭示內容範疇之情況下，可適當地改變所用材料、其量及比率、處理細節以及處理流程等等。因此，不應由下文所述之實施例對本揭示內容作出限制性地解釋。
實驗例：製造液晶聚合物薄膜
接收含有芳香族聚酯類的液晶寡聚物的第一薄膜，液晶寡聚物的第一熔點為240°C。執行加熱溫度為235°C的加熱製程使液晶寡聚物進行聚合反應，以形成含有液晶聚合物的第二薄膜，液晶聚合物的第二熔點為260°C。接下來，在100°C至200°C的範圍內量測多個具有不同膜厚的第二薄膜的CTE，可沿機械方向(machine direction, MD)及橫向(transverse direction, TD)進行量測，可得知這些第二薄膜的CTE分布範圍。量測結果請參以下表1的CTE(MD)和CTE(CD)。接下來，執行加熱溫度為255°C及加熱時間為5分鐘的加熱製程，以調整實施例1及實施例2的第二薄膜的CTE。結果請參以下表1的調整後CTE(MD)和CTE(CD)。
表1
| 膜厚 (um) | CTE(MD) (ppm/°C) | CTE(CD) (ppm/°C) | 調整後CTE(MD) (ppm/°C) | 調整後CTE(CD) (ppm/°C) | |
| 實施例1 | 50 | -30至10 | -20至30 | 18至19 | 18至19 |
| 實施例2 | 25 | -30至10 | 10至80 | 18至19 | 18至19 |
接下來，藉由加熱製程調整實施例1的第二薄膜的熔點，以得到以下表2的實施例3~實施例6所列的熔點。加熱製程的升溫速率為5°C/分鐘，加熱時間為800分鐘。實施例3~實施例6的加熱溫度請參以下表2。
表2
| 加熱溫度 | 調整前熔點(°C) | 調整後熔點(°C) | |
| 實施例3 | 220 | 260 | 280 |
| 實施例4 | 230 | 260 | 300 |
| 實施例5 | 240 | 260 | 330 |
| 實施例6 | 250 | 260 | 350 |
綜上所述，本揭示內容提供一種製造液晶聚合物薄膜的方法，執行押出製程將液晶寡聚物製為薄膜後，再藉由加熱製程使薄膜內的液晶寡聚物進行聚合反應，從而形成液晶聚合物薄膜。相較於液晶聚合物來說，液晶寡聚物具有較窄的分子量分布範圍，因此執行押出製程時，較容易控制押出溫度，以調控薄膜的膜厚和均勻度。因此，藉由本揭示內容的方法製得的液晶聚合物薄膜品質較佳，當壓合多層液晶聚合物薄膜形成積層板時，薄膜不易剝離。並且，本揭示內容的液晶聚合物薄膜對於濕蝕刻的抗蝕性較佳。
儘管已經參考某些實施方式相當詳細地描述了本揭示內容，但是亦可能有其他實施方式。因此，所附申請專利範圍的精神和範圍不應限於此處包含的實施方式的描述。
對於所屬技術領域具有通常知識者來說，顯而易見的是，在不脫離本揭示內容的範圍或精神的情況下，可以對本揭示內容的結構進行各種修改和變化。鑑於前述內容，本揭示內容意圖涵蓋落入所附申請專利範圍內的本揭示內容的修改和變化。
100:方法
110、120、130、140、150、160:操作
藉由閱讀以下實施方式的詳細描述，並參照附圖，可以更全面地理解本揭示內容。
第1圖是根據本揭示內容各種實施方式的製造液晶聚合物薄膜的方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:方法
110、120、130、140、150、160:操作
Claims (10)
- 一種製造液晶聚合物薄膜的方法，包括： 接收一液晶寡聚物，其中該液晶寡聚物的一第一熔點為T m1，該液晶寡聚物的一平均聚合度為10至100； 執行一第一加熱製程以熔化該液晶寡聚物，其中該第一加熱製程的一第一加熱溫度高於該T m1； 執行一押出製程，以將該液晶寡聚物製為一第一薄膜；以及 執行具有一第二加熱溫度的一第二加熱製程以加熱該第一薄膜，其中該第一薄膜內的該液晶寡聚物進行聚合反應，以形成含有一液晶聚合物的一第二薄膜。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二加熱製程的該第二加熱溫度為T m1-30°C至T m1+10°C。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二加熱製程的一加熱時間為1小時至60小時。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二加熱製程的一升溫速率為0.1°C/分鐘至200°C/分鐘。
- 如請求項1所述之方法，更包括： 執行一第三加熱製程以加熱該第二薄膜，其中該液晶聚合物的一第二熔點為T m2，該液晶聚合物的一玻璃轉化溫度為T g，該第三加熱製程的一第三加熱溫度為T g至T m2。
- 如請求項5所述之方法，其中該第三加熱製程的一加熱時間為1分鐘至180分鐘。
- 如請求項5所述之方法，更包括： 在執行該第三加熱製程以加熱該第二薄膜後，執行一第四加熱製程以加熱該第二薄膜，該第四加熱製程的一第四加熱溫度為T m2-40°C至T m2。
- 如請求項7述之方法，其中該第四加熱製程的一升溫速率為0.1°C/分鐘至30°C/分鐘。
- 如請求項7所述之方法，其中該第四加熱製程的一加熱時間為10分鐘至900分鐘。
- 如請求項1所述之方法，其中該押出製程的一押出溫度介於該第一加熱製程的該第一加熱溫度與該T m1之間。
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