JP4619470B2

JP4619470B2 - 光学記録媒体用装置用波長板

Info

Publication number: JP4619470B2
Application number: JP30514099A
Authority: JP
Inventors: 弘信篠原
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1999-10-27
Filing date: 1999-10-27
Publication date: 2011-01-26
Anticipated expiration: 2019-10-27
Also published as: JP2001124925A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学記録媒体用装置用波長板、特に環状ポリオレフィン系樹脂膜を有する光学記録媒体用装置用波長板（以下「波長板」ともいう）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、従来の磁気方式に較べ、非接触、単位体積あたりの情報量の多さなどから、情報を光によって読み書きするメディアとして、光学記録媒体が大きく伸長してきている。光学記録媒体としては、情報をあらかじめ光学記録媒体に導入し、それを音や画像として再生するコンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（ＬＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｉなど、また光学記録媒体基板に記録膜などを付着させ、レーザーによって情報を書き込んで用いるＣＤ−ＲやＤＲＡＷ、または情報の読み書きが繰り返しできるＥ−ＤＲＡＷディスクなどがある。
【０００３】
このような光学記録媒体の再生および／または追記を行うための光学系装置としては、レーザー光源から光検出器にいたる光路の途中位置に偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）および１／４λ波長板（ＱＷＰ）（以下「１／４波長板」ともいう）が配置された光ピックアップ装置が知られている。ここで、１／４波長板とは、特定波長の直交する２つの偏光成分の間にλ／４の光路差（したがって、π／２の位相差）を与えるものである。上記光ピックアップ装置においては、レーザー光源から直線偏光（Ｓ波）が照射され、ＰＢＳを通り、１／４波長板を通ることで直線偏光が円偏光となり、集光レンズにより光学記録媒体に照射される。光学記録媒体から反射された戻り光は、再び同じ経路をたどり、１／４波長板を通ることで円偏光が９０度方位を変換されて直線偏光（Ｐ波）となり、ＰＢＳを通過し、光検出器に導かれるように構成されている。
また、書き換え型光磁気ディスク装置として、レーザー光源からの照射光が、偏向子、ＰＢＳを通り光磁気ディスクに照射され、光磁気ディスクで反射された戻り光が、再びＰＢＳを通り、光検出器にいたる光路の途中位置に１／２λ波長板（以下「１／２波長板」ともいう）が配置されたものも知られている。ここで、１／２波長板とは、特定波長の直交する２つの偏光成分の間にλ／２の光路差（したがって、πの位相差）を与えるものである。
【０００４】
このような波長板としては、複屈折性を備える雲母、石英、水晶、方解石、ＬｉＮｂＯ₃、ＬｉＴａＯ₃などの単結晶から形成される波長板、ガラス基板などの下地基板に対して斜め方向から無機材料を蒸着することにより得られる下地基板の表面に複屈折膜を有する波長板、複屈折性を有するＬＢ（Langmuir-Blodget）膜を有する波長板が開示されている。
また、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、アクリル樹脂などのフィルムを延伸したものを、平坦性、定形性維持のためガラス基板に接着したり、２枚のガラス基板で挾持した波長板も知られている。
【０００５】
しかし、水晶などの単結晶を作成するためには、高価な単結晶製造装置が必要なため安価に製造できず、また大面積の波長板が容易に得られないという問題点がある。さらに、単結晶を波長板に加工する際には、単結晶の研磨が必要であるが、研磨の際の単結晶の厚みやレタデーション値の変化の調整は困難である。
また、下地基板に対して斜め方向から無機材料を蒸着して、複屈折膜を有する波長板の製造においては、無機材料の蒸着方向の制御が可能な真空蒸着装置が必要であり、やはり製造設備が高価となる。さらに、ＬＢ膜を有する波長板の製造は、単分子膜であるＬＢ膜を積層する必要があるため、製造が煩雑で、やはり製造費用がかかる。
さらに、ポリカーボネートなどの合成樹脂フィルムを延伸したものを波長板に使用した場合、レタデーション値の安定性や耐久性に問題がある。さらに、従来の合成樹脂フィルムは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が低く、耐熱性が劣るため、再生および／または追記を行うための光学装置を製造する際の工程温度、例えば、ハンダ付けや接着工程での温度に制限を生じる問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の課題を背景になされたもので、高い耐熱性、低い吸湿性、各種材料との高い密着性、および安定なレタデーション値を有する合成樹脂膜を有する、安価な波長板を提供するものである。
【０００７】
本発明は、（３）（１）下記一般式（Ｉ）で表される特定単量体の開環重合体、または（２）下記一般式（Ｉ）で表される特定単量体と共重合性単量体との開環共重合体、の水素添加（共）重合体から選ばれた少なくとも１種の環状ポリオレフィン系樹脂膜からなる光の偏光状態を変化させるために用いる光学記録媒体用装置用波長板であって、ここで使用する光は波長７８０ｎｍのレーザー光、波長６３５ｎｍのレーザー光または６５０ｎｍのレーザー光であり、かつ波長６５０ｎｍのレーザー光に対しては、λ／４波長板またはλ／２波長板となる、光学記録媒体用装置用波長板（以下、単に「波長板」ともいう）に関する。
ここで、前記水素添加（共）重合体の水素添加率は、６０ＭＨｚ、^１Ｈ−ＮＭＲで測定した値が好ましくは９８％以上である。
また、前記水素添加（共）重合体中に含まれるゲル含有量は、好ましくは１重量％以下である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の波長板は、環状ポリオレフィン系樹脂膜からなる。ここで、環状ポリオレフィン系樹脂は、次の（３）水素添加（共）重合体である。
（３）（１）下記一般式（Ｉ）で表される特定単量体の開環重合体、または（２）下記一般式（Ｉ）で表される特定単量体と共重合性単量体との開環共重合体、の水素添加（共）重合体
【０００９】
【化１】
【００１０】
〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、またはその他の１価の有機基であり、それぞれ同一または異なっていてもよい。Ｒ¹とＲ²またはＲ³とＲ⁴は、一体化して２価の炭化水素基を形成しても良く、Ｒ¹またはＲ²とＲ³またはＲ⁴とは互いに結合して、単環または多環構造を形成してもよい。ｍは０または正の整数であり、ｐは０または正の整数である。〕
【００１１】
本発明の環状ポリオレフィン系樹脂には、▲１▼特定単量体の開環重合体が含まれる。
＜特定単量体＞
特定単量体のうち好ましいのは、上記一般式（Ｉ）中、Ｒ¹およびＲ³が水素原子または炭素数１〜１０、さらに好ましくは１〜４、特に好ましくは１〜２の炭化水素基であり、Ｒ²およびＲ⁴が水素原子または一価の有機基であって、Ｒ²およびＲ⁴の少なくとも一つは水素原子および炭化水素基以外の極性を有する極性基を示し、ｍは０〜３の整数、ｐは０〜３の整数であり、より好ましくはｍ＋ｐ＝０〜４、さらに好ましくは０〜２、とくに好ましくは１であるものである。
上記特定単量体の極性基としては、ハロゲン、カルボキシル基、水酸基、アルキルエステル基や、芳香族エステル基などのエステル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、エーテル基、アシル基、シリルエーテル基、チオエーテル基、などが挙げられる。これらの中では、カルボキシル基、エステル基が好ましく、特にアルキルエステル基が好ましい。
【００１２】
特定単量体のうち、特に、Ｒ²およびＲ⁴の少なくとも一つの極性基が式−（ＣＨ₂）ｎＣＯＯＲで表される単量体は、得られる環状ポリオレフィン系樹脂が高いガラス転移温度と低い吸湿性、各種材料との優れた密着性を有するものとなる点で好ましい。上記の特定の極性基にかかる式において、Ｒは炭素原子数１〜１２、さらに好ましくは１〜４、特に好ましくは１〜２の炭化水素基、好ましくはアルキル基である。また、ｎは通常、０〜５であるがｎの値が小さいものほど、得られる環状ポリオレフィン系樹脂のガラス転移温度が高くなるので好ましく、さらにｎが０である特定単量体は、その合成が容易である点で、また、得られる環状ポリオレフィン系樹脂がガラス転移温度の高いものとなる点で好ましい。
【００１３】
さらに、特定単量体は、前記一般式（Ｉ）においてＲ¹またはＲ³がアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、さらに好ましくは１〜２のアルキル基、特にメチル基であることが好ましく、特にこのアルキル基が上記の式−（ＣＨ₂）ｎＣＯＯＲで表せる特定の極性基が結合した炭素原子と同一の炭素原子に結合されていることが好ましい。また、一般式（Ｉ）においてｍが１である特定単量体は、ガラス転移温度の高い環状ポリオレフィン系樹脂が得られる点で好ましい。
【００１４】
上記特定単量体としては、次のような化合物が挙げられる。具体的には、
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
トリシクロ［５．２．１．０^2,6］−８−デセン、
テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、
ペンタシクロ［７．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ペンタデセン、
トリシクロ［４．４．０．１^2,5］−３−ウンデセン、
５−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−メトキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−メチル−５−メトキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−シアノビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−エトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−エトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−ｎ−プロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−ｎ−ブトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
ジメタノオクタヒドロナフタレン、
エチルテトラシクロドデセン、
６−エチリデン−２−テトラシクロドデセン、
トリメタノオクタヒドロナフタレン、
ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン、
ヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．１^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４−エイコセン、
ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセン、
５−エチリデンビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
５−フェニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
８−フェニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
５−フルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−フルオロメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−トリフルオロメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−ペンタフルオロエチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５−ジフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，６−ジフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５−ビス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，６−ビス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−メチル−５−トリフルオロメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６−トリフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６−トリス（フルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６，６−テトラフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６，６−テトラキス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５−ジフルオロ−６，６−ビス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，６−ジフルオロ−５，６−ビス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６−トリフルオロ−５−トリフルオロメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−フルオロ−５−ペンタフルオロエチル−６，６−ビス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，６−ジフルオロ−５−ヘプタフルオロ−ｉｓｏ−プロピル−６−トリフルオロメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５−クロロ−５，６，６−トリフルオロビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，６−ジクロロ−５，６−ビス（トリフルオロメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６−トリフルオロ−６−トリフルオロメトキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
５，５，６−トリフルオロ−６−ヘプタフルオロプロポキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、
８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−フルオロメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−ジフルオロメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−トリフルオロメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−ペンタフルオロエチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８−ジフルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，９−ジフルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−トリフルオロメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９−トリフルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９−トリス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９，９−テトラフルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９，９−テトラキス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８−ジフルオロ−９，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，９−ジフルオロ−８，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９−トリフルオロ−９−トリフルオロメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９−トリフルオロ−９−トリフルオロメトキシテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，８，９−トリフルオロ−９−ペンタフルオロプロポキシテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−フルオロ−８−ペンタフルオロエチル−９，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，９−ジフルオロ−８−ヘプタフルオロｉｓｏ−プロピル−９−トリフルオロメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−クロロ−８，９，９−トリフルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８，９−ジクロロ−８，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、
８−メチル−８−（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニル）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
などを挙げることができる。
これらは、１種単独で、または２種以上を併用することができる。
【００１５】
これらのうち、得られる開環重合体の耐熱性の面から、
８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−３−ドデセン、
８−エチリデンテトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−３−ドデセン、
８−エチルテトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕−３−ドデセン、
ペンタシクロ〔７．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13〕−３−ペンタデセン
が好ましい。
【００１６】
＜共重合性単量体＞
共重合性単量体の具体例としては、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘプテン、シクロオクテン、トリシクロ［５．２．１．０^2,6］−３−デセン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエンなどのシクロオレフィンを挙げることができる。シクロオレフィンの炭素数としては、４〜２０が好ましく、さらに好ましいのは５〜１２である。これらは、１種単独で、または２種以上を併用することができる。
特定単量体／共重合性単量体の好ましい使用範囲は、重量比で１００／０〜５０／５０であり、さらに好ましくは１００／０〜６０／４０である。
【００１７】
＜開環重合触媒＞
本発明において、▲１▼特定単量体の開環重合体、および▲２▼特定単量体と共重合性単量体との開環共重合体を得るための開環重合反応は、メタセシス触媒の存在下に行われる。
このメタセシス触媒は、（ａ）Ｗ、ＭｏおよびＲｅの化合物から選ばれた少なくとも１種と、（ｂ）デミングの周期律表ＩＡ族元素（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋなど）、ＩＩＡ族元素（例えば、Ｍｇ、Ｃａなど）、ＩＩＢ族元素（例えば、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇなど）、ＩＩＩＡ族元素（例えば、Ｂ、Ａｌなど）、ＩＶＡ族元素（例えば、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂなど）、あるいはＩＶＢ族元素（例えば、Ｔｉ、Ｚｒなど）の化合物であって、少なくとも１つの該元素−炭素結合あるいは該元素−水素結合を有するものから選ばれた少なくとも１種との組合せからなる触媒である。また、この場合に触媒の活性を高めるために、後述の（ｃ）添加剤が添加されたものであってもよい。
【００１８】
（ａ）成分として適当なＷ、ＭｏあるいはＲｅの化合物の代表例としては、ＷＣｌ₆ 、ＭｏＣｌ₅ 、ＲｅＯＣｌ₃ などの特開平１−１３２６２６号公報第８頁左下欄第６行〜第８頁右上欄第１７行に記載の化合物を挙げることができる。
（ｂ）成分の具体例としては、ｎ−Ｃ₄ Ｈ₉ Ｌｉ、（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₃ Ａｌ、（Ｃ₂ Ｈ₅ ）₂ ＡｌＣｌ、（Ｃ₂Ｈ₅ ）_1.5 ＡｌＣｌ_1.5 、（Ｃ₂ Ｈ₅ ）ＡｌＣｌ₂、メチルアルモキサン、ＬｉＨなど特開平１−１３２６２６号公報第８頁右上欄第１８行〜第８頁右下欄第３行に記載の化合物を挙げることができる。
添加剤である（ｃ）成分の代表例としては、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類などが好適に用いることができるが、さらに特開平１−１３２６２６号公報第８頁右下欄第１６行〜第９頁左上欄第１７行に示される化合物を使用することができる。
【００１９】
メタセシス触媒の使用量としては、上記（ａ）成分と特定単量体とのモル比で「（ａ）成分：特定単量体」が、通常、１：５００〜１：５０，０００となる範囲、好ましくは１：１，０００〜１：１０，０００となる範囲とされる。
（ａ）成分と（ｂ）成分との割合は、金属原子比で（ａ）：（ｂ）が１：１〜１：５０、好ましくは１：２〜１：３０の範囲とされる。
（ａ）成分と（ｃ）成分との割合は、モル比で（ｃ）：（ａ）が０．００５：１〜１５：１、好ましくは０．０５：１〜７：１の範囲とされる。
【００２０】
＜重合反応用溶媒＞
開環重合反応において用いられる溶媒（分子量調節剤溶液を構成する溶媒、特定単量体および／またはメタセシス触媒の溶媒）としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンなどのアルカン類、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナンなどのシクロアルカン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメンなどの芳香族炭化水素、クロロブタン、ブロモヘキサン、塩化メチレン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン、クロロホルム、テトラクロロエチレンなどの、ハロゲン化アルカン、ハロゲン化アリールなどの化合物、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉｓｏ−ブチル、プロピオン酸メチル、ジメトキシエタンなどの飽和カルボン酸エステル類、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタンなどのエーテル類などを挙げることができ、これらは単独であるいは混合して用いることができる。これらのうち、芳香族炭化水素が好ましい。
溶媒の使用量としては、「溶媒：特定単量体（重量比）」が、通常、１：１〜１０：１となる量とされ、好ましくは１：１〜５：１となる量とされる。
【００２１】
＜分子量調節剤＞
得られる開環（共）重合体の分子量の調節は、重合温度、触媒の種類、溶媒の種類によっても行うことができるが、本発明においては、分子量調節剤を反応系に共存させることにより調節する。
ここに、好適な分子量調節剤としては、例えばエチレン、プロペン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセンなどのα−オレフィン類およびスチレンを挙げることができ、これらのうち、１−ブテン、１−ヘキセンが特に好ましい。
これらの分子量調節剤は、単独であるいは２種以上を混合して用いることができる。
分子量調節剤の使用量としては、開環重合反応に供される特定単量体１モルに対して０．００５〜０．６モル、好ましくは０．０２〜０．５モルとされる。
【００２２】
▲２▼開環共重合体を得るには、開環重合工程において、特定単量体と共重合性単量体とを開環共重合させてもよいが、さらに、ポリブタジエン、ポリイソプレンなどの共役ジエン化合物、スチレン−ブタジエン共重合体、エチレン−非共役ジエン共重合体、ポリノルボルネンなどの主鎖に炭素−炭素間二重結合を２つ以上含む不飽和炭化水素系ポリマーなどの存在下に特定単量体を開環重合させてもよい。
【００２３】
以上のようにして得られる開環（共）重合体は、これをさらに水素添加して（３）水素添加（共）重合体として用いられるが、かかる水素添加(共)重合体は耐衝撃性の大きい樹脂の原料として有用である。
＜水素添加触媒＞
水素添加反応は、通常の方法、すなわち開環重合体の溶液に水素添加触媒を添加し、これに常圧〜３００気圧、好ましくは３〜２００気圧の水素ガスを０〜２００℃、好ましくは２０〜１８０℃で作用させることによって行われる。水素添加触媒としては、通常のオレフィン性化合物の水素添加反応に用いられるものを使用することができる。この水素添加触媒としては、不均一系触媒および均一系触媒が挙げられる。
【００２４】
不均一系触媒としては、パラジウム、白金、ニッケル、ロジウム、ルテニウムなどの貴金属触媒物質を、カーボン、シリカ、アルミナ、チタニアなどの担体に担持させた固体触媒を挙げることができる。また、均一系触媒としては、ナフテン酸ニッケル／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリエチルアルミニウム、オクテン酸コバルト／ｎ−ブチルリチウム、チタノセンジクロリド／ジエチルアルミニウムモノクロリド、酢酸ロジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、クロロヒドロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウムなどを挙げることができる。触媒の形態は、粉末でも粒状でもよい。
【００２５】
これらの水素添加触媒は、開環（共）重合体：水素添加触媒（重量比）が、１：１×１０^-6〜１：２となる割合で使用される。このように、水素添加することにより得られる水素添加（共）重合体は、優れた熱安定性を有するものとなり、成形加工時や製品としての使用時の加熱によっても、その特性が劣化することはない。
【００２６】
上記のようにして得られた水素添加（共）重合体には、公知の酸化防止剤、例えば２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２′−ジオキシ−３，３′−ジ−ｔ−ブチル−５，５′−ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン；紫外線吸収剤、例えば２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノンなどを添加することによって安定化することができる。また、加工性を向上させる目的で、滑剤などの添加剤を添加することもできる。
【００２７】
また、水素添加（共）重合体の水素添加率は、６０ＭＨｚ、¹Ｈ−ＮＭＲで測定した値が５０％以上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９８％以上である。水素添加率が高いほど、熱や光に対する安定性が優れたものとなる。
なお、本発明の環状ポリオレフィン系樹脂として使用される水素添加（共）重合体は、該水素添加（共）重合体中に含まれるゲル含有量が５重量％以下であることが好ましく、さらに１重量％以下であることが特に好ましい。
【００３７】
本発明で用いられる環状ポリオレフィン系樹脂の好ましい分子量は、固有粘度〔η〕_inhで０．２〜５、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は８，０００〜１００，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００〜３００，０００の範囲のものが好適である。
固有粘度〔η〕_inhまたは重量平均分子量が上記範囲にあることによって、環状ポリオレフィン系樹脂の成形加工性、耐熱性、耐水性、耐薬品性、機械的特性などが良好となる。
【００３８】
本発明に使用される環状ポリオレフィン系樹脂は、上記のような（３）水素添加（共）重合体より構成されるが、これに公知の酸化防止剤、紫外線吸収剤などを添加してさらに安定化することができる。また、加工性を向上させるために、滑剤などの従来の樹脂加工において用いられる添加剤を添加することもできる。
【００３９】
本発明の環状ポリオレフィン系樹脂は、キャスト法、押し出し法などにより成形して、適宜延伸し、波長板用膜とすることができる。
【００４０】
キャスト法で本発明の環状ポリオレフィン系樹脂膜を成形する場合、好ましい有機溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサンなどの炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、テトラヒドロフランなどが挙げられる。これらの中で、塩化メチレン、トルエン、シクロヘキサンが好ましい。これらは、１種単独で、または２種以上を併用することができる。
【００４１】
上記溶液を孔径が数μｍ程度のフィルターでろ過したのち、スピンコート法、溶液キャスト法などを行うことで、本発明の環状ポリオレフィン系樹脂膜（ベースフィルム）が得られる。得られるベースフィルムの膜厚は、通常、１０〜５００μｍ、好ましくは１００〜２００μｍ、レタデーション値は、波長板として必要な値以下であれば特に制限はないが、延伸加工のやりやすさを考慮すると、５０ｎｍ以下が好ましい。
【００４２】
また、押し出し法で本発明の環状ポリオレフィン系樹脂膜を成形する場合、押し出し温度としては、好ましくは２００〜３５０℃、さらに好ましくは２５０〜３３０℃、特に好ましくは２８０〜３２０℃である。
ベースフィルムの膜厚は、通常、１０〜５００μｍ、好ましくは１００〜２００μｍ、レタデーション値は、波長板として必要な値以下であれば特に制限はないが、延伸加工のやりやすさを考慮すると、５０ｎｍ以下が好ましい。
【００４３】
本発明の環状ポリオレフィン系樹脂膜のレタデーション値の調整は、キャスト法、押し出し法などにより得られたベースフィルムを常法により延伸し、延伸倍率によって調整する。
上記環状ポリオレフィン系樹脂膜は、そのまま本発明の波長板として使用することができる。
【００４４】
また、本発明の波長板は、使用波長に対して透明な下地基板の表面に、上記環状ポリオレフィン系樹脂膜を設けたものでもよい。
本発明の光学記録媒体の下地基板の材料としては、ガラス基板やプラスチック基板など、使用する光の波長に対して透明性を有するものを使用できる。使用する光としては、例えば、ＣＤ再生用の光ピックアップ装置で通常使用される波長７８０ｎｍのレーザー光、ＤＶＤ再生用に通常使用される波長６３５ｎｍまたは６５０ｎｍのレーザー光などが挙げられる。
下地基板材料として好ましくはガラス、透明樹脂などの透明材料が用いられる。下地基板材料の形状は特に限定されるものではなく、平板状であってもプリズム形状など光学的な機能を有する形状であってもよい。
上記下地基板の厚さは、好ましくは０．０１〜５ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜０．５ｍｍである。０．０１ｍｍ未満であると、剛性が不足する。一方、５ｍｍを超えると波長板としての大きさが大きくなり、光学系装置の小型化が難しくなる。
【００４５】
下地基板を使用する本発明の波長板の作製方法としては、上記環状ポリオレフィン系樹脂膜を、紫外線硬化型接着剤や熱硬化型接着剤などを使用して、下地基板の上に貼りつける方法が挙げられる。
接着剤を使用して、熱可塑性樹脂膜を上記下地基板の上に貼りつける方法としては、通常行われている方法が適宜採用できる。すなわち、下地基板の上に、液状の接着剤をスピンコート法などで塗布し、その上から環状ポリオレフィン系樹脂膜を積層し、接着剤を硬化させ、波長板を形成する。
【００４６】
また、上記方法により環状ポリオレフィン系樹脂膜を使用して波長板を形成する際のレタデーション値の変化は、設計値に対して、好ましくは±２０ｎｍ以下、さらに好ましくは±１０ｎｍ以下、特に好ましくは±５ｎｍ以下である。レタデーション値の変化が±２０ｎｍを超えると、波長板としての機能が著しく低下する。
【００４７】
本発明の環状ポリオレフィン系樹脂膜の光の波長に対する光透過率を図１に示す。
図１より、本発明の波長板は、ＣＤ再生用に通常使用される波長７８０ｎｍのレーザー光、ＤＡＤ再生用に通常使用される波長６３５ｎｍ、または６５０ｎｍのレーザー光の透過率が９０％以上であり、ＣＤおよびＤＡＤ再生用の光ピックアップ装置に好適に使用できることが明らかである。
【００４８】
本発明の波長板を使用する光学装置としては、例えば、図２に示すような、１／４波長板を用いた光ピックアップ装置１０が挙げられる。
図２の光ピックアップ装置１０では、レーザー光源であるレーザーダイオード（ＬＤ）２０から光学記録媒体２３に至る往路の途中位置に偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）２１および１／４波長板（ＱＷＰ）２２および対物レンズ２３が配置されている。光学記録媒体２４から反射された戻り光の復路は、対物レンズ２３、１／４波長板２２を通過し、ＰＢＳ２１により９０度進行方向を変えられ、光検出器２５に至る。
本発明の波長板は、高い耐熱性、低い吸湿性、各種材料との高い密着性、および安定なレタデーション値を有する環状ポリオレフィン系樹脂膜を使用するため、安価で高性能の波長板であり、本発明の波長板を使用すると安価で高性能の光学記録媒体用装置を製造することができる。
なお、本発明の波長板を使用した光学記録媒体用装置は、音声、画像の記録に関して、再生専用記録媒体、追記（ライトワンス）型記録媒体、および書き換え可能型記録媒体のいずれにも適用できるものである。
【００４９】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例中の部および％は、特に断らない限り重量部および重量％である。また、実施例中の各種の測定は、次のとおりである。
【００５０】
固有粘度（〔η〕 _inh ）
溶媒にクロロホルムまたはシクロヘキサンを使用し、０．５ｇ／ｄｌの重合体濃度で３０℃の条件下、ウベローデ粘度計にて測定した。
ゲル含有量
２５℃の温度で、水素添加（共）重合体５０ｇを１％濃度になるようにクロロホルムに溶解し、この溶液をあらかじめ重量を測定してある孔径０．５μｍのメンブランフィルター〔アドバンテック東洋（株）〕を用いてろ過し、ろ過後のフィルターを乾燥後、その重量の増加量からゲル含有量を算出した。
【００５１】
水素化率
水素添加単独重合体の場合には、６０ＭＨｚ、¹Ｈ−ＮＭＲを測定し、エステル基のメチル水素とオレフィン系水素のそれぞれの吸収強度の比、またはパラフィン系水素とオレフィン系水素のそれぞれの吸収強度の比から水素化率を測定した。また、水素添加共重合体の場合には、重合後の共重合体の¹Ｈ−ＮＭＲ吸収と水素化後の水素添加共重合体のそれを比較して算出した。
ガラス転移温度
走査熱量計（ＤＳＣ）により、チッ素雰囲気下において、１０℃／分の昇温速度で測定した。
【００５２】
膜の厚み
キーエンス（株）製、レーザーフォーカス変位計、ＬＴ−８０１０を用い、測定した。
レタデーション値
王子計測機器（株）製、ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨを用い、波長５９０ｎｍで測定した。
【００５３】
参考例１
８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１^2,5．１^7,10〕ドデカ−３−エン１００ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサン２４０ｇ、１−ヘキセン２５ｇ、およびジエチルアルミニウムクロライド０．９６モル／リットルのトルエン溶液３．４ｍｌを、内容積１リットルのオートクレーブに加えた。
一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの０．０５モル／リットルの１，２−ジメトキシエタン溶液２０ｍｌとパラアルデヒドの０．１モル／リットルの１，２−ジメトキシエタン溶液１０ｍｌを混合した。
この混合溶液４．９ｍｌを、上記オートクレーブ中の混合物に添加した。密栓後、混合物を８０℃に加熱して３時間攪拌を行った。
得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタンとシクロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加えて重合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、トリエタノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。
【００５４】
この重合溶液に、メタノール５００ｇを加えて３０分間攪拌して静置した。２層に分離した上層を除き、再びメタノールを加えて攪拌、静置後、上層を除いた。同様の操作をさらに２回行い、得られた下層をシクロヘキサン、１，２−ジメトキシエタンで適宜希釈し、重合体濃度が１０％のシクロヘキサン−１，２−ジメトキシエタン溶液を得た。
この溶液に２０ｇのパラジウム／シリカマグネシア〔日揮化学（株）製、パラジウム量＝５％〕を加えて、オートクレーブ中で水素圧４０ｋｇ／ｃｍ²として１６５℃で４時間反応させたのち、水添触媒をろ過によって取り除き、水素添加（共）重合体溶液を得た。
【００５５】
また、この水素添加（共）重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕を、水素添加（共）重合体に対して０．１％加えてから、３８０℃で減圧下に脱溶媒を行った。
次いで、溶融した樹脂を、チッ素雰囲気下で押し出し機によりペレット化し、トリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂Ａを得た。熱可塑性樹脂Ａの分析結果を表１に示す。
【００５６】
参考例２
単量体として、８−エチリデンテトラシクロ〔４．４．０．１^2,6．１^7,10〕−３−ドデセン１００ｇを用い、溶媒としてシクロヘキサン３００ｇを用いた以外は、参考例１と同様に重合、水素化の操作を行い、熱可塑性樹脂Ｂを得た。熱可塑性樹脂Ｂの分析結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
実施例１
参考例１で得られた熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料として、塩化メチレンを溶媒として用いた溶液キャスト法により、厚さ１０μｍ、レタデーション値１５ｎｍのベースフィルムを得た。得られたベースフィルムを延伸倍率１５０％で１軸延伸し、環状ポリオレフィン系樹脂膜を得た。０．３ｍｍ厚みのガラス基板上に、協立化学（株）製紫外線硬化型接着剤フォトボンドをスピンコートして、環状ポリオレフィン系樹脂膜を積層したのち、紫外線照射して波長板（ａ）を調製した。得られた波長板（ａ）の光の波長に対する光吸収特性を図１に示す。以上の様にして作成した波長板（ａ）を１５０℃で１時間加熱し、加熱前後のレタデーション値を測定した。評価結果を表２に示す。
実施例２
参考例２で得られた熱可塑性樹脂Ｂのペレットを原料とし、溶媒としてシクロヘキサンを用いた以外は、参考例１と同様にして波長板（ｂ）の作製を行った。
評価結果を表２に示す。
【００５９】
実施例３
参考例１で得られた熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料として、日立造船（株）製、４０ｍｍφ押し出し機を用い、シリンダー温度３００℃、ダイス温度３００℃で押し出し成形して、厚さ１４０μｍ、レタデーション値２５ｎｍのベースフィルムを得た。得られたベースフィルムを延伸倍率２００％で１軸延伸して、環状ポリオレフィン系樹脂膜を得た。得られた環状ポリオレフィン系樹脂膜を使用して、参考例１と同様にして波長板（ｃ）の作製を行った。評価結果を表２に示す。
【００６０】
比較例１
出光石油化学（株）製、ポリカーボネートＡ２７００〔重量平均分子量：３２，８００（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー測定、ポリスチレン換算）、ガラス転移温度：１５５℃〕を原料とし、シリンダー温度２８０℃、ダイス温度２８０℃で、実施例３と同様に押し出し成形して厚さ１０μｍ、レタデーション値４０ｎｍのベースフィルムを得た。得られたベースフィルムを延伸倍率１３０％で１軸延伸して、厚さ１１０μｍ、レタデーション値３２８ｎｍのポリカーボネート膜を得た。なお、上記温度条件は、この材料においては最良の光学特性を与えるものであった。得られたポリカーボネート膜を使用して、参考例１と同様にして波長板（ｄ）の作製を行った。評価結果を表２に示す。
【００６１】
【表２】
【００６２】
＊１：６５０ｎｍの１／４λ相当
＊２：６５０ｎｍの１／２λ相当
【００６３】
【発明の効果】
本発明の波長板は、高い耐熱性、低い吸湿性、各種材料との高い密着性、および安定なレタデーション値を有する環状ポリオレフィン系樹脂膜を有するものであるため、安価で高性能の波長板であり、本発明の波長板を使用すると安価で高性能の光学記録媒体用装置を製造することができる。
なお、本発明の波長板を使用した光学記録媒体用装置は、音声、画像の記録に関して、再生専用記録媒体、追記型記録媒体、および書き換え可能型記録媒体のいずれにも適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の熱可塑性膜の、光の波長に対する光透過率を示す図である。
【図２】本発明の波長板を適用できる光ピックアップ装置の一例の概略構成図である。
【符号の説明】
１０光ピックアップ装置
２１偏光ビームスプリッター
２２波長板
２４光学記録媒体

Claims

（３）（１）下記一般式（Ｉ）で表される特定単量体の開環重合体、または（２）下記一般式（Ｉ）で表される特定単量体と共重合性単量体との開環共重合体、の水素添加（共）重合体から選ばれた少なくとも１種の環状ポリオレフィン系樹脂膜からなる光の偏光状態を変化させるために用いる光学記録媒体用装置用波長板であって、ここで使用する光は波長７８０ｎｍのレーザー光、波長６３５ｎｍのレーザー光または６５０ｎｍのレーザー光であり、かつ波長６５０ｎｍのレーザー光に対してλ／４波長板またはλ／２波長板となる、光学記録媒体用装置用波長板。
〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、またはその他の１価の有機基であり、それぞれ同一または異なっていてもよい。Ｒ¹とＲ²またはＲ³とＲ⁴は、一体化して２価の炭化水素基を形成しても良く、Ｒ¹またはＲ²とＲ³またはＲ⁴とは互いに結合して、単環または多環構造を形成してもよい。ｍは０または正の整数であり、ｐは０または正の整数である。〕
前記水素添加（共）重合体の水素添加率が、６０ＭＨｚ、^１Ｈ−ＮＭＲで測定した値が９８％以上である請求項１に記載の光学記録媒体用装置用波長板。
前記水素添加（共）重合体中に含まれるゲル含有量が１重量％以下である請求項１または２に記載の光学記録媒体用装置用波長板。