JP4611329B2 - アライメントマーク保存方法、及び自己位置合わせアライメントマーク構造 - Google Patents
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Description
本発明はリソグラフィシステムにおいて改良されたアライメントを有するシステム及び方法に関する。また本発明は、アライメントプロセスの改良のためのハードマスクシステムの使用に関する。
本発明はリソグラフィ及びリソグラフィ投影装置の分野に関する。リソグラフィ投影装置は、放射投影ビームを供給するための放射システムと、投影ビームに所望のパターンを付与するパターニング用デバイスを支持するための支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターンを付与されたビームを基板の目標部分に投影するための投影光学系と、を備える。
ここで「パターニング用デバイス」という用語は、当該デバイスに入射する放射ビームの断面に、基板の目標部分に形成されるべきパターンに対応するパターンを付与するのに用い得るデバイスを指し示すよう広く解釈されたい。この意味で「ライトバルブ」という用語が使われることもある。一般に、このパターンは目標部分に形成されるデバイス例えば集積回路の特定の機能層に対応する。パターニング用デバイスの例としては以下のものがある。
−マスク。マスクという概念はリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスクや交互位相シフトマスク、減衰位相シフトマスク、ハイブリッド型のマスクなどがある。マスクを放射ビーム上に配置することにより、マスクに入射する放射ビームがマスク上のパターンに応じて選択的に透過（透過型のマスクの場合）または反射（反射型のマスクの場合）される。マスクの支持構造は通常マスクテーブルと呼ばれ、入射放射ビームに対して所望の位置にマスクを保持するとともに、必要に応じてビームに対してマスクを適宜移動させる。
−プログラマブルミラーアレイ。このデバイスの一例としてはマトリックス状にアドレス設定可能である表面が挙げられ、この表面は粘弾性制御層と反射性表面とを有する。この種の装置の基本的原理は、反射性表面のアドレス指定された区域が入射光を例えば回折光として反射する一方、アドレス指定されていない区域が入射光を非回折光として反射するというものである。適切なフィルタを使用することにより、反射光から非回折光を除去して回折光だけを残すことが可能である。このようにして、マトリックス状アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従ってビームにパターンが付与される。プログラマブルミラーアレイの他の例としては、マトリックス状に配列された微小ミラーが挙げられる。各微小ミラーは、適切な局所的電界の印加または圧電アクチュエータの駆動によって軸周りに個別的に傾斜される。各ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能であるから、アドレス指定されたミラーはアドレス指定されていないミラーとは入射放射ビームを異なる方向に反射する。このようにして、マトリックス状アドレス指定ミラーのアドレス指定パターンに従って反射ビームにパターンが付与される。必要とされるマトリックス状アドレス指定は適切な電子回路を使用して実現され得る。
上述の例においてパターニング用デバイスは１つまたは複数のプログラマブルミラーアレイを備えてもよい。ミラーアレイに関する更なる情報は、例えば米国特許第５２９６８９１号、米国特許第５５２３１９３号、国際特許出願第９８／３８５９７号及び第９８／３３０９６号から得ることができる。これらの文献はここに引用される。プログラマブルミラーアレイの支持構造は、例えばフレームまたはテーブルとして具体化され、固定されていてもよいし、必要に応じて移動可能とされていてもよい。
−プログラマブルＬＣＤアレイ。この構成の一例は、ここに引用される米国特許第５２２９８７２号により与えられる。上記と同様に、支持構造は、例えばフレームまたはテーブルとして具体化され、固定されていてもよいし、必要に応じて移動可能とされていてもよい。
以下では簡単のためマスク及びマスクテーブルに関する実施例が具体的に説明される場合があるが、この例により説明される基本的原理は上述の各パターニング用デバイスにも広く適用可能であるものと理解されたい。
リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用される。この場合、ＩＣの各層に対応する回路パターンがパターニング用デバイスにより生成される。このパターンは、放射感応材料層（例えばレジスト）で被覆されている基板（シリコンウエハ）の（１つまたは複数のダイからなる）目標部分に結像される。一般に、１枚のウエハは全体としてネットワーク状に隣接する複数の目標部分を含む。これらの目標部分は投影光学系を通じて１度に１箇所ずつ順次照射を受ける。マスクテーブル上のマスクによりパターンを付与する現在の装置には、異なる２種類の装置がある。そのうち一方のリソグラフィ投影装置では、マスクパターンの全体が１つの目標部分に１回の露光で露光されるように各目標部分への照射が行われる。この装置は一般にウエハステッパまたはステップアンドリピート装置と呼ばれている。
他方の装置は一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれている。この装置では各目標部分への照射は、投影ビームに対して所定の基準方向（「走査」方向）にマスクパターンを走査して行われる。この走査に同期させて、走査方向に平行または逆平行な方向に基板テーブルが走査される。一般に投影光学系は拡大率Ｍ（通常Ｍ＜１）を有しているから、基板テーブルの走査速度Ｖはマスクテーブルの走査速度のＭ倍とされる。露光装置に関する更なる情報は、例えば米国特許第６０４６７９２号から得ることができる。この文献はここに引用される。
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスにおいては、（例えばマスク上の）パターンが少なくとも部分的に放射感応材料層（レジスト）で覆われている基板に結像される。この結像工程に先立って、下塗り、レジスト塗布、及びソフトベークなどのさまざまな処理が施されてもよい。露光後には、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、及び結像されたパターン形状の測定・検査などの他の処理が行われてもよい。これら一連の処理は、例えば集積回路（ＩＣ）等のデバイスの各層にパターンを付与するために基本的に用いられる処理である。パターンが付与された層に対して、エッチングやイオン注入（ドーピング）、金属配線加工、酸化処理、化学機械研磨などの各層を完成させるための処理が施されてもよい。デバイスに複数の層が必要とされる場合には、これら全処理、あるいはその変形版が各々の層を形成するために繰り返される。最終的に基板（ウエハ）にデバイスがアレイ状に形成される。これらのデバイスはダイシングやソーイング等の技術により互いに切り離され、各デバイスは支持体に搭載されピン等により接続される。これらの処理に関する更なる情報は、例えば、１９９７年にマグローヒル出版会社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ Ｐｒａｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４より入手可能である。この文献はここに引用される。
以下では簡単のため投影光学系を「レンズ」と称することがある。しかし、この用語は、例えば屈折光学系、反射光学系、および反射屈折光学系を含むさまざまなタイプの投影光学系を網羅するものとして広義に解釈されるべきである。また、放射システムは、放射投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行うよう設計されている構成要素を含んでもよい。そして、このような構成要素も以下では集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称することがある。
さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有してもよい。このような「多段ステージ型」の装置においては追加のテーブルが並列して使用されてもよい。また、１つあるいはそれ以上のテーブルが露光に使用されている間に他の１つあるいはそれ以上のテーブルで準備工程が実行されてもよい。デュアルステージ型のリソグラフィ装置については、例えば米国特許第５９６９４４１号および国際特許出願第９８／４０７９１号に記載されている。これらの文献はここに引用される。
以下では具体例として本発明に係る装置を集積回路の製造に用いる場合を挙げているが、この装置は他のさまざまな分野で用いられ得るものであるものと理解されたい。例えば、集積光学システムや磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他への適用に際して、本明細書における「レチクル」、「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「マスク」、「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。
本明細書において「放射」及び「投影ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（５乃至２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を含む。
リソグラフィ処理においてはウエハ上に連続的に積層される各層のパターン位置は、基板上のデバイスを正常に機能させるために極力精密でなければならない。そのため、各フィーチャはすべて許容誤差内に収まるように形成されるべきである。各層の重ね合わせ誤差（オーバレイ）は、デバイスの機能を実現するよう設定された許容誤差内に収まるべきである。このため、リソグラフィ投影装置はオーバレイ測定モジュールを備える。このモジュールは、マスクパターンに対する基板上のパターンのオーバレイ誤差を決定する。オーバレイ誤差はパターン最上層のレジスト層で定義される。
通常このオーバレイシステムは光学素子による測定を実行する。光源により照明される光学マーカからの光学的応答を測定することにより、基板上のパターン位置に対するマスクパターン位置が決定される。光学マーカにより生成される信号はセンサにより測定される。センサ出力に基づいてオーバレイ誤差が取得される。
光学マーカは、微小電子デバイス処理（またはＩＣ処理）の全工程を通じて使用される。工程の前半部（ＦＥＯＬ）では、例えばトランジスタ構造の製造中のオーバレイ制御のためにマーカが使用される。工程の後半部（ＢＥＯＬ）では、接続配線やビアなどの金属配線構造のオーバレイ制御のためにマーカが必要とされる。双方いずれの場合においても、要求オーバレイ精度を実現するのに充分な程度にマーカが無傷な状態を保つべきである。
マスクとのアライメントのために基板のアライメントマークが使用される場合、そのアライメントマークが撮像装置で撮像可能である必要がある。先進的なデバイス製造においては、既存のレジスト以上に基板に微細パターンを容易に形成することができるハードマスク材料を使用することが望ましい。しかし、アモルファスカーボン等のハードマスク層はアライメントマークの可視性を低減してしまう。このため、デバイスへの先進的パターニングにおけるハードマスクの有効性が低減されてしまう。
本発明の一実施形態においては、アライメントマークの保護方法は、アライメントマーク下部構造を基板に準備する工程を含む。本発明の一実施例では、アライメントマーク下部構造はアライメントマークのトレンチ又は溝部を含む。更なる工程として、アライメントマークを含む基板にハードマスクがコーティングされる。好ましくは、ハードマスクの材料はアモルファスカーボン材料である。好ましくは、ハードマスク材料のコーティングは、アライメントマーク形状を含む基板上の領域のうち１つ以上を被覆する。更なる工程として、ハードマスク層のうちアライメントマーク下部構造の上方に位置する領域が所定照射線量で選択的に露光される。本発明の一態様においては、この選択的露光領域は、アライメントマークを含む基板領域への照射を選択的に通過させるマスクによって定められる。好ましくは、この照射は可視光またはＵＶ放射であり、後者は例えばエキシマレーザ光源により生成される。好ましくは、この照射線量は、照射を受ける基板領域のハードマスクコーティングが実質的に黒鉛化されるのに充分な照射線量とされる。本発明の一態様においては、この照射線量を受けたハードマスクコーティングの表面領域はハードマスク表面の他の領域に比べて上昇する。よって、ハードマスクの照射を受けた領域には、光学アライメントシステム等のアライメント装置で容易に撮像され得る凸部（トポグラフィ）が形成される。ハードマスクのこれらの上昇部は、下層のアライメントマーク構造に対応して配列されており、下層のアライメントマークの水平位置が保存された新たなアライメントマークとして機能しうる。このようにして、ハードマスクの成膜処理により部分的にまたは完全に見えなくなってしまったアライメントマークを復元することができる。
本発明の一実施形態に係るアライメントマーク構造を保護するための自己位置合わせ方法は、基板に形成された下層アライメントマークにトレンチ領域を画定する第１工程を含む。このトレンチ領域は複数のトレンチを含んでもよい。下層アライメントマークは、トレンチ領域のトレンチを包囲しかつ画定する複数の凸領域を含む。更なる工程として、下層アライメントマークのトレンチ領域及び凸領域の上層にコーティング層が形成される。コーティング層の厚さは、当該コーティング層を平坦化させる厚さより小さいことが好ましい。すなわち、アライメントマークコーティング層の上部には、少なくとも１つ以上の上部トレンチ領域が保たれる。各上部トレンチ領域は、下層アライメントマークの下部トレンチ領域に対応して同一の水平位置に位置する。コーティング層の上にハードマスク層が形成される。好ましくはハードマスク層はアモルファスカーボン材料である。一実施例では、ハードマスク層は実質的に平滑化されており、下層アライメントマークのトレンチ領域上方の領域において局所的に厚みが大きくなっている。ハードマスク層の一部が所定照射線量で露光される。この照射線量は、ハードマスク層の露光領域を実質的に黒鉛化するのに充分な照射線量である。好ましくは、ハードマスク層の露光領域は、下層アライメントマークを含む基板領域に対応する。よって、所定照射線量で露光されたハードマスクの部位はその隣接領域に対して上昇する。このため、ハードマスク層における下層アライメントマークの対応領域に撮像装置で撮像するのに充分な表面トポグラフィが形成される。好ましくは、ハードマスク層の表面は、アライメントマーク領域の外側領域に対して全体的に上昇され、更に下層アライメントマークのトレンチ形状に対応する領域が局所的に上昇させられる。この局所的上昇領域が撮像される。
本発明の一実施形態に係る自己位置合わせアライメントマーク構造は、下層アライメントマーク領域と上層アライメントマーク領域とを含む。下層アライメントマーク領域は、テーブル領域間に形成される下部トレンチ領域を含む。アライメントマーク構造は、下層アライメントマーク領域の下部トレンチ領域及びテーブル領域を被覆するコーティング層をさらに含む。好ましくは、コーティング層の上面において、下部トレンチ領域の水平位置に対応する水平位置に上部トレンチ領域が形成される。本発明の一実施例では、上層アライメントマーク領域は、黒鉛化アモルファスカーボン部を含む。黒鉛化アモルファスカーボン層は、周囲のアモルファスカーボン層表面に対して上昇された上面を有する上昇形状を含む。この上昇形状は、下層アライメントマークのトレンチ領域の水平位置に実質的に対応する水平位置に形成される。好ましくは、この上昇形状は、コーティング層に成膜されるアモルファスカーボン前駆体ハードマスク層への照射により形成される。ここでハードマスク層の照射部位は非照射部位に対して選択的に膨張する。上層アライメントマークの上昇形状におけるハードマスクの表面トポグラフィは、撮像装置で撮像するのに充分なものであることが好ましい。好ましくは、ハードマスク層の表面は、アライメントマーク領域の外側領域に対して全体的に上昇され、更に下層アライメントマークのトレンチ形状に対応する領域が局所的に上昇させられる。この局所的上昇領域が撮像される。
図１は、本発明の一実施形態に係る少なくとも１つのマーカ構造を含むリソグラフィ投影装置を模式的に示す図である。この装置は、以下のものを備える。
− 放射投影ビームＰＢ（例えばＵＶまたはＥＵＶ放射）を供給するための照明光学系ＩＬ。本実施例では、放射システムは放射源ＳＯを含む。
− パターニング用デバイスＭＡ（例えばマスク）を支持し、構成要素ＰＬに対してパターニング用デバイスを正確に位置決めする第１ポジショナ（図示せず）に接続されている第１支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）。
− 基板Ｗ（例えばレジストでコーティングされたシリコンウエハ）を保持し、構成要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに接続されている第２支持構造ＷＴ（例えばウエハテーブル）。
− パターニング用デバイスＭＡにより投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに結像させるための投影光学系ＰＬ（例えば反射投影レンズ）。
− 放射投影ビームＰＢ（例えばＵＶまたはＥＵＶ放射）を供給するための照明光学系ＩＬ。本実施例では、放射システムは放射源ＳＯを含む。
− パターニング用デバイスＭＡ（例えばマスク）を支持し、構成要素ＰＬに対してパターニング用デバイスを正確に位置決めする第１ポジショナ（図示せず）に接続されている第１支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）。
− 基板Ｗ（例えばレジストでコーティングされたシリコンウエハ）を保持し、構成要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２ポジショナＰＷに接続されている第２支持構造ＷＴ（例えばウエハテーブル）。
− パターニング用デバイスＭＡにより投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに結像させるための投影光学系ＰＬ（例えば反射投影レンズ）。
投影光学系ＰＬには、光学系の設定を調整するための駆動装置ＡＤが設けられている。この設定の調整動作については詳細に後述する。
図示されるように、この装置は透過型である（つまり透過型のマスクを有する）。しかし、（反射型のマスクを有する）反射型の装置を用いてもよい。また、上述のプログラマブルミラーアレイのような他のパターニング用デバイスを用いてもよい。
光源ＳＯ（例えば水銀ランプまたはエキシマレーザ）は、放射ビームを生成する。このビームは、照明光学系（照明器）ＩＬへと直接送られる。または例えばビームエキスパンダＥｘ等の調整用光学素子を通過して照明光学系ＩＬへと送られる。照明光学系ＩＬはビームの調整を更に行ってもよく、そのために照明光学系ＩＬは、ビーム強度分布の半径方向外周側及び／または内周側の量（通常それぞれシグマアウタσｏｕｔｅｒ及びシグマインナσｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整用光学素子ＡＭを備えてもよい。加えて、照明光学系ＩＬは一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯ等のさまざまな他の構成要素を備えてもよい。このようにして、マスクＭＡへと入射するビームＰＢの断面に所望の均一性及び強度分布が付与される。
図１に関して、光源ＳＯはリソグラフィ投影装置のハウジング内部に設けられていてもよいことに留意されたい（例えば光源ＳＯが水銀ランプである場合）。また、光源ＳＯはリソグラフィ投影装置から分離され、ビームが投影装置へと（例えば適当なミラーにより）導かれるようになっていてもよい。光源ＳＯがエキシマレーザである場合にはしばしば後者のように構成される。本発明は双方いずれの場合にも適用可能である。
ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴに保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを通過したビームＰＢは、更にレンズＰＬを通過して基板Ｗの目標部分Ｃで合焦される。第２ポジショナＰＷ及び干渉計ＩＦにより基板テーブルＷＴは正確に移動され、例えばビームＰＢの経路に対して異なる目標部分Ｃが順次位置決めされる。同様に、（マスクテーブルＭＴを動作させる）第１ポジショナは、例えばマスクライブラリからのマスクの機械的取付後または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするのに用いられる。一般に、図１には明示されていないが、物体テーブルＭＴ及びＷＴの動作は、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。しかし、ウエハステッパでは（ステップアンドスキャン装置とは異なり）、マスクテーブルＭＴはショートストロークモジュールにのみ接続されているか、または固定されていてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされる。
図示の装置は次の２つの異なるモードで使用され得る。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴと基板テーブルＷＴとは実質的に静止状態に保たれており、ビームＰＢに付与されたパターン全体が１回の動作（１回の照射）で１つの目標部分Ｃに投影される。そして基板テーブルＷＴはＸ方向及び／またはＹ方向に移動され、異なる目標部分ＣがビームＰＢの照射を受ける。
２．スキャンモードにおいては、所定の目標部分Ｃが１回の照射では露光されないという点を除き、ステップモードと実質的に同様である。このモードでは、マスクテーブルＭＴが所定方向（いわゆる走査方向、例えばＹ方向）に速度ｖで移動され、投影ビームＰＢによりマスクが走査される。これとともに、基板テーブルＷＴが同方向または逆方向に速度Ｖ＝Ｍｖで同期して移動される。ここでＭはレンズＰＬの拡大率であり、通常Ｍ＝１／４または１／５である。このようにして、解像度を犠牲にすることなく比較的大面積の目標部分Ｃを露光することができる。
３．他のモードにおいては、マスクテーブルＭＴがプログラム可能なパターニング用デバイスを保持して実質的に静止状態とされる一方、基板テーブルＷＴが移動または走査されて投影ビームのパターンが目標部分Ｃに投影される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられる。プログラム可能なパターニング用デバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後に、または走査中の連続パルス間に必要に応じて更新される。このモードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能なパターニング用デバイスを用いるマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
上述の各モードを組み合わせて用いてもよいし、各モードを変形して用いてもよい。あるいはまったく異なるモードを用いてもよい。
図示されない一実施例においては、基板テーブルは、ウエハが連続的に供給される２つの走査ステージを備えるツインスキャン型の構成であってもよい。上述のまたは他のモードで一方のウエハが露光されている間に、他方のウエハに露光前に実行される必要な測定が行われる。これにより各ウエハが露光エリアに滞在する時間を少なくすることができるので、システムのスループットを向上させることができる。一般的に、リソグラフィ装置は２つ以上の基板テーブル（及び／または２つ以上のマスクテーブル）を有していてもよい。このような多段型の装置では、追加されたテーブルを並行して用いてもよいし、または１つ以上のテーブルで準備工程を行う間に他のテーブルで露光を行うようにしてもよい。
干渉計は通常、レーザ等の光源（図示せず）と、基板またはステージ等の測定対象物に関して情報を決定する（例えば位置決めやアライメントなど）ための１つ以上の干渉計を備える。図１では、１つの干渉計ＩＦが一例として模式的に示されている。光源（レーザ）は測定用ビームＭＢを生成する。測定用ビームＭＢは１つ以上のビームマニピュレータにを経て干渉計ＩＦへと送られる。複数の干渉計が設けられている場合には、測定用ビームは各干渉計で分配されてもよい。測定用ビームは光学系を用いて分離され各干渉計ごとにビームが生成される。
マスクテーブルＭＴのマスクに基板テーブルＷＴの基板をアライメントする基板アライメントシステムＭＳが、基板テーブルＷＴの近傍に模式的に示されている。このシステムＭＳは、基板Ｗのマーカ構造に向けられる光ビームを生成する少なくとも１つの光源と、このマーカ構造からの光学的信号を検知する少なくとも１つのセンサとを含む。なお基板アライメントシステムＭＳの配置はリソグラフィ投影装置の実際の設計条件に応じて定められる。
更にリソグラフィ投影装置は、結像処理及び露光処理の実行中に装置の機械的設定を制御及び調整する電子制御システムを含む。図２に電子制御システムの一例が模式的に示されている。なおリソグラフィ投影装置は、装置の機能を高精度に制御する高性能のコンピュータ資源を含む。図２は、そのコンピュータ資源のうち本発明に関連する機能だけを図示している。このコンピュータ資源は、ここに図示されない更なる追加のシステム及びサブシステムを含んでもよい。
装置の機械的設定は、投影像を垂直方向（Ｚ方向）に変位させてフォーカスオフセットを補償するようにして調整されてもよい。または、水平方向に（ＸＹ平面で）像位置をシフトさせてアライメントを改善するようにして機械的設定が調整されてもよい。
図２は、本発明の一実施例に用いられるコンピュータ８の構成を模式的に図示している。コンピュータ８は、周辺機器を有するホストプロセッサ２１を含む。ホストプロセッサ２１は、命令及びデータを記憶するメモリユニット１８、１９、２２、２３、２４、（例えばフレキシブルディスク１７、ＣＤＲＯＭ２０、ＤＶＤ等を読み出す）１つ以上の読み出しユニット３０、キーボード２６やマウス２７等の入力装置、及びモニタ２８やプリンタ２９等の出力装置に接続されている。トラックボールやタッチスクリーン、スキャナ等の他の入力装置が設けられていてもよい。あるいは他の出力装置が設けられていてもよい。
入出力デバイス（Ｉ／Ｏデバイス）３１がリソグラフィ投影装置との接続のために設けられている。このＩ／Ｏデバイス３１は、本発明に従って投影光学系ＰＬを制御するのに用いられるアクチュエータ及びセンサとの間の信号伝達を扱うよう構成されている。また、ネットワーク３３との接続用にネットワークＩ／Ｏデバイス３２が設けられている。
メモリユニットは、ＲＡＭ２２、（Ｅ）ＥＰＲＯＭ２３、ＲＯＭ２４、テープユニット１９、及びハードディスク１８を含む。しかし、当業者に公知の他のメモリユニットが設けられていてもよい。また、これらのメモリユニットのうち１つ以上がプロセッサ２１から物理的に遠隔に配置されていてもよい。プロセッサ２１は１つの箱で図示されているが、当業者に公知であるように、互いに分離配置され並列に機能する複数の処理ユニットを備えてもよい。または、１つのメインプロセッサにより制御される複数の処理ユニットを備えてもよい。
また、コンピュータ８は、リソグラフィ投影装置の設置場所から遠隔に配置され、ネットワーク接続によりリソグラフィ投影装置に機能をもたらすように構成されてもよい。
投影光学系には駆動装置ＡＤが設けられている。駆動装置ＡＤは、投影光学系内部の光学素子及びステージの位置を操作することにより投影光学系の光学的設定を調整可能である。駆動装置ＡＤには、制御システムからの制御信号を送受信するための入力ポート及び出力ポートが設けられている（図示せず）。本発明のコンピュータ８は、露光中におけるフィーチャのオーバレイ誤差を最小化するように投影光学系を制御及び調整可能である。なおコンピュータ８はリソグラフィ投影装置から状況信号を受信してもよい。この状況信号は、投影光学系及び／またはリソグラフィ投影装置の他の部分の状況及び／または設定に関連する信号である。当業者には理解されるように、この状況信号は、電子制御システムのタイミング及び／または応答に影響しうる。
図３Ａ乃至図３Ｆは、本発明の原理を示すための参考用のアライメントマークシステムの形状を示す図である。図３Ａの積層体３００により各層の順序が示される。これらの層は、リソグラフィによるパターニングに使用される。積層体３００は例えば、シリコンウエハ等の基板を覆う積層構造の一部分を示す。図３Ａに示される構造の水平方向及び垂直方向の寸法はセンチメートルサイズからナノメートルサイズまで変化しうるものであるが、好ましくは約１０マイクロメートルより小さい寸法である。積層体３００は例えば、基板３１１上に設けられたアライメントマーク３０１の断面の一部を示す。図３Ａに示されるように、アライメントマークの一部分３０１は、テーブル領域３０４と基板層３１１とを含む。テーブル領域３０４は、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、アライメントマークを形成する直線状格子の断面領域の一部分を含む。図３Ｂ及び図３Ｃは、図３Ａのアライメントマーク３０１が多数連続して構成されるアライメントマーク３２０の断面図及び上面図をそれぞれ示す。アライメントマーク３２０は、横方向の寸法が例えば約０．００１乃至１ミリメートルである。よって、図示の例においてはシリコンウエハ等の１枚の基板にマーク３２０に相当する多数の構造が形成される。マーク３２０は、形成済の層のパターンとその次の層のパターンとを位置合わせするためのアライメント工程を実行するのに用いられる。マーク３２０は図３Ａに示されるように多数の部分３０１を含む。
アライメントマークの一部分３０１は、例えば層３０３に形成されたパターン形状と、層３０２に堆積される１つ以上の層に形成されるパターン形状とを位置合わせする手段を提供する。アライメントマークの一部分３０１は、上部領域３０５と、下部トレンチ領域３０６と、テーブル領域３０４とを備える。図示されるように領域３０５及び領域３０６は共通の材料で形成されている。アライメントマーク３０１を形成する際には、パターニング処理により層３０３が複数のテーブル領域３０４に分離されて、テーブル領域３０４の間にトレンチ領域３０６が形成される。層３０３は最初はパターンが形成されていない例えばシリコン、金属、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの層である。次に層３０２が堆積される。層３０２は、層３０３とは異なる材料からなり、ＣＶＤまたはＰＶＤ等の公知の成膜技術により形成される。しばしば層３０２は光学的に実質的に透明であり、層３０２の底部の層は光学撮像装置で観察可能である。例えば、層３０４の光学的特性が基板３１１の光学的特性とは充分に異なる場合には、トレンチ領域３０６はテーブル領域３０４に対して光学的コントラストをもたらし、光学装置に結像させることができる。例えば、図３Ｃに示されるように、層３０２が、光学撮像装置で使用される光に実質的に透明である場合には、マーク３０１のトレンチ領域は直下の基板３１１が有する光学的外観に見え、テーブル領域は層３０３の光学的外観に見える。よって、トレンチ領域３０６とテーブル領域３０４とのコントラストは、デバイス形成のために基板に形成される他のパターン形状（図示せず）に関する基準位置を提供するために用いることができる。上述のアライメント構造により層３０３で基準位置が得られるので、例えば層３０３のパターン形状と次のリソグラフィマスクとをアライメントすることができる。
上述のように図３Ａに示される例においてはアライメントを容易にするために、例えば上部表面領域３０９を通じて光を入射させる光学装置を用いて領域３０６に対して領域３０４が容易に結像されることが望ましい。このため、光は層３０２を実質的に透過することが望ましい。しかし、層３０２にパターンを付与するためには、層３０２の上面にレジストやハードマスク等の犠牲層が通常形成される。後者の材料は先進的なデバイス構造における微細なパターン形状寸法に特に好ましい。例えば、深紫外光で形成されるデバイス構造においては、デバイスのフィーチャサイズ（クリティカルディメンジョン、ＣＤ）が１００ｎｍよりも小さくなりうる。このように微細な形状のパターニングには従来のレジスト材料はあまり適していない。このためハードマスク材料の開発が盛んに行われている。ここで一般にハードマスクという用語は、構造を形成するのに使用される構造及び材料を示す。この構造は、当該ハードマスクの下方の領域にパターン形状を形成するために使用される。ハードマスク材料は、通常はフォトレジスト材料よりも機械的剛性が高く、下の層をエッチングするためのエッチング処理への耐性も高い。エッチング抵抗及び剛性が高いので、ハードマスクは微細形状のパターニングに適している。
アモルファスカーボンは、近年、超微細構造のパターニング用ハードマスクの第１候補とされている。これは、カーボン成膜の容易さ、カーボン層下方の材料に対するエッチング選択性の高さ、及びプラズマアッシングによる除去の容易さによるものである。しかし、通常、アモルファスカーボン材料のハードマスクは、下層のアライメントマークとのアライメントに問題がある。アモルファスカーボン層は比較的不透明であり、下層のアライメントマークがアライメントを実行する装置で容易に観察されないおそれがある。図３Ｄは、図３Ａの積層体３００の上にハードマスク層３１２が成膜されたものを示す。層３１２がアモルファスカーボンである場合には、層３１２の厚さ及び不透明さによるが、マーク３０１を観察するのが困難または不可能である。アモルファスカーボン層は通常比較的平滑化作用が強く、図３Ｄに示されるように下層の高低（トポグラフィ）を平らにしてしまう。このため、層３０２のノッチ部３１０はフィルム３１２により平滑化され、表面３１４は無形状であるように見える。よって、撮像装置により図３Ｃのトレンチ形状３０６を観察することもできないし、層３１２の他の表面形状を観察することもできない。内部のアライメントマーク３２０またはその部分３０１も図３Ｅ及び図３Ｆに示されるように実質的に観察不可能となってしまう。
図４Ａ乃至図４Ｅは、本発明の一実施例に係るアライメントマークの保護方法及びシステムをそれぞれ異なる段階で示す図である。図４Ａ乃至図４Ｅに示されるアライメントマーク構造及び方法は、例えば、マスクテーブルＭＴに保持され、基板ＷをマスクＭＡにアライメントするためのアライメント構造に用いられる。
図４Ａにおいては、アライメントマークの一部分４０１を含む積層体４００が示されている。アライメントマークの一部分４０１は、トレンチ４０６とテーブル４０４とを備える。トレンチ領域４０６は、基板４１１に「テーブル」層４０３を堆積させ、テーブル層４０３の選択領域をエッチングすることにより形成される。これによりトレンチ領域４０６及び周囲のテーブル４０４が形成される。基板４１１は、単結晶ウエハ、基板上に成膜された層、または他の層の上に成膜された層（図示せず）であってもよい。テーブル層４０３は例えばポリシリコン層であってもよく、基板４１１は酸化物層であってもよい。テーブル４０４上及びトレンチ領域４０６の基板４１１上に形成される層４０２は、ＣＶＤまたはＰＶＤなどの成膜処理により形成されることが好ましい。層４０２には成膜後に上部トレンチ領域４１０が保たれることが好ましい。どの程度トレンチ領域４１０が保存されるかは、テーブル４０４の高さ、層４０２の厚さ、及び層４０２の成膜処理の形状保持性などの要因に依存する。このため、層４０２の厚さが大きい場合には、上部トレンチ領域４１０の保存のためには少なくとも部分的に形状保持性のある処理（つまり少なくとも部分的に平滑化させない処理）が望ましい。層４０２の厚みが小さい場合には、上部トレンチ形状がある程度保持される限りは、層４０２を平滑化させる傾向のある形状保持性の低い処理でもよい。図４Ａ及び図４Ｂの実施例では、積層体４００は隣接する多数のアライメントマークの一部分４０１を含み、これらの各部分により１つのアライメントマークが構成される。また、アライメントマークの一部分４０１は、単一でまたは周期的に配置されるアライメントマーク構造であり、基板４１１上の追加のアライメントマークとともにより大きいアライメントマーク構造を形成してもよい。
ここで「アライメントマーク構造」という用語は、アライメント処理の実行のために結像され得る基板上の形状を示す。「アライメントマーク構造」という用語は、１つのトレンチ領域と１組のテーブルとを含む１つの部分４０１を示してもよいし、多数のテーブル及びトレンチを含む１つのまたは多数のアライメントマークを示してもよい。また、１つのアライメントマーク構造において、テーブル及びトレンチが複数の異なる方向に沿って配列されていてもよい。例えば、基板平面上で互いに直交するＸ方向及びＹ方向に沿って配列されていてもよい。アライメントマーク構造は例えば、Ｘ方向の格子及びＹ方向の格子を複数含んでもよい。ここで各格子は、複数の直線状のトレンチで分離された複数の直線状のテーブルを含む。また、アライメントマーク構造という用語は、トレンチ及びテーブルに加えて他の形状を含む１グループの構造を示してもよい。例えば、図４Ａのアライメントマーク構造は、テーブル４０４及び基板４１１の上部に更に他の層（図示せず）が追加されていてもよい。一実施例では、積層体４００の全体が１つのアライメントマーク構造であるとみなされてもよい。
同様に、「アライメントマーク下部構造」という用語は、以下に説明する「アライメントマーク上部構造」の下方に位置する上述のアライメントマーク構造を示す。このように定義されるアライメントマーク下部構造は、アライメントマーク上部構造の形成のために使用され得るものであってもよく、必ずしもアライメントのために使用されるものでなくてもよい。
図４Ｂでは、積層体４００Ｂは、層４０２に積層されたハードマスク層４１２をさらに含む。本発明の好ましい実施例においては、ハードマスク層４１２はアモルファスカーボン層である。好ましくは、層４１２は所定の割合でダイヤモンドライクカーボンを実質的に含み、層４１２の密度は約２乃至３．３ｇｍ／ｃｃの範囲に含まれる。好ましくは、層４１２は下層の形状を実質的に保持するものではなく、平坦領域４１５及びトレンチ４１０を含む下層表面４１３に比較して最上層４１１は高さ変化が実質的に小さい。よって、層４１２の厚さは、トレンチ４１０の上方で局所的に大きくなる。上述のように、層４１２は下層に微細パターンを形成するためのハードマスクとして機能する。しかし、層４１２は不透明であるからアライメントマーク４０１を見えにくくしてしまい、アライメントの実行が困難になる。
図４Ｃには、基板４１１に向けてアライメントマーク４０１の領域へと照射される照射線量４１８が示されている。この照射線量は好ましくは、ハードマスク層４１２を実質的に黒鉛化するのに充分な可視光波長またはＵＶ放射である。これにより黒鉛化ハードマスク層が生成される。ここで「実質的黒鉛化」という用語は、ｓｐ３型炭素結合を実質的に低減しｓｐ２型炭素結合を増加させて、アモルファスカーボン層４１４の微視的構造をより黒鉛的にする処理を示す。しかし、層４１４は結晶黒鉛を含む必要はなく、水素を実質的に保持していてもよい。通常、実質的に黒鉛化されたアモルファスカーボンの密度は、ダイヤモンドライクカーボンをより高割合で含むアモルファスカーボンの密度よりも低い。例えば、結晶黒鉛の密度が約２．２ｇ／ｃｍ３であるのに対して、ダイヤモンド結晶の密度は約３．２ｇ／ｃｍ３である。アモルファスカーボンの密度はダイヤモンドライクカーボンの割合に応じて変化するが、通常は約１．７から３．０ｇ／ｃｍ３の範囲に含まれる。よって、ある割合でダイヤモンドライクカーボンを含むアモルファスカーボンを、ダイヤモンドライクカーボンをほとんど又はまったく含まない黒鉛的材料に変換した場合には、原理的には密度が最大３０％程度減少することになる。これは厚さ３００ｎｍのアモルファスカーボンフィルムが黒鉛化後に厚みが３０乃至９０ｎｍ増加することと等価である。したがって、当初の厚さが３００ｎｍのアモルファスカーボンフィルムのうち照射を受けた領域は、照射を受けていない領域に比較して約９０ｎｍだけ照射により選択的に膨張することになる。
１００ｍＪ／ｃｍ２のＫｒＦレーザ照射によりダイヤモンドライクカーボンの実質的黒鉛化を観察することができる。例えば、セス他（Ｓｅｔｈ ｅｔ ａｌ．）によれば、アモルファスカーボンフィルムに高フルエンスの２４８ｎｍＵＶ放射を照射したときに密度が約２．４ｇ／ｃｃから約１．７ｇ／ｃｃに低減することが観察されている（Ｓｅｔｈ ｅｔ ａｌ．， Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ ２５４ （１９９５） ９２−９５）。よって、層４１４の厚さは層４１２の厚さよりも実質的に大きくなる。加えて、トレンチ４１０近傍領域で局所的に厚さが大きくなっていることにより、トレンチ４１０付近では黒鉛化層４１４の厚さの増加が他領域とは異なる。このようにしてテーブル４１６が形成される。
本発明の好ましい実施例においては、層４１２の厚さは約５０ｎｍから１０００ｎｍの範囲にあり、テーブル４１６の高さは約２０ｎｍから約３００ｎｍの範囲にある。図４Ｃに示される本発明の実施例においては、領域４１７及び領域４１６の両方が照射線量４１８を受け、両方の厚さが非照射領域（図示せず）に比べて増加している。層４１４の領域４１０の初期厚さは例えば１０乃至５０％大きいので（図４Ｂ参照）、トレンチ４１０上方の層４１４の最終厚さは照射後の領域４１７の厚さに比べて大きくなる。よって、層４１４に表面高低（トポグラフィ）が実質的に保持される。層４１４の上面には、隣接領域４１５に対して明らかに上昇された領域４１６が形成されている。この領域４１６は下層のアライメントマーク４０１のトレンチ４０６の水平方向位置に対応している。このトポグラフィは、例えば層４１４表面の高さの違いによる反射光の違いによって撮像装置で充分に観察可能である。このようにして下層のアライメントマーク４０１を層４１４に保存する、言い換えれば復元することができる。撮像可能な形状４１６が形成されることにより、下層のアライメントマーク４０１の水平位置Ｐが上層のアライメントマーク４２１に保存されている。アライメントマークのトレンチ４０６は層４１４が不透明であるために部分的にまたは完全に埋没して見えなくなってしまうが、形状４１６はアライメントマークのトレンチ４０６の水平位置Ｐに対応する水平位置Ｐに形成されている。よって、積層体４００Ｃは、下層アライメントマーク（アライメントマーク下部領域）４０１及び上層アライメントマーク（アライメントマーク上部領域）４２１を含むものと言える。上層アライメントマークの位置は下層アライメントマークの位置と実質的に同じである。
図４Ｄ及び図４Ｅは、複数の領域４２１を含むアライメントマーク４２２の断面図及び平面図をそれぞれ示す。図４Ｅに示されるように、領域４１４と非照射領域４１２との境界は撮像装置で観察可能である。図４Ｄは、マスク４２０を通じて照射線量をもたらすことにより領域４１４を形成し得ることを示す。このようにして、非照射領域４１２に対して領域４１４全体が上昇されている。また、テーブル４１６は領域４１４の他の部位とは光の反射が異なるので、テーブル４１６の位置、形状、及び寸法を明確に認識することができる。このため、マーク４２２は、下層のアライメントマーク４２４の有する位置情報を実質的に複製するものである。マーク４２２の上昇形状の位置はマスクを使用することなく下層のアライメントマーク４２４の各トレンチ形状に位置合わせされるから、図４Ａ乃至図４Ｅに示される処理はアライメントマークの情報を保存するための自己位置合わせ処理であると言える。
図４Ｂの層４１２は上面が完全に平坦に図示されているが、本発明の他の実施例では、層４１２はある程度の形状保持性を有していてもよい。つまりトレンチ４１０の上方に小さいトレンチが形成されていてもよい。表面４１３上方での層４１２の厚さよりもトレンチ４１０上方での層４１２の厚さの方が実質的に大きい限り、層４１２の黒鉛化後にテーブル領域４１６が形成される。
本発明の一実施例においては、トレンチ形状を有するアライメントマーク下部構造が設けられている基板のアライメントマークの保護方法は、以下の点を特徴とする。基板にハードマスクをコーティングすること。及び、アライメントマーク下部構造を含む基板部位に照射線量を露光すること。これにより、該照射線量に露光されかつアライメントマーク下部構造のトレンチ形状上方に位置するハードマスクの上面領域は、該上面領域周囲のハードマスクコーティングに対して上昇する。
本発明の一実施例においては、下層のアライメントマークに画定されるトレンチ領域を有する基板のアライメントマーク形状の復元方法は、以下の点を特徴とする。下層のアライメントマークにコーティング層を成膜すること。該コーティング層の上面にハードマスク層を形成すること。及び、該ハードマスク層の一部を照射線量で露光すること。これにより、トレンチ領域上方に位置するハードマスク層の部位は、隣接部位に対して上昇する。
本発明の一実施例においては、テーブル領域間に形成された下層トレンチ領域を含む下層アライメントマークと、下層トレンチ領域及びテーブル領域上に形成されたコーティング層とを有する自己位置合わせアライメントマーク構造は、以下の点を特徴とする。該コーティング層の上面には、下層トレンチ領域の水平位置に対応して上層トレンチ領域が形成されている。上層トレンチ領域は、上昇部を含み、該上昇部の水平位置は下層アライメントマークトレンチ領域の水平位置に実質的に対応している。
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明の趣旨から逸脱することなく本発明の効果を部分的に享受するように適宜変形することが可能であることは当業者に明らかであろう。当業者にとっては、同じ機能を実現する他の構成要素に適宜置き換えを図ることができることも明らかであろう。また、本発明に係る方法は、プロセッサへの適切な命令を用いてすべてソフトウエア上で実行することも可能であるし、ハードウエアとソフトウエアとを組み合わせてハイブリッドで実行することも可能である。したがって、本発明の範囲は特許請求の範囲によってのみ決定されるべきである。
４００ 積層体、 ４０１ アライメントマーク、 ４０３ テーブル層、 ４０４ テーブル、 ４０６ トレンチ、 ４１２ ハードマスク層。
Claims (15)
- 下部トレンチ領域を画定するアライメントマーク下部構造を基板上に準備する工程と、
上面を有するハードマスクで該基板をコーティングする工程と、を含み、ハードマスクコーティングはアモルファスカーボンであり、
アライメントマーク下部構造の下部トレンチ領域上方に位置するハードマスクコーティングの上面領域をその隣接領域よりも高く上昇させるようにハードマスクコーティングを所定照射線量で露光する工程をさらに含むことを特徴とするアライメントマーク保存方法。 - 下部トレンチ領域を画定するアライメントマーク下部構造を基板上に準備する工程と、
上面を有するハードマスクで該基板をコーティングする工程と、を含み、ハードマスクコーティングはその下層表面に比べて上層表面の高さ変化が実質的に小さいことにより、前記下部トレンチ領域の上方に位置するハードマスクコーティングの上面領域の厚さがその隣接領域での厚さよりも大きく、
アライメントマーク下部構造の下部トレンチ領域上方に位置するハードマスクコーティングの上面領域をその隣接領域よりも高く上昇させるようにハードマスクコーティングを所定照射線量で露光する工程をさらに含むことを特徴とするアライメントマーク保存方法。 - ハードマスク層の露光された領域が実質的に黒鉛化されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
- ハードマスクをコーティングする前にアライメントマーク下部構造にコーティング層を成膜することをさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
- コーティング層は、アライメントマーク下部構造の下部トレンチ領域の上方に位置する上部トレンチ領域を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
- ハードマスク層は実質的に平滑化されており、前記照射線量でのハードマスクへの露光前において前記上面領域でのハードマスク層の厚さがその隣接領域での厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- ハードマスクコーティングの厚さが約５０ｎｍ乃至１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
- コーティング層は形状保持性のコーティングであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
- アライメントマーク形状の自己位置合わせ復元方法であって、
基板上のアライメントマーク下部構造に下部トレンチ領域を画定する工程と、
アライメントマーク下部構造にコーティング層を成膜する工程と、
コーティング層の上面にハードマスク層を形成する工程と、を含み、ハードマスク層はアモルファスカーボンであり、
下部トレンチ領域上方に位置するハードマスク層の部位がその隣接部位よりも上昇するようにハードマスク層を所定照射線量で露光する工程をさらに含むことを特徴とする方法。 - 基板上に形成され、下部トレンチ領域及びテーブル領域を含むアライメントマーク下部構造と、
下部トレンチ領域及びテーブル領域上に形成され、上部トレンチ領域を含むコーティング層と、
アモルファスカーボンであるハードマスク層の一部の選択的膨張により下部トレンチ領域の水平位置に対応する水平位置に形成される上昇部を含むアライメントマーク上部構造と、を備えることを特徴とする自己位置合わせアライメントマーク構造。 - 基板上に形成され、下部トレンチ領域及びテーブル領域を含むアライメントマーク下部構造と、
下部トレンチ領域及びテーブル領域上に形成され、上部トレンチ領域を含むコーティング層と、
ハードマスク層の下層表面に比べて上層表面の高さ変化が実質的に小さいことにより前記上部トレンチ領域の上方でのハードマスク層の厚さがその隣接領域での厚さよりも大きいハードマスク層の一部の選択的膨張により下部トレンチ領域の水平位置に対応する水平位置に形成される上昇部を含むアライメントマーク上部構造と、を備えることを特徴とする自己位置合わせアライメントマーク構造。 - ハードマスク層の厚さが約５０ｎｍ乃至１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１０または１１に記載の自己位置合わせアライメントマーク構造。
- アライメントマーク下部構造は複数の下部トレンチ領域及びテーブル領域を含み、アライメントマーク上部構造は各下部トレンチ領域に対応する複数の上昇部を含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の自己位置合わせアライメントマーク構造。
- ハードマスク層は実質的に平滑化されており、所定照射線量でのハードマスクへの露光前において上部トレンチ領域上方でのハードマスク層の厚さがその隣接領域での厚さよりも約１０％乃至５０％大きいことを特徴とする請求項１０に記載の自己位置合わせアライメントマーク構造。
- 基板層を設け、
基板層の上面にテーブル層を設け、
下部トレンチ領域を有する下層アライメントマークを画定するようテーブル層の選択された部位をエッチングし、
下層アライメントマークの上方に、上部トレンチ領域が下部トレンチ領域上方に実質的に形状保持的に形成されたコーティング層を形成し、
コーティング層にアモルファスカーボン層を形成し、
下層アライメントマークの下部トレンチ領域上方に位置するアモルファスカーボン層の上面領域をその隣接領域よりも高く上昇させて下層アライメントマークと同じ水平位置に上層アライメントマークを形成するようにアモルファスカーボン層を所定照射線量で露光することを特徴とするアライメントマーク復元方法。
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| CN103165442B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 背面图形化的方法 |
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| US20220260933A1 (en) * | 2019-07-30 | 2022-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a mark measurement sequence, stage apparatus and lithographic apparatus |
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| CN113517178B (zh) * | 2021-07-08 | 2023-06-27 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制备方法及半导体结构 |
| TWI799296B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-04-11 | 南亞科技股份有限公司 | 半導體結構的製備方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180012A (ja) * | 1989-01-01 | 1990-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08335543A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Sony Corp | アライメントパターンの形成方法 |
| JP2005019898A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Denso Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
| JP2006041486A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Hynix Semiconductor Inc | 非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる半導体素子の製造方法 |
| JP2006114897A (ja) * | 2004-10-11 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体製造工程のアライメント測定方法 |
| JP2007201499A (ja) * | 2007-04-06 | 2007-08-09 | Denso Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| ATE123885T1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180012A (ja) * | 1989-01-01 | 1990-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08335543A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Sony Corp | アライメントパターンの形成方法 |
| JP2005019898A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Denso Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
| JP2006041486A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Hynix Semiconductor Inc | 非結晶性炭素膜を犠牲ハードマスクとして用いる半導体素子の製造方法 |
| JP2006114897A (ja) * | 2004-10-11 | 2006-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体製造工程のアライメント測定方法 |
| JP2007201499A (ja) * | 2007-04-06 | 2007-08-09 | Denso Corp | 半導体基板およびその製造方法 |
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