JP4598282B2 - アミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なアミン化合物および該アミン化合物を含有してなる有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、アミン化合物は各種色素の製造中間体、あるいは各種の機能材料として使用されてきた。
機能材料としては、例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料に使用されてきた。最近では、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）の正孔注入輸送材料として有用であることが提案されている〔例えば、Appl.Phys.lett.,51,913（1987）〕。
有機電界発光素子は蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持した構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシントン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の低電圧で発光が可能であり、また、蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しいなどの欠点を有している。有機電界発光素子の蛍光性有機化合物を含む薄膜への正孔の注入輸送を効率よく行う目的で、正孔注入輸送材料として、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを用いることが提案されている〔Jpn.J.Appl.Phys.,27，L269(1988)〕。
また、正孔注入輸送材料として、例えば、９，９−ジアルキル−２，７−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フルオレン誘導体〔例えば、９，９−ジメチル−２，７−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フルオレン〕を用いることも提案されている（特開平５−２５４７３号公報）。
しかしながら、これらのアミン化合物を正孔注入輸送材料として使用した有機電界発光素子も、安定性、耐久性に乏しいなどの難点があった。
現在では、安定性、耐久性に優れた有機電界発光素子が求められており、そのため、有機電界発光素子として使用した際に優れた特性を示す新規なアミン化合物が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、新規なアミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子を提供することである。さらに詳しくは、有機電界発光素子の正孔注入輸送材料等に適した新規なアミン化合物、および該アミン化合物を使用した、安定性、耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために、種々のアミン化合物および有機電界発光素子に関して鋭意検討を行った結果、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、▲１▼一般式（１）（化３）または一般式（２）（化４）で表されるアミン化合物、
【０００５】
【化３】
【０００６】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
【０００７】
【化４】
【０００８】
〔式中、Ａｒ1およびＡｒ2は置換または未置換のアリールを表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
▲２▼ 一般式（１）で表されるアミン化合物においてＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4の内、少なくとも一つがナフチル基であるか、または一般式（２）で表されるアミン化合物においてＡｒ1およびＡｒ2の内、少なくとも一つがナフチル基である▲１▼記載のアミン化合物。、
▲３▼一対の電極間に一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子、
▲４▼一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を含有する層が、正孔注入輸送層である▲３▼記載の有機電界発光素子、
▲５▼一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を含有する層が、発光層であり、さらに、ゲスト材料をドープしてなる▲３▼記載の有機電界発光素子、
▲６▼一対の電極間に、さらに、発光層を有する前記▲３▼または▲４▼記載の有機電界発光素子、
▲７▼一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前記▲３▼〜▲６▼のいずれかに記載の有機電界発光素子、に関するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関し詳細に説明する。
本発明のアミン化合物は一般式（１）（化５）または一般式（２）（化６）で表される化合物である。
【００１０】
【化５】
【００１１】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
【００１２】
【化６】
【００１３】
〔式中、Ａｒ1およびＡｒ2は置換または未置換のアリールを表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
【００１４】
一般式（１）および一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、好ましくは、未置換、もしくは、置換基として、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基で単置換または多置換されてもよい総炭素数６〜２０の炭素環式芳香族化合物または総炭素数３〜２０の複素環式芳香族基であり、より好ましくは、未置換、もしくは、ハロゲン原子、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基で単置換または多置換されていてもよい総炭素数６〜２０の炭素環式芳香族基であり、さらに好ましくは、未置換、もしくは、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基で単置換あるいは多置換されていてもよい総炭素数６〜１６の炭素環式芳香族基である。
【００１５】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4の具体例としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基，４−キノリニル基、４−ピリジニル基、３−ピリジニル基、２−ピリジニル基、３−フラニル基、２−フラニル基、３−チエニル基、２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−sec−ブチルフェニル基、２−sec−ブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、３−tert−ブチルフェニル基、２−tertブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、２−ネオペンチルフェニル基、４−tert−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２’−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２’−エチルヘキシル）フェニル基、４−tert−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４’−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４’−tert−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−tert−ブチルフェニル基、２，５−ジ−tert−ブチルフェニル基、４，６−ジ−tert−ブチル−２−メチルフェニル基、５−tert−ブチル−２−メチルフェニル基、４−tert−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、３−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−sec−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）フェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、２−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（３’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ブトキシフェニル）フェニル基、２−（２’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−クロロ−１−ナフチル基、４−クロロ−２−ナフチル基、６−ブロモ−２−ナフチル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１６】
一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれが同種であってもよく、また、すべてが異なっていても良い。一般式（１）で表されるアミン化合物においてＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、少なくとも一つがナフチル基であることが好ましく、少なくとも１つが１−ナフチル基であることがより好ましい。また、一般式（２）で表されるアミン化合物においてＡｒ1およびＡｒ2は、少なくとも一つがナフチル基であることが好ましく、少なくとも一つが１−ナフチル基であることがより好ましい。
【００１７】
一般式（１）および一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表し、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換の炭素数４〜１２のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表し、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換の炭素数６〜１２のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表し、さらに好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基を表す。
尚、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の−（Ｏ）ｎ−Ｚ基のＺである置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4の具体例として挙げた置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
【００１８】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の−（Ｏ）ｎ−Ｚ基のＺである直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチルメチル基、２−エチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキルメチル基、シクロペンチルエチル基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基等のハロゲン原子で置換されていない直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−フルオロ−ｎ−プロピル基、３−フルオロ−ｎ−プロピル基、１，３−ジフルオロ−ｎ−プロピル基、２，３−ジフルオロ−ｎ−プロピル基、
２−フルオロ−ｎ−ブチル基、３−フルオロ−ｎ−ブチル基、４−フルオロ−ｎ−ブチル基、３−フルオロ−２−メチルプロピル基、２，３−ジフルオロ−ｎ−ブチル基、２，４−ジフルオロ−ｎ−ブチル基、３，４−ジフルオロ−ｎ−ブチル基、
２−フルオロ−ｎ−ペンチル基、３−フルオロ−ｎ−ペンチル基、５−フルオロ−ｎ−ペンチル基、２，４−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、２，５−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、２−フルオロ−３−メチルブチル基、
２−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、３−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、４−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、５−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、６−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、
２−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、４−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、５−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、
２−フルオロ−ｎ−オクチル基、３−フルオロ−ｎ−オクチル基、６−フルオロ−ｎ−オクチル基、
４−フルオロ−ｎ−ノニル基、７−フルオロ−ｎ−ノニル基、
３−フルオロ−ｎ−デシル基、６−フルオロ−ｎ−デシル基、
４−フルオロ−ｎ−ドデシル基、８−フルオロ−ｎ−ドデシル基、
５−フルオロ−ｎ−テトラデシル基、９−フルオロ−ｎ−テトラデシル基、
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、２−クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２，２，２，１−テトラクロロエチル基、３−クロロ−ｎ−プロピル基、２−クロロ−ｎ−ブチル基、４−クロロ−ｎ−ブチル基、２−クロロ−ｎ−ペンチル基、５−クロロ−ｎ−ペンチル基、５−クロロ−ｎ−ヘキシル基、４−クロロ−ｎ−ヘプチル基、６−クロロ−ｎ−オクチル基、７−クロロ−ｎ−ノニル基、３−クロロ−ｎ−デシル基、８−クロロ−ｎ−ドデシル基、
パーフルオロエチル基、ｎ−パーフルオロプロピル基、ｎ−パーフルオロブチル基、ｎ−パーフルオロペンチル基、ｎ−パーフルオロヘキシル基、ｎ−パーフルオロヘプチル基、ｎ−パーフルオロオクチル基、ｎ−パーフルオロノニル基、ｎ−パーフルオロデシル基、ｎ−パーフルオロウンデシル基、ｎ−パーフルオロドデシル基、ｎ−パーフルオロテトラデシル基、
１−ヒドロパーフルオロエチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロプロピル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロドデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロテトラデシル基、
１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロプロピル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１−ジヒドロ−３−ペンタフルオロエチルパーフルオロペンチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロドデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロテトラデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロペンタデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキサデシル基、
１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロプロピル基、１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１，４−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１，４−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１，５−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１，６−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１，５−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１，７−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１，８−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１，１，９−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１，１，１１−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、
２−（パーフルオロエチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロプロピル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロブチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロペンチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロヘキシル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロヘプチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロオクチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロデシル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロノニル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロドデシル）エチル基、２−（パーフルオロ−９’−メチルデシル）エチル基、
２−トリフルオロメチルプロピル基、３−（ｎ−パーフルオロプロピル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロブチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロヘキシル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロヘプチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロオクチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロデシル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロドデシル）プロピル基、
４−（パーフルオロエチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロプロピル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロブチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロペンチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロオクチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロデシル）ブチル基、４−（パーフルオロイソプロピル）ブチル基、
５−（ｎ−パーフルオロプロピル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロブチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロペンチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロオクチル）ペンチル基、
６−（パーフルオロエチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロプロピル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロブチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロオクチル）ヘキシル基、６−（パーフルオロイソプロピル）ヘキシル基、６−（パーフルオロ−７’−メチルオクチル）ヘキシル基、
７−（パーフルオロエチル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロプロピル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロブチル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロペンチル）ヘプチル基、４−フルオロシクロヘキシル基等のハロゲン原子で置換された直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7のハロゲン原子の具体例としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。
【００１９】
本発明に係る一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物の具体例としては、例えば、以下に示す化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
１．Ｎ，Ｎ−ジフェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
２．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
４．Ｎ−フェニル−Ｎ−（３’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
５．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
６．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（２”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
７．Ｎ、Ｎ−ジ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
８．Ｎ，Ｎ−ジ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
９．Ｎ−フェニル−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１０．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１１．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１２．Ｎ，Ｎ−ジ（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（４’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１４．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１５．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１６．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１７．Ｎ，Ｎ−ジ（４’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１８．Ｎ−（２’−メトキシフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１９．Ｎ−（４’−フルオロフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２０．Ｎ−（３’−メトキシフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２１．Ｎ−（２’，６’−ジメチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２２．Ｎ−（４’−tert-ブチル−２’，６’−ジメチルフェニル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２３．Ｎ−（３’，４’，５’−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
２４．Ｎ−（３’，４’，５’−トリメチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２５．Ｎ−（３’−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２６．Ｎ−（２’−sec−ブチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２７．Ｎ−（２’，３’，６’−トリメチルフェニル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２８．Ｎ−（３’−メトキシフェニル）−Ｎ−（４”−tert−ブチル−２”，６”−ジメチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２９．Ｎ−（２’，３’−ジフルオロフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
３０．Ｎ−（３’−クロロフェニル）−Ｎ−（３”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
３１．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３２．Ｎ，Ｎ−ジ（１’−ナフチル）−１−フェニルオキシジベンゾチオフェン−３−アミン
３３．Ｎ，Ｎ−ジ（１’−ナフチル）−２，７−ジフェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
３４．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）−２−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３５．Ｎ−フェニル−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−２−メチル−７−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
３６．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）−１−メチル−５−メトキシジベンゾチオフェン−３−アミン
３７．Ｎ−フェニル−Ｎ−（３’，５’−ジメトキシフェニル）−５−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３８．Ｎ，Ｎ−ジ（４’−フェニルフェニル）−２，７−ジメチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３９．Ｎ，Ｎ−ジ（１’−ナフチル）−５−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
４０．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（３”−フェニルフェニル）−４−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
４１．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−７−メトキシジベンゾチオフェン−３−アミン
４２．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−６−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
４３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−６−シクロヘキシルジベンゾチオフェン−３−アミン
４４．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−６−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
４５．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシル）−６−ブロモジベンゾチオフェン−３−アミン
４６．Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ’，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
４７．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
４８．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
４９．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５０．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５１．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５２．Ｎ，Ｎ’−ジ（２’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５３．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５４．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５５．Ｎ，Ｎ’−ジ（２’，６’−ジメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５６．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５７．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５８．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−トリフルオロメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５９．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−トリフルオロメトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６０．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−トリフルオロメトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６１．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−トリフルオロメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６２．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−エチル−１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６３．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フルオロフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（２”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６４．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フルオロフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６５．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４’―シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６６．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６７．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−（４”−フェニルフェニル）−１，８−ジメチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６８．Ｎ，Ｎ’−ジ（２’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−（４”−メトキシフェニル）−１−フェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６９．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−（２”，５”−ジメチルフェニル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７０．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３’−メチルフェニル）−１，８−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７１．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（２”，５”−ジメトキシフェニル）−４−（３”’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７２．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−シクロヘキシルフェニル）−４−（４”’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７４．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’−（４”−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７５．Ｎ−（４’−メトキシフェニル）−Ｎ’−（２”−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７６．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’−（２”−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７７．Ｎ−フェニル−Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７８．Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（２”’-tert-ブチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン７９．Ｎ−（４’−メトキシフェニル）−Ｎ−（２”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８０．Ｎ−（３’−メチル−４’−メトキシフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８１．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−（４”’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８２．Ｎ−フェニル−Ｎ−（３’，５’−ジメトキシフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（２”−メトキシ−１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（３”−メトキシフェニル）−２−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８４．Ｎ−フェニル−Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”−tert−ブチルフェニル）−１，８−ジイソプロピルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８５．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（３”’−フェニルフェニル）−１−フェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８６．Ｎ−フェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８７．Ｎ−フェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８８．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８９．Ｎ−（４’−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（２”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９０．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジミン
９１．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（３”−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９２．Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９３．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９４．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９５．Ｎ−（４’−フルオロフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１”−ナフチル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９６．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’−（４”−フェニルフェニル）−Ｎ’−（４”’−メトキシフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９７．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−メトキシフェニル）−Ｎ’−（１”’−ナフチル）−Ｎ’−（４””−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９８．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９９．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１００．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０１．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０２．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０３．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４’−メトキシフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０４．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０５．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４’−フルオロフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０６．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−２−エチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０７．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１’−ナフチル）−２，７−ジメチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０８．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２’−ナフチル）−４−フェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
【００２０】
本発明の一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物は其自体公知の方法により製造することができる。
一般式（１）で表されるアミン化合物の製造（化７）
【００２１】
【化７】
【００２２】
すなわち、一般式（３）で表されるジベンゾチオフェン（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は前述の意味を表す）にハロゲン（Ｘ2：Ｘは例えば、塩素、臭素またはヨウ素を表す）を作用させて、一般式（４）で表される化合物を製造し、次いで一般式（４）で表される化合物にＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2を作用させ、一般式（５）で表される化合物を製造した後、一般式（５）で表される化合物にＨＮ−Ａｒ3Ａｒ4を作用させることにより、一般式（１）で表されるアミン化合物を製造することができる。また、一般式（１）において、Ａｒ1およびＡｒ2と、Ａｒ3およびＡｒ4が同じである場合には、一般式（４）で表される化合物にＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2またはＨＮ−Ａｒ3Ａｒ4を２倍モル以上作用させて一般式（１）で表される化合物を製造することができる。
一般式（２）で表されるアミン化合物の製造（化８）
【００２３】
【化８】
【００２４】
また、一般式（２）で表される化合物は、一般式（３’）で表されるジベンゾチオフェン（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は前述の意味を表す）にハロゲン（Ｘ2：Ｘは例えば、塩素、臭素またはヨウ素を表す）を作用させ、一般式（４’）で表される化合物を製造し、その後、ＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2を作用させることにより製造することができる。
【００２５】
尚、一般式（４）、一般式（４’）および一般式（５）の芳香族ハロゲン化合物と、ＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2またはＨＮ−Ａｒ3Ａｒ4との反応は、例えば、▲１▼銅化合物（例えば、銅紛、塩化銅）の存在下に極性溶媒（例えば、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン）中で反応させる方法（ウルマン反応）▲２▼パラジウム触媒（例えば、酢酸パラジウム／トリ-tert-ブチルホスフィン、酢酸パラジウム／トリフェニルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／トリ−tert-ブチルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／ジ-tert−ブチル−ｏ−ビフェニルホスフィン、トリス（ジベンジルデンアセトン）ジパラジウム／ジシクロヘキシル−ｏ−ビフェニルホスフィン、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）、塩基（例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、ナトリウム-tert−ブトキシド、カリウム-tert-ブトキシド）の存在下、不活性ガス雰囲気下に、溶媒（例えば、トルエン、キシレン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン）中で反応させる方法等により実施することができる。
【００２６】
次に本発明の有機電界発光素子ついて説明する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものである。有機電界発光素子は、通常一対の電極間に少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を少なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入成分を含有する正孔注入輸送層および／または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。
例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能および／または電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層および／または電子注入輸送層を兼ねた型の素子構成として一層型の素子構成とすることができる。また、発光層が正孔注入機能および／または正孔輸送機能に乏しい場合には発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた二層型の素子構成、発光層が電子注入機能および／または電子輸送機能に乏しい場合には発光層の陰極側に電子注入輸送層を設けた二層型の素子構成とすることができる。さらには発光層を正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟み込んだ構成の三層型の素子構成とすることも可能である。
【００２７】
また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもできる。
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物は、正孔注入輸送層および／または発光層の構成成分として使用することが好ましく、正孔注入輸送層の構成成分として使用することがより好ましい。
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物は、単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
【００２８】
本発明の有機電界発光素子の構成としては、特に限定されるものではないが、例えば、（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素子（図４）、などを挙げることができる。さらには、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ形の（Ｅ）陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。また、（Ｄ）の型の素子構成としては、発光層として発光成分を一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子、（Ｆ）発光層として正孔注入輸送成分、発光成分および電子注入成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）発光層として正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図７）、（Ｈ）発光層として発光成分および電子注入成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図８）のいずれであってもよい。
【００２９】
本発明の有機電界発光素子は、これらの素子構成に限定されるものではなく、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数設けることも可能である。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層を発光層との間に、正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および／または発光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けることもできる。
【００３０】
好ましい有機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子または（Ｇ）型素子であり、より好ましくは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子または（Ｇ）型素子である。
【００３１】
以下、本発明の有機電界発光素子の構成要素に関し、詳細に説明する。なお、例として（図１）に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子を取り上げて説明する。
【００３２】
（図１）において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。
本発明の有機電界発光素子は基板１に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定されるものではないが、透明ないし半透明である基板が好ましく、材質としては、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等のガラスおよびポリエステル、ポリカーボネート、、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の透明性高分子が挙げられる。また、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなる基板を使用することもできる。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
陽極２としては、仕事関数の比較的大きい金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用することが好ましい。陽極に使用する電極材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ポリチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００３３】
陽極は、これらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形成することができる。
また、陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定する。
陽極の厚みは使用する電極材料の材質にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
正孔注入輸送層は、一般式（１）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物および／または他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロシアニン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールなど）を少なくとも1種使用して形成することができる。
正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、または複数併用してもよい。
【００３４】
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、正孔注入輸送層に一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を含有する。本発明の有機電界発光素子において使用することができる本発明の一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）アミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−［Ｎ，Ｎ−ジ（４”−メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス〔４”、４”’−ビス［Ｎ’，Ｎ’−ジ（４−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル−４−イル〕アニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス［４−メチルフェニル］アミノ〕フェニル−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ，Ｎ−ビス（４”’−tert−ブチルビフェニル−４””−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノ〕ベンゼンなど、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体がより好ましい。
【００３５】
一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物と他の正孔注入機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物の含有量は、好ましくは、０．１重量％以上、より好ましくは、０．５〜９９．９重量％、さらに好ましくは３〜９７重量％である。
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。
発光層は、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物をホスト材料として、一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物以外の発光機能を有する化合物を少なくとも１種ゲスト材料として使用して形成することができる。
【００３６】
一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物以外の発光機能を有する化合物（ゲスト材料）としては、例えば、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントセニル）ベンゼン、４，４’−ビス（９”−エチニルアントラセニル）ビフェニル、ジベンゾ［f,f］ジインデノ［1,2,3-cd：1',2',3'-lm］ペリレン誘導体〕、トリアリールアミン誘導体（例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げることができる）、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス［（１，１，２−トリフェニル）エテニル］ビフェニル〕、クマリン誘導体（例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００）、ピラン誘導体（例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２）、オキサゾン誘導体（例えば、ナイルレッド）、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール夕動体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体等を挙げることができる。一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物以外の発光機能を有する化合物（ゲスト材料）としては、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体およびスチルベン誘導体が好ましく、多環芳香族化合物、有機金属錯体がより好ましい。
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、発光層に一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物をホスト材料として含有する。
【００３７】
一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物をホスト材料として、他の発光機能を有する化合物と併用する場合、発光層中に占める一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物の含有率は、好ましくは、４０．０％〜９９．９％であり、より好ましくは、６０．０〜９９．９重量％である。
ゲスト材料の使用量は、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物に対して０．００１〜４０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。また、ゲスト材料は、単独で使用してもよく、複数併用してもよい。
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能および／または注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
電子注入輸送層に使用される電子注入機能を有する化合物としては、例えば、有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体などを挙げることができる。また、有機金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、ビス（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩等を挙げることができる。好ましくは、有機アルミニウム錯体であり、より好ましくは、置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体である。 置換または未置換の８−キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物を挙げることができる。
【００３８】
（Ｑ）3−Ａｌ （ａ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ｌ’ （ｂ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ−Ｌ’はフェノラート配位子を表し、Ｌ’はフェニル基を有する炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）2 （ｃ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す）
【００３９】
置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ-tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ-tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムを挙げることができる。
電子注入機能を有する化合物は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
【００４０】
陰極６としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用することが好ましい。陰極に使用する電極材料としては、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄を挙げることができる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
陰極はこれらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法により電子注入輸送層の上に形成することができる。
また、陰極は一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／□以下とするのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極材料にもよるが、通常５〜１０００ｎｍ、好ましくは、１０〜５００ｎｍとする。本発明の有機電界発光素子の発光を高率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように陽極または陰極の材料、厚みを設定することが好ましい。
【００４１】
また、本発明の有機電界発光素子は、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の少なくとも一層中に、一重項酸素クンチャーを含有していてもよい。一重項酸素クエンチャーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランが挙げられ、好ましくは、ルブレンである。
一重項酸素クエンチャーが含有されている層としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。
一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロジェット法、インクジェット法）を使用することができる。真空蒸着法により正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着の条件は。、特に限定されるものではないが、通常、１０-5Ｔｏｒｒ程度以下の真空下で、５０〜５００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec程度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して形成することが好ましい。連続で形成することにより諸特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能となる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。
【００４２】
溶液塗布法により各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等とを、溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、例えば、有機溶媒（ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソール等のエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒）、水を挙げることができる。溶媒は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層の成分を溶媒に分散させる場合には、分散方法として、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を使用して微粒子状に分散する方法を使用することができる。
【００４３】
また、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアリーレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などの高分子化合物を挙げることができる。バインダー樹脂は単独で使用してもよく、また、複数併用してもよい。塗布液の濃度は、特に限定されるものではないが、実施する塗布法により所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設定することができ、通常、０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜３０重量％に設定する。バインダー樹脂を使用する場合、その使用量は特に限定されるものではないが、通常、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する成分とバインダー樹脂の総量に対してバインダー樹脂の含有率が（一層型の素子を形成する場合には各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％、好ましくは、１０〜９９重量％となるように使用する。
【００４４】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層の膜圧は、特に限定されるものではないが、通常、５ｎｍ〜５μｍとする。
また、上記の条件で作製した本発明の有機電界発光素子は、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また、素子を不活性物質中（例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油）に封入して保護することができる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料（例えば、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例えば、ダイアモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物）、さらには、光硬化性樹脂を挙げることができる。保護層に使用する材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。保護層は一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
また、本発明の有機電界発光素子は、電極に保護膜として金属酸化物膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けることもできる。
本発明の有機電界発光素子は、陽極の表面に界面層（中間層）を設けることもできる。界面層の材質としては、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体等を挙げることができる。
さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。
【００４５】
本発明の有機電界発光素子は、通常、直流駆動型の素子として使用することができるが、交流駆動型の素子としても使用することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、セグメント型、単純マトリック駆動型等のパッシブ駆動型であってもよく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（メタル−インスレーター−メタル）型等のアクティブ駆動型であってもよい。駆動電圧は通常、２〜３０Ｖである。本発明の有機電界発光素子は、パネル型光源（例えば、時計、液晶パネル等のバックライト）、各種の発光素子（例えば、ＬＥＤ等の発光素子の代替）、各種の表示素子〔例えば、情報表示素子（パソコンモニター、携帯電話・携帯端末用表示素子）〕、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【００４６】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１：例示化合物２の製造
ジベンゾチオフェン３６．８ｇをクロロホルム６００ｇに溶解し、ここに、臭素３２．０ｇおよびクロロホルム２００ｇよりなる溶液を１時間かけて滴下した。その後、室温で１０時間攪拌し、反応混合物をチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、その後水洗して、クロロホルム層よりクロロホルムを留去した。残渣を、イソプロパノール／トルエンより再結晶し、無色針状結晶として、３−ブロモジベンゾチオフェン１５．２ｇを得た。
次に、３−ブロモジベンゾチオフェン５．２６ｇ、ナトリウム-tert-ブトキシド２．３２ｇ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン５．２８ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム９０ｍｇ、ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン１２０mgおよびトルエン８０ｇよりなる混合物をアルゴン気流下で８０℃まで昇温し、同温度で２時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水洗した後、トルエン相よりトルエンを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝４／６）で精製し、メチルセロソルブ／トルエンより再結晶し、無色の結晶として、例示化合物２を３．４ｇ得た。
【００４７】
実施例２：例示化合物９の製造
実施例１において、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン５．２８ｇを使用する代わりに、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）アミン５．８８ｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、例示化合物９を無色の結晶として３．２ｇ得た。
【００４８】
実施例３：例示化合物４７の製造
ジベンゾチオフェン３６．８ｇをクロロホルム６００ｇに溶解し、ここに、臭素６４．０ｇおよびクロロホルム２００ｇよりなる溶液を１時間かけて滴下した。その後、室温で１０時間攪拌し、析出した固体をろ別した。ろ液をチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、その後水洗して、クロロホルム層よりクロロホルムを留去した。また、ろ別した固体をチオ硫酸ナトリウム水溶液中でスラッジした後、水洗した。ろ液よりクロロホルムを留去した残渣と、固体を合わせ、イソプロパノール／トルエンより再結晶し、無色針状結晶として、３，６−ブロモジベンゾチオフェン３４．３ｇを得た。
次に、３，６−ブロモジベンゾチオフェン６．８４ｇ、ナトリウム-tert-ブトキシド４．６５ｇ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン１０．５１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム１８０ｍｇ、ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン２４０mgおよびトルエン８０ｇよりなる混合物をアルゴン気流下で８０℃まで昇温し、同温度で２時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水洗した後、トルエン相よりトルエンを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝４／６）で精製し、メチルセロソルブ／トルエンより再結晶し、無色の結晶として、例示化合物４７を４．２ｇ得た。
【００４９】
実施例４：例示化合物７４の製造
３，６−ジブロモジベンゾチオフェン６．８４ｇ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン４．４ｇ、炭酸カリウム６．６１ｇ、塩化銅０．１５ｇ、１８−６−クラウンエーテル０．５ｇおよびスルホラン７０ｇよりなる混合物を２００℃に加熱し、窒素気流下で２４時間加熱攪拌した。その後、スルホランを留去し、トルエン100ｇを挿入し、不溶物をろ別した。トルエン相を中性になるまで水洗し、トルエン相よりトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、６−ブロモ−Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン４．９ｇを得た。次に、得られた６−ブロモ−Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン４．８ｇ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）アミン３．０ｇ、ナトリウム−tert-ブトキシド２．３８ｇ、トリ-tert-ブチルホスフィン８１mｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム９０mｇおよびトルエン４０ｇよりなる混合物をアルゴン気流下、８０℃に加熱し、２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水洗した。トルエン相よりトルエンを減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝６／４）により精製し、さらに、メチルセロソルブから２回再結晶し、得られた結晶を２９０℃／１×１０-5Torrで昇華精製し、目的とする例示化合物７４を無色の結晶として１．８ｇ得た。
【００５０】
実施例５：例示化合物８６の製造
実施例４において、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）アミン３．０ｇを使用する代わりに、Ｎ，Ｎ−ジ（１−ナフチル）アミン２．７ｇを使用した以外は実施例４に記載の操作に従い、例示化合物８６を無色結晶として１．６ｇ得た。
【００５１】
実施例６：例示化合物９３の製造
実施例４において、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）アミン３．０ｇを使用する代わりに、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン２．０ｇを使用した以外は、実施例４に記載の操作に従い、例示化合物９３を無色の結晶として１．３ｇ得た。
【００５２】
実施例７：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物２の化合物を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層を形成した。次に、正孔注入輸送層の上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、５０℃、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．３Ｖ、輝度４８０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は６００時間であった。
【００５３】
実施例８〜１１：有機電界発光素子の作製
実施例７において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物２の化合物を使用する代わりに、例示化合物９の化合物（実施例８）、例示化合物４７の化合物（実施例９）、例示化合物８６の化合物（実施例１０）、例示化合物９３の化合物（実施例１１）を使用した以外は、実施例７に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００５４】
比較例１：
実施例７において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物２の化合物を使用する代わりに、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを使用した以外は実施例７に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００５５】
比較例２：
実施例７において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物２の化合物を使用する代わりに、９，９−ジメチル−２，７−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フルオレンを使用した以外は実施例７に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００５６】
【表１】
【００５７】
実施例１２：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。
先ず、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ（チオフェン−２，５−ジイル）を蒸着速度０．１ｎｍ／secで、２０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。次いで、例示化合物４７の化合物を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに蒸着し、第２正孔注入輸送層を形成した。次に、正孔注入輸送層の上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．４Ｖ、輝度４９０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は１４００時間であった。
【００５８】
実施例１３：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（３”−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミンを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで、５０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。次いで、例示化合物２の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し、第２正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。次いで、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．２Ｖ、輝度４８０ｃｄ／ｍ2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は１７００時間であった。
【００５９】
実施例１４：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ（チオフェン−２，５−ジイル）を蒸着速度０．１ｎｍ／secで、２０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。蒸着槽を大気圧下に戻した後、再び蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。次いで、例示化合物８６の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し、第２正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。減圧状態を保ったまま、次に、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。減圧状態を保ったまま、さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．１Ｖ、輝度４７０ｃｄ／ｍ2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は１４００時間であった。
【００６０】
実施例１５：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物４７を蒸着速度０．１ｎｍ／secで、２０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。蒸着槽を大気圧下に戻した後、再び蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。次いで、例示化合物９の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し、第２正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。次に、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．３Ｖ、輝度５２０ｃｄ／ｍ2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は１６００時間であった。
【００６１】
実施例１６：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリカーボネート（重量平均分子量３９０００）と例示化合物８６の化合物を重量比１００：５０の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いてスピンコート法により、４０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。次にこの正孔注入輸送層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着層を３×１０-6Torrに減圧した。次に、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に乾燥雰囲気下、１０Ｖの直流電圧を印加したところ、８５ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れた。輝度９６０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は２７０時間であった。
【００６２】
実施例１７：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリメチルメタクリレート（重量平均分子量２５０００）、例示化合物９の化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムをそれぞれ重量比１００：５０：０．５の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いてスピンコート法により、１００ｎｍの発光層を形成した。次にこの発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着層を３×１０-6Torrに減圧した。発光層の上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、８０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れた。輝度５２０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は４５０時間であった。
【００６３】
【発明の効果】
本発明により、新規なアミン化合物、および発光寿命が長く、耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図２】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図３】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図４】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図５】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図６】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図７】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図８】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【符号の説明】
１：基板
２：陽極
３：正孔注入輸送層
３ａ：正孔注入輸送成分
４：発光層
４ａ：発光成分
５：電子注入輸送層
５”：電子注入輸送層
５ａ：電子注入輸送成分
６：陰極
７：電源
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なアミン化合物および該アミン化合物を含有してなる有機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、アミン化合物は各種色素の製造中間体、あるいは各種の機能材料として使用されてきた。
機能材料としては、例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料に使用されてきた。最近では、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）の正孔注入輸送材料として有用であることが提案されている〔例えば、Appl.Phys.lett.,51,913（1987）〕。
有機電界発光素子は蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持した構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシントン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の低電圧で発光が可能であり、また、蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しいなどの欠点を有している。有機電界発光素子の蛍光性有機化合物を含む薄膜への正孔の注入輸送を効率よく行う目的で、正孔注入輸送材料として、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを用いることが提案されている〔Jpn.J.Appl.Phys.,27，L269(1988)〕。
また、正孔注入輸送材料として、例えば、９，９−ジアルキル−２，７−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フルオレン誘導体〔例えば、９，９−ジメチル−２，７−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フルオレン〕を用いることも提案されている（特開平５−２５４７３号公報）。
しかしながら、これらのアミン化合物を正孔注入輸送材料として使用した有機電界発光素子も、安定性、耐久性に乏しいなどの難点があった。
現在では、安定性、耐久性に優れた有機電界発光素子が求められており、そのため、有機電界発光素子として使用した際に優れた特性を示す新規なアミン化合物が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、新規なアミン化合物および該化合物を含有する有機電界発光素子を提供することである。さらに詳しくは、有機電界発光素子の正孔注入輸送材料等に適した新規なアミン化合物、および該アミン化合物を使用した、安定性、耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために、種々のアミン化合物および有機電界発光素子に関して鋭意検討を行った結果、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、▲１▼一般式（１）（化３）または一般式（２）（化４）で表されるアミン化合物、
【０００５】
【化３】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
【０００７】
【化４】
〔式中、Ａｒ1およびＡｒ2は置換または未置換のアリールを表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
▲２▼ 一般式（１）で表されるアミン化合物においてＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4の内、少なくとも一つがナフチル基であるか、または一般式（２）で表されるアミン化合物においてＡｒ1およびＡｒ2の内、少なくとも一つがナフチル基である▲１▼記載のアミン化合物。、
▲３▼一対の電極間に一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子、
▲４▼一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を含有する層が、正孔注入輸送層である▲３▼記載の有機電界発光素子、
▲５▼一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を含有する層が、発光層であり、さらに、ゲスト材料をドープしてなる▲３▼記載の有機電界発光素子、
▲６▼一対の電極間に、さらに、発光層を有する前記▲３▼または▲４▼記載の有機電界発光素子、
▲７▼一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前記▲３▼〜▲６▼のいずれかに記載の有機電界発光素子、に関するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関し詳細に説明する。
本発明のアミン化合物は一般式（１）（化５）または一般式（２）（化６）で表される化合物である。
【００１０】
【化５】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は置換または未置換のアリール基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
【００１２】
【化６】
〔式中、Ａｒ1およびＡｒ2は置換または未置換のアリールを表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表す〕
【００１４】
一般式（１）および一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、好ましくは、未置換、もしくは、置換基として、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基で単置換または多置換されてもよい総炭素数６〜２０の炭素環式芳香族化合物または総炭素数３〜２０の複素環式芳香族基であり、より好ましくは、未置換、もしくは、ハロゲン原子、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基で単置換または多置換されていてもよい総炭素数６〜２０の炭素環式芳香族基であり、さらに好ましくは、未置換、もしくは、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、あるいは炭素数６〜１０のアリール基で単置換あるいは多置換されていてもよい総炭素数６〜１６の炭素環式芳香族基である。
【００１５】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4の具体例としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基，４−キノリニル基、４−ピリジニル基、３−ピリジニル基、２−ピリジニル基、３−フラニル基、２−フラニル基、３−チエニル基、２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−sec−ブチルフェニル基、２−sec−ブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、３−tert−ブチルフェニル基、２−tertブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、２−ネオペンチルフェニル基、４−tert−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２’−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２’−エチルヘキシル）フェニル基、４−tert−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４’−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４’−tert−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−tert−ブチルフェニル基、２，５−ジ−tert−ブチルフェニル基、４，６−ジ−tert−ブチル−２−メチルフェニル基、５−tert−ブチル−２−メチルフェニル基、４−tert−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、３−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−sec−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２’−エチルブチルオキシ）フェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブトキシ−２−ナフチル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、２−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（３’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−ｎ−ブトキシフェニル）フェニル基、２−（２’−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４’−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−クロロ−１−ナフチル基、４−クロロ−２−ナフチル基、６−ブロモ−２−ナフチル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００１６】
一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれが同種であってもよく、また、すべてが異なっていても良い。一般式（１）で表されるアミン化合物においてＡｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は、少なくとも一つがナフチル基であることが好ましく、少なくとも１つが１−ナフチル基であることがより好ましい。また、一般式（２）で表されるアミン化合物においてＡｒ1およびＡｒ2は、少なくとも一つがナフチル基であることが好ましく、少なくとも一つが１−ナフチル基であることがより好ましい。
【００１７】
一般式（１）および一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表し、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１６の直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換の炭素数４〜１２のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表し、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子または−（Ｏ）ｎ−Ｚ基（式中Ｚは、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換の炭素数６〜１２のアリール基を表し、ｎは０または１を表す）を表し、さらに好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基を表す。
尚、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の−（Ｏ）ｎ−Ｚ基のＺである置換または未置換のアリール基の具体例としては、例えば、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4の具体例として挙げた置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
【００１８】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の−（Ｏ）ｎ−Ｚ基のＺである直鎖、分岐または環状のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチルメチル基、２−エチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキルメチル基、シクロペンチルエチル基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基等のハロゲン原子で置換されていない直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、
フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−フルオロ−ｎ−プロピル基、３−フルオロ−ｎ−プロピル基、１，３−ジフルオロ−ｎ−プロピル基、２，３−ジフルオロ−ｎ−プロピル基、
２−フルオロ−ｎ−ブチル基、３−フルオロ−ｎ−ブチル基、４−フルオロ−ｎ−ブチル基、３−フルオロ−２−メチルプロピル基、２，３−ジフルオロ−ｎ−ブチル基、２，４−ジフルオロ−ｎ−ブチル基、３，４−ジフルオロ−ｎ−ブチル基、
２−フルオロ−ｎ−ペンチル基、３−フルオロ−ｎ−ペンチル基、５−フルオロ−ｎ−ペンチル基、２，４−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、２，５−ジフルオロ−ｎ−ペンチル基、２−フルオロ−３−メチルブチル基、
２−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、３−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、４−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、５−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、６−フルオロ−ｎ−ヘキシル基、
２−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、４−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、５−フルオロ−ｎ−ヘプチル基、
２−フルオロ−ｎ−オクチル基、３−フルオロ−ｎ−オクチル基、６−フルオロ−ｎ−オクチル基、
４−フルオロ−ｎ−ノニル基、７−フルオロ−ｎ−ノニル基、
３−フルオロ−ｎ−デシル基、６−フルオロ−ｎ−デシル基、
４−フルオロ−ｎ−ドデシル基、８−フルオロ−ｎ−ドデシル基、
５−フルオロ−ｎ−テトラデシル基、９−フルオロ−ｎ−テトラデシル基、
クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、２−クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２，２，２，１−テトラクロロエチル基、３−クロロ−ｎ−プロピル基、２−クロロ−ｎ−ブチル基、４−クロロ−ｎ−ブチル基、２−クロロ−ｎ−ペンチル基、５−クロロ−ｎ−ペンチル基、５−クロロ−ｎ−ヘキシル基、４−クロロ−ｎ−ヘプチル基、６−クロロ−ｎ−オクチル基、７−クロロ−ｎ−ノニル基、３−クロロ−ｎ−デシル基、８−クロロ−ｎ−ドデシル基、
パーフルオロエチル基、ｎ−パーフルオロプロピル基、ｎ−パーフルオロブチル基、ｎ−パーフルオロペンチル基、ｎ−パーフルオロヘキシル基、ｎ−パーフルオロヘプチル基、ｎ−パーフルオロオクチル基、ｎ−パーフルオロノニル基、ｎ−パーフルオロデシル基、ｎ−パーフルオロウンデシル基、ｎ−パーフルオロドデシル基、ｎ−パーフルオロテトラデシル基、
１−ヒドロパーフルオロエチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロプロピル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロドデシル基、１−ヒドロ−ｎ−パーフルオロテトラデシル基、
１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロプロピル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１−ジヒドロ−３−ペンタフルオロエチルパーフルオロペンチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロドデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロテトラデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロペンタデシル基、１，１−ジヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキサデシル基、
１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロプロピル基、１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１，４−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロブチル基、１，１，４−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１，５−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロペンチル基、１，１，３−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１，６−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘキシル基、１，１，５−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１，７−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロヘプチル基、１，１，８−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロオクチル基、１，１，９−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロノニル基、１，１，１１−トリヒドロ−ｎ−パーフルオロウンデシル基、
２−（パーフルオロエチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロプロピル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロブチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロペンチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロヘキシル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロヘプチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロオクチル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロデシル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロノニル）エチル基、２−（ｎ−パーフルオロドデシル）エチル基、２−（パーフルオロ−９’−メチルデシル）エチル基、
２−トリフルオロメチルプロピル基、３−（ｎ−パーフルオロプロピル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロブチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロヘキシル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロヘプチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロオクチル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロデシル）プロピル基、３−（ｎ−パーフルオロドデシル）プロピル基、
４−（パーフルオロエチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロプロピル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロブチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロペンチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロオクチル）ブチル基、４−（ｎ−パーフルオロデシル）ブチル基、４−（パーフルオロイソプロピル）ブチル基、
５−（ｎ−パーフルオロプロピル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロブチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロペンチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ペンチル基、５−（ｎ−パーフルオロオクチル）ペンチル基、
６−（パーフルオロエチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロプロピル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロブチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロヘキシル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロヘプチル）ヘキシル基、６−（ｎ−パーフルオロオクチル）ヘキシル基、６−（パーフルオロイソプロピル）ヘキシル基、６−（パーフルオロ−７’−メチルオクチル）ヘキシル基、
７−（パーフルオロエチル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロプロピル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロブチル）ヘプチル基、７−（ｎ−パーフルオロペンチル）ヘプチル基、４−フルオロシクロヘキシル基等のハロゲン原子で置換された直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7のハロゲン原子の具体例としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。
【００１９】
本発明に係る一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物の具体例としては、例えば、以下に示す化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
１．Ｎ，Ｎ−ジフェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
２．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
４．Ｎ−フェニル−Ｎ−（３’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
５．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
６．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（２”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
７．Ｎ、Ｎ−ジ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
８．Ｎ，Ｎ−ジ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
９．Ｎ−フェニル−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１０．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１１．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１２．Ｎ，Ｎ−ジ（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（４’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１４．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１５．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１６．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１７．Ｎ，Ｎ−ジ（４’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１８．Ｎ−（２’−メトキシフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
１９．Ｎ−（４’−フルオロフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２０．Ｎ−（３’−メトキシフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２１．Ｎ−（２’，６’−ジメチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２２．Ｎ−（４’−tert-ブチル−２’，６’−ジメチルフェニル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２３．Ｎ−（３’，４’，５’−トリメチルフェニル）−Ｎ−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
２４．Ｎ−（３’，４’，５’−トリメチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２５．Ｎ−（３’−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２６．Ｎ−（２’−sec−ブチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２７．Ｎ−（２’，３’，６’−トリメチルフェニル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２８．Ｎ−（３’−メトキシフェニル）−Ｎ−（４”−tert−ブチル−２”，６”−ジメチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
２９．Ｎ−（２’，３’−ジフルオロフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
３０．Ｎ−（３’−クロロフェニル）−Ｎ−（３”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３−アミン
３１．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３２．Ｎ，Ｎ−ジ（１’−ナフチル）−１−フェニルオキシジベンゾチオフェン−３−アミン
３３．Ｎ，Ｎ−ジ（１’−ナフチル）−２，７−ジフェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
３４．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）−２−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３５．Ｎ−フェニル−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−２−メチル−７−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
３６．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）−１−メチル−５−メトキシジベンゾチオフェン−３−アミン
３７．Ｎ−フェニル−Ｎ−（３’，５’−ジメトキシフェニル）−５−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３８．Ｎ，Ｎ−ジ（４’−フェニルフェニル）−２，７−ジメチルジベンゾチオフェン−３−アミン
３９．Ｎ，Ｎ−ジ（１’−ナフチル）−５−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
４０．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（３”−フェニルフェニル）−４−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
４１．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−７−メトキシジベンゾチオフェン−３−アミン
４２．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−６−メチルジベンゾチオフェン−３−アミン
４３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−６−シクロヘキシルジベンゾチオフェン−３−アミン
４４．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−６−フェニルジベンゾチオフェン−３−アミン
４５．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−シクロヘキシル）−６−ブロモジベンゾチオフェン−３−アミン
４６．Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ’，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
４７．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
４８．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
４９．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５０．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５１．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５２．Ｎ，Ｎ’−ジ（２’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５３．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５４．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５５．Ｎ，Ｎ’−ジ（２’，６’−ジメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５６．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５７．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−メトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５８．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−トリフルオロメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
５９．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−トリフルオロメトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６０．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−トリフルオロメトキシフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６１．Ｎ，Ｎ’−ジ（３’−トリフルオロメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６２．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−エチル−１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６３．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フルオロフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（２”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６４．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フルオロフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６５．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４’―シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６６．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６７．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−（４”−フェニルフェニル）−１，８−ジメチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６８．Ｎ，Ｎ’−ジ（２’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−（４”−メトキシフェニル）−１−フェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
６９．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−（２”，５”−ジメチルフェニル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７０．Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３’−メチルフェニル）−１，８−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７１．Ｎ，Ｎ’−ジ（４’−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（２”，５”−ジメトキシフェニル）−４−（３”’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７２．Ｎ，Ｎ’−ジ（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４”−シクロヘキシルフェニル）−４−（４”’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７４．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’−（４”−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７５．Ｎ−（４’−メトキシフェニル）−Ｎ’−（２”−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７６．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’−（２”−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７７．Ｎ−フェニル−Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
７８．Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（２”’-tert-ブチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン７９．Ｎ−（４’−メトキシフェニル）−Ｎ−（２”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８０．Ｎ−（３’−メチル−４’−メトキシフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８１．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ−（１”−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−（４”’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８２．Ｎ−フェニル−Ｎ−（３’，５’−ジメトキシフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（２”−メトキシ−１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８３．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（３”−メトキシフェニル）−２−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８４．Ｎ−フェニル−Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（４”−tert−ブチルフェニル）−１，８−ジイソプロピルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８５．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ−（４”−フェニルフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ジ（３”’−フェニルフェニル）−１−フェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８６．Ｎ−フェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８７．Ｎ−フェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８８．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
８９．Ｎ−（４’−シクロヘキシルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（２”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９０．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（４”−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジミン
９１．Ｎ−（２’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（３”−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９２．Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１”−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９３．Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９４．Ｎ−（４’−フェニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９５．Ｎ−（４’−フルオロフェニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ（１”−ナフチル）−１−メチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９６．Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）−Ｎ’−（４”−フェニルフェニル）−Ｎ’−（４”’−メトキシフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９７．Ｎ−（３’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−メトキシフェニル）−Ｎ’−（１”’−ナフチル）−Ｎ’−（４””−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９８．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
９９．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１００．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０１．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４’−フェニルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０２．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３’−メチルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０３．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４’−メトキシフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０４．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（３’−シクロヘキシルフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０５．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４’−フルオロフェニル）ジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０６．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−２−エチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０７．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１’−ナフチル）−２，７−ジメチルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
１０８．Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２’−ナフチル）−４−フェニルジベンゾチオフェン−３，６−ジアミン
【００２０】
本発明の一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物は其自体公知の方法により製造することができる。
一般式（１）で表されるアミン化合物の製造（化７）
【００２１】
【化７】
すなわち、一般式（３）で表されるジベンゾチオフェン（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6は前述の意味を表す）にハロゲン（Ｘ2：Ｘは例えば、塩素、臭素またはヨウ素を表す）を作用させて、一般式（４）で表される化合物を製造し、次いで一般式（４）で表される化合物にＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2を作用させ、一般式（５）で表される化合物を製造した後、一般式（５）で表される化合物にＨＮ−Ａｒ3Ａｒ4を作用させることにより、一般式（１）で表されるアミン化合物を製造することができる。また、一般式（１）において、Ａｒ1およびＡｒ2と、Ａｒ3およびＡｒ4が同じである場合には、一般式（４）で表される化合物にＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2またはＨＮ−Ａｒ3Ａｒ4を２倍モル以上作用させて一般式（１）で表される化合物を製造することができる。
一般式（２）で表されるアミン化合物の製造（化８）
【００２３】
【化８】
また、一般式（２）で表される化合物は、一般式（３’）で表されるジベンゾチオフェン（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は前述の意味を表す）にハロゲン（Ｘ2：Ｘは例えば、塩素、臭素またはヨウ素を表す）を作用させ、一般式（４’）で表される化合物を製造し、その後、ＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2を作用させることにより製造することができる。
【００２５】
尚、一般式（４）、一般式（４’）および一般式（５）の芳香族ハロゲン化合物と、ＨＮ−Ａｒ1Ａｒ2またはＨＮ−Ａｒ3Ａｒ4との反応は、例えば、▲１▼銅化合物（例えば、銅紛、塩化銅）の存在下に極性溶媒（例えば、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン）中で反応させる方法（ウルマン反応）▲２▼パラジウム触媒（例えば、酢酸パラジウム／トリ-tert-ブチルホスフィン、酢酸パラジウム／トリフェニルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／トリ−tert-ブチルホスフィン、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム／ジ-tert−ブチル−ｏ−ビフェニルホスフィン、トリス（ジベンジルデンアセトン）ジパラジウム／ジシクロヘキシル−ｏ−ビフェニルホスフィン、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）、塩基（例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、ナトリウム-tert−ブトキシド、カリウム-tert-ブトキシド）の存在下、不活性ガス雰囲気下に、溶媒（例えば、トルエン、キシレン、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン）中で反応させる方法等により実施することができる。
【００２６】
次に本発明の有機電界発光素子ついて説明する。本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものである。有機電界発光素子は、通常一対の電極間に少なくとも１種の発光成分を含有する発光層を少なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入成分を含有する正孔注入輸送層および／または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。
例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能および／または電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層および／または電子注入輸送層を兼ねた型の素子構成として一層型の素子構成とすることができる。また、発光層が正孔注入機能および／または正孔輸送機能に乏しい場合には発光層の陽極側に正孔注入輸送層を設けた二層型の素子構成、発光層が電子注入機能および／または電子輸送機能に乏しい場合には発光層の陰極側に電子注入輸送層を設けた二層型の素子構成とすることができる。さらには発光層を正孔注入輸送層と電子注入輸送層で挟み込んだ構成の三層型の素子構成とすることも可能である。
【００２７】
また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもできる。
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物は、正孔注入輸送層および／または発光層の構成成分として使用することが好ましく、正孔注入輸送層の構成成分として使用することがより好ましい。
本発明の有機電界発光素子において、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物は、単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
【００２８】
本発明の有機電界発光素子の構成としては、特に限定されるものではないが、例えば、（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素子（図４）、などを挙げることができる。さらには、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ形の（Ｅ）陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。また、（Ｄ）の型の素子構成としては、発光層として発光成分を一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子、（Ｆ）発光層として正孔注入輸送成分、発光成分および電子注入成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）発光層として正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図７）、（Ｈ）発光層として発光成分および電子注入成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図８）のいずれであってもよい。
【００２９】
本発明の有機電界発光素子は、これらの素子構成に限定されるものではなく、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数設けることも可能である。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層を発光層との間に、正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および／または発光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けることもできる。
【００３０】
好ましい有機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子または（Ｇ）型素子であり、より好ましくは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子または（Ｇ）型素子である。
【００３１】
以下、本発明の有機電界発光素子の構成要素に関し、詳細に説明する。なお、例として（図１）に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子を取り上げて説明する。
【００３２】
（図１）において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。
本発明の有機電界発光素子は基板１に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定されるものではないが、透明ないし半透明である基板が好ましく、材質としては、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等のガラスおよびポリエステル、ポリカーボネート、、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の透明性高分子が挙げられる。また、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなる基板を使用することもできる。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
陽極２としては、仕事関数の比較的大きい金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用することが好ましい。陽極に使用する電極材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ポリチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００３３】
陽極は、これらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形成することができる。
また、陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定する。
陽極の厚みは使用する電極材料の材質にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
正孔注入輸送層は、一般式（１）で表される化合物、一般式（２）で表される化合物および／または他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロシアニン誘導体、トリアリールアミン誘導体、トリアリールメタン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールなど）を少なくとも1種使用して形成することができる。
正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、または複数併用してもよい。
【００３４】
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、正孔注入輸送層に一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物を含有する。本発明の有機電界発光素子において使用することができる本発明の一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物以外の正孔注入輸送機能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体（例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）アミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−［Ｎ，Ｎ−ジ（４”−メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス〔４”、４”’−ビス［Ｎ’，Ｎ’−ジ（４−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル−４−イル〕アニリン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス［４−メチルフェニル］アミノ〕フェニル−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ，Ｎ−ビス（４”’−tert−ブチルビフェニル−４””−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノ〕ベンゼンなど、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体がより好ましい。
【００３５】
一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物と他の正孔注入機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物の含有量は、好ましくは、０．１重量％以上、より好ましくは、０．５〜９９．９重量％、さらに好ましくは３〜９７重量％である。
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。
発光層は、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物をホスト材料として、一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物以外の発光機能を有する化合物を少なくとも１種ゲスト材料として使用して形成することができる。
【００３６】
一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物以外の発光機能を有する化合物（ゲスト材料）としては、例えば、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントセニル）ベンゼン、４，４’−ビス（９”−エチニルアントラセニル）ビフェニル、ジベンゾ［f,f］ジインデノ［1,2,3-cd：1',2',3'-lm］ペリレン誘導体〕、トリアリールアミン誘導体（例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げることができる）、有機金属錯体〔例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス［（１，１，２−トリフェニル）エテニル］ビフェニル〕、クマリン誘導体（例えば、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００）、ピラン誘導体（例えば、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２）、オキサゾン誘導体（例えば、ナイルレッド）、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール夕動体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体等を挙げることができる。一般式（１）で表されるアミン化合物および一般式（２）で表されるアミン化合物以外の発光機能を有する化合物（ゲスト材料）としては、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体およびスチルベン誘導体が好ましく、多環芳香族化合物、有機金属錯体がより好ましい。
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、発光層に一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物をホスト材料として含有する。
【００３７】
一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物をホスト材料として、他の発光機能を有する化合物と併用する場合、発光層中に占める一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物の含有率は、好ましくは、４０．０％〜９９．９％であり、より好ましくは、６０．０〜９９．９重量％である。
ゲスト材料の使用量は、一般式（１）で表されるアミン化合物および／または一般式（２）で表されるアミン化合物に対して０．００１〜４０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。また、ゲスト材料は、単独で使用してもよく、複数併用してもよい。
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能および／または注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
電子注入輸送層に使用される電子注入機能を有する化合物としては、例えば、有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体などを挙げることができる。また、有機金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、ビス（１０−ベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム等の有機ベリリウム錯体、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩等を挙げることができる。好ましくは、有機アルミニウム錯体であり、より好ましくは、置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体である。 置換または未置換の８−キノリラート配位子を有する有機アルミニウム錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物を挙げることができる。
【００３８】
（Ｑ）3−Ａｌ （ａ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ｌ’ （ｂ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ−Ｌ’はフェノラート配位子を表し、Ｌ’はフェニル基を有する炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）2 （ｃ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す）
【００３９】
置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する有機アルミニウム錯体の具体例としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ-tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ-tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムを挙げることができる。
電子注入機能を有する化合物は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
【００４０】
陰極６としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または導電性化合物を電極材料として使用することが好ましい。陰極に使用する電極材料としては、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄を挙げることができる。これらの電極材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。
陰極はこれらの電極材料を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法により電子注入輸送層の上に形成することができる。
また、陰極は一層構造であってもよく、多層構造であってもよい。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／□以下とするのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極材料にもよるが、通常５〜１０００ｎｍ、好ましくは、１０〜５００ｎｍとする。本発明の有機電界発光素子の発光を高率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように陽極または陰極の材料、厚みを設定することが好ましい。
【００４１】
また、本発明の有機電界発光素子は、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の少なくとも一層中に、一重項酸素クンチャーを含有していてもよい。一重項酸素クエンチャーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランが挙げられ、好ましくは、ルブレンである。
一重項酸素クエンチャーが含有されている層としては、特に限定されるものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、正孔注入輸送層に一重項酸素クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。
一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、デイップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロジェット法、インクジェット法）を使用することができる。真空蒸着法により正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着の条件は。、特に限定されるものではないが、通常、１０-5Ｔｏｒｒ程度以下の真空下で、５０〜５００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／sec程度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して形成することが好ましい。連続で形成することにより諸特性に優れた有機電界発光素子を製造することが可能となる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。
【００４２】
溶液塗布法により各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等とを、溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、例えば、有機溶媒（ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチル等のエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、アニソール等のエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド等の極性溶媒）、水を挙げることができる。溶媒は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層の成分を溶媒に分散させる場合には、分散方法として、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザー等を使用して微粒子状に分散する方法を使用することができる。
【００４３】
また、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアリーレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルホン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などの高分子化合物を挙げることができる。バインダー樹脂は単独で使用してもよく、また、複数併用してもよい。塗布液の濃度は、特に限定されるものではないが、実施する塗布法により所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設定することができ、通常、０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜３０重量％に設定する。バインダー樹脂を使用する場合、その使用量は特に限定されるものではないが、通常、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を形成する成分とバインダー樹脂の総量に対してバインダー樹脂の含有率が（一層型の素子を形成する場合には各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％、好ましくは、１０〜９９重量％となるように使用する。
【００４４】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層の膜圧は、特に限定されるものではないが、通常、５ｎｍ〜５μｍとする。
また、上記の条件で作製した本発明の有機電界発光素子は、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また、素子を不活性物質中（例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油）に封入して保護することができる。保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料（例えば、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド）、無機材料（例えば、ダイアモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物）、さらには、光硬化性樹脂を挙げることができる。保護層に使用する材料は単独で使用してもよく、また複数併用してもよい。保護層は一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
また、本発明の有機電界発光素子は、電極に保護膜として金属酸化物膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けることもできる。
本発明の有機電界発光素子は、陽極の表面に界面層（中間層）を設けることもできる。界面層の材質としては、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体等を挙げることができる。
さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。
【００４５】
本発明の有機電界発光素子は、通常、直流駆動型の素子として使用することができるが、交流駆動型の素子としても使用することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、セグメント型、単純マトリック駆動型等のパッシブ駆動型であってもよく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（メタル−インスレーター−メタル）型等のアクティブ駆動型であってもよい。駆動電圧は通常、２〜３０Ｖである。本発明の有機電界発光素子は、パネル型光源（例えば、時計、液晶パネル等のバックライト）、各種の発光素子（例えば、ＬＥＤ等の発光素子の代替）、各種の表示素子〔例えば、情報表示素子（パソコンモニター、携帯電話・携帯端末用表示素子）〕、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【００４６】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１：例示化合物２の製造
ジベンゾチオフェン３６．８ｇをクロロホルム６００ｇに溶解し、ここに、臭素３２．０ｇおよびクロロホルム２００ｇよりなる溶液を１時間かけて滴下した。その後、室温で１０時間攪拌し、反応混合物をチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、その後水洗して、クロロホルム層よりクロロホルムを留去した。残渣を、イソプロパノール／トルエンより再結晶し、無色針状結晶として、３−ブロモジベンゾチオフェン１５．２ｇを得た。
次に、３−ブロモジベンゾチオフェン５．２６ｇ、ナトリウム-tert-ブトキシド２．３２ｇ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン５．２８ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム９０ｍｇ、ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン１２０mgおよびトルエン８０ｇよりなる混合物をアルゴン気流下で８０℃まで昇温し、同温度で２時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水洗した後、トルエン相よりトルエンを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝４／６）で精製し、メチルセロソルブ／トルエンより再結晶し、無色の結晶として、例示化合物２を３．４ｇ得た。
【００４７】
実施例２：例示化合物９の製造
実施例１において、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン５．２８ｇを使用する代わりに、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）アミン５．８８ｇを使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、例示化合物９を無色の結晶として３．２ｇ得た。
【００４８】
実施例３：例示化合物４７の製造
ジベンゾチオフェン３６．８ｇをクロロホルム６００ｇに溶解し、ここに、臭素６４．０ｇおよびクロロホルム２００ｇよりなる溶液を１時間かけて滴下した。その後、室温で１０時間攪拌し、析出した固体をろ別した。ろ液をチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、その後水洗して、クロロホルム層よりクロロホルムを留去した。また、ろ別した固体をチオ硫酸ナトリウム水溶液中でスラッジした後、水洗した。ろ液よりクロロホルムを留去した残渣と、固体を合わせ、イソプロパノール／トルエンより再結晶し、無色針状結晶として、３，６−ブロモジベンゾチオフェン３４．３ｇを得た。
次に、３，６−ブロモジベンゾチオフェン６．８４ｇ、ナトリウム-tert-ブトキシド４．６５ｇ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン１０．５１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム１８０ｍｇ、ジ-tert-ブチル-o-ビフェニルホスフィン２４０mgおよびトルエン８０ｇよりなる混合物をアルゴン気流下で８０℃まで昇温し、同温度で２時間加熱攪拌した。その後、反応混合物を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水洗した後、トルエン相よりトルエンを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝４／６）で精製し、メチルセロソルブ／トルエンより再結晶し、無色の結晶として、例示化合物４７を４．２ｇ得た。
【００４９】
実施例４：例示化合物７４の製造
３，６−ジブロモジベンゾチオフェン６．８４ｇ、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミン４．４ｇ、炭酸カリウム６．６１ｇ、塩化銅０．１５ｇ、１８−６−クラウンエーテル０．５ｇおよびスルホラン７０ｇよりなる混合物を２００℃に加熱し、窒素気流下で２４時間加熱攪拌した。その後、スルホランを留去し、トルエン100ｇを挿入し、不溶物をろ別した。トルエン相を中性になるまで水洗し、トルエン相よりトルエンを減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、６−ブロモ−Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン４．９ｇを得た。次に、得られた６−ブロモ−Ｎ−フェニル−Ｎ−（１’−ナフチル）ジベンゾチオフェン−３−アミン４．８ｇ、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）アミン３．０ｇ、ナトリウム−tert-ブトキシド２．３８ｇ、トリ-tert-ブチルホスフィン８１mｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム９０mｇおよびトルエン４０ｇよりなる混合物をアルゴン気流下、８０℃に加熱し、２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却し、不溶物をろ別し、トルエン相を水洗した。トルエン相よりトルエンを減圧下に留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン／ヘキサン＝６／４）により精製し、さらに、メチルセロソルブから２回再結晶し、得られた結晶を２９０℃／１×１０-5Torrで昇華精製し、目的とする例示化合物７４を無色の結晶として１．８ｇ得た。
【００５０】
実施例５：例示化合物８６の製造
実施例４において、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）アミン３．０ｇを使用する代わりに、Ｎ，Ｎ−ジ（１−ナフチル）アミン２．７ｇを使用した以外は実施例４に記載の操作に従い、例示化合物８６を無色結晶として１．６ｇ得た。
【００５１】
実施例６：例示化合物９３の製造
実施例４において、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（４’−フェニルフェニル）アミン３．０ｇを使用する代わりに、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン２．０ｇを使用した以外は、実施例４に記載の操作に従い、例示化合物９３を無色の結晶として１．３ｇ得た。
【００５２】
実施例７：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物２の化合物を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層を形成した。次に、正孔注入輸送層の上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、５０℃、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．３Ｖ、輝度４８０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は６００時間であった。
【００５３】
実施例８〜１１：有機電界発光素子の作製
実施例７において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物２の化合物を使用する代わりに、例示化合物９の化合物（実施例８）、例示化合物４７の化合物（実施例９）、例示化合物８６の化合物（実施例１０）、例示化合物９３の化合物（実施例１１）を使用した以外は、実施例７に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００５４】
比較例１：
実施例７において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物２の化合物を使用する代わりに、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを使用した以外は実施例７に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００５５】
比較例２：
実施例７において、正孔注入輸送層の形成に際して、例示化合物２の化合物を使用する代わりに、９，９−ジメチル−２，７−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フルオレンを使用した以外は実施例７に記載の操作に従い、有機電界発光素子を作製した。各素子からは緑色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第１表（表１）に示した。
【００５６】
【表１】
実施例１２：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。
先ず、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ（チオフェン−２，５−ジイル）を蒸着速度０．１ｎｍ／secで、２０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。次いで、例示化合物４７の化合物を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに蒸着し、第２正孔注入輸送層を形成した。次に、正孔注入輸送層の上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．４Ｖ、輝度４９０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は１４００時間であった。
【００５８】
実施例１３：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（３”−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミンを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで、５０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。次いで、例示化合物２の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し、第２正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。次いで、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．２Ｖ、輝度４８０ｃｄ／ｍ2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は１７００時間であった。
【００５９】
実施例１４：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ（チオフェン−２，５−ジイル）を蒸着速度０．１ｎｍ／secで、２０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。蒸着槽を大気圧下に戻した後、再び蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。次いで、例示化合物８６の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し、第２正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。減圧状態を保ったまま、次に、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。減圧状態を保ったまま、さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に直流電圧を印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．１Ｖ、輝度４７０ｃｄ／ｍ2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は１４００時間であった。
【００６０】
実施例１５：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。先ず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物４７を蒸着速度０．１ｎｍ／secで、２０ｎｍの厚さに蒸着し、第１正孔注入輸送層を形成した。蒸着槽を大気圧下に戻した後、再び蒸着槽を３×１０-6Torrに減圧した。次いで、例示化合物９の化合物とルブレンを、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）し、第２正孔注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。次に、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。作製した有機電界発光素子に直流電圧印加し、乾燥雰囲気下、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度で連続駆動させた。初期には、６．３Ｖ、輝度５２０ｃｄ／ｍ2の黄色の発光が確認された。輝度の半減期は１６００時間であった。
【００６１】
実施例１６：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリカーボネート（重量平均分子量３９０００）と例示化合物８６の化合物を重量比１００：５０の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いてスピンコート法により、４０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。次にこの正孔注入輸送層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着層を３×１０-6Torrに減圧した。次に、その上にトリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層を兼ね備えた発光層を形成した。さらに、その上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に乾燥雰囲気下、１０Ｖの直流電圧を印加したところ、８５ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れた。輝度９６０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は２７０時間であった。
【００６２】
実施例１７：有機電界発光素子の作製
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、セミコクリーン（フルウチ化学製）、超純水、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。この基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリメチルメタクリレート（重量平均分子量２５０００）、例示化合物９の化合物、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムをそれぞれ重量比１００：５０：０．５の割合で含有する３重量％ジクロロエタン溶液を用いてスピンコート法により、１００ｎｍの発光層を形成した。次にこの発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定し、蒸着層を３×１０-6Torrに減圧した。発光層の上に、陰極としてマグネシウムと銀を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、８０ｍＡ／ｃｍ2の電流が流れた。輝度５２０ｃｄ／ｍ2の緑色の発光が確認された。輝度の半減期は４５０時間であった。
【００６３】
【発明の効果】
本発明により、新規なアミン化合物、および発光寿命が長く、耐久性に優れた有機電界発光素子を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図２】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図３】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図４】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図５】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図６】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図７】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【図８】有機電界発光素子の一例の断面概略図である。
【符号の説明】
１：基板
２：陽極
３：正孔注入輸送層
３ａ：正孔注入輸送成分
４：発光層
４ａ：発光成分
５：電子注入輸送層
５”：電子注入輸送層
５ａ：電子注入輸送成分
６：陰極
７：電源
Claims (8)
- 一般式（１）（化１）または一般式（２）（化２）で表されるアミン化合物。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基、または炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基を表す。
Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 、Ａｒ ３ およびＡｒ ４ の内、少なくとも一つがナフチル基である〕
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基、または炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基を表す。
Ａｒ １ およびＡｒ ２ の内、少なくとも一つがナフチル基である〕 - 一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 、Ａｒ ３ およびＡｒ ４ は、未置換の総炭素数６〜１６の炭素環式芳香族基を表すとともに、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ およびＲ ６ は、水素原子、ハロゲン原子、または炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基を表すか、または、
一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ａｒ１およびＡｒ２ は、未置換の総炭素数６〜１６の炭素環式芳香族基を表すとともに、Ｒ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ は、水素原子、ハロゲン原子、または炭素数６〜１０の炭素環式芳香族基を表す請求項１記載のアミン化合物。 - 一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ａｒ １ 、Ａｒ ２ 、Ａｒ ３ およびＡｒ ４ の内、少なくとも一つが１−ナフチル基であるとともに、残りがフェニル基もしくは４−フェニルフェニル基であり、かつＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ およびＲ ６ が水素原子であるか、または
一般式（２）で表されるアミン化合物において、Ａｒ １ およびＡｒ ２ の内、少なくとも一つが１−ナフチル基であるとともに、残りがフェニル基もしくは４−フェニルフェニル基であり、かつＲ １ 、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ 、Ｒ ５ 、Ｒ ６ およびＲ ７ が水素原子である請求項１に記載のアミン化合物。 - 一対の電極間に、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアミン化合物を少なくとも１種含有する層を少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
- 前記アミン化合物を含有する層が、正孔注入輸送層である請求項４記載の有機電界発光素子。
- 前記アミン化合物を含有する層が、発光層であり、さらに、ゲスト材料をドープしてなる請求項４記載の有機電界発光素子。
- 一対の電極間に、さらに、発光層を有する請求項４または５に記載の有機電界発光素子。
- 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する請求項４〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
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