JP4592696B2 - 超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法及び有機金属蒸着法による薄膜型超伝導体の製造方法 - Google Patents

超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法及び有機金属蒸着法による薄膜型超伝導体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4592696B2
JP4592696B2 JP2006520123A JP2006520123A JP4592696B2 JP 4592696 B2 JP4592696 B2 JP 4592696B2 JP 2006520123 A JP2006520123 A JP 2006520123A JP 2006520123 A JP2006520123 A JP 2006520123A JP 4592696 B2 JP4592696 B2 JP 4592696B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
vapor deposition
superconducting
solution
material powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006520123A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007530398A (ja
Inventor
ウォン ホン,ゲ
リー,ヘ−ギョン
イム ユー,サン
ムー ユー,ジャイ
Original Assignee
コリア インスティテュート オブ マシネリー アンド マテリアルズ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コリア インスティテュート オブ マシネリー アンド マテリアルズ filed Critical コリア インスティテュート オブ マシネリー アンド マテリアルズ
Publication of JP2007530398A publication Critical patent/JP2007530398A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4592696B2 publication Critical patent/JP4592696B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00Compounds of copper
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0324Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers from a solution
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00Compounds of copper
    • C01G3/006Compounds containing, besides copper, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • C04B35/4504Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
    • C04B35/4508Type 1-2-3
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62625Wet mixtures
    • C04B35/6264Mixing media, e.g. organic solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/6325Organic additives based on organo-metallic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216Metal oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1254Sol or sol-gel processing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1291Process of deposition of the inorganic material by heating of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1295Process of deposition of the inorganic material with after-treatment of the deposited inorganic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3227Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3229Cerium oxides or oxide-forming salts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

本発明は、超伝導酸化物を出発物質として用いて前駆溶液を製造する方法と、この溶液を利用して基板(セラミック、ニッケル金属、ニッケル合金、ステンレス鋼など)上にエピタキシャル薄膜をコーティングする方法及びこの方法により製造される溶液及び高温超伝導体に関する。
{100}<001>集合組織を有するニッケル、ニッケル合金またはニッケル合金上にニッケルをエピタキシャルに塗布した金属板、あるいはステンレス鋼上に集合組織を有する酸化物被覆材を塗布した金属-酸化物複合母材上に超伝導性を有するREBaCu7−x(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなど希土類元素またはこれらの組合せ)系の超伝導薄膜を金属有機工程方法により塗布するためには、10A/cmを超える臨界電流密度を有する高品質の超伝導薄膜に対する熱処理中にエピタキシャル薄膜が効果的に形成されるように超伝導金属イオンを含む有機金属前駆溶液を製造することが必要である。
さらに、有機金属前駆溶液を基板上に塗布した後、酸素分圧、水蒸気圧(PH2O)熱処理温度、熱処理時間、ガス流量などを効果的に調節する必要がある。
しかしながら、これまでの化学溶液方法による高温超伝導薄膜を製造するために用いられた金属有機溶媒の中で最も優れた特性を見せるのはトリフルオロ酢酸(Trifluoracetate、TFA)溶液であった。
これまでの前駆溶液の製造方法は、TFA溶液にイットリウム(Y)-アセテート、バリウム(Ba)-アセテート、銅(Cu)-アセテートを最終の超伝導生成物の陽イオン比(例えば、Y:Ba:Cu=1:2:3)に合せてそれぞれ溶解させた後、これを蒸発蒸留工程及び再溶解-重合工程を経て、Y、Ba、Cuの陽イオン比が1:2:3である前駆溶液を製造し、基板に塗布する方法を用いていた。
この方法では、Y、Ba、Cuのアセテートを出発物質として用いてTFA溶液にそれらを溶かした後、重合工程によって1:2:3の組成比を有する陽イオン重合体を形成させ、これを蒸留、精製してゼリー状のY、Ba、CuのTFA重合体を得て、この重合体をメタノールで希釈して塗布溶液として用いる。
この過程で用いるY、Ba、Cuのアセテートの比率及び純度を正確に調整することが必要である。この技術で用いられるアセテートの価格は高く、高純度の金属アセテートを使用しない場合は不純物による影響が大きいという短所があることに加え、良好な重合体を形成するために前駆溶液の製造条件をきちんと調整する必要がある。さらに、イットリウム以外の他の希土類金属を用いるために他の種類の希土類金属元素を含むアセテートを別途に確保しなければならない上、他の合金元素を添加することが困難である。
従って、本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、希土類元素またはそれらの固溶体(イットリウム(Y)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)など)、バリウム、銅の陽イオンが1:2:3に調整された前駆溶液をさらに容易に製造する方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、{100}<001>集合組織を有する金属母材上に1つ以上のセラミックバッファ層(CeO、MgO、YSZ、SrTiO、LaAlO、RuSrO、Gd、Yの何れか1つまたはこれらの組合せ)をエピタキシャルに蒸着させた後、有機金属蒸着法を用いてREBaCu7−x(RE= Y 、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなどの希土類元素またはこれらの組合せ)系の超伝導薄膜をエピタキシャルに塗布して超伝導伝導体を提供することにある。
上記のような目的を達成するために、本発明は、超伝導原料粉末をTFA溶液に溶かす段階と、粉末が完全に溶解されて溶液が透明になると前記熱板内の温度を上げて溶液を蒸発させ、粘性のあるゼリー状になるまで加熱を続ける段階と、前記溶液の流動性が完全になくなると加熱を中断して前記溶液を冷却する段階と、常温で固まったゼリー状の化合物をメチルアルコールに溶かして超伝導原料粉末-TFA前駆溶液を得る段階とを含む製造方法で生成された前駆溶液により達成される。
ここで、超伝導原料粉末-TFA前駆溶液の総陽イオン濃度は0.1ないし6モルであることが望ましい。
さらに、超伝導原料粉末は、陽イオン比RE:Ba:Cu=1:2:3のREBaCu7−x(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなど、またはこれらの組合せ)であることが望ましい。しかし、RE:Baの陽イオン比は、RE:Ba=1-x:2(1+x)(-0.2<x<0.2)のように選択された希土類金属によって変化する。
また、超伝導原料粉末は、希土類元素の混合物から製造された123化合物(Y、Yb、Sm、La、Nd、Ho、Gd...)BaCu7−x(a+b+c+d+e+f+g+...=1、0<x<0.5)の粉末を用いることが望ましい。
さらに、有機溶媒は、メチルアルコール、エチルアルコール、メトキシエタノール(メチロールグリコールモノメチルエーテル)のうちの何れかであることが望ましい。
また、本発明の他の観点によれば、超伝導原料粉末をTFA溶液に溶かした後に粉末が完全に溶解されて溶液が透明になると前記熱板内の温度を上げて溶液を蒸発させ、粘性のあるゼリー状になるまで加熱を続ける段階と、前記溶液の流動性が完全になくなると加熱を中断して前記溶液を冷却する段階と、常温で固まったゼリー状の化合物をメチルアルコールに溶かして超伝導原料粉末-TFA前駆溶液を得る段階と、集合組織を有する金属や単結晶の金属基板に前記超伝導原料粉末-TFA前駆溶液を滴下して薄い膜を塗布する段階と、薄い膜を塗布した後に乾燥させて薄膜を形成する段階と、前記薄膜をか焼及び焼成熱処理して膜が超伝導特性を有する段階とを含む製造方法で生成された有機金属蒸着用の薄膜型超伝導体により達成される。
ここで、薄い膜を塗布する段階は、回転させるスピンコーティングや、ディップコーティングまたは、スプレー方式、転写方式を用いることが望ましい。
また、前記薄い膜を塗布する操作は、集合組織を有する金属基板もしくは単結晶基板の上に行われる。集合組織を有する金属基板や単結晶基板は、その上に塗布されたセラミック中間層を有し、金属表面上の超伝導層との反応を防止し基板の2軸配向された集合組織の結晶性を超伝導層に伝達する機能を有することができる。集合組織を有する金属基板は、圧延熱処理されたNi、Ni系の合金(Ni-W、Ni-Cr、Ni-Cr-Wなど)、銀もしくは銀合金、および立方晶金属(たとえばNi-銀複合体やこれらの合金)のうちの1つからなる。単結晶は、例えばMgO(100)、LaAlO (100)、またはSrTiO (100)などである
また、超伝導原料粉末-TFA前駆溶液の総陽イオン濃度は0.1ないし6モルであることが望ましい。
また、超伝導原料粉末は、REBaCu7−x(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなど希土類元素、またはこれらの組合せ)を用いることが望ましい。
さらに、前記有機溶媒はメチルアルコール、エチルアルコール、メトキシエタノール(メチロールグリコールモノメチルエーテル)のうちの何れかであることが望ましい。
以下、添付した図面に基づき、本発明に係る具体的な実施例について詳細に説明する。
以下の説明において、本発明のより完全な理解を手助けするために図面による説明が追加されるが、当業者にとって、本発明は図面の詳細な説明がなくても実施可能であることは自明であろう。
場合によっては、本発明の要旨を不要に分かりにくくするような開示された特徴部または要素に対しては、その説明を省略する。これは本発明の説明を不要にあいまいにすることを回避するためである。
図1は、酸化物粉末を用いて前駆溶液を製造し、基板に塗布した後に熱処理して伝導性のある伝導体を製造する方法を示す。
図2は、超伝導原料粉末-TFA溶液のか焼熱処理過程を示す図である。
図3は、超伝導薄膜の合成熱処理工程を示す図である。
図4は、超伝導合成熱処理後のX-線分析の結果を示す図である。
これにより、酸化物超伝導相が(c)軸に配列される構造を有することが分かる。
図5、6、7、8は、この試料の微細組織の観察結果であって、超伝導結晶粒が生成されることを示す図である。
図9は、これらの試料の超伝導臨界温度を測定した結果であって、89.3K以下で超伝導体の状態に転換することを示す図である。
図10は、この試料の超伝導臨界電流を測定した結果であって、薄膜の厚さが0.3μmで、幅が3mmであるので、臨界電流密度は0.85MA/cmを有することが分かる。
以下、実施例について説明する。
YBaCu7−xの超伝導粉末1/100モルを30ccのTFA溶液に溶かす。この時、完全に溶解させるために、熱板で(80°C温度下で)溶液を加熱できる。
粉末が完全に溶解されて溶液が透明になると、その溶液の温度を80°C未満に維持して、その溶液が粘性のゼリー状に変化するまで溶液を蒸発させる。
溶液の流動性がほぼ完全になくなると、加熱を中断し、溶液を冷やす。
常温で固まったゼリー状の化合物を20ccのメチルアルコールに溶かして、総陽イオン濃度が1〜6モルの超伝導原料粉末-TFA前駆溶液を得る。
LaAlO単結晶基板に前駆溶液を滴下するか、ディップコーティング、スピンコーディングや、または、スプレー方式、転写方式などの方法を用いて薄い膜を塗布した後、乾燥させて前駆体薄膜を製造する。
製造された前駆体薄膜は、図2に示すか焼熱処理過程によってTFAを揮発させ、か焼薄膜を作った後、図3に示すような合成熱処理によって超伝導相を形成させる。
この時、か焼熱処理過程は、20〜75°Cの飽和水蒸気を含む酸素や窒素、アルゴンまたはそれらの混合気体の雰囲気で1分当り0.5〜1°C程度の加熱速度で300〜500°Cまで加熱して金属イオンを含む前駆体を分解させる。
転換熱処理は、か焼された薄膜がエピタクシャルに成長した酸化物超伝導体薄膜に転換されるように、100〜1000ppmの酸素を含有する窒素またはアルゴンと20〜75°Cの露点を有する水蒸気の存在下で650〜850°Cの温度で、0.25〜4時間熱処理することによって行われる。
転換熱処理中に、薄膜は1分当たり5〜20°Cの加熱速度で650〜850°Cまで加熱され、酸化物と酸素フッ化物とから構成されている、か焼された薄膜がREBCO酸化物の超伝導体相に完全に転換されるまで0.25〜4時間維持される。
冷却中に400〜500°Cの温度範囲で乾燥した酸素雰囲気で1〜4時間維持して、形成された超伝導相に酸素が十分に満たされるようにする。
上述のように、本発明は、REBaCu7−x(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなど希土類元素またはこれらの組合せ)系の超伝導薄膜型伝導体を製造するにあたって、REBaCu7−x(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなど希土類元素またはこれらの組合せ)系の酸化物をTFAに溶解させて前駆溶液を製造することによって、従来の前駆溶液よりも安価で、かつ、容易に前駆溶液を作ることができ、このような前駆溶液を用いて超伝導伝導体を製造することができる。
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、本発明の要旨から逸脱しない範囲内で修正及び変更して実施することが可能である。このような修正及び変更された技術思想もやはり以下の特許請求の範囲に属するものと見なされるべきである。
図1は、超伝導薄膜の製造工程を示す図である。
図2は、超伝導原料粉末-TFA溶液のか焼熱処理過程を示す図である。
図3は、超伝導薄膜の合成熱処理工程を示す図である。
図4は、製造された超伝導薄膜のX-線回折分析の結果を示す図である。
図5は、製造された超伝導薄膜の微細組織を示す図である。
図6は、製造された超伝導薄膜の微細組織を示す図である。
図7は、製造された超伝導薄膜の微細組織を示す図である。
図8は、製造された超伝導薄膜の微細組織を示す図である。
図9は、超伝導薄膜の臨界転移温度の測定結果を示す図である。
図10は、製造された超伝導薄膜の臨界電流密度の測定結果を示す図である。




Claims (12)

  1. 超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法において、
    REBaCu7−x(REは希土類元素またはこれらの組合せ、0<x<0.5)系の超伝導原料粉末をトリフルオロ酢酸溶液に分散させた後に加熱して溶解させる段階と、
    粉末が完全に溶解されて溶液が透明になると熱板の温度を上げて温度を80℃未満に維持して溶液を蒸発させ、粘性のあるゼリー状になるまで加熱を続ける段階と、
    該溶液の流動性が完全になくなると加熱を中断して該溶液を冷却する段階と、
    常温で固まったゼリー状の化合物を有機溶媒に溶かして超伝導原料粉末-トリフルオロ酢酸前駆溶液を得る段階と、を含むことを特徴とする超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法。
  2. 超伝導原料粉末-トリフルオロ酢酸前駆溶液の総陽イオン濃度が0.1ないし6モルであることを特徴とする請求項1記載の超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法。
  3. 前記超伝導原料粉末が、Y、Sm、Nd以外に他の希土類金属が含まれている123化合物 (Y、Yb、Sm、La、Nd、Ho、Gd...)BaCu7−x(a+b+c+d+e+f+g+..=1、0<x<0.5)の粉末であることを特徴とする請求項1記載の超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法。
  4. 前記有機溶媒が、メチルアルコール、エチルアルコール、メトキシエタノール(メチロールグリコールモノメチルエーテル)のうちの何れかであることを特徴とする請求項1記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  5. 有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法において、
    超伝導原料粉末をトリフルオロ酢酸溶液に溶かした後に温度を加えて溶解させる段階と、
    粉末が完全に溶解されて溶液が透明になると該熱板内の温度を上げて溶液を蒸発させ、粘性のあるゼリー状になるまで加熱を続ける段階と、
    該溶液の流動性が完全になくなると加熱を中断して該溶液を冷却する段階と、
    常温で固まったゼリー状の化合物を有機溶媒に溶かして超伝導原料粉末-トリフルオロ酢酸前駆溶液を得る段階と、
    集合組織を有する金属や単結晶の金属基板に該超伝導原料粉末-トリフルオロ酢酸前駆溶液を滴下して薄い膜を塗布する段階と、
    該薄い膜を塗布した後に乾燥させて薄膜を形成する段階と、
    該薄膜をか焼及び焼成熱処理して薄膜が超伝導特性を有する段階と、を含むことを特徴とする有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  6. 前記薄い膜を塗布する段階は、回転させるスピンコーティングやディップコーティング、またはスプレー方式、転写方式を用いることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  7. 前記薄い膜を塗布する操作が集合組織を有する金属基板もしくは単結晶基板の上に行われ;集合組織を有する金属基板もしくは単結晶基板は、その上に塗布されたセラミック中間層を有し、金属表面上の超伝導層との反応を防止し基板の2軸配向された集合組織の結晶性を超伝導層に伝達する機能を有し;該集合組織を有する金属基板は、圧延熱処理されたNi、Ni系の合金、銀もしくは銀合金、および立方晶金属のうちの1つからなることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  8. 超伝導原料粉末-トリフルオロ酢前駆溶液の総陽イオン濃度は0.1ないし6モルであることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  9. 超伝導原料粉末が、REBaCu7−x(RE=Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなど希土類元素またはこれらの組合せ)の粉末であることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  10. 前記超伝導原料粉末が、Y、Sm、Nd以外に他の希土類金属が含まれている123化合物(Y、Yb、Sm、La、Nd、Ho、Gd...)BaCu7−x(a+b+c+d+e+f+g+..=1、0<x<0.5)の粉末であることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  11. 前記有機溶媒が、メチルアルコール、エチルアルコール、メトキシエタノール(メチロールグリコールモノメチルエーテル)のうちの何れかであることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
  12. 前記最終の超伝導薄膜の厚さが0.1μm以上であることを特徴とする請求項5記載の有機金属蒸着法を用いた薄膜型超伝導体の製造方法。
JP2006520123A 2003-07-18 2004-07-15 超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法及び有機金属蒸着法による薄膜型超伝導体の製造方法 Expired - Fee Related JP4592696B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0049157A KR100529602B1 (ko) 2003-07-18 2003-07-18 희토류원소계 초전도 산화물을 이용하는 유기금속증착용 전구용액 제조방법 및 유기금속증착법에 의한 박막형 초전도체 제조방법
PCT/KR2004/001756 WO2005007576A1 (en) 2003-07-18 2004-07-15 Method for manufacturing metal organic deposition precursor solution using superconduction oxide and film superconductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007530398A JP2007530398A (ja) 2007-11-01
JP4592696B2 true JP4592696B2 (ja) 2010-12-01

Family

ID=36217615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006520123A Expired - Fee Related JP4592696B2 (ja) 2003-07-18 2004-07-15 超伝導酸化物を用いる有機金属蒸着用の前駆溶液の製造方法及び有機金属蒸着法による薄膜型超伝導体の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7625843B2 (ja)
JP (1) JP4592696B2 (ja)
KR (1) KR100529602B1 (ja)
DE (1) DE112004001309B4 (ja)
WO (1) WO2005007576A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2259919B1 (es) * 2005-04-01 2007-11-01 Consejo Superior Investig. Cientificas Preparacion de precursores metalorganicos anhidros y su uso para la deposicion y crecimiento de capas y cintas superconductoras.
KR100665587B1 (ko) * 2005-05-12 2007-01-09 학교법인 한국산업기술대학 유기금속전구용액 제조방법 및 이를 이용하여유기금속증착법에 의한 박막형 산화물 초전도체 제조방법
KR100694850B1 (ko) * 2005-07-01 2007-03-13 학교법인 한국산업기술대학 유기금속전구용액 제조방법 및 이를 이용한유기금속증착법에 의한 박막형 산화물 초전도체 제조방법
WO2008100281A2 (en) * 2006-07-24 2008-08-21 American Superconductor Corporation High temperature superconductors having planar magnetic flux pinning centers and methods for making the same
KR100851620B1 (ko) * 2006-11-14 2008-08-12 학교법인 한국산업기술대학 유기금속증착법에 의한 박막형 산화물 초전도체 제조방법
JP4738322B2 (ja) * 2006-11-30 2011-08-03 株式会社東芝 酸化物超電導体およびその製造方法
KR100820747B1 (ko) * 2006-12-11 2008-04-11 한국기계연구원 점도 특성이 개선된 전구용액 제조방법
US8236733B2 (en) * 2009-07-20 2012-08-07 Seoul National University Industry Foundation Method of forming a precursor solution for metal organic deposition and method of forming superconducting thick film using the same
KR20130009014A (ko) * 2011-07-14 2013-01-23 서울대학교산학협력단 초전도 선재 형성 방법

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01230405A (ja) * 1987-10-09 1989-09-13 Mitsubishi Electric Corp 酸化物超電導厚膜の製造方法
US5141918A (en) * 1988-04-22 1992-08-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate
US4996189A (en) * 1988-10-24 1991-02-26 At&T Bell Laboratories Method of producing mixed metal oxide material, and of producing a body comprising the material
EP0431813A1 (en) * 1989-11-28 1991-06-12 General Atomics Method for preparing rare earth -barium-cuprate pre-ceramic resins and super conductive materials prepared therefrom
US5231074A (en) * 1990-04-17 1993-07-27 Massachusetts Institute Of Technology Preparation of highly textured oxide superconducting films from mod precursor solutions
EP0660423B1 (en) * 1993-12-27 2000-02-23 International Superconductivity Technology Center Superconductor and method of producing same
KR970009740B1 (ko) * 1994-04-25 1997-06-17 신재인 분말법을 이용하여 제조한 은-고온초전도 복합제 및 그의 제조방법
JP2002515823A (ja) 1996-02-21 2002-05-28 エイエスイーシー・マニュファクチュアリング・カンパニー 高度に分散された組成物および/または均質な組成物、それから作られた材料および被覆物、およびその製造方法
JP3962107B2 (ja) * 1996-03-22 2007-08-22 財団法人国際超電導産業技術研究センター 酸化物超電導複合体及びその作製方法並びに酸化物超電導磁石及び超電導コイル装置
CA2212473C (en) * 1996-08-08 2001-12-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for preparing layered structure including oxide superconductor thin film
JPH10245223A (ja) * 1997-02-28 1998-09-14 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 酸化物超電導体及びその製造方法
NZ502030A (en) * 1997-06-18 2002-12-20 Massachusetts Inst Technology Controlled conversion of metal oxyfluorides into superconducting oxides
US6256521B1 (en) * 1997-09-16 2001-07-03 Ut-Battelle, Llc Preferentially oriented, High temperature superconductors by seeding and a method for their preparation
AU1325101A (en) * 1999-07-23 2001-02-13 American Superconductor Corporation Multi-layer articles and methods of making same
US6332967B1 (en) * 1999-11-23 2001-12-25 Midwest Research Institute Electro-deposition of superconductor oxide films
JP4201465B2 (ja) * 2000-07-17 2008-12-24 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 窒素酸化物の処理装置
JP3556586B2 (ja) * 2000-09-05 2004-08-18 株式会社東芝 酸化物超電導体の製造方法、酸化物超電導体用原料、および酸化物超電導体用原料の製造方法
US20020056401A1 (en) * 2000-10-23 2002-05-16 Rupich Martin W. Precursor solutions and methods of using same
JP4822637B2 (ja) * 2000-10-31 2011-11-24 株式会社Adeka 酸化物超電導用トリフルオロ酢酸金属塩水和物の製造方法
JP3548801B2 (ja) * 2001-03-27 2004-07-28 独立行政法人産業技術総合研究所 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の形成方法。
JP3548802B2 (ja) * 2001-03-27 2004-07-28 独立行政法人産業技術総合研究所 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の製造方法。
JP2003034527A (ja) * 2001-05-15 2003-02-07 Internatl Superconductivity Technology Center 厚膜テープ状酸化物超電導体及びその製造方法
US6500733B1 (en) 2001-09-20 2002-12-31 Heliovolt Corporation Synthesis of layers, coatings or films using precursor layer exerted pressure containment
JP3725085B2 (ja) * 2002-03-05 2005-12-07 株式会社東芝 超電導層及びその製造方法
US7286032B2 (en) * 2003-07-10 2007-10-23 Superpower, Inc. Rare-earth-Ba-Cu-O superconductors and methods of making same
US8227019B2 (en) * 2003-12-15 2012-07-24 Superpower Inc. High-throughput ex-situ method for rare-earth-barium-copper-oxide (REBCO) film growth
EP1655787A1 (en) * 2004-11-03 2006-05-10 Nexans Precursor composition for YBCO-based superconductors
JP4208806B2 (ja) * 2004-09-16 2009-01-14 株式会社東芝 酸化物超電導体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007530398A (ja) 2007-11-01
US7625843B2 (en) 2009-12-01
KR100529602B1 (ko) 2005-11-17
WO2005007576A1 (en) 2005-01-27
US20060246216A1 (en) 2006-11-02
DE112004001309B4 (de) 2009-11-19
DE112004001309T5 (de) 2006-05-11
KR20050010193A (ko) 2005-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2575312C (en) Method for producing highly textured, strip-shaped high-temperature superconductors
US7625843B2 (en) Method for manufacturing a metal organic deposition precursor solution using super-conduction oxide and film superconductor
JP3548801B2 (ja) 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の形成方法。
US5039654A (en) Superconductive material and method of preparing same
KR880014017A (ko) 박막 초전도 산화물 필림의 제조방법
KR100665587B1 (ko) 유기금속전구용액 제조방법 및 이를 이용하여유기금속증착법에 의한 박막형 산화물 초전도체 제조방법
JP3851948B2 (ja) 超電導体の製造方法
KR100694850B1 (ko) 유기금속전구용액 제조방법 및 이를 이용한유기금속증착법에 의한 박막형 산화물 초전도체 제조방법
JP4203606B2 (ja) 酸化物超電導厚膜用組成物及び厚膜テープ状酸化物超電導体
JP4154475B2 (ja) 基板の表面に形成されたエピタキシャル薄膜及びその製造方法
JPH07106905B2 (ja) 超電導体の製造方法及び超電導体
JP3548802B2 (ja) 特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液組成物、希土類超電導膜製造用溶液組成物、特定金属錯体の非結晶固形物、特定の金属種に特定の配位子を配位させた金属錯体を含む溶液の製造方法、希土類超電導膜製造用溶液の製造方法、及び超電導薄膜の製造方法。
KR100998310B1 (ko) 유기금속증착용 전구용액 형성방법 및 이를 사용하는초전도 후막 형성방법
JPH0476324B2 (ja)
US8236733B2 (en) Method of forming a precursor solution for metal organic deposition and method of forming superconducting thick film using the same
Benavidez et al. Chemical method to prepare YBa2Cu3O7− x (YBCO) films by dipping onto SrTi (Nb) O3 ceramics
KR920003032B1 (ko) 열분해에 의한 초전도 금속산화물 필름의 제조
JP2013136816A (ja) 超電導薄膜作製用ターゲットの製造方法、超電導薄膜作製用ターゲット、酸化物超電導導体の製造方法
JPH01230405A (ja) 酸化物超電導厚膜の製造方法
JPS63279521A (ja) 超電導体装置
JP3612556B2 (ja) アルミナ単結晶基板の表面に形成された超伝導薄膜からなる超伝導体、及びアルミナ単結晶基板の表面に超伝導薄膜を形成する方法
JP2002068900A (ja) 単結晶基板の表面にエピタキシャル薄膜を形成する方法
JPH03109204A (ja) 超電導薄膜の製造方法
JPH01215702A (ja) 超電導薄膜の製造法
JPS63298921A (ja) 超電導線材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090106

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090406

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090413

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090526

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100720

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100831

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100914

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees