JP4542978B2 - 電源電圧制御装置 - Google Patents
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 78
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
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- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
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- G05F1/10—Regulating voltage or current
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電源電圧制御装置の構成を示す回路図である。本実施の形態は、複数のMOSトランジスタを有する内部回路に所定の電源電圧を供給する電源電圧制御装置に適用した例である。
システムクロック信号fSCK及び電圧制御発振回路110と位相比較器/周波数比較器130の間にそれぞれ分周回路121,122を挿入し、システムクロック周波数に対応した動作モード信号に応じて、第1プリセット値を基に制御回路141によりそれぞれの分周回路121,122の分周比を設定することにより、システムクロック周波数に応じた最適なクロック周期設定マージンを設定できるようにする。
システムクロック周波数が変化する時に、コントローラ145内の第2プリセット値を用いてアップダウンカウンタ143の初期設定とレジスタ144の設定を行うこと、及びシステムクロック周波数変更と電源電圧変更の手順最適化により、内部回路の誤動作防止及び動作可能な最小電源電圧への収束時間短縮を実現できる。これにより、低消費電力化と安定動作の両方を同時に実現することができる。
図8は、本発明の実施の形態2に係る電源電圧制御装置の構成を示す回路図である。本実施の形態は、内部回路ブロックが複数存在し、各内部回路ブロック毎に電源電圧制御を行う場合の一例である。
図9は、本発明の実施の形態3に係る電源電圧制御装置の構成を示す回路図である。本実施の形態は、内部回路ブロックが複数存在し、1個の電源電圧制御回路で複数の内部回路ブロック(本実施の形態では2個)の電源電圧を制御する回路構成の一例である。図1と同一構成要素には同一番号を付して重複部分の記載を省略する。
110 電圧制御発振回路
111 インバータ
112 NANDゲート回路
121 分周回路(分周回路<1>)
122 分周回路(分周回路<2>)
123,131〜134 フリップフロップ(FF)
124 組み合わせ論理回路
130 位相比較器/周波数比較器
130A 位相比較器
130B 周波数比較器
135,136 NAND回路
137,138 AND回路
140,340 電源電圧発生回路
141,341 制御回路
142 メモリ
143 アップダウンカウンタ
125,144,342,343 レジスタ
145,345 コントローラ
146,346,347 DA変換器
147,348,349 DC−DCコンバータ
147A 高電位側電源電圧出力回路
147B 低電位側電源電圧出力回路
151,152 カウンタ
153 カウント値比較回路
161,162,171,172 オペアンプ
163 PchMOSトランジスタ
173 NchMOSトランジスタ
200,400 内部回路
Claims (14)
- クロック信号を生成する電圧制御発振手段と、
システムクロック信号を分周する第1分周手段と、
前記電圧制御発振手段出力を分周する第2分周手段と、
前記第1分周手段の出力信号と前記第2分周手段の出力信号とを位相比較又は周波数比較する比較手段と、
前記比較手段の出力に基づいて前記電圧制御発振手段及び1又は複数の内部回路に供給する電源電圧を発生する電源電圧発生手段と、
前記システムクロック信号と前記電圧制御発振手段により生成されたクロック信号のクロック周期設定マージンをシステムクロック周波数に応じて変更できるように、前記第1及び第2分周手段の分周比を設定する制御手段と
を備えることを特徴とする電源電圧制御装置。 - 1又は複数のシステムクロック周波数に対応して、前記第1分周手段と前記第2分周手段の分周比を設定する第1プリセット値を格納する第1プリセット値格納手段を備え、
前記制御手段は、前記システムクロック周波数に対応して、前記第1プリセット値格納手段に格納されている第1プリセット値を読み出し、該第1プリセット値を基に前記第1分周手段と前記第2分周手段にそれぞれ分周比信号を出力し、
前記第1分周手段と前記第2分周手段は、前記制御手段から出力された前記分周比信号に従って分周を行うことを特徴とする請求項1記載の電源電圧制御装置。 - 1又は複数のシステムクロック周波数に対応する最小動作電源電圧より所定だけ高く設定された第2プリセット値を格納する第2プリセット値格納手段を備え、
前記制御手段は、前記システムクロック周波数の切り替え時、前記第2プリセット値格納手段に格納されている第2プリセット値を読み出し、該第2プリセット値を電源電圧プリセット値として出力し、
前記電源電圧発生手段は、前記制御手段の出力に基づいて内部回路及び電圧制御発振手段に供給する電源電圧を発生することを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の電源電圧制御装置。 - クロック信号を生成する電圧制御発振手段と、
基準クロック信号と前記電圧制御発振手段のクロック出力信号とを位相比較する位相比較又は周波数比較する比較手段と、
前記比較手段の出力に基づいて前記電圧制御発振手段及び1又は複数の内部回路に供給する電源電圧を発生する電源電圧発生手段と、
1又は複数のシステムクロック周波数に対応する最小動作電源電圧より所定だけ高く設定された第2プリセット値を格納する第2プリセット値格納手段と、
前記システムクロック周波数の切り替え時、前記第2プリセット値格納手段に格納されている第2プリセット値を読み出し、該第2プリセット値を電源電圧プリセット値として出力する制御手段と、
前記制御手段の出力に基づいて前記電圧制御発振手段及び1又は複数の内部回路に供給する電源電圧を発生するDA変換器と
を備えることを特徴とする電源電圧制御装置。 - 前記制御手段は、システムクロック周波数が高い周波数から低い周波数に切り替わった後に、前記第2プリセット値格納手段に格納されている前記低い周波数に対応する第2プリセット値を読み出し、該第2プリセット値を電源電圧プリセット値として出力することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の電源電圧制御装置。
- 前記制御手段は、システムクロック周波数が低い周波数から高い周波数に切り替わる前に、前記第2のプリセット値格納手段に格納されている前記高い周波数に対応する第2プリセット値を読み出し、該第2プリセット値を電源電圧プリセット値として出力することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の電源電圧制御装置。
- 前記第2プリセット値格納手段は、前回のシステムクロック周波数に対応する電源電圧制御動作により求めた電源電圧収束値を、格納している前記第2プリセット値と置き換え、次回の同じシステムクロック周波数に対応する電源電圧制御動作時の電源電圧プリセット値として用いることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の電源電圧制御装置。
- 前記第2のプリセット値格納手段は、システムクロック信号を分周する第1分周回路の出力信号と前記電圧制御発振手段により生成されたクロック信号を分周する第2分周手段の出力信号とが一定期間安定した時に使用した電源電圧値を第2プリセット値として格納することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の電源電圧制御装置。
- 前記電源電圧発生手段は、前記内部回路及び前記電圧制御発振手段に供給する高電位側電源電圧又は低電位側電源電圧のいずれかの電圧を発生することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の電源電圧制御装置。
- 前記電源電圧発生手段は、前記内部回路及び前記電圧制御発振手段に供給する高電位側電源電圧と低電位側電源電圧の両方の電圧を発生することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の電源電圧制御装置。
- 電源電圧測定モード時に、全システムクロック周波数に対する電源電圧収束値を測定し、該電源電圧収束値をメモリ内に電源電圧設定値として格納し、通常動作モード時に、各内部回路毎にシステムクロック周波数に応じてメモリ内の前記電源電圧設定値を読み出して出力することにより最適な電源電圧を供給することを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の電源電圧制御装置。
- 複数の内部回路ブロック毎に、独立して電源電圧制御を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の電源電圧制御装置。
- 前記制御手段は、電源電圧制御動作を行わない時に、前記電圧制御発振手段、前記比較手段の動作を停止する制御を行うことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電源電圧制御装置。
- 内部回路に供給する電源電圧を発生する電源電圧発生手段と、
複数のシステムクロック周波数に対応する所定の動作電源電圧を電源電圧設定値として記憶させたプリセット値格納手段と、
システムクロック周波数が高い周波数から低い周波数に切り替わった後に、プリセット値格納手段に記憶されている前記低い周波数に対応する電源電圧設定値を読み出し、該電源電圧設定値を動作電源電圧値として出力し、
システムクロック周波数が低い周波数から高い周波数に切り替わる前に、プリセット値格納手段に記憶されている前記高い周波数に対応する電源電圧設定値を読み出し、該電源電圧設定値を動作電源電圧値として出力する制御を行う制御手段と
を備えることを特徴とする電源電圧制御装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005312811A JP4542978B2 (ja) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 電源電圧制御装置 |
TW095139351A TW200727570A (en) | 2005-10-27 | 2006-10-25 | Power supply voltage control apparatus |
KR1020060104484A KR20070045952A (ko) | 2005-10-27 | 2006-10-26 | 전원 전압 제어 장치 |
US11/553,145 US7501868B2 (en) | 2005-10-27 | 2006-10-26 | Power supply voltage control apparatus |
CN2011102745443A CN102315772A (zh) | 2005-10-27 | 2006-10-26 | 电源电压控制装置 |
CN2006101375005A CN1956308B (zh) | 2005-10-27 | 2006-10-26 | 电源电压控制装置 |
US12/360,475 US7808306B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-01-27 | Power supply voltage control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005312811A JP4542978B2 (ja) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 電源電圧制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007124213A JP2007124213A (ja) | 2007-05-17 |
JP4542978B2 true JP4542978B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=37995464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005312811A Expired - Fee Related JP4542978B2 (ja) | 2005-10-27 | 2005-10-27 | 電源電圧制御装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7501868B2 (ja) |
JP (1) | JP4542978B2 (ja) |
KR (1) | KR20070045952A (ja) |
CN (2) | CN1956308B (ja) |
TW (1) | TW200727570A (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4542978B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 電源電圧制御装置 |
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- 2005-10-27 JP JP2005312811A patent/JP4542978B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-25 TW TW095139351A patent/TW200727570A/zh unknown
- 2006-10-26 KR KR1020060104484A patent/KR20070045952A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-10-26 US US11/553,145 patent/US7501868B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-26 CN CN2006101375005A patent/CN1956308B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-26 CN CN2011102745443A patent/CN102315772A/zh not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-01-27 US US12/360,475 patent/US7808306B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
US7808306B2 (en) | 2010-10-05 |
KR20070045952A (ko) | 2007-05-02 |
US20070096781A1 (en) | 2007-05-03 |
CN1956308B (zh) | 2011-11-09 |
US7501868B2 (en) | 2009-03-10 |
CN102315772A (zh) | 2012-01-11 |
CN1956308A (zh) | 2007-05-02 |
US20090128118A1 (en) | 2009-05-21 |
TW200727570A (en) | 2007-07-16 |
JP2007124213A (ja) | 2007-05-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080731 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |