JP4542587B2

JP4542587B2 - 電子部品検査装置用配線基板

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Publication number: JP4542587B2
Application number: JP2008023722A
Authority: JP
Inventors: 一哉野津
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2008-02-04
Filing date: 2008-02-04
Publication date: 2010-09-15
Anticipated expiration: 2028-02-04
Also published as: TW200935059A; US20090200067A1; JP2009188009A; KR101578933B1; KR20090085542A; TWI432732B

Description

本発明は、複数の電子部品の電気的特性を同時に精度良く検査するための電子部品検査装置用配線基板に関する。

例えば、Ｓｉウェハの表面に沿って形成された多数の電子部品の電気的特性を同時に検査するため、全体が上記Ｓｉウェハと相似形の円盤形状を呈し、その一面に、上記Ｓｉウェハにおける多数の被検査電子部品が縦横に隣接して連続して配置されたレイアウトに対応して、個々の被検査電子部品を検査するための複数のプローブを植設した単位検査パターンを、縦横に隣接して連続して配置したプローブ組立体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７−３３３４号公報（第１〜１１頁、図１〜７）

しかし、前記特許文献１のプローブ組立体のように、１つの電子部品を検査するための単位検査パターンを、縦横に隣接し且つ連続して配置した場合、隣接する単位検査パターンとのスペースが狭くなる。また、電子部品自体の端子数が増加するに伴い、プローブが取り付けられる検査用パッドも密集して配置されるので、隣接する検査用パッド同士の間隔も狭くなる。
このため、例えば、単位検査パターンにおいて、プローブが取り付けられる検査用パッドを小径化し得ても、かかる小径化した検査用パッドとは別に形成され、且つセラミック基板内部のビア導体と該検査用パッドとを、電気的に接続するカバーパッドも大きくすることができない。

しかも、プローブ組立体をセラミック基板で構成する場合、該セラミック基板の外周辺部では、その中央部に対し、焼成時に収縮の影響が大きくなるため、焼成工程において検査用パッドの位置精度の制御が困難となる。その結果、多数の電子部品を、同時に精度良く検査できる電子部品検査装置用配線基板を提供することが困難であった。

本発明は、例えば、Ｓｉウェハの表面に形成された複数の電子部品の電気的特性を、同時に精度良く検査するための電子部品検査装置用配線基板を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、セラミック基板の表面において、１つの被検査電子部品を検査するための単位検査パターンを、縦横方向および横方向の少なくとも一方にずらして配置する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の電子部品検査装置用配線基板（請求項１）は、複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、係る基板本体の表面に形成された表面端子電極と、を含む電子部品検査装置用配線基板であって、１つの被検査電子部品が有する複数の端子電極にそれぞれ対応するように配置された複数の上記表面端子電極で構成される単位検査パターンは、平面視で格子状配置から縦方向および横方向の少なくとも一方にずれて配置され、上記表面端子電極の一部は、少なくとも上記単位検査パターン内に形成される検査用パッド、上記基板本体の表面に露出するビア導体と接続されるカバーパッド、およびこれらの両パッド間を接続する接続配線を備える、ことを特徴とする。
上記ずれは、単位検査パターンのサイズよりも小である。

これによれば、前記基板本体の表面において、複数の単位検査パターンは、平面視で格子状配置から縦方向および横方向の少なくとも一方にずれて配置されているので、隣接する単位検査パターンとの間には、該パターンのない表面が位置している。
このため、個々の単位検査パターンにおいて、表面端子電極を構成し、且つプローブが取り付けられる検査用パッドが小径化したり、隣接する検査用パッドとの間が小ピッチ化しても、該検査用パッドに接続配線を介して接続し、且つ基板本体内のビア導体とも接続するカバーパッドを大きくして配置することができる。

更に、複数のセラミック層からなる基板本体の表面に、複数の単位検査パターンを前記のように配置した場合、該基板本体の周辺部では、その中央部に対し、焼成収縮に伴う位置精度の影響があっても、前記のように単位検査パターン間の表面で大きなカバーパッドを形成できるので、製造時の収縮管理が容易となる。

しかも、隣接する単位検査パターン同士の間に該パターンのない表面が位置するため、例えば、１つの単位検査パターンの内側に表面端子電極を構成する検査用パッドを、該パターンの外側の上記表面に大きなカバーパッドを、両パッド間で且つ単位検査パターンの境界に跨って接続配線を形成することができる。そのため、各検査用パッドへの給電や、被検査電子部品における端子電極ごとの検査信号の送信を、精度良く確実に行わしめることが可能となる。

従って、以上のような本発明の電子部品検査装置用配線基板によれば、Ｓｉウェハなどに形成された多数の電子部品の電気的特性を、同時に精度および効率良く検査することが可能となる。同時に検査される電子部品は、例えば、縦横に隣接する電子部品群のうち、例えば、縦または横方向に１列置きのグループのものや、縦横方向の双方で１パターン置きのグループのものなどが含まれる。

尚、前記セラミック層は、アルミナなどからなる高温焼成セラミック、あるいは、ガラス−セラミックなどからなる低温焼成セラミックからなる。
また、前記表面端子電極は、例えば、Ｔｉ薄膜層、Ｎｉ薄膜層、およびＣｕメッキ層の積層体と、その全表面を覆うＮｉおよびＡｕメッキ層で形成される。
更に、前記単位検査パターンは、前記基板本体の表面において、１つの被検査電子部品（被検査デバイス）が有する複数の端子電極に対応するように配置される複数の前記表面端子電極を構成している後述する複数の検査用パッドによって、初めて構成されるものである。

尚、前記表面端子電極には、前記検査用パッド、カバーパッド、および接続配線の全てが単位検査パターンの内側に形成された形態のほか、ビア導体が直に接続される検査用パッドのみからなる形態も含まれる。
また、上記検査用パッド、カバーパッド、および接続配線は、研磨された表面に形成されたＴｉ薄膜層、Ｎｉ薄膜層、およびＣｕメッキ層の積層体と、該積層体の全表面にメッキされたＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層とから構成される。

更に、本発明には、前記単位検査パターンは、平面視で矩形を呈し、該単位検査パターンの各辺に沿って複数の検査用パッドが形成され、これらに囲まれた内側または該単位検査パターンの外側に各検査用パッドと専用の接続配線を介して個別に接続されたカバーパッドが形成され、係るカバーパッドには、前記基板本体において、少なくとも表面を形成する最上層のセラミック層を貫通するビア導体が接続されている、電子部品検査装置用配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、１つの単位検査パターンの各辺に沿って、当該パターンの内側に検査用パッドを、上記パターンの外側で隣接する単位検査パターンとの間の表面に大きなカバーパッドを、それぞれ容易に形成できると共に、両パッド間で且つ単位検査パターンの境界に跨って接続配線を容易に形成することが可能となる。

また、本発明には、前記カバーパッドは、前記検査用パッドよりも大きい、電子部品検査装置用配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、単位検査パターン内の検査用パッドが小径化されても、該検査用パッドに対し、これよりも大きなカバーパッドを介して、前記ビア導体が導通されるので、検査用パッドへの給電や、被検査電子部品の検査信号の送電を、精度良く確実に行なわしめることができる。
更に、本発明には、前記カバーパッドは、接続すべき前記ビア導体よりも大径である、電子部品検査装置用配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、大径のカバーパッドにビア導体を容易に接続できるので、複数のセラミック層からなる基板本体が製造時の焼成収縮による影響を受けても、該カバーパッドとビア導体との導通、および該カバーパッドを介したビア導体と検査用パッドとの導通を確実に取ることができる。

加えて、本発明には、前記カバーパッドの直径は、前記ビア導体の直径の２．５倍以上である、電子部品検査装置用配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、大径のカバーパッドにビア導体を確実且つ容易に接続できる。
尚、カバーパッドの直径がビア導体の直径の２．５倍未満になると、製造時の焼成収縮の影響を受け易くなるので、かかる範囲を除外した。一方、ビア導体の直径に対するカバーパッドの直径の上限は、特に規定されないが、隣接して配置されるカバーパッドとの間隔を確保するためには、大体４倍程度が目安となる。

以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明と参考形態とに共通する電子部品検査装置用配線基板（以下、単に配線基板と言う）Ｋの要部と検査対象のＳｉウェハＷの一部とを示す断面図、図２は、参考形態の配線基板Ｋの表面２の一部を示す平面図、図３は、図２中の部分拡大図で、且つ本発明とも共通するものである。
配線基板Ｋは、図１，図２に示すように、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ８を積層してなり、表面２および裏面３を有する基板本体１と、該基板本体１の表面２に形成された複数の表面端子電極ｆと、を含んでいる。
基板本体１は、図１に示すように、セラミック層ｓ１〜ｓ５からなる第１積層体Ｃ１と、その下側に積層され且つセラミック層ｓ６〜ｓ８からなる第２積層体Ｃ２とからなる。第１積層体Ｃ１のセラミック層ｓ１〜ｓ５間には、電源用の配線層５，接地用である一対の配線層６，７、およびこれら挟まれた信号用の配線層８が形成されている。かかる配線層５〜８、および表面端子電極ｆのカバーパッドｃｐの相互間は、配線層５〜８を通過させるための貫通孔ｈを含むセラミック層ｓ１〜ｓ５を貫通するビア導体ｖを介して導通可能とされている。

一方、第２積層体Ｃ２のセラミック層ｓ６〜ｓ８間には、連続した比較的長いビア導体Ｖが貫通し、裏面３に形成した裏面電極９と接続されている。第１および第２積層体Ｃ１，Ｃ２の境界であるセラミック層ｓ５，ｓ６間には、前者のビア導体ｖと後者のビア導体Ｖとを接続する大径のランド１０が配置されている。
尚、前記セラミック層ｓ１〜ｓ８は、アルミナなどの高温焼成セラミック、または、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなり、これらに応じて、配線層５〜８、ビア導体ｖ，Ｖ、およびランド１０の導体にも、ＷまたはＭｏ、あるいは、ＡｇまたはＣｕなどが用いられる。

図１，図２に示すように、基板本体１の表面２の上方には、検査すべきＳｉウェハＷが追って配設され、その表面に沿って、縦横方向に沿って隣接してＩＣチップなどの多数の電子部品ｃ１〜ｃｎが形成されている。１つの被検査電子部品ｃｎが有する複数の端子電極ｍにそれぞれに対応するように、基板本体１の表面２には、上記端子電極ｍと同数の表面端子電極ｆが配置されている。更に、これらの表面端子電極ｆによって構成される単位検査パターンａが、表面２に配置されている。
尚、上記単位検査パターンａを示す図２，図３中の矩形（長方形）の破線は、平面視でほぼ矩形枠を呈する複数の表面端子電極ｆにおいて、これらを構成する複数の検査用パッドｐの最外側に接する接線が囲む平面視で矩形の想像線である。

表面端子電極ｆは、図２，図３に示すように、単位検査パターンａの各辺の内側に沿って形成され、追ってプローブＰが取り付けられる検査用パッドｐと、単位検査パターンａの各辺の外側または内側に形成され、少なくとも最上層のセラミック層ｓ１を貫通するビア導体ｖに接続して形成されたカバーパッドｃｐと、かかる両パッドｐ，ｃｐ間を接続する接続配線４とを備えている。
尚、図示しないが、表面端子電極ｆには、ビア導体ｖと直に接続する検査用パッドｐのみからなる表面端子電極ｆも含まれる。また、検査用パッドｐ、接続配線４、およびカバーパッドｃｐを含む表面端子電極ｆは、平坦に研磨された表面２上に成膜されたＴｉ薄膜層、Ｎｉ薄膜層、およびその上に積層されたＣｕメッキ層と、これらの全表面に被覆されたＮｉおよびＡｕメッ層とから構成される。
１つの単位検査パターンａにおいて対向する辺ごとに沿って形成された表面端子電極ｆごとの検査用パッドｐは、図１に示すように、追って取り付けられるプローブＰを介して、電子部品ｃｎごとの端子電極ｍと導通可能とされている。

図２に示すように、参考形態の配線基板Ｋの表面２において、複数の表面端子電極ｆから構成される単位検査パターンａは、次のようにして配置されている。平面視で縦横に規則的に配置され、且つ単位検査パターンａの短辺よりも大きな間隔を置いた縦方向に沿っての仮想線Ｌ１〜Ｌ３と、同様に配置され且つ上記パターンａの長辺よりも大きな間隔を置いた横方向の仮想線Ｎ１〜Ｎ４とにおいて、両仮想線Ｌｎ，Ｎｎの交点ｊと単位検査パターンａごとの重心（中心）ｇとは、１つ置きに重なり、且つ１つ置きに交点ｊのみが位置するように、単位検査パターンａが配置されている。
換言すると、参考形態の配線基板Ｋの表面２の縦横方向において、複数の単位検査パターンａは、縦方向および横方向に沿って、隣接する単位検査パターンａとの間に、１つの該パターンａの長さ（長辺）および幅（短辺）よりも大きな間隔を置いて、即ち、縦および横方向にずれるようにして配置されている。

図２に示すように、複数の単位検査パターンａは、縦方向および横方向に沿って、隣接する単位検査パターンａとの間に、ほぼ１つの該パターンａに相当する間隔を置いて配置されている。このため、図３の部分拡大図で例示するように、個々の単位検査パターンａにおいて、該パターンａの各辺の内側に沿って、表面端子電極ｆを構成する複数の検査用パッドｐが配置されても、該検査用パッドｐは、専用の接続配線４を介して、上記パターンａの各辺の外側に沿って配置された大径のカバーパッドｃｐと、確実に接続される。
尚、図２中で示すように、表面端子電極ｆの一部は、単位検査パターンａの内側に、検査用パッドｐ、接続配線４、およびカバーパッドｃｐの全てを有する形態としても良い。あるいは、一部の表面端子電極ｆは、ビア導体ｖと直に接続する検査用パッドｐのみからなる形態としても良い。

図４は、図３中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分断面図である。
図３，図４に示すように、個々の表面端子電極ｆにおいて、カバーパッドｃｐの直径ｄ２は、検査用パッドｐの直径ｄ１よりも大径である。更に、カバーパッドｃｐの直径ｄ２は、その底面に接続されるビア導体ｖの直径ｄ３の２．５倍以上である。因みに、検査用パッドｐの直径ｄ１は、約９０〜１００μｍで、隣接する検査用パッドｐ，ｐ間のピッチは、約１２０〜１５０μｍである。また、カバーパッドｃｐの直径ｄ２は、約１５０〜２１０μｍであり、ビア導体ｖの直径ｄ３は、約７０〜８５μｍである。
このため、複数の単位検査パターンａを表面２に有する基板本体１を、複数のグリーンシートを積層した後に焼成して、前記セラミックｓ１〜ｓ８とする焼成工程で焼成収縮が生じても、平面視における基板本体１の中心部はもとより、その外周辺部に位置する単位検査パターンａにおいても、ビア導体ｖとカバーパッドｃｐとが確実に接続される。

その結果、前記図１で示したように、基板本体１の裏面３側の裏面パッド９から、ビア導体Ｖ，ｖ、ランド１０、配線層５〜８を介して、給電された電流は、カバーパッドｃｐおよび接続配線４を介して、検査用パッドｐに送電される。そして、該検査用パッドｐに取り付けられる前記プローブＰを介して、ＳｉウェハＷの被検査電子部品ｃｎごとの端子電極ｍから、その内部に給電される。
一方、被検査電子部品ｃｎごとの端子電極ｍから検出された検査信号は、上記と逆の経路を経て、基板本体１の裏面３側の裏面パッド９に送信され、更に、これから外部の測定装置（図示せず）に送信される。

図５〜図７は、前記検査用パッドｐごとに前記プローブＰを取り付けた前記第３の配線基板Ｋによる検査の順序を示す概略図である。
図５に示すように、ＳｉウェハＷの表面には、縦横に隣接して多数の電子部品ｃ１〜ｃ５３が格子状に形成されている。先ず、図６中で斜めのクロスハッチングで示すように、前記配線基板Ｋにおいて、前記配置パターンを有する複数の単位検査パターンａによって、奇数番号の電子部品ｃ１，ｃ３…ｃ５３を同時に検査する。次に、例えば、配線基板Ｋを横方向に単位検査パターンａのほぼ幅サイズ相当分移動させた、単位検査パターンａによって、図７中の縦横のクロスハッチングで示すように、偶数番号の電子部品ｃ２，ｃ４…ｃ５２を同時に検査する。
上記配線基板Ｋの移動を横方向または縦方向に沿って、繰り返すことによって、ＳｉウェハＷに形成された多数の電子部品ｃ１〜ｃｎを、精度および効率良く検査することが可能となる。

図８は、異なる参考形態の配線基板Ｋの前記基板本体１の表面２における単位検査パターンａの配置形態を示す部分平面図である。図８に示すように、複数の単位検査パターンａは、表面２において平面視で格子状配置から縦方向に沿って、横１列の単位検査パターンａ相当分の間隔を置いて配置されている。このため、個々の単位検査パターンａでは、上下で対向する一対の短辺の内側に沿って、検査用パッドｐを配置し、上記一対の短辺の外側に沿って、カバーパッドｃｐを配置し、これらのパッドｐ，ｃｐ間を上記一辺の短辺を跨ぐ接続配線４が接続している。尚、単位検査パターンａの左右で対向する一対の長辺付近では、表面端子電極ｆの全体が該パターンａの内側に配置される形態と、上記同様の形態とが併設される。
図８に示す配置形態を有する第２の配線基板Ｋによれば、前記ＳｉウェハＷにおける多数の電子部品ｃｎに対し、配線基板１を縦方向に沿って、前記横１列の単位検査パターンａ相当分をずらして移動することで、多くの電子部品ｃｎを精度および効率良く検査することが可能となる。

また、図９は、異なる参考形態の配線基板Ｋにおける単位検査パターンａの異なる配置形態を示す部分平面図である。図９に示すように、複数の単位検査パターンａは、配線基板Ｋの表面２において、平面視で格子状配置から横方向に沿って、縦１列の単位検査パターンａ相当分を置いて配置されている。このため、個々の単位検査パターンａでは、左右で対向する一対の長辺の内側に沿って、検査用パッドｐを配置し、上記一対の長辺の外側に沿って、カバーパッドｃｐを配置し、これらのパッドｐ，ｃｐ間を上記一辺の長辺を跨ぐ接続配線４が接続している。尚、単位検査パターンａの上下で対向する一対の短辺付近では、表面端子電極ｆの全体が該パターンａの内側に配置される形態と、上記同様の形態とが併設される。
図９に示す配置形態を有する第２の配線基板Ｋによれば、前記ＳｉウェハＷにおける多数の電子部品ｃｎに対し、配線基板１を横方向に沿って、前記縦１列の単位検査パターンａ相当分をずらして移動することで、多くの電子部品ｃｎを精度および効率良く検査することが可能となる。

更に、図１０は、異なる参考形態の配線基板Ｋにおけるにおける更に異なる配置形態の単位検査パターンａを示す部分平面図である。図１０に示すように、複数の単位検査パターンａは、表面２において平面視で格子状配置から縦および横方向に沿って、縦１列ずつおよび横１列ずつの単位検査パターンａ相当分をそれぞれ置いて配置されている。このため、個々の単位検査パターンａでは、四辺ごとの内側に沿って、検査用パッドｐを配置し、四辺ごとの外側に沿って、カバーパッドｃｐを配置し、これらのパッドｐ，ｃｐ間をそれぞれ接続配線４が接続している。尚、一部の表面端子電極ｆは、単位検査パターンａの内側に配置しても良い。
図１０に示す配置形態を有する第２の配線基板Ｋによれば、前記ＳｉウェハＷにおける多数の電子部品ｃｎに対し、配線基板Ｋを縦方向あるいは横方向に沿って、縦１列および横１列の単位検査パターンａ相当分をそれぞれずらして検査した後、更に横方向あるいは縦方向に沿って、上記同様にずらして検査することで、多くの被検査電子部品ｃｎを精度および効率良く検査することが可能となる。

図１１は、本発明の配線基板Ｋの前記基板本体１の表面２における前記単位検査パターンａの配置形態を示す部分平面図である。図１１に示すように、複数の単位検査パターンａは、基板本体１の表面２において平面視で格子状配置から縦方向に沿って、横方向で隣接する単位検査パターンａ，ａを、それらの長辺の約半分ずつずらして配置されている。このため、個々の単位検査パターンａでは、一対の短辺と一対の長辺のうち横方向で隣接する別の単位検査パターンａと接近しない位置とに沿って、カバーパッドｃｐを配置し、これらのパッドｐ，ｃｐ間を接続配線４が接続している。尚、一部の表面端子電極ｆは、全体を単位検査パターンａの内側に配置しても良い。

また、図１２は、本発明の配線基板Ｋにおける前記単位検査パターンａの異なる配置形態を示す部分平面図である。図１２に示すように、複数の単位検査パターンａは、基板本体１の表面２において平面視で格子状配置から横方向に沿って、縦方向で隣接する単位検査パターンａ，ａを、それらの短辺の約半分ずつずらして配置されている。このため、個々の単位検査パターンａでは、一対の長辺と一対の短辺のうち縦方向で隣接する別の単位検査パターンａと接近しない位置とに沿って、カバーパッドｃｐを配置し、これらのパッドｐ，ｃｐ間をそれぞれ接続配線４が接続している。

更に、図１３は、本発明の配線基板Ｋにおける前記単位検査パターンａの更に異なる配置形態を示す部分平面図である。図１２に示すように、複数の単位検査パターンａは、基板本体１の表面２において平面視で格子状配置から縦方向および横方向に沿って、縦横で隣接する単位検査パターンａ，ａを、それらの長辺および短辺のそれぞれ半分以下相当分ずらして配置されている。このため、個々の単位検査パターンａでは、その四辺ごとに沿って、カバーパッドｃｐを配置し、これらのパッドｐ，ｃｐ間を接続配線４が接続している。
以上のような配置形態を有する本発明の配線基板Ｋによっても、前記ＳｉウェハＷにおける多数の電子部品ｃｎに対し、基板本体１を縦方向あるいは横方向に沿って、適宜ずらす操作と検査とを交互に行うことで、多くの被検査電子部品ｃｎを精度および効率良く検査することが可能となる。

本発明は、以上のような各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体は、少なくとも２層以上のセラミック層を積層したものであれば良い。
また、前記単位検査パターンは、検査すべき１つの被検査電子部品が有する複数の端子電極に対応して、平面視で正方形やほぼ正方形を呈する形態としたり、あるいは六角形などの正多角形、変形多角形、円形、長円形、あるいは楕円形などとしても良い。
更に、前記検査用パッドやカバーパッドの形状は、平面視で前記円形の形態に限らず、各コーナにアールを付けた角形状や、正多角形などにしても良い。

本発明および参考形態の配線基板の要部などを示す断面図。参考形態の配線基板の表面の一部を示す平面図。図２中の模式的な部分拡大図および本発明とも共通する部分拡大図。図３中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分断面図。上記参考形態の配線基板の検査対象の一部を示す部分概略図。上記参考形態の配線基板による検査対象の検査状態を示す部分概略図。図６に続く検査対象の検査状態を示す部分概略図。異なる参考形態の配線基板における単位検査パターンの配置形態を示す概略平面図。異なる参考形態の配線基板における単位検査パターンの異なる配置形態を示す概略平面図。異なる参考形態の配線基板における単位検査パターンの更に異なる配置形態を示す概略平面図。本発明の配線基板における単位検査パターンの配置形態を示す概略平面図。本発明の配線基板における単位検査パターンの異なる配置形態を示す概略平面図。本発明の配線基板における単位検査パターンの更に異なる配置形態を示す概略平面図。

Ｋ……………………………電子部品検査装置用配線基板
１……………………………基板本体
２……………………………表面
３……………………………裏面
４……………………………接続配線
ｓ１〜ｓ８…………………セラミック層
ａ……………………………単位検査パターン
ｆ……………………………表面端子電極
ｐ……………………………検査用パッド
ｃｐ…………………………カバーパッド
ｖ……………………………ビア導体
ｃｎ…………………………被検査電子部品
ｍ……………………………端子電極
ｇ……………………………重心
ｄ２，ｄ３…………………直径

Claims

複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に形成された表面端子電極と、を含む電子部品検査装置用配線基板であって、
１つの被検査電子部品が有する複数の端子電極にそれぞれ対応するように配置された複数の上記表面端子電極で構成される単位検査パターンは、平面視で格子状配置から縦方向および横方向の少なくとも一方にずれて配置され、
上記表面端子電極の一部は、少なくとも上記単位検査パターン内に形成される検査用パッド、上記基板本体の表面に露出するビア導体と接続されるカバーパッド、およびこれらの両パッド間を接続する接続配線を備える、
ことを特徴とする電子部品検査装置用配線基板。
前記単位検査パターンは、平面視で矩形を呈し、該単位検査パターンの各辺に沿って複数の検査用パッドが形成され、これらに囲まれた内側または該単位検査パターンの外側に各検査用パッドと専用の接続配線を介して個別に接続されたカバーパッドが形成され、
上記カバーパッドには、前記基板本体において、少なくとも表面を形成する最上層のセラミック層を貫通するビア導体が接続されている、
請求項１に記載の電子部品検査装置用配線基板。
前記カバーパッドは、前記検査用パッドよりも大きい、
請求項１または２に記載の電子部品検査装置用配線基板。
前記カバーパッドは、接続すべき前記ビア導体よりも大径である、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。
前記カバーパッドの直径は、前記ビア導体の直径の２．５倍以上である、
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子部品検査装置用配線基板。