JP4525965B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 197
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5225—Shielding layers formed together with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
この発明の別の局面に従った半導体装置は、第1方向と、第1方向に直角な第2方向とに広がる主表面を有する半導体基板と、半導体基板上に形成された容量素子とを備える。容量素子は、第1方向に延び、一方電極として機能する複数の第1の配線と、第1方向に延び、他方電極として機能する複数の第2の配線と、複数の第1の配線それぞれと複数の第2の配線それぞれとの間に設けられた第1絶縁膜とを有する。半導体装置は、第1方向に延び、固定電位が与えられ、第1の配線または第2の配線に隣り合うように配置された第3の配線をさらに備える。第2方向に所定間隔で第1の配線と第2の配線とが交互に繰り返されるように並んでいる。半導体基板は、第3の配線が電気的に接続され、主表面に第1の導電型の第1ウェル層を含む。第1ウェル層は、接地電位および電源電位のいずれか一方に固定されている。
図1は、この発明の実施の形態1における半導体装置の断面図である。図2は、図1中の矢印II−II線上に沿った半導体装置の平面図である。
この発明の実施の形態2における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態3における半導体装置は、実施の形態1における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態4における半導体装置は、実施の形態1および3における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態5における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態6における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態7における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態8における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態9における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態10における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態11における半導体装置は、実施の形態7における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態12における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態13における半導体装置は、実施の形態8における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態14における半導体装置は、実施の形態4における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態15における半導体装置は、実施の形態14における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
この発明の実施の形態16における半導体装置は、実施の形態15における半導体装置と比較して基本的には、同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
図26は、この発明の実施の形態17における半導体装置の設計方法によって製造された半導体装置を示す平面図である。図26を参照して、半導体装置83は、Y方向において、引き出し端子セル80および81と、引き出し端子セル80および81の間に配置された単位容量セル82とが組み合わさった形状を有する。引き出し端子セル80および81は、図10中に示す半導体装置の配線41および42側の配線構造を備え、単位容量セル82は、配線41と配線42との間における所定の幅の配線構造を備える。引き出し端子セル80および81ならびに単位容量セル82は、実施の形態14に記載の所定の占有率を満たすように、X方向の長さが決定されている。
Claims (23)
- 主表面を含む半導体基板と、
前記主表面上の容量形成領域に形成され、所定の方向に延びる複数の第1配線と、
前記容量形成領域の周縁に配置された前記第1配線に隣り合い、前記所定の方向に延び、電位固定された第2配線と、
前記主表面上に形成され、前記複数の第1配線の各々の間と、隣り合う前記第1配線および前記第2配線の間とを充填する絶縁体層とを備え、
前記複数の第1配線および前記第2配線は、前記主表面に平行な第1平面内に配置され、かつ前記所定の方向に対して直角方向に並んで配置され、
前記半導体基板は、前記第2配線が電気的に接続され、前記主表面に第1の導電型の第1ウェル層を含み、前記第1ウェル層は、接地電位および電源電位のいずれか一方に固定されている、半導体装置。 - 前記第2配線は、複数設けられ、前記第1平面内に配置された前記複数の第1配線の両端に設けられている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1配線および前記第2配線は、互いに間隔を隔てた複数の前記第1平面内において形成されている、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1配線は、前記主表面から前記主表面に隣り合う前記第1配線までの距離が、前記複数の第1平面間の距離よりも大きくなるように配置された第1配線を含む、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1配線と前記主表面との間および前記第1配線と前記第2配線との間の少なくともいずれか一方の位置に配置され、前記所定の方向に延び、浮遊電位とされたフローティング配線をさらに備える、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記主表面に平行な第2平面内において互いに間隔を隔てて前記所定の方向に延びる複数の第3配線をさらに備え、
前記第2平面と前記主表面との間には、前記容量形成領域が位置する、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1配線と前記第3配線との間に配置され、前記所定の方向に延び、浮遊電位とされたフローティング配線をさらに備える、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1配線および前記第2配線は、互いに間隔を隔てた複数の前記第1平面内において形成されており、
前記複数の第1配線は、前記第2平面から前記第2平面に隣り合う前記第1配線までの距離が、前記複数の第1平面間の距離よりも大きくなるように配置された第1配線を含む、請求項6または7に記載の半導体装置。 - 前記第1配線および前記第2配線は、銅金属を含有している、請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、前記容量形成領域の直下であって前記主表面から離れた位置で、前記第1ウェル層に平行に延びる第2の導電型の第2ウェル層をさらに含み、
前記第2ウェル層は、接地電位および電源電位のうち前記第1ウェル層が固定された電位とは異なる電位に固定されている、請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記容量形成領域の周縁に配置された前記第1配線は、他の前記複数の第1配線と比較して、低いインピーダンスを有する、請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、前記主表面に所定の領域と活性領域とを含み、前記所定の領域の直上に前記複数の第1配線および前記第2配線が配置され、前記所定の領域内において前記所定の領域に対して前記活性領域が占める面積の割合は、25%以上である、請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記活性領域は、相対的に小さいインピーダンスを有する前記第1配線の直下に位置し、かつ、相対的に大きいインピーダンスを有する前記第1配線の直下からずれて位置している、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1配線は、第1の電極として用いられる配線から一方向に延びる櫛の歯と、第2の電極として用いられる別の配線から前記櫛の歯とは反対方向に延びる別の櫛の歯とが交互に入り組んだ櫛の歯状に配置されている、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1配線および前記第2配線は、前記第1平面内に等しい間隔を隔てて配置され、かつ前記所定の方向に対して直角方向に並んで配置されている、請求項1から14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1方向と、前記第1方向に直角な第2方向とに広がる主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された容量素子とを備え、
前記容量素子は、
前記第1方向に延び、一方電極として機能する複数の第1の配線と、
前記第1方向に延び、他方電極として機能する複数の第2の配線と、
前記複数の第1の配線それぞれと前記複数の第2の配線それぞれとの間に設けられた第1絶縁膜とを有し、
前記第1方向に延び、固定電位が与えられ、前記第1の配線または前記第2の配線に隣り合うように配置された第3の配線をさらに備え、
前記第2方向に所定間隔で前記第1の配線と前記第2の配線とが交互に繰り返されるように並んでおり、
前記半導体基板は、前記第3の配線が電気的に接続され、前記主表面に第1の導電型の第1ウェル層を含み、前記第1ウェル層は、接地電位および電源電位のいずれか一方に固定されている、半導体装置。 - 前記主表面上の容量形成領域に前記複数の第1の配線と前記複数の第2の配線とが設けられ、
前記容量形成領域の周縁に前記第3の配線が設けられる、請求項16に記載の半導体装置。 - 前記複数の第1の配線、前記複数の第2の配線および前記第3の配線は、前記主表面に平行な第1平面に設けられ、
前記複数の第1の配線、前記複数の第2の配線および前記第3の配線は、互いに間隔を隔てた複数の前記第1平面内において形成されている、請求項16に記載の半導体装置。 - 前記第1の配線、前記第2の配線および前記第3の配線は、銅金属を含有している、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、前記容量素子の直下であって前記主表面から離れた位置で、前記第1ウェル層に平行に延びる第2の導電型の第2ウェル層をさらに含み、前記第2ウェル層は、接地電位および電源電位のうち前記第1ウェル層が固定された電位とは異なる電位に固定されている、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、前記主表面に所定の領域と活性領域とを含み、前記所定の領域の直上に前記複数の第1の配線、前記複数の第2の配線および前記第3の配線が配置され、前記所定の領域内において前記所定の領域に対して前記活性領域が占める面積の割合は、25%以上である、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1の配線それぞれの一端は、前記第2方向に延びる第4の配線に接続され、前記複数の第2の配線それぞれの一端は、前記第2方向に延びる第5の配線に接続される、請求項16に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1の配線、前記複数の第2の配線および前記第3の配線は、前記主表面に平行な第1平面内に等しい間隔を隔てて前記第2方向に並んで配置されている、請求項16に記載の半導体装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000976A JP4525965B2 (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | 半導体装置 |
US11/013,514 US7276776B2 (en) | 2004-01-06 | 2004-12-17 | Semiconductor device |
US11/845,348 US7446390B2 (en) | 2004-01-06 | 2007-08-27 | Semiconductor device |
US11/845,339 US7557427B2 (en) | 2004-01-06 | 2007-08-27 | Semiconductor device |
US12/485,528 US7915708B2 (en) | 2004-01-06 | 2009-06-16 | Semiconductor device |
US13/030,861 US8237282B2 (en) | 2004-01-06 | 2011-02-18 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000976A JP4525965B2 (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010049370A Division JP2010153905A (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197396A JP2005197396A (ja) | 2005-07-21 |
JP4525965B2 true JP4525965B2 (ja) | 2010-08-18 |
Family
ID=34708983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004000976A Expired - Fee Related JP4525965B2 (ja) | 2004-01-06 | 2004-01-06 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7276776B2 (ja) |
JP (1) | JP4525965B2 (ja) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8744384B2 (en) | 2000-07-20 | 2014-06-03 | Blackberry Limited | Tunable microwave devices with auto-adjusting matching circuit |
JP4525965B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2010-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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JP4548082B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 容量素子及び同容量素子を有する半導体装置 |
JP4805600B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2011-11-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP4713936B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-06-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9406444B2 (en) | 2005-11-14 | 2016-08-02 | Blackberry Limited | Thin film capacitors |
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- 2004-12-17 US US11/013,514 patent/US7276776B2/en active Active
-
2007
- 2007-08-27 US US11/845,339 patent/US7557427B2/en active Active
- 2007-08-27 US US11/845,348 patent/US7446390B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-16 US US12/485,528 patent/US7915708B2/en active Active
-
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- 2011-02-18 US US13/030,861 patent/US8237282B2/en active Active
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US20090250788A1 (en) | 2009-10-08 |
US7276776B2 (en) | 2007-10-02 |
US20110140277A1 (en) | 2011-06-16 |
US20070296059A1 (en) | 2007-12-27 |
US20050145987A1 (en) | 2005-07-07 |
JP2005197396A (ja) | 2005-07-21 |
US7446390B2 (en) | 2008-11-04 |
US20080001255A1 (en) | 2008-01-03 |
US7557427B2 (en) | 2009-07-07 |
US8237282B2 (en) | 2012-08-07 |
US7915708B2 (en) | 2011-03-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100107 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140611 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |