JP4525045B2 - 磁気センサの製造方法 - Google Patents
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Description
Transducers 93’, 1993 The 7th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators, p.892-895
上記製造方法によれば、前記低抵抗層が、溝の斜面や大きな段差部分で不良が発生し易い金属膜のエッチングを用いずに、セルフアラインにより、高濃度不純物拡散領域上に形成できる。従って、磁気センサの製造不良が低減される。尚、得られる磁気センサの効果は上記したとおりである。
図1(a),(b)に、本実施形態における磁気センサ100の模式図を示す。図1(a)は、磁気センサ100の上視図であり、図1(b)は図1(a)におけるB−Bの断面図である。尚、図1(a),(b)に示す磁気センサ100おいて、図8(a),(b)に示す磁気センサ90と同様の部分については、同一の符号を付けた。
第1実施形態の磁気センサは、電極配線として、高濃度不純物拡散領域上にサリサイド技術による金属シリサイド層が形成された磁気センサであった。本実施形態の磁気センサは、高濃度不純物拡散領域上に選択成長によるアルミニウム(Al)層もしくはタングステン(W)層が形成された磁気センサに関する。以下、本実施形態について図に基づいて説明する。
第2実施形態の磁気センサは、電極配線として、高濃度不純物拡散領域上に選択成長によるAl層もしくはW層が形成された磁気センサであった。本実施形態の磁気センサは、高濃度不純物拡散領域上に、電界メッキによる銅(Cu)層が形成された磁気センサに関する。以下、本実施形態について図に基づいて説明する。
第1〜第3実施形態の磁気センサは、いずれも電極配線として、高濃度不純物拡散領域上に選択成長による金属シリサイド層もしくは金属層が形成された磁気センサであった。本実施形態の磁気センサは、高濃度不純物拡散領域上に、選択成長ではなく、インクジェット装置によって金属層が形成された磁気センサに関する。以下、本実施形態について図に基づいて説明する。
第4実施形態の磁気センサは、電極配線として、高濃度不純物拡散領域上に、インクジェット装置によって金属層が形成された磁気センサであった。本実施形態の磁気センサは、金属膜を全面に形成した後、ピーリングで余分な金属膜を剥がすことによって、高濃度不純物拡散領域上のみに金属層が形成された磁気センサに関する。以下、本実施形態について図に基づいて説明する。
上記の各実施形態においては、{100}面方位のSi基板1が用いられ、Si基板1に形成された溝1tの斜面に、ホール素子21,22が形成されていた。本発明の高濃度不純物拡散領域上に低抵抗層が磁気センサは、上記に限らず、{110}面方位や{111}面方位のSi基板を用いた磁気センサであってもよい。また、溝1tの底面にホール素子が形成された磁気センサにも効果的である。
1 半導体(シリコン)基板
21,22 低濃度不純物拡散領域(ホール素子)
3 LOCOS酸化膜
4 高濃度不純物拡散領域
50 金属シリサイド層(低抵抗層)
51 選択成長によるAl層(低抵抗層)
52 選択成長によるW層(低抵抗層)
53 電界メッキによるCu層(低抵抗層)
54 インクジェット装置による金属層(低抵抗層)
55 ピーリングによる金属層(低抵抗層)
Claims (6)
- 半導体基板に溝が形成され、
前記溝の表面に、ホール素子である低濃度不純物拡散領域と、電極配線パターンを有し前記低濃度不純物拡散領域に接続する高濃度不純物拡散領域とが形成され、
前記高濃度不純物拡散領域上に、当該高濃度不純物拡散領域より抵抗値の低い、低抵抗層が積層されてなる磁気センサの製造方法であって、
半導体基板に、溝を形成する溝形成工程と、
前記ホール素子と電極配線を合わせた形状のパターンで、低濃度不純物拡散領域を形成する低濃度不純物拡散領域形成工程と、
前記ホール素子となる低濃度不純物拡散領域の上部に、LOCOS酸化膜を形成するLOCOS酸化膜形成工程と、
前記LOCOS酸化膜をマスクにして、イオン注入により、高濃度不純物拡散領域を電極配線形状のパターンに形成する高濃度不純物拡散領域形成工程と、
前記LOCOS酸化膜を残存した状態で、前記電極配線形状のパターンに形成された高濃度不純物拡散領域上に、自己整合(セルフアライン)する低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、を有してなることを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記半導体基板が、シリコン基板であり、
前記低抵抗層が、金属シリサイド層であって、
当該金属シリサイド層を、サリサイド技術により形成することを特徴とする請求項1に記載の磁気センサの製造方法。 - 前記低抵抗層が、アルミニウム(Al)層もしくはタングステン(W)層であり、
当該Al層もしくはW層を、CVDによる選択成長で形成することを特徴とする請求項1に記載の磁気センサの製造方法。 - 前記低抵抗層が、銅(Cu)層であり、
当該Cu層を、電界メッキにより形成することを特徴とする請求項1に記載の磁気センサの製造方法。 - 半導体基板に溝が形成され、
前記溝の表面に、ホール素子である低濃度不純物拡散領域と、電極配線パターンを有し前記低濃度不純物拡散領域に接続する高濃度不純物拡散領域とが形成され、
前記高濃度不純物拡散領域上に、当該高濃度不純物拡散領域より抵抗値の低い、低抵抗層が積層されてなる磁気センサの製造方法であって、
半導体基板に、溝を形成する溝形成工程と、
前記ホール素子と電極配線を合わせた形状のパターンで、低濃度不純物拡散領域を形成する低濃度不純物拡散領域形成工程と、
前記ホール素子となる低濃度不純物拡散領域の上部に、LOCOS酸化膜を形成するLOCOS酸化膜形成工程と、
前記LOCOS酸化膜をマスクにして、イオン注入により、高濃度不純物拡散領域を電極配線形状のパターンに形成する高濃度不純物拡散領域形成工程と、
前記LOCOS酸化膜を残存した状態で、前記電極配線形状のパターンに形成された高濃度不純物拡散領域上に、金属粒子を含むインクパターンをインクジェット装置により形成し、前記インクパターンを焼結して金属層からなる低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、を有してなることを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 半導体基板に溝が形成され、
前記溝の表面に、ホール素子である低濃度不純物拡散領域と、電極配線パターンを有し前記低濃度不純物拡散領域に接続する高濃度不純物拡散領域とが形成され、
前記高濃度不純物拡散領域上に、当該高濃度不純物拡散領域より抵抗値の低い、低抵抗層が積層されてなる磁気センサの製造方法であって、
半導体基板に、溝を形成する溝形成工程と、
前記ホール素子と電極配線を合わせた形状のパターンで、低濃度不純物拡散領域を形成する低濃度不純物拡散領域形成工程と、
前記ホール素子となる低濃度不純物拡散領域の上部に、LOCOS酸化膜を形成するLOCOS酸化膜形成工程と、
前記LOCOS酸化膜をマスクにして、イオン注入により、高濃度不純物拡散領域を電極配線形状のパターンに形成する高濃度不純物拡散領域形成工程と、
前記LOCOS酸化膜を残存した状態で、前記半導体基板の全面に金属膜を形成し、熱処理によって高濃度不純物拡散領域との密着性を向上させ、熱処理後に前記金属膜をピーリングし、高濃度不純物拡散領域上以外の金属膜を剥がして、前記電極配線形状のパターンに形成された高濃度不純物拡散領域上の金属膜からなる低抵抗層を形成する低抵抗層形成工程と、を有してなることを特徴とする磁気センサの製造方法。
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