JP4321246B2 - 磁気センサおよびその製造方法 - Google Patents
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当該磁気センサにおいては、対向する2つの面方位の斜面に関して、それぞれ第1,第2ホール素子が複数個の溝に分散して形成され、それら各第1,第2ホール素子の出力電圧(ホール電圧)が合成されて、全体の出力電圧となる。
同じ面方位となる一方の第1斜面10aに、第1ホール素子であるn型の低濃度第1不純物拡散領域20aが形成され、第1斜面10aに対向する第2斜面10bに、第2ホール素子であるn型の低濃度第2不純物拡散領域20bが形成されている。
尚、両端に配置するダミー溝の個数は、一個に限らず任意に設定することができ、また、磁気センサ106の構成要素106nの全てを囲うように配置してもよい。
100n,101n,102n,103mn,106n 磁気センサの構成要素
1 半導体基板
10t 溝
10a 第1斜面
10b 第2斜面
10d ダミー溝
20a 低濃度第1不純物拡散領域(第1ホール素子)
20b 低濃度第2不純物拡散領域(第2ホール素子)
40 高濃度不純物拡散領域(電極配線)
Claims (9)
- 半導体基板に平面の形状が略矩形で深さが5μm以下の溝が複数個形成され、
前記溝の対向する2つの斜面が前記複数個の溝について同じ面方位となるように、各溝が配置され、
前記複数個の溝の同じ面方位となる第1斜面に、第1ホール素子である第1不純物拡散領域が形成され、
前記第1斜面に対向する第2斜面に、第2ホール素子である第2不純物拡散領域が形成され、
前記複数個の溝に形成された、第1ホール素子の出力同士および第2ホール素子の出力同士が、それぞれ、電気接続されてなることを特徴とする磁気センサ。 - 前記第1ホール素子の出力同士および第2ホール素子の出力同士が、それぞれ、並列接続されてなることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記第1ホール素子の出力同士および第2ホール素子の出力同士が、それぞれ、直列接続されてなることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記第1不純物拡散領域と第2不純物拡散領域の平面の形状が略矩形であり、
前記略矩形の第1不純物拡散領域と第2不純物拡散領域のいずれか一方の辺が、前記略矩形の溝のいずれか一方の辺と平行になるようにして、
前記第1不純物拡散領域と第2不純物拡散領域が、前記溝の斜面に配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の磁気センサ。 - 前記第1不純物拡散領域と第2不純物拡散領域が、ほぼ同じ大きさであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記複数個の溝が、ほぼ同じ大きさであり、等間隔に整列して配置されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記等間隔に整列して配置される溝の両側に、前記溝とほぼ同じ大きさであり、前記溝と等間隔に整列して、ダミー溝が配置されることを特徴とする請求項6に記載の磁気センサ。
- 半導体基板に平面の形状が略矩形で深さが5μm以下の溝が複数個形成され、
前記溝の対向する2つの斜面が前記複数個の溝について同じ面方位となるように、各溝が配置され、
前記複数個の溝の同じ面方位となる第1斜面に、第1ホール素子である第1不純物拡散領域が形成され、
前記第1斜面に対向する第2斜面に、第2ホール素子である第2不純物拡散領域が形成され、
前記複数個の溝に形成された、第1ホール素子の出力同士および第2ホール素子の出力同士が、それぞれ、電気接続されてなる磁気センサの製造方法であって、
前記第1不純物拡散と第2不純物拡散領域のパターニングに、光露光によるレジストマスクが用いられることを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記溝を、ドライエッチングにより形成することを特徴とする請求項8に記載の磁気センサの製造方法。
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