JP2826963B2 - 電荷結合素子及びその製造方法 - Google Patents

電荷結合素子及びその製造方法

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【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合素子（Ｃｈａ
ｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｃｄ Ｄｅｖｉｃｅ：以下、ＣＣＤ
という）及びその製造方法に係り、特に物理的な性質が
異なるゲート絶縁膜を利用して半導体基板内に最大電位
分布の差異が生じるようにしたＣＣＤ構造及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置及び信号遅延装置等に用い
られる電荷結合素子は、各ゲート電極に印加する電位差
によって半導体内で誘起される電位差を利用し、隣り合
う電極の下に信号を転送する素子である。このような電
荷結合素子は、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して転
送電極を分離して隣り合うように設けたものである。
【０００３】転送電極として用いられる材料は、主に高
濃度で不純物をドープしまたはイオン注入させて作った
多結晶シリコンであり、各電極間の分離は酸素もしくは
水蒸気の雰囲気で酸化させて形成した絶縁体のシリコン
酸化膜により成される。
【０００４】従来のＣＣＤを添付図面とともに説明す
る。図１は従来のＣＣＤの断面構造図であり、ｐ型半導
体基板３１にｎ型不純物イオン注入により電荷転送領域
であるＢＣＣＤ（Ｂｕｒｉｅｄ ＣＣＤ）領域３２を形
成し、全面にわたって酸化膜３３を形成した後、酸化膜
３３上に多結晶シリコンを蒸着し、ホトエッチング工程
により一定の間隔を置いて第１転送電極３４を形成す
る。
【０００５】そして、第１転送電極３４をマスクに用い
てＢＣＣＤ領域３２の表面部位にイオン注入により障壁
３９を形成し、第１転送電極３４を酸化膜で絶縁させた
後、各第１転送電極３４の間に多結晶シリコンで第２転
送電極３５を形成する。次に、隣り合う第１転送電極３
４と第２転送電極３５を共通にして、交代に第１，第２
クロック信号（Ｈφ１，Ｈφ２）を印加する。
【０００６】図２は従来の２相ＣＣＤの動作原理を説明
するための図で、（ａ）は２相ＣＣＤの電極に印加する
第１，第２クロック信号の一例で、（ｂ）は第１，第２
クロックパルスが転送電極に印加されるとき半導体内に
誘起される電位分布とそれによる電荷の移動過程を示
す。
【０００７】即ち、時間ｔ＝１において、第１クロック
信号（Ｈφ１）はロー状態であり、第２クロック信号
（Ｈφ２）はハイ状態である。この際、電位井戸は第２
クロック信号（Ｈφ２）が印加された第１転送電極３４
の下で一番深くなり、信号電荷は前記第１転送電極３４
の下の電位井戸に取り込められる。次に、時間ｔ＝２で
は第１クロック信号（Ｈφ１）がハイ状態であり、第２
クロック信号（Ｈφ２）がロー状態である。従って、一
番深い電位井戸は第１クロック信号（Ｈφ１）が印加さ
れた第１転送電極３４の下で形成され、第２クロック信
号（Ｈφ２）が印加された第２転送電極３５の電位井戸
は上昇することになり、信号電荷は深い電位井戸を有す
る第１クロック信号（Ｈφ１）が印加された第１転送電
極３４の下に移動することになる。次に、時間ｔ＝３の
時には、さらにｔ＝１の時と同様に移動する。ここで、
信号電荷の移動は対の転送電極中の左の電極の下に形成
した電位障壁によって右へのみ移動する方向性を有す
る。このような第１，第２クロックパルス（Ｈφ１，Ｈ
φ２）の列が繰り返されると、信号電荷の転送がなされ
ることになる。
【０００８】図３は、米国特許３，９３１，６７４に開
示されている自己整合ＣＣＤの断面構造を示すものであ
り、半導体基板２０上に第１絶縁層２４と第２絶縁層２
６が形成されており、第１電極に該当する導電膜４３，
４５，４７，４９，５１が一定の間隔を置いて並んでお
り、イオン注入工程によって形成された障壁領域４４，
４６，４８，５０が基板の表面部位に形成されており、
第１電極上に形成された第２電極８４，８６，８８，９
０と第１電極との電気的な隔離のための第３絶縁層５３
が形成されている。
【０００９】前記ＣＣＤ構造は、第１絶縁層２４，第２
絶縁層２６及び第１電極４３，４５，４７，４９，５１
を形成した後、自己整合によって基板とは反対の導電型
の不純物を半導体基板の表面部位にイオン注入すること
により、障壁領域４４，４６，４８，５０を形成して第
１電極と隣り合う第２電極８４，８６，８８，９０に同
一の電圧を加えた場合、各電極の下の半導体表面部位の
不純物の濃度差によって最大電位分布の差が生じるので
電荷転送がなされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の技術は、半
導体基板に最大電位分布差をもたらすために障壁領域の
形成のためのイオン注入工程を施さなければならない。
これによりゲート絶縁層である酸化膜の内部及び半導体
基板の表面部位に欠陥を誘発させて素子の特性を低下さ
せるため、それを緩和するのに熱によるアニーリング
（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行わなければならない。この
ため工程が複雑になるという問題がある。
【００１１】本発明は、上記問題点を解決するためのも
ので、物理的性質が異なる絶縁膜でゲート絶縁層を形成
し、絶縁層の誘電率の差によって半導体基板内に最大電
位分布の差をもたらすことで、簡単な工程で優れた特性
を有するＣＣＤを提供することをその目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のＣＣＤは、半導体基板と、前記半導体基板上
に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に一定の
間隔を置いて形成された複数個の第１電極と、前記複数
個の第１電極と第１絶縁層の間にのみ形成される第２絶
縁層と、前記第１電極、第１絶縁層及び第２絶縁層の露
出した全表面上に形成される第３絶縁層と、第３絶縁層
の表面のうち、複数個の第１電極の間に該当する領域に
のみ形成される複数個の第２電極とを備える。
【００１３】上記目的を達成するための本発明のＣＣＤ
の製造方法は、半導体基板上に第１絶縁層を形成する工
程と、前記第１絶縁層上に第１絶縁層と物理的性質が異
なる第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層上に
第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層と第２絶
縁層とを一緒にパターニングして複数個の第１電極を形
成する工程と、基板全面にわたって前記第２絶縁層と物
理的性質が異なる第３絶縁層を形成する工程と、前記第
３絶縁層上に第２導電層を形成する工程と、前記第２導
電層をパターニングして第１電極の間に該当する領域に
複数個の第２電極を形成する工程とを有する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面とともに詳細に説明す
る。図４は、本発明の実施例１によるＣＣＤの断面構造
を示すもので、埋込チャンネル構造のＣＣＤの断面構造
を示した。半導体基板１の表面部位に基板と反対の導電
型の表面不純物層２が形成され、その上に第１絶縁層３
が形成される。その上にさらに第２絶縁層４と第１電極
５との積層された構造が一定の間隔を置いて複数個並
び、第１電極５の上部に形成される第２電極７と第１電
極５との電気的な隔離のための第３絶縁層６が第１電極
５と第２電極７の間に形成されている。図４ｃのように
前記第１電極５と第２電極７は、第１電極５の間に第２
電極７が形成されるが、その際第１電極と第２電極が一
定の距離だけ重なって形成されている。
【００１５】前記第１絶縁層３と第２絶縁層４は、各々
物理的な性質が異なる絶縁体でできたもので、例えば第
１絶縁層３は熱によって酸化した酸化膜（ＳｉＯ2 ）で
形成することができ、第２絶縁層４は熱によって形成さ
れた窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）で形成することができる。前記
第１絶縁層３と第３絶縁層６は、同一の物性を有する絶
縁体であるが、その形成方法を異にして形成することも
できる。例えば第１絶縁層３は熱によって形成された酸
化膜で形成し、第３絶縁層６はＣＶＤによって形成され
た酸化膜で形成することができる。
【００１６】次に、本発明によるＣＣＤの動作原理を説
明する。参考文献『Ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｄ
ｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ａｐｐｌｉｃａｔ
ｉｏｎ，１９８０，ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ
Ｃｏｍｐａｎｙ』によれば、ＣＣＤを動作させるバイア
ス条件において電位分布式は、表面チャンネル構造のＣ
ＣＤの場合、 φｓ＝ＶG＋（ＱINV／ＣOX） 埋込チャンネル構造のＣＣＤの場合、ＶZ＝ＶG＋（ｑＮ
DＸ1／ＣOX）＋（ｑＮDＸ1 2／２εs）で表される。ここ
で、φｓは表面電位分布、ＶG はゲート電極に印加され
る電圧、ＱINV は反転層（ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ ｌａｙ
ｅｒ）の電荷密度、ＣOXはゲートの下の絶縁層に関わる
キャパシタンス、ＶZは埋込チャンネルの電位分布、ＮD
は埋込チャンネルの不純物の濃度を各々示す。
【００１７】本発明は、前記式でゲート下部の絶縁層に
関わるキャパシタンスであるＣｏｘを変化させＣＣＤ動
作に応用したもので、Ｃｏｘ＝Ｅｏｘ（Ａｏｘ／
ｔｏｘ）（ここで、Ｅｏｘは絶縁層の誘電率、ｔｏｘは
絶縁層の厚さ、Ａｏｘは絶縁層の面積を示す）で誘電率
Ｅｏｘを変化させる。即ち、図４ａにおいて第１絶縁層
３を酸化膜とし、第２絶縁層４を窒化膜とする場合、酸
化膜と窒化膜の誘電率が各々３．９と７．５なので、酸
化膜に比べて窒化膜を絶縁層として使用する場合、Ｃ
ｏｘが大きくなるので、φＳ及びＶｚが小さくなる。こ
のように第１電極５の下部４と第２電極７の下部６の各
々の絶縁層の誘電率を異にすることにより、各電極の下
の半導体内の最大電位分布に差をもたらして電荷転送が
成されるようにする。
【００１８】図５の入力波形を図４ａのＣＣＤ構造に印
加すると、図４ｂに示すｔ＝ｔ１及びｔ＝ｔ２でのよう
な電位分布を得ることが出来て電荷転送がなされること
になる。
【００１９】図４ａにおいて各々の電極の下部の基板表
面領域、即ち、領域Ａと領域Ｂでの最大電位分布をシミ
ュレーション器具であるＳＰＥＣＴＲＡを用いてシミュ
レーションした結果を図６と図７に示す。
【００２０】図６は、第１；３絶縁層の酸化膜の厚さを
６５０Å、第２絶縁層の窒化膜の厚さを５００Åとし、
ゲート電極に印加される電圧を０Ｖとした場合の最大電
位分布を示すもので、図７は第１；３絶縁層の酸化膜の
厚さを６５０Å、第２絶縁層の窒化膜の厚さを５００Å
とし、ゲート電極に印加される電圧を５Ｖとした場合の
最大電位分布を示すものである。絶縁層の厚さに対する
傾向性は図８のようである。
【００２１】次に、本発明によるＣＣＤの製造方法を図
９とともに説明する。先ず、図９ａのように、半導体基
板１上に第１絶縁層３として、例えば熱酸化工程によっ
て酸化膜を形成し、その上に第２絶縁層４として、例え
ば窒化膜を形成した後、その上に第１電極の形成のため
の第１導電層として、第１電極５を蒸着する。次に、図
９ｂのように、前記第１電極としてのポリシリコン層と
窒化膜をホトエッチング工程によって第１電極パターン
にパターニングした後、図９ｃのように第１電極５を含
んだ基板全面に第３絶縁層６として、例えば酸化膜をＣ
ＶＤ方法によって蒸着し、その上に第２電極の形成のた
めの第２導電層として、例えば第２電極７を蒸着する。
ここで、図９ｄのように、前記第２導電層をホトエッチ
ング工程によって所定のパターンにパターニングして第
２電極７を形成することでＣＣＤの製造工程を完了す
る。
【００２２】一方、本発明を埋込チャンネル構造のＣＣ
Ｄに適用す場合には、基板の表面部位に基板と反対の導
電型の不純物層を形成した後、前記図９ａ乃至ｄの工程
を行ってＣＣＤを製造する。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板の表面部位
への不純物イオン注入で形成した障壁領域によって最大
電位分布差を形成させないで、誘電率の異なる絶縁層を
用いて基板に最大電位分布差を誘導して電荷転送が行わ
れるようにするので、従来のイオン注入工程によって基
板に発生した欠陥を減少することができ、これによりア
ニーリング工程などが不必要となるため、工程が単純化
されるという効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来のＣＣＤの断面構造図である。
【図２】 従来の２相ＣＣＤの動作原理を説明するため
の図である。
【図３】 従来の技術によるＣＣＤ断面構造図である。
【図４】 本発明によるＣＣＤ構造図である。
【図５】 本発明のＣＣＤに印加される入力波形図であ
る。
【図６】 本発明のＣＣＤ電極の下部の基板表面領域の
最大電位分布をシミュレーションした結果を示す図であ
る。
【図７】 本発明のＣＣＤ電極の下部の基板表面領域の
最大電位分布をシミュレーションした結果を示す図であ
る。
【図８】 本発明によるＣＣＤの絶縁層の厚さに対する
最大電位の傾向性を示す図である。
【図９】 本発明によるＣＣＤの製造方法を示す工程順
序図である。
【符号の説明】
１…半導体基板、２…表面不純物層、３…第１絶縁層、
４…第２絶縁層、５…第１電極、６…第３絶縁層、７…
第２電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/762 H01L 21/339

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板上に形成
    された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に一定の間隔を
    置いて形成された複数個の第１電極と、前記複数個の第
    １電極と第１絶縁層の間にのみ形成される第２絶縁層
    と、前記第１電極、第１絶縁層及び第２絶縁層の露出し
    た全表面上に形成され、前記第２絶縁層とは誘電率が異
    なる第３絶縁層と、前記第３絶縁層の表面のうち、複数
    個の第１電極の間に該当する領域にのみ形成される、複
    数個の第２電極と、を備えることを特徴とする電荷結合
    素子。
  2. 【請求項２】 前記第１電極の下部の第２絶縁層は窒化
    膜であり、第２電極の下部の第３絶縁層は酸化膜である
    ことを特徴とする請求項１記載の電荷結合素子。
  3. 【請求項３】 前記第１電極の下部の第１絶縁層と第２
    絶縁層は、各々酸化膜と窒化膜であり、第３絶縁層は酸
    化膜であることを特徴とする請求項１記載の電荷結合素
    子。
  4. 【請求項４】 前記第１電極の下部の第１絶縁層として
    の酸化膜は熱酸化工程によって形成され、第２電極の下
    部の第３絶縁層としての酸化膜は化学気相蒸着によって
    形成されたことを特徴とする請求項３記載の電荷結合素
    子。
  5. 【請求項５】 前記半導体基板の表面部位に形成された
    基板と反対の導電型の埋込チャンネル領域をさらに含む
    ことを特徴とする請求項１記載の電荷結合素子。
  6. 【請求項６】 半導体基板上に第１絶縁層を形成する工
    程と、前記第１絶縁層上に、第１絶縁層とは物理的な性
    質が異なる第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁
    層上に第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層と
    第２絶縁層とを一緒にパターニングして複数個の第１電
    極を形成する工程と、基板全面にわたって、前記第２絶
    縁層とは誘電率が異なり且つ前記第２絶縁層よりも厚い
    第３絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層上に第２
    導電層を形成する工程と、前記第２導電層をパターニン
    グして第１電極の間に該当する領域に複数個の第２電極
    を形成する工程と、を含んでなることを特徴とする電荷
    結合素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 第１絶縁層と第３絶縁層は酸化膜で形成
    し、第２絶縁層は窒化膜で形成することを特徴とする請
    求項６記載の電荷結合素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記第１絶縁層は熱酸化工程によって形
    成し、第３絶縁層は化学気相蒸着方法によって形成する
    ことを特徴とする請求項７記載の電荷結合素子の製造方
    法。
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