JP4517144B2 - Mos電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
11 半導体基板
12 半導体基板
13 ソース領域
14 ソース領域
15 ドレイン領域
16 ドレイン領域
21 トンネルSiO2層
22 量子ドット
23 Si殻
24 Ge核
25 コントロールSiO2層
27 ゲート電極層
30 MOS電界効果トランジスタ型受光素子
31 ゲートSiO2層
32 積層ゲート電極層
33 ドープSi層
35 Ge層
37 ドープSi層
51 パッド酸化膜
52、52A、52B Si3N4膜
53 フィールド酸化膜
55、55A〜55D ソース・ドレインエクステンション
57、57A、57B サイドウオール
58 層間絶縁膜
59 コンタクトホール
61、61A、61B ソース電極
63 ドレイン電極
100 光電子集積チップ
102 CPU
104 ローカルメモリ
106 共有メモリ
108 光導波路
110、110A、110B
200 データ処理装置
210 ベース
Claims (3)
- 半導体基板上にトンネルSiO2層を形成する工程、該トンネルSiO2層上に金属Siが島状に分散したSiアイランドを形成する工程、該Siアイランド上に選択的にGe核を形成する工程、該Siアイランド上に前記Ge核を含んで金属Siを積層させてSi殻内にGe核を内包した量子ドットを形成する工程、該量子ドットを含みトンネルSiO2層を覆うコントロ−ルSiO2層を形成する工程、および、該コントロ−ルSiO2層に重ねてゲート電極層を形成する工程を順次行うMOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法。
- Si殻内にGe核を内包した量子ドットを形成するに先立ち、トンネルSiO2層の表面層をOH結合で終端されたトンネルSiO2層に改質することを特徴とする請求項1に記載のMOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法。
- 量子ドットを含みトンネルSiO2層を覆うコントロ−ルSiO2層を形成するに先立ち、量子ドット表面に酸化薄膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のMOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法。
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Families Citing this family (10)
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ES2369953B1 (es) * | 2011-08-02 | 2012-10-09 | Fundació Institut De Ciències Fotòniques | Plataforma optoelectrónica con conductor a base de carbono y puntos cuánticos y fototransistor que comprende una plataforma de este tipo |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01240826A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | 赤外線検出素子及び同赤外線検出素子を含む赤外線検出装置 |
JP2001203382A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2001230443A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
US20030066998A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-04-10 | Lee Howard Wing Hoon | Quantum dots of Group IV semiconductor materials |
JP2004022901A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Seiko Epson Corp | 光インターコネクション集積回路、光インターコネクション集積回路の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01240826A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Natl Space Dev Agency Japan<Nasda> | 赤外線検出素子及び同赤外線検出素子を含む赤外線検出装置 |
JP2001203382A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2001230443A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
US20030066998A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-04-10 | Lee Howard Wing Hoon | Quantum dots of Group IV semiconductor materials |
JP2004022901A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Seiko Epson Corp | 光インターコネクション集積回路、光インターコネクション集積回路の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104419906A (zh) * | 2013-08-29 | 2015-03-18 | 国家纳米科学中心 | 一种层状锗量子点材料及其制备方法 |
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