JP4503187B2 - 自動テスト装置内でパラメトリック測定ユニットを監視及び制御する低コスト構成 - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、一般には自動テスト装置に関し、より具体的には、自動テスト装置内のパラメトリック測定ユニットを監視および制御するプログラマブル・デジタルデバイスの使用に関する。
【0002】
背景技術
自動テスト装置(「テスタ」としても知られている)は、半導体デバイス、プリント回路基板、および他の電子構成要素やアセンブリをテストするために広く使用されている。多くのテスタ、特に半導体デバイスをテストするために使用されるテスタは「ピンスライス(pin slice)」構造を使用する。このようなテスタは一般に多数のピンスライス回路を含み、各ピンスライス回路はテスト対象デバイス(DUT)上の別々のピンに関連づけられている。さらに、各ピンスライス回路は一般に、DUT上でそれに関連づけられたピンにおいて信号を生成し、測定する回路を含む。
【0003】
典型的なテスタは、各ピンが独自のピンスライス回路を有する数百から数千のピンの上で信号を生成し測定する場合がある。これは、ピンスライス回路はテスタ内で数百回または数千回反復(複製)される(duplicate)ということを意味する。したがって、テスタが面積とコストの両方の面で効率的なピンスライス回路を使用することが非常に重要である。
【0004】
さらに、典型的なテストセッションの間に、各ピンスライス回路内で使用される1つまたはいくつかのアナログ基準電圧レベルの変更が必要になることがしばしばある。これは特に、DUTの駆動(ドライブ)レベルおよび受信レベルのパラメトリックテストを実行する場合に起きる。
【0005】
たとえば、基準電圧レベルのシーケンスが生成され、ピンスライス回路の所定のセクションに供給される場合がある。基準電圧レベルを生成し、変更を提供するステップが長い時間を必要とする場合、全テストセッションが終了する時間は非常に長くなり、特に、数百の異なる基準電圧レベルのシーケンスを生成することが必要なテストセッションの場合に長くなる。したがって、テスタが所望の基準電圧レベルの変更を知らせ、新しい基準電圧レベルを迅速に生成することが非常に重要である。
【0006】
しかし、ピンスライス回路はまた、高い精度で信号を生成し測定しなければならない。これは一般に、ピンスライス回路によって生成または測定された信号レベルの精度がよくない場合、テスト結果の精度に影響を与えるためである。特に、ピンスライス回路がパラメトリックテストの間に安定した電圧レベルと電流レベルを生成することが非常に重要である。さらに、ピンスライス回路は、テストされている半導体デバイスとコンパチブル(両立する)レベルで信号を生成し測定できなければならない。
【0007】
これらの要件を満足させる1つの方法は、異なる構成要素技術の組合せを使用してピンスライス回路を設計することである。たとえば、ピンスライス回路はCMOS構成要素技術およびバイポーラ構成要素技術の組合せを使用して設計されてきた。
【0008】
主に、CMOS構成要素の電力要件は低いという理由のために、CMOSはコンピュータおよび電子デバイスの多くの設計者が選択する技術となっている。その結果、CMOS構成要素は広く入手可能で、比較的安くなっている。さらに、コンピュータおよび電子デバイスをより高速に、より小さく作成したいという理由のために、CMOS構成要素の大きさは長年の間に大幅に小さくなった。したがって、ピンスライス回路の部分は、回路をより安いコストで、かつよりコンパクトに作成しようという努力の中で、CMOS技術を使用して設計されている。
【0009】
しかし、CMOS技術を使用して回路を設計することの1つの欠点は、タイミング特性が不安定で予測できない可能性があるということである。たとえば、同じCMOS回路でも、タイミング特性は構成要素によって変化することが発見されている。
【0010】
さらに、CMOS構成要素のタイミング特性は温度と共に変化することも発見されている。たとえば、CMOS構成要素によって処理される信号の周波数が増加すると、CMOS構成要素の電力要件も一般に増大し、構成要素を加熱させる。この温度の上昇はCMOS構成要素を介した伝搬遅延に影響を与える可能性がある。
【0011】
一般に、大抵のコンピュータおよび電子デバイス内のCMOS回路は、通常は内部クロックと同期化されているため、CMOS技術のこの欠点がこれらのデバイスの性能に重大な影響を与えることはほとんどない。このような同期設計技法はしばしば、電子回路の安定性と予測可能性を強化するために使用される。
【0012】
ピンスライス回路の一部はテスタ内のクロックと同期化できるが、ピンスライス回路の他の部分のタイミングが同じように同期化できるわけではない。たとえば、ピンスライス回路がDUTのピンにおいて信号を生成し、そして測定する時間は、通常はDUTによって決定されるのであり、テスタ内のクロックによって決定されるわけではない。
【0013】
したがって、CMOS技術を使用してピンスライス回路内のタイミング信号を生成する回路を実装するには、一般には、補償技法を使用してCMOS回路のタイミング特性を向上させなければならない。このような補償技法は、米国マサチューセッツ、ボストンのTERADYNE(登録商標)Inc.に譲渡された、米国特許出願番号第08/510,079号に説明されている。
【0014】
ピンスライス回路の信号生成部分を実装するためにCMOS技術を使用しない場合がある別の理由は、CMOS回路は一般に低い駆動機能(ドライブ能力)を有するということである。
【0015】
これらの理由により、しばしば、バイポーラ技術を使用して従来のテスタ内のピンスライス回路の信号生成部分および測定部分を実装する。バイポーラ技術で作成された回路のタイミング特性は一般に、CMOS回路よりも安定しており、予測可能である。さらに、バイポーラ回路はCMOS回路よりも高い電力レベルで信号を駆動し、測定することが可能である。
【0016】
このような従来のテスタ100が図1に示されている。テスタ100は特殊用途コンピュータ(図示せず)を含むテストシステム・コントローラ110と、テスト結果、およびテスタ100を制御するために必要な情報を格納するメモリ124を含む。テストシステム・コントローラ110およびメモリ124の両方は通常、CMOS技術を使用して実装される。これは、テストシステム・コントローラ110およびメモリ124が、典型的にはテストシステム・クロックと同期化されているためである。さらに、テストシステム・コントローラ110とメモリ124のどちらも、高い電力レベルを伴う信号をドライブ(駆動)またはレシーブ(受信)することを要求されない。
【0017】
テスタ100はまた多数のピンスライス回路114を含み、多数のピンスライス回路114は、DUT112の別々のピンにおいて信号を生成して測定し、DUTはディスクリートな1つの半導体デバイスである場合もあり、半導体ウェハ上の複数のダイ(ダイス)のうち1つである場合もある。
【0018】
各ピンスライス回路114は、典型的には、CMOS技術またはバイポーラ技術のいずれかを使用して実装される部分を有する。たとえば、ピンスライス回路114は、CMOS技術を使用して実装される場合のあるタイミングジェネレータ116を含む。この場合、上記の補償技法は、典型的には、CMOS回路のタイミング特性を改善するために使用される。タイミングジェネレータ116はテストシステム・コントローラ110からのコマンドに応答してタイミング信号を生成し、ドライバ/レシーバ・チャネル118がDUT112のピンにおいてデジタル信号を駆動または測定する時を決定する。
【0019】
ピンスライス回路114の中のドライバ/レシーバ・チャネル118は典型的には、バイポーラ技術を使用して実装される。これによって、ドライバ/レシーバ・チャネル118が正しい時間にDUT112のピンにおいてデジタル信号を駆動し測定する機能を有するようになる。
【0020】
テストシステム・コントローラ110がピンスライス回路114を制御するために使用する2種類の情報は、ドライバ/レシーバ・チャネル118がDUT112に供給すべき論理ハイレベルの値および論理ローレベルの値、および、ドライバ/レシーバ・チャネル118が正しく機能しているDUT112から受けとるべき論理ハイレベルの値および論理ローレベルの値を示す。
【0021】
特に、ピンスライス回路114は、典型的には個別の(ディスクリートな)アナログ回路を使用して実装される基準電圧122を含む。基準電圧122は多数の基準電圧をドライバ/レシーバ・チャネル118に供給する。したがって、テストシステム・コントローラ110は、論理ハイレベルおよび論理ローレベルとして使用する基準電圧を示す情報をドライバ/レシーバ・チャネル118に供給する。
【0022】
ピンスライス回路114は、また、典型的にはバイポーラ技術および別個のアナログ回路を使用して実装されるパラメトリック測定ユニット(PMU)120を含む。ドライバ/レシーバ・チャネル118はデジタル信号を生成して、測定するが、PMU120はDCレベルを生成して、測定する。
【0023】
基準電圧122は、また、多数の基準電圧をPMU120に供給する。したがって、テストシステム・コントローラ110はDUT112のピンにおいて、DCレベルを生成し、測定する時に使用する基準電圧を示す情報をPMU120に供給する。
【0024】
さらに、パラメトリックテストの間に安定した電圧レベルと電流レベルを生成するために、PMU120は典型的には個別のアナログ回路(図示せず)を含んで、電圧レベルと電流レベルのフィードバック制御を提供する。
【0025】
典型的なテスト構成では、一度に起動するのはピンスライス回路114の中のドライバ/レシーバ・チャネル118またはPMU120のいずれかのみである。したがって、通常はスイッチまたはリレー(図示せず)を使用して、ドライバ/レシーバ・チャネル118とPMU120を相互に分離している。
【0026】
発明者らは、ピンスライス回路のサイズおよびコストの大部分は、回路内に使用されている個別のアナログ回路が原因であることを理解した。テスタは何千ものピンスライス回路を含む場合があり、使用される別個のアナログ回路の量を低減すると、テスタのサイズおよびコストに大きな影響を与える可能性がある。
【0027】
さらに本発明者らは、ピンスライス回路のサイズおよびコストの別の大部分は、回路内で使用されるICのサイズに起因することを理解した。
したがって、サイズおよびコストが低減され、電子デバイスまたはアセンブリを正常にテストできるテスタを有することが望ましい。また、ピンスライス構成を使用して設計されたテスタで、低減されたサイズおよびコストを達成することが望ましい。
【0028】
発明の概要
上記の背景を考えると、本発明の目的はテスタのサイズおよびコストを低減することである。
【0029】
本発明の別の目的は、低コストのCMOS技術を使用して実装されるピンスライス回路の量を増加することである。
本発明のさらに別の目的は、ピンスライス回路内で使用されるICのサイズを低減することである。
【0030】
上記の目的および他の目的は、テスタに多数のピンスライス回路を提供することによって達成され、各ピンスライス回路がCMOS技術を使用して実装される回路,およびバイポーラ技術を使用して実装される回路を含む。好ましい実施形態では、CMOS回路は多数のデジタル・シグマデルタ変調器を含み、各デジタル・シグマデルタ変調器はアナログ基準電圧レベルのシーケンスを表すビットストリームを生成し、さらに、バイポーラ回路は複数のデジタル・シグマデルタ復号器(デコーダ)を含み、各デジタル・シグマデルタ復号器は各デジタル・シグマデルタ変調器からビットストリームを受けとり、そのビットストリームをアナログ基準電圧レベルのシーケンスに変換する。アナログ基準電圧レベルの各シーケンスは次いで、ドライバ/レシーバ・チャネルおよび/またはパラメトリック測定ユニットなどの回路に供給される。
【0031】
1つの特徴によれば、デジタル・シグマデルタ変調器回路は多数のビットストリームを限定された数のライン(line)に組み合わせる回路を含む。本発明の別の特徴によれば、デジタル・シグマデルタ復号器回路は、限定された数のラインから多数のビットストリームを分離する回路を含む。
【0032】
別の実施形態では、シリアル・ビットストリームが集積回路チップに供給される。次に、集積回路チップ上の回路を使用してシリアル・ビットストリームを複数の分離されたビットストリームに分離する。分離されたビットストリームは、次いで、集積回路チップ内でドライバ/レシーバ回路のためにアナログ基準レベルを生成するために使用される。
【0033】
1つの特徴によれば、集積回路チップはバイポーラ技術を使用して実装される。
さらに別の実施形態では、半導体ウェハに複数のダイ(die)が提供される。次に、このダイは集積回路チップの中に実装されたドライバ/レシーバ回路を使用してテストされ、これによって良品のダイを識別する。良品のダイは次いでパッケージ化(package)される。
【0034】
1つの特徴によれば、ドライバ/レシーバ回路にデジタル・ビットストリームから生成された基準レベルが供給される。
さらに別の実施形態では、バイポーラ回路はパラメトリック測定ユニットを含み、DC電圧レベルとDC電流レベルを生成し測定する。さらに、CMOS回路はデジタル信号処理デバイスを含み、DC電圧レベルとDC電流レベルの生成を監視し制御する。
【0035】
1つの特徴によれば、パラメトリック測定ユニットは低電流セクションおよび高電流セクションを含み、その両方が、デジタル信号処理デバイスによって選択的に監視され制御される。
【0036】
別の特徴によれば、パラメトリック測定ユニットによって使用される基準レベルは、デジタル・シグマデルタ変調器およびデジタル・シグマデルタ復号器によって供給される。
【0037】
さらに別の実施形態では、パラメトリック測定ユニットによって使用される基準レベルは、デジタル信号処理デバイスによって制御されるD/Aコンバータによって供給される。
【0038】
さらに別の特徴によれば、デジタル信号処理デバイスはデジタル・シグマデルタ変調器への入力を制御することによって、パラメトリック測定ユニットの低電流セクションおよび高電流セクションを制御する。
【0039】
さらに別の特徴によれば、デジタル信号処理デバイスは、パラメトリック測定ユニット内に含まれるドライバへの入力を制御することによって、パラメトリック測定ユニットの低電流セクションおよび高電流セクションを制御する。
【0040】
さらなる目的および利点は、以後の説明および図面を考察することから明らかになるであろう。
【0041】
好適な実施の形態の説明
図2Aは、本発明によるピンスライス回路214の部分構成図を示す。ピンスライス回路214は、図1に示されたテスタ100などの、ピンスライス構造を使用するテスタに組み込まれることを目的としている。
【0042】
したがって、ピンスライス回路214は、通常はテスタの中で少なくとも数百回、可能性としては数千回繰り返される(複製される)。さらに、ピンスライス回路214の各反復は、通常は図1に示されたDUT112などのテスト対象デバイス(DUT)の別々のピンにおいて信号およびレベルを生成し、測定するために使用される。
【0043】
ピンスライス回路214は、通常は、テスタ内で多くの回数反復されるため、ピンスライス回路214のサイズおよびコストを可能な限り低減しようとする強い経済的な動機がある。しかし、ピンスライス回路214のサイズおよびコストは、ピンスライス回路214によって生成され、測定される信号の精度に悪影響を与えない方法で低減されなければならない。
【0044】
この理由のために、ピンスライス回路214は、好ましくは、回路技術の組合せを使用して実装される。特に、ピンスライス回路214は、CMOS技術を使用して実装される部分240、およびバイポーラ技術を使用して実装される部分242を含む。一般に、CMOS技術を使用して実装される回路は、比較的コンパクト、低コスト、低電力で作成することが可能である。さらに、バイポーラ技術を使用して実装される回路は一般に、優れたタイミング特性および駆動機能を有する。たとえば、エミッタ結合論理(ECL)は、ほとんどのピンスライス回路用途が必要とする速度と駆動を提供する。この方法で、ピンスライス回路214のサイズおよびコストを低減し、しかも生成され、測定された信号の精度を高いレベルに維持することが可能になる。
【0045】
CMOS部分240はタイミングジェネレータ216のいくつかのコピーを含み、一般的には、テストサイクルの開始後に、プログラミングされた時間量においてタイミング信号または「エッジ」を生成する。各タイミングジェネレータ216は特定の機能を実行するためにテストシステム・コントローラ(たとえば図1に示されたテストシステム・コントローラ110)によって制御される可能性があるので、タイミングジェネレータ216はいくつかのコピーがある。
【0046】
たとえば、1つのタイミングジェネレータはテスト信号の生成を開始するように制御される可能性があり、他のタイミングジェネレータはテスト信号の生成を停止するように制御される可能性がある。同様に、さらに別のタイミングジェネレータは、受信した信号の測定を開始するように制御される可能性があり、さらに別のタイミングジェネレータは、信号の測定を停止するように制御される可能性がある。
【0047】
CMOS部分240は、また、デジタル・シグマデルタ変調器(DΣΔ M)回路226を含み、これもテストシステム・コントローラ110によって制御され、好ましくはピンスライス回路214によって使用される一連の基準電圧に関するデータを生成するために使用される。DΣΔ M回路226を使用して基準電圧を生成する新しい方法は、次に詳細に説明する。
【0048】
CMOS部分240は、また、プログラマブルデジタル信号プロセッサ284、リード/ライト(読出し/書込み)メモリ285、およびアナログーデジタルコンバータ(A/D)チャネル286aと286bを含む、デジタル信号処理デバイス280を含む。デジタル信号処理デバイス280によって実行される機能には、バイポーラ部分242の中のパラメトリック測定ユニット(PMU)220によって生成されるDC電圧レベルとDC電流レベルを監視することが含まれる。デバイス280は次いで、DΣΔ M回路226と協動してDCレベルを制御し、PMU220が非常に安定したDC電圧レベルおよびDC電流レベルを生成するようにする。DΣΔ M回路226とデバイス280とを協動させる新しい方法も以下に詳細に説明する。
【0049】
図2Bに示された本発明のさらに別の実施形態によれば、D―Aコンバータチャネル287aと287bは、図2AのDΣΔ M回路226ではなく、CMOS部分240の中に含まれる。この、デジタル信号処理デバイス280を使用して、PMU220によって生成されたDCレベルを制御する別法も、図2Bおよび図3Bを参照して以下に詳細に説明する。
【0050】
CMOS部分240は、テスタの内部にあるクロック(図示せず)に同期化できるシーケンシャルな部分を伴う回路(図示せず)を含む場合がある。たとえば、タイミングジェネレータ216、DΣΔ M回路226、およびデジタル信号処理デバイス280は、典型的にはテスト装置の内部クロックと同期化できる回路(図示せず)を含む。この理由のために、ピンスライス回路214のCMOS部分240の中にあるこの回路は、通常は、CMOS回路のタイミング特性の変動によって重大な影響を受けることはない。これらのタイミング特性の変動は、ピンスライス回路214の温度の変化、ピンスライス回路214によって処理される信号の周波数の変化などの要因によって生じる場合がある。
【0051】
しかし、CMOS部分240はまた、テスト装置の内部クロックと同様には同期化できない回路(図示せず)を含む場合がある。たとえば、タイミングジェネレータ216は一般には、テスト装置の内部クロックによって決定される時間だけではなく、DUTのタイミングによって示される時間にもエッジを生成するように求められる。この理由のために、好ましくは補償技法がタイミングジェネレータ216の中で使用されて、CMOS回路のタイミング特性を改善する。このようにして、タイミングジェネレータ216、DΣΔ M回路226、およびデジタル信号処理デバイス280は、CMOS部分240のタイミング特性の変動によって重大な影響を受けることなく、ピンスライス回路214のCMOS部分240の低減されたサイズ、コスト、電力という利点を得ることが可能である。
【0052】
ピンスライス回路214のバイポーラ部分242は、ドライバ/レシーバ・チャネル218、パラメトリック測定ユニット(PMU)220、および好ましくはデジタル・シグマデルタ復号器(DΣΔD)回路228を含む。
【0053】
CMOS部分240の中のタイミングジェネレータ216によって生成されるエッジは、バイポーラ部分242の中のドライバ/レシーバ・チャネル218に供給される。ドライバ/レシーバ・チャネル218はDUT112のピンにおいてデジタル信号およびレベルを生成し、測定するために必要なドライバおよびコンパレータ回路(図示せず)を含む。
【0054】
同様に、図2Aの好ましい実施形態において、CMOS部分240の中のDΣΔ M回路226によって生成されたデータは、バイポーラ部分242の中のDΣΔD回路228に供給される。上記のように、このデータはピンスライス回路214によって使用される基準電圧に関連する。
【0055】
さらに、DΣΔ M回路226によって生成されたデータは、好ましくはシリアル・ビットストリームの形態である。これは、ピンスライス回路214のCMOS部分240およびバイポーラ部分242が、好ましくはカスタムICとして実装されているためであり、本発明者らは、カスタムICのコストはIC上のピンの数を最小にすることにより低減できることを理解した。したがって、DΣΔ M回路226は、1ビット幅のライン244を使用して、データをDΣΔD回路228に渡すため、CMOS部分240を実装するIC上に1つの出力パッド(図示せず)しか必要とせず、バイポーラ部分を実装する別のIC上にも1つの入力パッド(図示せず)しか必要としない。
【0056】
DΣΔD回路228は、ライン244上でDΣΔ M回路226によって供給されたデータを使用して、ドライバ/レシーバ・チャネル218およびPMU220に多数の基準電圧を供給する。ドライバ/レシーバ・チャネル218は、DUT112のピンにおいてデジタル信号を生成または測定する時に、これらの基準電圧から選択された一部を、論理ハイレベルおよび論理ローレベルとして使用する。
【0057】
DΣΔD回路228は、好ましくは20個の、多数の基準電圧をドライバ/レシーバ・チャネル218に供給する。これは、ピンスライス回路214が典型的には、10個の基準電圧が各チャネルに供給されるデュアルチャネル構成で実装されているためである。さらに、ピンスライス回路214は典型的には、異なる論理レベルに従って動作する可能性のある異なる技術を使用して実装された半導体デバイスをテストするために使用される。テストシステム・コントローラ110は、異なるDUT技術に関して論理ハイレベルおよび論理ローレベルとして使用される基準電圧を示す制御信号を、ドライバ/レシーバ・チャネル218に送る。
【0058】
PMU220は、また、DΣΔD回路228によって生成される基準電圧から選択された一部を使用する。ドライバ/レシーバ・チャネル218は基準電圧を使用して、デジタル信号に関する論理ハイレベルおよび論理ローレベルを定義するのに対し、PMU220は基準電圧を使用して、DUT112のピンにおいてDCレベルを生成し、測定する。テストシステム・コントローラ110は、要求されるDCレベルを生成し、測定する時に使用される基準電圧を示す制御信号をPMU220に送る。
【0059】
図2Aおよび図2Bは、ドライバ/レシーバ・チャネル218の出力とPMU220の出力が、同じラインを使用してDUT112のピンへ信号およびレベルを供給することを示しているが、これらのうち一度に起動できるのは1つのみであり、実際にはラインの競合はないことを理解されたい。したがって、テストシステム・コントローラ110は、好ましくは、スイッチまたはリレー(図示せず)を制御して、テストの間、ドライバ/レシーバ・チャネル218およびPMU220を互いに分離する。
【0060】
PMU220はまた、生成したDCレベルの表示を、ライン283および288上のデジタル信号処理デバイス280へ提供する。特に、ライン283はA/Dチャネル286aの入力に、ライン288はA/Dチャネル286bの入力にそれぞれ接続する。A/Dチャネル286aおよび286bは次いで、DC表示をデジタル形式に変換し、これによってプロセッサ284がDC電圧値とDC電流値を読み込んで監視することを可能にする。A/Dチャネル286aおよび286b(図示せず)の中に含まれる16ビットのA/Dコンバータ(図示せず)が、プロセッサ284がDC値を監視するために十分な分解能を提供すると考えられる。
【0061】
さらに、プロセッサ284は監視されたDC値を、メモリ285内に格納され得る所望のDC値と比較する。プロセッサ284が、監視されたDC値が所望のDC値に一致しないと認識した場合、プロセッサ284はPMU220の選択された実施形態に応じて、訂正動作を実行し得る。たとえば、プロセッサ284はテストシステム・コントローラ110に、DΣΔ M回路226に供給された制御信号を修正し、PMU220に供給された基準電圧のうち選択された一部を調整するように命令することが可能である。別法としては、プロセッサ284はデジタル制御バス299上でDΣΔ M回路226を直接制御する場合もある。図2Bおよび図3Bの、本発明の代替の実施形態では、プロセッサ284は、図2BのD/Aチャネル287aおよび287bを使用してPMU220に供給されたドライブデータのレベルを修正する場合もある。デジタル信号処理デバイス280を使用して、PMU220によって生成されたDCレベルを制御するこれらの代替の方法は、以下で図3Aから図3Cに関してさらに詳細に説明する。
【0062】
図3Aは、DΣΔ M回路226、DΣΔD回路228、およびPMU220の詳細な図を示す。
DΣΔ M回路226は、多数のDΣΔ M330を含む。当業者には知られているように、DΣΔ Mは、デジタル回路で実装でき、高い分解能のデジタル入力信号を再量子化するために使用される、簡単で非常に非線型的なアルゴリズムであるので、高いサンプリングレートで忠実性をほとんど損失しない、低い分解能数として入力信号を表す。DΣΔ Mが本発明で使用される1つの理由は、これらが、知られた技法を使用して、ピンスライス回路214のCMOS部分240の中の他の回路と容易に統合できるためである。
【0063】
1ビットのD/Aコンバータなど、低い分解能であり、高速度のデジタルーアナログ(D/A)コンバータ335(図3Aを参照のこと)を使用して、ドライバ/レシーバ・チャネル218およびPMU220によって使用される多数の基準電圧を再生することが可能である。これらのD/Aコンバータは、バイポーラ製法でも最小の面積で容易に作成できる。したがって、このように高い分解能デジタル入力信号を低い分解能で表現することは、ピンスライス回路214のバイポーラ部分242において多数の、アナログに切り換えられた基準電圧を再生する、面積もコストも効率的な方法を導く。
【0064】
図3Aに示された例示としての実施形態では、多数のDΣΔ M330がDΣΔ M回路226の中に示されている。これはPMU220が、DCレベルをDUT112に提供するドライバ回路392および393と共に示されているからである。ドライバ回路392は、選択された論理ハイ電圧VR1に適合するDCレベルをDUT112に提供する。同様に、ドライバ回路393は、選択された論理ハイ閾値電圧VR2に適合するDCレベルをDUT112に供給する。したがって、多数のDΣΔ M330は、基準電圧VR1およびVR2を生成するために使用される。
【0065】
DΣΔ M回路226の中のDΣΔ M330の数は、DΣΔD回路228によって供給される基準電圧の数に等しいことを理解されたい。好ましい実施形態では、DΣΔD回路228は20個の基準電圧(VR1〜VR20)を供給するので、DΣΔ M回路226は、好ましくは20個のDΣΔ M330を含む。
【0066】
各DΣΔ M330は入力として、テストシステム・コントローラ110によって供給された、スイッチングされた(切り換えられた)一定値のシーケンスを受け入れる。各一定値は所定の期間に渡って、変調器330に関連する基準電圧出力VR1、VR2・・・またはVR20における、望ましいDCレベルに対応する。DΣΔ M330の入力において一定値を変更すると、DΣΔ M330によって供給される数が変更される。これらの数は次いで復号化(デコード)され、アナログレベルに変換され、DΣΔD回路228内で濾波され、その結果、DΣΔD回路228の出力において新しいDCレベルが生じる。DΣΔD回路228の各出力は、ドライバ/レシーバ・チャネル218またはPMU220のいずれかにおいて、割り当てられた電圧基準入力にワイヤ接続(配線)される。この方法で、基準電圧を、テストシステム・コントローラ110のプログラミングの間、テスタのオペレータが指定することが可能である。
【0067】
各DΣΔ M330の入力における一定値のシーケンスは次いでサンプリングされ、知られた技法を使用してDΣΔ M330によって、オーバサンプリングされたノイズシェープ・パルス密度変調(ONPDM:over-sampled, noise shaped, pulse-density-modulated)出力信号に変換され、この信号は好ましくは、オーバサンプリングクロック(図示せず)の周波数で、1ビット幅の出力ストリームである。一般には、DΣΔ Mによって生成されたONPDM信号は、所与の期間に渡ってONPDM信号内のデジタルパルスの平均密度が、同じ期間に渡るDΣΔ Mの入力における平均値(mean value)に等しいという特徴がある。したがって、DΣΔ M330は、その入力において一定値に等しい平均パルス密度を伴うONPDM出力信号を生成する。
【0068】
さらに、各DΣΔ M330は、所望によりアナログに切り換えられた基準電圧の高分解能のデジタル表現をサンプリングし、その出力において、入力信号のナイキストサンプリング周波数の何倍ものレートで、オーバサンプリングされたノイズシェープ低分解能デジタルビットストリームを供給する。これは、再量子化の間に生成されたノイズのほとんどは、出力サンプルレートが増大するとアナログ低域フィルタ338の通過帯域以上の周波数内に含まれるようになるためである(図3Aを参照のこと)。スペクトラム上、高い周波数に形成される再量子化ノイズ電力が多いほど、アナログ低域フィルタ338の出力で現れるノイズは少ない。ノイズが周波数スペクトラムのより望ましい部分に移動されている高いレート出力データストリームを生成する方法は、一般には「ノイズシェープ、オーバサンプリング」として知られている。
【0069】
好ましい実施形態では、各DΣΔ M330は、5MHzのサンプリングレートで出力サンプルを生成し、これは、2.5MHzのナイキスト限界まで信号周波数の表現を可能にする。アナログ低域フィルタ338が、10kHzの後、急激にロールオフする通過帯域のために設計されている場合、オーバサンプリングされた帯域幅とアナログ出力帯域幅の比は250対1になり、これは、所望のノイズレベルを伴うアナログ出力信号を供給するために十分であると考えられる。
【0070】
上記のように、カスタムICのコストは、IC上のピンの数を最小にすることによって低減することが可能である。このため、DΣΔ M330によって生成されるONPDM出力はマルチプレクサ332に供給され、マルチプレクサ332はDΣΔ M330からの出力の、時間多重化したシーケンスを1ビット幅のライン244上に生成する。
【0071】
特に、DΣΔ M330は好ましくは、入力において値を同期的にサンプリングする。その結果、各DΣΔ M330によって生成された出力ストリーム内のビットは、同期的な方法でマルチプレクサ332の入力に供給される。さらに、マルチプレクサ332の入力は、カウンタ334によってシーケンシャルに選択される。この方法で、DΣΔ M330によって生成された出力ストリーム内のビットは、シーケンシャルな方法で1ビット幅のライン244上に配列される。
【0072】
上記のように、DΣΔ M回路226は、好ましくは20個のDΣΔ M330を含む。これは、マルチプレクサ332が、好ましくは20個の入力を有して、ライン244上の20個のPDM出力を組み合わせるということである。さらに、マルチプレクサ332の20個の入力は、カウンタ334によってシーケンシャルに選択される。この方法で、20個のDΣΔ M330によって生成された出力ストリーム内のビットは、シーケンシャルにライン244に出される。
【0073】
テストシステム・コントローラ110は、DΣΔ M330およびカウンタ334を制御し、新しい20個のビットの組がマルチプレクサ332の入力において使用可能になった時のみ、カウンタ334が全サイクルをカウントするようにプログラミングされる。したがって、カウンタ334のクロック周波数は、DΣΔ M330のサンプリングレートの20(20)倍でなければならない。すなわち、5MHzという好適サンプリング周波数を使用すると、カウンタ334のクロック周波数は100MHzでなければならないことを意味する。
【0074】
ライン244上の組み合わされた出力ストリームは次いで、DΣΔD回路228に含まれるシフトレジスタ337に供給される。シフトレジスタ337は、20個のDΣΔ M330によって生成された出力ストリームを、ライン244上の組み合わされた出力ストリームから分離するために使用される。さらに、テストシステム・コントローラ110は、ライン362上のクロック信号およびライン364上の同期信号をシフトレジスタ337に供給することを制御するようにプログラミングされる。
【0075】
特に、ライン362上のシフトレジスタ337に供給されるクロック信号の周波数は、カウンタ334のクロック周波数に等しくなければならない。たとえば、カウンタ334に供給される100MHzクロックによって、マルチプレクサ332が100MHzの周波数でライン244上にビットストリームを生成させる。これは、シフトレジスタ337も、20個のビットを一度に20個のレジスタ336にシフトするために、100MHzレートでクロックされていなければならないことを意味する。さらに、新しい20個のビットの組がレジスタ336の中で使用可能になるといつでも、レジスタ336の出力が使用可能(イネーブル)になり、20個のデータパルスは20個の同一の同期化ゲート339に同時に供給される。この方法で、各ゲート339に、各DΣΔ M330によって生成されたビットストリームが供給される。
【0076】
テストシステム・コントローラ110は、各ゲート339に、ライン366のウィンドウ信号を供給する。ウィンドウ信号は好ましくは、エッジタイミング精度を最大にするための差分信号である。このために、ライン366は、2ビット幅のラインとして示されている。さらに、ウィンドウ信号はゲート339と共に使用され、データパルスの幅を制御し、また、セトリング時間(settling time)がデータパルス幅に影響を与えないように、各ストリーム内のデータパルスの間隔を十分に広くする。
【0077】
次に、ゲート339はデータストリームを各D/Aコンバータ335に供給する。D/Aコンバータ335は、デジタル数を、所望のDCレベルのノイズが含まれるバージョンに変換する。D/Aコンバータ335のアナログ出力は次いで、アナログ低域フィルタ338によって低域濾波され、これによってノイズのほとんどを除去する。低い分解能のD/Aコンバータ335およびアナログフィルタ338の具体的な実装は、本発明には重要でないことに注意されたい。
【0078】
フィルタ338によって生成される基準電圧VR1からVR20は、次いでPMU220に含まれる選択回路396に供給される。テストシステム・コントローラ110は、選択回路396を制御するようにプログラミングされ、これによって、ドライバ回路392および393へ正しい基準電圧を供給する。
【0079】
たとえば、選択回路396は、基準電圧VR1をドライバ回路392、基準電圧VR2をドライバ回路393にそれぞれ供給するように制御され、ドライバ回路392および393は、ライン281および282上でデジタル信号処理デバイス280によって供給されたドライブデータを使用してDC電圧レベルを生成する。DC電圧レベルはVR1およびVR2にほぼ等しい値で生成され、選択的にセンス(検知)抵抗器(sense resister)397と398、およびスイッチ394と395を介してDUT112に送ることが可能である。
【0080】
好ましい実施形態では、ドライバ回路392および393は、ドライバ/レシーバ回路218内で使用される回路と同じなので、製造コストの最適な効率に貢献する。この実施形態では、ドライバ392および393上のVih入力は選択された基準電圧(図示のVR1およびVR2など)に接続され、ドライバ392および393上のVil入力はグラウンド(アース)に接続される。これは、ドライバ392が0からVR1ボルト、ドライバ393が0からVR2ボルトの範囲のDC電圧レベルをそれぞれ生成することを可能にする。
【0081】
さらに、センス抵抗器397および398は、好ましくはバイポーラ部分242を実装するIC上で実装されているので、バイポーラIC上に必要なピンの数を最小にし、印刷回路板の面積およびコストの最適な効率に貢献する。しかし、バイポーラIC上で使用可能な面積が制限されている場合は、別法として、抵抗器397および398は別個の抵抗器として「オフチップ(off-chip)」で実装される場合もある。さらに、スイッチ394および395は、好ましくはリレーとしてオフチップで実装されるか、または光学的に分離されたFETとして実装され、ノイズを最小にする。
【0082】
図2Bおよび図3Bの代替の実施形態では、デジタル信号処理デバイス280はD/Aコンバータ287aおよび287bを介してドライバ回路392および393にドライブデータを供給することが可能である。この方法で、デバイス280がドライバ392および393によって生成されるDCレベルの長さおよび値の両方を指定することが可能になる。特に、プロセッサ284は、D/Aチャネル287aおよび287bに特定の値を順次供給するようにプログラミングされ、D/Aチャネル287aおよび287bは、供給された値をアナログ形式に変換して、変換された値を、ライン281を使用してドライバ392へ、ライン282を使用してドライバ393へ送ることが可能である。D/Aチャネル287aおよび287bの中に含まれる16ビットのD/Aコンバータ(図示せず)が、デジタル信号処理デバイス280によって供給されるドライブデータについて、十分な分解能を供給すると考えられる。
【0083】
図2Aおよび図2Bの両方の実施形態において、DUT112をテストする時に最適な融通性を提供するために、PMU220は、好ましくは低電流出力セクションおよび高電流出力セクションを含む。この目的のために、センス抵抗器397および398の値は、所望の低いDC電流レベルおよび高いDC電流レベルを供給するように選択される。
【0084】
たとえば、ドライバ392およびセンス抵抗器397を含むパス(経路)は、低いDC電流レベルを供給するように設計することが可能である。この場合、センス抵抗器397に適した値は1kΩとなる。ドライバ392が定義された利得を有するので、基準電圧の値VR1が選択されて、2ボルトなどのフルスケール電圧出力を供給する場合がある。したがって、対応するフルスケール電流の出力は、2mAに等しくなる。これは、対応するフルスケール電力のレベルは4mWに等しくなることを意味する。D/Aチャネル287aおよび287bは好ましくは16ビットデータを変換する能力を有するので、対応するLSB電流出力は30nAに等しくなるということも意味する。
【0085】
さらに、ドライバ393およびセンス抵抗器398を含むパスは、高いDC電流レベルを供給するように設計することが可能である。この場合、センス抵抗器398に適した値は40Ωとなる。ドライバ392および393は、好ましくは定義された同じ利得を有するので、基準電圧VR2の値が選択されて、2ボルトなどのフルスケール電圧の出力を供給する場合がある。したがって、対応するフルスケール電流の出力は50mAに等しくなる。これは、対応するフルスケール電力のレベルは100mWに等しくなり、対応するLSB電流出力(16ビットのD/Aコンバータであると仮定する)は、約0.8μAに等しくなることを意味する。
【0086】
上記のようにセンス抵抗器397および398に関して特定の値を説明したが、他の適切な値も使用される場合があることを理解されたい。たとえば、センス抵抗器397および398に関する値は、所望の高いDC電流レベルおよび低いDC電流レベルを満足させるためのみではなく、ピンスライス回路214の出力のインピーダンスとDUT112の対応するピンのインピーダンスを一致させるためにも指定される場合がある。
【0087】
ドライバ392および393によって生成されるDCレベルは次いで、スイッチ394および395を介してDUT112に供給される。テストシステム・コントローラ110はスイッチ394および395を制御するようにプログラミングされており、DUT112のピン(図示せず)に所望のDCレベルを提供する。
【0088】
パラメトリックテストの間、ピンスライス回路が安定したDC電圧レベルおよびDC電流レベルを生成することが非常に重要であると説明した。これは、生成されたDCレベルが不安定であると、テスト結果が不正確になる可能性があるためである。このような不安定さはピンスライス回路に影響を与える製造過程の変動および温度の変動などの要因によって生じる場合がある。このため、ドライバ392または393のいずれかによって生成されたDC電圧レベルは、ライン283上のデジタル信号処理デバイス280に供給される。したがって、テストシステム・コントローラ110は、スイッチ394および395のうち1つを作動させるようにプログラミングされ、ドライバ392または393のいずれかによって生成されたDC電圧レベルをA/Dチャネル286aに提供する。
【0089】
さらに、PMU220は、差動増幅器391および399を含み、差動増幅器391はセンス抵抗器397の電圧、差動増幅器399はセンス抵抗器398の電圧をそれぞれ測定し、測定された電圧をマルチプレクサ390に提供する。テストシステム・コントローラ110は、選択信号をマルチプレクサ390に発するようにプログラミングされ、センス抵抗器397または398のいずれかについて測定されたDC電圧レベルを、ライン288上でA/Dチャネル286bに提供する。センス抵抗器397および398は特定の値を有するので、ドライバ392および393によって生成されたDC電流レベルは、測定されたDC電圧レベルから容易に決定することが可能である。
【0090】
A/Dチャネル286aはライン283、A/Dチャネル286bはライン288上でDC電圧レベルをそれぞれ、デジタル形式に変換する。さらに、プロセッサ284は変換されたDC電圧レベルを読み込み、ドライバ392および393が所望のDC電圧レベルとDC電流レベルを生成しているかどうかを決定するようプログラミングされている。
【0091】
たとえば、図3Aは、プロセッサ284がドライバ392によって生成されたDCレベルを監視し制御する場合を示す。したがって、テストシステム・コントローラ110が、制御信号を発し、スイッチ394を作動させる。一度にライン283上に現れる可能性があるのはドライバ392および393によって生成されたDCレベルのうち1つのみであるので、スイッチ395は「オープン(開)」位置で示されている。その後、ドライバ392によって生成されたDCレベルは、ライン283上のA/Dチャネル286aに供給される。
【0092】
さらに、テストシステム・コントローラ110は選択信号をマルチプレクサ390に発し、差動増幅器391によって測定されたレベルがライン288の上に生じるようにする。その後、この測定されたレベルはライン288上でA/Dチャネル286bに供給される。
【0093】
次に、A/Dチャネル286aおよび286bは、DCレベルをデジタル形式に変換し、プロセッサ284は変換されたレベルを読み込む。したがってプロセッサ284は、ライン283上でドライバ392によって生成されたDC電圧レベルを直接監視することも可能であり、または、ライン288上で測定された電圧レベルを使用してドライバ392によって生成されたDC電流レベルを計算することも可能である。プロセッサ284は次いで、これらのレベルの1つまたは両方を、テストセッションの始めにメモリ285内に格納された、所望の電圧レベルおよび/または電流レベルと比較する。
【0094】
図2Aおよび図3Aは、プロセッサ284がドライバ392によって生成されたDCレベルを監視し制御する場合を示す。ここでも、テストシステム・コントローラ110はスイッチ394を作動させ、スイッチ395をオープンにし、選択信号をマルチプレクサ390に発して、差動増幅器391の出力がライン288上に生じるようにプログラミングされる。
【0095】
この好ましい実施形態では、ドライバ392および393の入力はDΣΔD回路228によって供給された基準電圧のうち選択された一部に結合される。たとえば、ドライバ392の入力は基準電圧VR1に結合され、ドライバ393の入力は基準電圧VR2に結合される。したがって、プロセッサ284が、ドライバ392および393によって生成されたDCレベルが所望のレベルに一致しないと結論した場合、プロセッサ284は基準電圧レベルVR1およびVR2を変更することによって、DCレベルを調整する。この結果、プロセッサ284は、所望のレベルが達成されるまで、基準電圧VR1およびVR2に関連する変調器の入力において、切り換えられた一定値のシーケンスを適宜変更するように、テストシステム・コントローラ110に命令する。この方法で、デジタル信号処理デバイス280は、PMU220が、的確で安定したDC電圧レベルおよびDC電流レベルを生成するようにする。別法としては、プロセッサ284は、制御バス299上に適切なコマンドを送出することによって、変調器330によって示された、切り換えられた一定値のシーケンスを直接制御することも可能である。
【0096】
基準電圧VR1からVR20は、ドライバ/レシーバ回路218に含まれる選択回路(図示せず)にも同様に供給される場合があることに注意されたい。テストシステム・コントローラ110は、したがって、この選択回路を制御し、ドライバ/レシーバ回路218内のドライバ(図示せず)およびコンパレータ(図示せず)に正しい基準電圧を供給するようにプログラミングされる。
【0097】
図2Bおよび図3Bは、デジタル信号処理デバイス280がドライブデータをライン281上でドライバ392に、ライン282上でドライバ393に、それぞれ提供する、本発明の代替の実施形態を示す。したがって、プロセッサ284が先の比較を基に、ドライバ392および393により生成されたDCレベルが所望のレベルと一致しないと判断すると、プロセッサ284は、D/Aチャネル287aおよび287bに提示する値の大きさを変更してDCレベルを調整し、所望のレベルに達するまでライン281および282上のドライブデータのレベルを変更する。
【0098】
図3Cは、DΣΔD回路228の回路図を示す。特に、マルチプレクサ332によって生成された100MHzビットストリームは、ライン244上のシフトレジスタ337内の第1のレジスタ336−1に供給される。レジスタ336―1〜336−20の各々は、好ましくはそれぞれレジスタ470および472を含み、レジスタ470および472は、従来のDフリップフロップを使用して実装される場合がある。さらに、レジスタ470の各々は、図3Cに示すように直列に接続されている。
【0099】
上記のように、シフトレジスタ337は、好ましくは、ライン244上のビットストリームから20個のビットを、20個のレジスタ336にシフトするように100MHzレートでクロックされている。したがって、100MHzクロックはライン362上の各レジスタ470に供給される。さらに、20個のビットの新しい組が各レジスタ470で使用可能になるといつでも、同期信号がライン364に供給され、各レジスタ472の中の20個のビットをラッチする。20個のビットの組は、好ましくは100MHzレートでレジスタ470にクロックされているため、同期信号は5MHzレートでライン364に供給される。
【0100】
レジスタ472の中にラッチされたビットの各組は、次いで、同期ゲート339に供給され、同期ゲートは従来のANDゲート構成を使用して実装することが可能である。同期ゲート339の動作は、図4に示されたタイミング図を使用して説明することが可能である。
【0101】
図4は、例として、同期ゲート339のうち1つの入力に接続されている、ライン474(図3C)上の一連のデータパルスを示す。一連のデータパルスはDΣΔ M330のうち1つによって生成されたビットストリームに対応する。さらに、各DΣΔ M330は、好ましくは、入力において5MHzのサンプリング周波数を使用して値をサンプリングするため、ライン474上の各データパルスの幅は200η秒である。したがって、値が論理「1」のデータビットは、1η秒と200η秒の時間の間に発生し、値が論理「0」のデータビットは、200η秒と400η秒の時間の間に発生し、値が論理「1」のデータビットは、400η秒と600η秒の時間の間に発生する。
【0102】
図4は、また、ライン366上のウインドウ信号を示す。上記のように、ウインドウ信号は好ましくは差分信号である。したがって、図3Aは、各同期ゲート339の2つの入力に接続された2ビット幅のラインとしてライン336を示している。
【0103】
発明者らは、レジスタ472によって供給されるデータパルスの幅と間隔を正しく制御することによって精度が向上することを理解した。この目的のために、同期ゲート339は、ライン474上のデータをライン366上のウインドウ信号に同期化する。ライン476上の同期化されたデータ(図4)は次いで、フィルタ338に供給される。
【0104】
図4に示されたように、ライン476上のデータパルスの幅は、ライン366上のパルスの幅に等しく、ライン476上の隣接するデータパルスの間の最小の間隔は、ライン366上のパルス間の間隔に等しい。さらに、レジスタ472が同期ゲート339に、論理「1」の値を有するデータビットを供給する場合、同期ゲート339は、固定幅のパルスをフィルタ338に供給する。別法としては、レジスタ472が同期ゲート339に論理「0」の値を有するデータビットを供給する場合、同期ゲート339はフィルタ338にパルスを送らない。最後に、フィルタ338は、これらのデータビットストリームをPDM信号から、所望のDC基準電圧VR1からVR20に等しい一定値を伴うPCM信号へ変換する。
【0105】
1つの実施形態を説明したが、多くの代替の実施形態または変形形態も作成することが可能である。たとえば、ピンスライス回路はCMOS部分とバイポーラ部分を有し、タイミングジェネレータおよびDΣΔ変調器回路はCMOS部分の中にあり、DΣΔ復号器回路、ドライバ/レシーバ・チャネルおよびPMUはバイポーラ部分にあると説明した。しかしこれは説明のための例にすぎない。ピンスライス回路は、CMOS部分およびバイポーラ部分内の異なる回路ブロックで構成される場合もある。
【0106】
たとえば、DΣΔ復号器回路は、CMOS部分に含まれる場合もある。これは、マルチプレクサおよびカウンタを使用して多数のビットストリームを組み合わせ、次いで、シフトレジスタを使用してビットストリームを分離する必要性を除去する。さらに、これは、CMOS ICの中のDΣΔ復号器回路から、バイポーラICの中のドライバ/レシーバ・チャネルおよびPMUへ基準電圧を渡すために対応するICの中により多くのピンを必要とするので、その結果できるシステムはコストと面積の両方の面で効率的ではなくなる。
【0107】
さらに、PMU220内の選択回路を完全に除去し、基準電圧をドライバおよび差動増幅器回路に直接ルーティングする場合もある。
さらに、本発明の代替の実施形態において、差動増幅器391、センス抵抗器397、スイッチ394、およびドライバ392を含む回路(図3A参照)は、バイポーラ部分242を実装するIC上で複製され得るが、但しセンス抵抗器にはより大きな値が用いられる。この複製された回路の差動増幅器の出力は他の差動増幅器391および399の出力とともに多重送信される。したがって、マルチプレクサ390には付加的な入力および制御ラインが必要となる。
【0108】
たとえば、複製された回路の中のセンス抵抗器の値は25kΩに等しく、オリジナル(元の)回路の中のセンス抵抗器397の値は1kΩに等しい。このようなセンス抵抗器の大きな値は一般には、小さな電流レベルに対するより優れた分解能を可能にする。
【0109】
さらに、元の回路および複製された回路の両方の中のドライバは、同じ基準電圧レベル(たとえばVR1)を使用する場合がある。これは、スイッチ394など回路内のそれぞれのスイッチが、回路のうち1つだけが一度に使用されるように制御されるためである。この実施形態は、低い分解能のD/Aコンバータが本発明に組み込まれる場合に特に有用である。
【0110】
さらに、ここに説明したDΣΔ変調器は、好ましくは2次変調器である。しかし、より高次の変調器を使用して、低域濾波の後に基準電圧上の残留ノイズをさらに低減する場合もある。より高次の変調器は一般に、高次のアナログ濾波を必要とするので、回路の全体の複雑さは増大すると予想され、面積およびコストの効率が低減する。
【0111】
このように、本発明は、請求項の精神および範囲によってのみ限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 ピンスライス構成を使用する従来のテスタの構成図である。
【図2】 図2Aは、本発明によるピンスライス回路の部分構成図である。
図2Bは、本発明の別の実施形態による、ピンスライス回路の部分構成図である。
【図3】 図3Aは、図2Aに示されたピンスライス回路の部分の詳細な図である。
図3Bは、図2Bに示されたピンスライス回路に含まれるパラメトリック測定回路の代替実施形態の詳細な図である。
図3Cは、図3Aに示されたピンスライス回路に含まれる復号器回路の概要図である。
【図4】 図3Cに示された復号器回路の動作を説明するために使用されるタイミング図である。
Claims (17)
- 自動テスト装置内での使用に適応された半導体チップであって、
制御入力、および前記半導体チップの出力パッドに接続された出力を有する変調回路であって、該出力においてデジタルビットのストリームを生成し、次いで、第1のDCレベルに変換し、該デジタルビットのストリームは、前記制御入力における値を表す変調回路と、
前記第1のDCレベルを監視および制御するプログラマブルデジタル信号処理デバイスであって、前記半導体チップの入力パッドに接続されたA/Dチャネルを含み、該A/Dチャネルは前記入力パッドに印加された第2のDCレベルをデジタルデータに変換するために使用され、該第2のDCレベルは前記第1のDCレベルに比例するプログラマブルデジタル信号処理デバイスと、を備え、
該デジタル信号処理デバイスは、メモリ内に格納された所望のデータからの前記デジタルデータの偏差を決定するようにプログラミングされるとともに、前記変調回路の前記制御入力における値を制御して前記偏差を最小にするようにプログラミングされている、
半導体チップ。 - 前記チップはCMOS技術を使用して実装される請求項1に記載の半導体チップ。
- さらに、複数のタイミングジェネレータ回路を含み、各タイミングジェネレータ回路は、制御入力と、該制御入力上の値によって決定された時間に信号を有する出力とを有し、
前記タイミングジェネレータ回路の出力は、前記半導体チップの前記出力パッドに結合されている、請求項1に記載の半導体チップ。 - 前記変調回路はデジタル・シグマデルタ変調器である、請求項1に記載の半導体チップ。
- 前記請求項1に記載の半導体チップを備える自動テスト装置であって、さらに第2の半導体チップを含み、該第2の半導体チップは、
該第2の半導体チップ上に形成されたパラメトリック測定ユニットであって、複数の基準入力と、前記請求項1の半導体チップの前記入力パッドに結合され、前記第2のDCレベルを印加する出力とを有するパラメトリック測定ユニットと、
前記請求項1の半導体チップの前記出力パッドに結合されたデジタル入力と、前記パラメトリック測定ユニットの基準入力に結合されたアナログ出力とを有する変換回路と、
を備える自動テストシステム。 - 前記請求項1の半導体チップはCMOS技術を使用して実装され、前記第2の半導体チップはバイポーラ技術を使用して実装される請求項5に記載の自動テストシステム。
- 第1の集積回路上に実装されたプログラマブルデジタル信号処理デバイスと、第2の集積回路上に実装されたパラメトリック測定回路とを有するタイプの自動テスト装置を動作させる方法であって、
(a) 前記第1の集積回路上に実装された回路手段を使用してドライブデータを生成するステップと、
(b) 前記ドライブデータを前記第2の集積回路に、前記第1の集積回路のシングルピンを介してシリアル・ビットストリームの形態で供給するステップと、
(c) 前記パラメトリック測定回路を使用して前記ドライブデータに比例するDCレベルを生成するステップと、
(d) 前記DCレベルを前記第1の集積回路に供給するステップと、
(e) 前記デジタル信号処理デバイスを使用して前記生成されたDCレベルと所望のDCレベルの間の偏差を決定するステップと、
(f) 前記ステップ(e)で偏差が決定された場合、前記デジタル信号処理デバイスを使用して前記ドライブデータを修正して該偏差を最小にするステップと、
(g) 前記第2の集積回路上の回路手段を使用して前記シリアル・ビットストリームを複数の分離されたビットストリームに分離し、該分離されたビットストリームを前記パラメトリック測定回路に供給するステップと、
を含む方法。 - 前記第1の集積回路はCMOS技術で実装され、前記第2の集積回路はバイポーラ技術で実装される、請求項7に記載の方法。
- 前記シリアル・ビットストリームを供給するステップは、
複数のシグマデルタ変調器を使用して、各ビットストリームが1つの基準レベルを表す複数のビットストリームを生成するステップと、前記複数のビットストリームを多重化してシングル・ビットストリームを形成するステップと、を含む請求項7に記載の方法。 - 請求項7に記載の方法を使用して半導体チップを製造する方法であって、該方法は、
a) 複数のダイを上に有するウェハを提供するステップと、
b) 請求項7の方法にしたがって動作するテスト装置で前記ダイをテストして、機能しているダイを識別するステップと、
c) 前記機能しているダイをパッケージするステップと、
を含む方法。 - 自動テストシステム内での使用に適応された半導体チップであって、
少なくとも1つのD/Aチャネルおよび少なくとも1つのA/Dチャネルを含むプログラマブルデジタル信号処理デバイスであって、該D/Aチャネルの出力は前記半導体チップの出力パッドに接続され、前記A/Dチャネルの入力は該半導体チップの入力パッドに接続されているプログラマブルデジタル信号処理デバイスを備え、
前記D/Aチャネルは前記デジタル信号処理デバイスによって供給されたデジタルデータを、該DAチャネルの出力において第1のDCレベルに変換し、該第1のDCレベルは続いて前記テストシステムによってテスト対象デバイスに供給され、
前記A/Dチャネルは入力において第2のDCレベルを対応するデジタルデータに変換し、該対応するデジタルデータを前記デジタル信号処理デバイスに供給し、前記第2のDCレベルは前記第1のDCレベルに比例しており、
前記デジタル信号処理デバイスは、前記第2のDCレベルに対応する前記デジタルデータの、メモリ内に格納された所望のデータからの偏差を決定するようにプログラミングされるとともに、前記D/Aチャネルに供給される前記デジタルデータを制御して前記偏差を最小にするようにプログラミングされている、半導体チップ。 - 前記第2のDCレベルは、前記第1のDCレベルに接続された負荷から流れ出す電流または負荷へ流れ込む電流に比例する、請求項11に記載の半導体チップ。
- 前記チップはCMOS技術を使用して実装される、請求項11に記載の半導体チップ。
- さらに、複数のタイミングジェネレータ回路を含み、該タイミングジェネレータ回路の各々は、制御入力と、該制御入力上の値によって決定された時間に信号を有する出力とを有し、
該タイミングジェネレータ回路の前記出力は、前記半導体チップの出力パッドに結合されている、請求項11に記載の半導体チップ。 - 前記請求項11に記載の半導体チップを備える自動テストシステムであって、
さらに、第2の半導体チップを含み、該第2の半導体チップは、
該第2の半導体チップ上に形成されたパラメトリック測定ユニットであって、複数の基準入力および少なくとも1つの出力を有するパラメトリック測定ユニットを備え、
前記基準入力のうち1つは、前記請求項11の半導体チップの前記出力パッドに結合され、
前記パラメトリック測定ユニットの前記出力は、前記請求項1の半導体チップの前記入力パッドに結合されて前記第2のDCレベルを印加する、自動テストシステム。 - 前記請求項1に記載の半導体チップはCMOS技術を使用して実装され、前記第2の半導体チップはバイポーラ技術を使用して実装される、請求項15に記載の自動テストシステム。
- 前記第2のDCレベルは前記第1のDCレベルに接続された負荷から流れ出す電流、または負荷に流れ込む電流に比例する、請求項1に記載の半導体チップ。
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