JP4494394B2 - 発光装置、表示装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は電界発光できる有機化合物を用いた有機発光素子を有する発光装置に関する。また、前記発光装置を部品として搭載した電子機器に関する。

近年、自発光型の素子として、電場を加えることにより発光（電界発光）する物質（以下「ＥＬ材料」と記す）を用いた発光素子の研究が活発化している。特に、ＥＬ材料として有機化合物を用いた素子（以下、「有機発光素子」と記す）が注目されている。また、有機発光素子を用いた様々な発光装置が提案されており、特にディスプレイへの応用が期待されている。

有機発光素子は、電界発光する有機化合物を含む層（以下、「有機発光層」と記す）を、陽極と陰極との間に狭持した構造を有するものである。その発光機構は、電極間に電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が電界発光層中で再結合して、励起状態の分子（以下、「励起分子」と記す）を形成し、その励起分子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光する。このような励起分子からの発光をルミネッセンスという。

なお、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本明細書中においては、どちらの発光を用いた場合も含むものとする。

このような有機発光素子において、有機発光層は通常、積層構造となっている。代表的には、「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる（非特許文献１参照）。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている有機発光素子は、殆どこの構造を元に構築されている。
Ｃ．Ｗ．タン等，アプライド フィジックス レターズ，Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１２，９１３−９１５（１９８７）

他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造なども考えられている。また、発光層に対して蛍光性色素等をドーピングする方法なども提案されている。さらに、これらの層に用いられる材料としては、低分子系の材料と高分子系の材料があり、低分子系の材料は主として真空蒸着法で、高分子系の材料は湿式塗布法で成膜される。

なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称して有機発光層としているので、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全て有機発光層に含まれるものとする。

以上で述べたような有機発光素子を発光装置、特にディスプレイのような表示用途に適用した場合、液晶表示装置と異なり視野角の問題がないという特徴がある。即ち、屋外に用いられるディスプレイとしては、液晶ディスプレイよりも適しており、様々な形での使用が提案されている。

ディスプレイの形態としては、セグメント形式の他、互いに直交するように設けられた２種類のストライプ状電極の間に有機発光層を形成する方式（単純マトリクス方式）、又はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間に有機発光層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）などがある。画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス方式の方が、単純マトリクス方式に比べて低電圧駆動できるので有利であると考えられている。

ところで、上述した有機発光素子において、有機発光層を構成する材料は、酸素もしくは水の存在により容易に酸化もしくは吸湿して劣化するため、それにより有機発光素子における発光輝度が経時的に低下するという問題がある。

そこで、従来では、有機発光素子の周囲に保護ケースを設け、そのケース内に微粉末固体脱水剤を充填する方法（特許文献１参照）や、封止缶等で形成された気密性容器内に有機発光素子を封入し、さらに素子から離して乾燥剤を貼り付ける方法（特許文献２参照）などによって、有機発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止している。
特開平６−１７６８６７号公報 特開平９−１４８０６６号公報

従来の有機発光素子を用いた発光装置の構造は、基板上に透明性を有する電極である陽極が形成され、陽極上に有機発光層が形成され、有機発光層上に陰極が形成された有機発光素子を有し、有機発光層において生じた光を陽極から基板の方へ取り出す（以下、下面出射構造とよぶ）という構造である。下面出射構造では、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止するために、有機発光素子に封止缶を被せることが可能である。光を遮断する材料で形成された封止缶で有機発光素子を覆っても、有機発光層において生じた光は、封止缶で覆われていない前記基板側から取り出されるため、問題なく表示を行うことができる。

一方、基板上に陽極が形成され、陽極上に有機発光層が形成され、有機発光層上に透明電極等、透明性を有する電極である陰極が形成された有機発光素子を有し、有機発光層において生じた光を陰極から取り出す構造（以下、上面出射構造とよぶ）の発光装置では、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止するために、光を遮断する材料で形成された封止缶で有機発光素子を覆う構造を適用することができない。光を遮断する材料で形成された封止缶で有機発光素子を覆うと、有機発光層において生じた光は、封止缶によって遮られてしまうため、表示を行うことができないためである。また、上面出射構造では、特許文献２のように発光部分（以下、「画素部」と呼ぶ）上に乾燥剤を配置すると、表示の邪魔になる。

また、上面出射構造において、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止するために、有機発光素子が形成された基板に別の基板を貼りあわせ、これらの２つの基板に挟まれた領域に有機発光素子を配置し、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止する構成では、２つの基板を貼りあわせるシール剤を紫外線によって硬化させる場合に、照射された紫外線が有機発光素子にも照射されて有機発光素子を劣化させる問題がある。

しかし上面出射構造は、下面出射構造に比べて光の取り出し効率を向上させ、発光効率を高める可能性があり、非常に有用な構造である。また、アクティブマトリクス型の発光装置に適用する場合には、下面出射構造に比べて、画素に配置されたＴＦＴの上に重なる、有機発光素子の一部も表示に寄与させることが可能となるので、開口率を向上できる利点もある。

そこで本発明では、上面出射構造の有機発光素子を用いた発光装置において、上面出射構造に適した、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止する構造（封止構造）を提供することを課題とする。

本発明者は，上面出射構造の有機発光素子を用いた発光装置において、以下のような封止構造を適用することで、課題を解決できることを見出した。

すなわち本発明では、第１基板の絶縁表面に接して設けられた第１電極と、前記第１電極に接して設けられなおかつ電界発光する有機化合物を含む有機発光層と、前記有機発光層に接して設けられた透明性を有する第２電極とを順次積層してなる有機発光素子が、前記第１基板と透明性を有する第２基板との間に設けられた発光装置において、前記第２電極と前記第２基板との間には、紫外線吸収剤を紫外線硬化型樹脂に分散してなるシール剤が充填されており、かつ、前記シール剤は、前記紫外線硬化型樹脂を硬化させるために照射する紫外光の波長に対して吸光度が１以上であることを特徴とする。

なお、紫外線吸収剤とは、前記紫外光の波長領域に吸収を持つ材料のことを指す。

前記紫外線吸収剤が、水分吸着性や酸素吸収性を有するようにすると、有機発光素子への酸素や水分の到達を防止するために更に好ましい。

さらに、水分吸着性を有する紫外線吸収剤としては、多孔質の物質に、紫外線吸収性を有する物質を含浸させたものを用いてもよい。この場合、紫外線を吸収すると同時に、空孔で進入してくる水分を吸着させることができ、有効である。またこの場合、多孔質の物質としてはゼオライトが好ましい。

なお、本発明における発光装置とは、有機発光素子を用いた発光デバイスや画像表示デバイスを指す。また、有機発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または有機発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の発光装置では、第１基板と第２基板との間に配置された有機発光素子の周辺は、紫外線硬化型樹脂に紫外線吸収剤を分散してなるシール剤によって覆われている。前記第１基板と前記第２基板を貼りあわせる過程（封止過程）で、紫外線硬化型樹脂を硬化させる際に照射される紫外線は、分散された紫外線吸収剤により、充填されたシール剤の層で遮断され、有機発光素子へ紫外線が到達しないため、有機発光素子の劣化が防止される。こうして、素子特性の安定した有機発光素子を有する発光装置を提供することができる。

また、紫外線吸収剤を、水分吸着性や酸素吸収性を有するものとすることによって、シール剤の水分や酸素の侵入を防止する効果を更に高めることができる。

本発明を実施することで、上面出射構造の有機発光素子を用いた発光装置において、表示の邪魔をすることなく、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止することが可能な発光装置が得られる。こうして、上面出射構造に適した封止構造の有機発光素子を用いた発光装置が得られる。

（実施の形態１）
まず、本発明の発光装置の形態を、図７を用いて説明する。図７では、第１電極７０１、有機発光層７０２、透明性を有する第２電極７０３からなる有機発光素子７１２の設けられた基板（第１基板）７１１と、透明性を有する対向基板（第２基板）７１３とを貼りあわせる構造とし、基板７１１と対向基板７１３とを貼りあわせる際、画素部７１６の領域は透明性を有する第２のシール剤７１５で全面覆い、基板間隔を保持するギャップ材（フィラー、微粒子など）を含む第１のシール剤７１４（第２のシール剤よりも粘度が高い）でその周囲を囲む形としている。すなわち、第１のシール剤７１４と第２のシール剤７１５とで封止する構造である。また、第２のシール剤７１５の内容物は、紫外線硬化型樹脂７１５ａに紫外線吸収剤７１５ｂを分散させたものを用いている。なお、本発明においては、第１のシール剤７１４はあってもなくても良いが、均一な封止形状を得るためには、第１のシール剤７１４を用いた方が好ましい。

第２のシール剤７１５が画素上に充填されることで有機発光素子７１２が外気から遮断され酸素の到達もしくは水分の到達を、乾燥剤を封入することなく防止できる。この構造によって透明性を有したままの封止が実現される。さらに第２のシール剤７１５は紫外線波長に対する吸収度を１以上になるよう調整されているため、画素上の第２のシール剤７１５を硬化させる際に照射する紫外光による画素の有機発光素子７１２の劣化を防止できる。

紫外線吸収剤は、紫外光を吸収して分子内で熱エネルギー等に変換する。紫外線吸収剤は、分子内水素結合を形成する基本構造を有する物質に代表される。この場合、分子内の水酸基の近くに酸素や窒素原子のような非共有電子対を有する原子が存在し、水酸基と非共有電子対を有する原子との間で水素結合による環形成が起こる。環形成の際に水酸基から水素が引き抜かれて分子はケト型となり熱放出して安定な構造になる。

（実施の形態２）
本発明の第２のシール剤（図７における７１５）について説明する。

第２のシール剤は照射する紫外線が有機発光素子に到達することを防ぐため、紫外線硬化型樹脂に紫外線吸収剤を分散させてなるものである。

有機発光素子への紫外線到達を防ぐ方法として、紫外線を遮断する層として有機発光素子の上に膜を形成させる方法もあるが、無機物の紫外線吸収能を有する材料（例えば酸化亜鉛のような）は抵抗加熱での蒸着は難しく、高エネルギーを有する電源での成膜が必要となる。また蒸着した際、高エネルギーをもった粒子が基板に衝突するので、作製した有機発光素子にダメージを与えることになる。また、有機物にも紫外線吸収能を有する材料は存在するが、典型的な紫外線吸収剤で知られるベンゾフェノンの二量化に知られるように、膜状態では紫外線吸収した際の紫外線吸収剤自身の変質が懸念される。そのため、第２のシール剤への分散という本発明の形態が有効となる。

分散させるものは紫外線吸収性を有していれば良く、有機発光素子の特性に悪影響を与えるといわれる水分もしくは酸素を吸着する特性を併せ持っていると更に好ましい。また、分散させる材料は単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

第２のシール剤の紫外線に対する吸収度は１以上にする。吸光度を１以上にするために、紫外線吸収剤の添加濃度を多くしたり、またセルギャップの厚みを大きくして調整する。

紫外線吸収剤には例えばベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、サリシレート系の化合物が挙げられる。

さらに紫外線硬化型樹脂用の光重合開始剤は紫外吸収剤としても機能するので紫外線硬化型樹脂は紫外線吸収剤としても機能する。

紫外線吸収剤は分子内に上記のような構造骨格を有していれば置換基が変わってもよく、また１種以上の構造骨格を併せ持っても良い。またこれらの紫外線吸収剤は単独で使用してもよく、２種以上を併用しても良い。

ベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤には２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−アシル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール等が含まれる。

ベンゾフェノン系の紫外線吸収剤には２，４−ジヒドトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクチルベンゾフェノン、４−ドデシルオキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンジルオキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン等が含まれる。

ベンゾエート系の紫外線吸収剤には２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート等が含まれる。
サリシレート系の紫外吸収剤にはフェニルサリシレート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート等が含まれる。

トリアジン系の紫外線吸収剤には２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−ドデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）１，３，５−トリアジン等が含まれる。

一般的な紫外線吸収剤は、住友化学工業、共同薬品、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ、旭電化工業をはじめ数社から販売されており容易に入手が可能であるがこれらに限られるものではない。

これらの紫外線吸収剤を、紫外線硬化型樹脂の分量に対して０．１〜２０ｗｔ％、好適には０．５〜５ｗｔ％添加する。紫外線吸収剤は封止の際の紫外線照射において紫外線を遮断し、有機発光素子を保護する。シール剤には可視光領域（４００〜８００ｎｍ）の光を透過する紫外線硬化型樹脂ならいずれも使用できるが、有機発光素子の特性が損なわれない温度領域で硬化等の処理が可能な樹脂が望ましい。

水分吸着性をもった紫外線吸収剤というのは、ゼオライトといったような多孔質の物質にベンゾフェノン等の紫外線吸収剤を一部含浸させるとよい。一部、というのは、ベンゾフェノンが担持された部分では紫外線を吸収し、残った空孔で進入してくる水分を吸着させることを目的とする。微粉末を分散させやすくするためにゼオライトに表面修飾をおこなってもよい。もしくはゼオライトに表面修飾する材料に紫外線吸収性を有する骨格を導入しても良い。

さらに、紫外線吸収剤としては、鉄などの金属微粒子や、改質二酸化チタンといった脱酸素性を有する材料に、先に述べた紫外線吸収剤を付加するなどの手法で紫外線吸収性を持たせたものを用いてもよい。このような物質を用いることにより、紫外線を吸収すると同時に酸素も吸収することができる。なお、金属微粒子を用いるため、可視光透過性を失わないよう粒径の小さいナノ微粒子等が好ましい。

（実施の形態３）
ここでは、封止の工程について、図１を用いて説明する。

まず、不活性気体雰囲気で第２基板１１上にディスペンサー装置で第１のシール剤１２を所定の位置に形成する（図１（Ａ））。半透明な第１のシール剤１２としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度３７０Ｐａ・ｓのものを用いる。また、簡単なシールパターンであるので第１のシール剤１２は、印刷法で形成することもできる。

次いで、第１のシール剤１２に囲まれた領域（ただし、四隅が開口している）に透明な第２のシール剤１３を滴下する（図１（Ｂ））。

次いで、画素部１４が設けられた第１基板１５と、シール剤（第１のシール剤１２及び第２のシール剤１３）が設けられた第２基板１１とを貼りあわせる（図１（Ｃ））。なお、シール剤によって一対の基板を貼りつける直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。第２のシール剤１３を広げて第１のシール剤１２の間を充填させる。第１のシール剤１２の形状および配置により気泡が入ることなく第２のシール剤１３を充填することができる。次いで、紫外線照射を行って、第１のシール剤１２および第２のシール剤１３を硬化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。

本実施の形態は、実施の形態２で示した第２のシール剤と自由に組み合わせすることができる。

（実施の形態４）
図２（Ａ）は、本発明を実施したアクティブマトリクス型の発光装置の上面図である。なお、本発明は、アクティブマトリクス型の発光装置に限定されることはなく、単純マトリクス型やセグメント型の発光装置、あるいは照明灯の発光デバイスにも適用可能である。

図２（Ａ）において、２１は第１基板、２２は第２基板、２３は画素部、２４は駆動回路部、２５は端子部、２６は第１のシール剤、２７ａは第２のシール剤である。

第１基板２１の材料としては、特に限定されないが、第２基板２２と貼りあわせるため、第１基板２１と第２基板２２とは熱膨張係数が同一のものとすることが好ましい。上面出射構造とする場合には、第１基板２１の材料として半導体基板や金属基板をも用いることができる。第１基板２１には、有機発光素子を複数有する画素部２３、駆動回路部２４、端子部２５が設けられている。

ここでは、画素部２３と駆動回路部２４とを囲んで第１のシール剤２６が配置される例を示している。また、第１のシール剤２６の一つは、端子部２５（または端子電極から延びた配線）と一部重なっている。なお、第１のシール剤２６は、一対の基板間隔を維持するためのギャップ材が含まれている。ギャップ材が含まれているため、なんらかの荷重が加えられた場合にショートなどが生じないよう第１のシール剤２６と素子（ＴＦＴなど）とが重ならないようにすることが好ましい。また、第１のシール剤２６の上面形状は線形であり、四隅に開口を有している。言い換えると、Ｘ方向に２本の第１のシール剤２６が画素部２３を挟んで平行に配置された１組と、Ｙ方向に２本の第１のシール剤２６が画素部２３を挟んで平行に配置された１組とで合計４本配置されている。

また、一対の第１のシール剤２６の間には、少なくとも第２のシール剤２７ａが充填されている。一対の基板は、画素部２３を囲んで配置される第１のシール剤２６と、該第１のシール剤に接し、且つ、前記画素部を覆う第２のシール剤２７ａとで固定されている。

また，第２のシール剤２７ａは，無色透明の材料とし，ギャップ材も含んでいないため，第１のシール剤２６よりも透明性が高い。この第２のシール剤２７ａは、それぞれの第１のシール剤２６の隙間、即ち開口で露出しており、露出している前記第２のシール剤２７ａの周縁は湾曲している上面形状となる。

第２のシール剤２７ａが図２（Ａ）に示す形状となるしくみを図３を用いて以下に説明する。図３（Ａ）には、貼りあわせる前の封止基板（第２基板３２）の上面図の一例を示している。図３（Ａ）では一枚の基板から１つの画素部を有する発光装置を形成する例を示している。

まず、第２基板３２上にディスペンサーを用いて４本の第１のシール剤３６を形成した後、第１のシール剤３６よりも粘度の低い第２のシール剤３７ａを滴下する。なお、滴下した状態での上面図が図３（Ａ）に相当する。

次いで、有機発光素子が画素部３３、または駆動回路部３４、端子部３５が設けられた第１基板と貼りあわせる。一対の基板を貼り合せた直後の上面図を図３（Ｂ）に示す。第１のシール剤の粘度は高いため、貼り合せた際にはほとんど広がらないが、第２のシール剤の粘度は低いため、貼り合せた際、図３（Ｂ）に示すように、第２のシール剤は平面的に広がることとなる。第２のシール剤３７ａが、第１のシール剤３６の間、即ち開口部に向かって図３（Ｂ）中の矢印の方向に押し出されることによって、第１のシール剤３６の間に充填される領域に気泡が存在しないようにすることができる。第１のシール剤３６は広がった第２のシール剤３７ｂと接しても混ざることはなく、第１のシール剤３６は第２のシール剤３７ｂによって形成位置は変化しない粘度を有している。

図３（Ｂ）では、第２のシール剤３７ｂは前記開口で露出しており、露出している前記第２のシール剤３７ｂの周縁は前記開口から突出している。開口から突出させることによって外気と画素部との距離を大きくすることができ、さらに酸素や水分のブロッキングが実現できる。また、トータルの接着面積も増大するため、貼りあわせ強度も増加する。また、開口において第２のシール剤３７ｂの周縁は湾曲している。

なお、ここでは第２基板３２に第１のシール剤または第２のシール剤を形成した後、第１基板を貼りあわせる例を示したが、特に限定されず、有機発光素子が形成されている第１基板に第１のシール剤３６または第２のシール剤３７ｂを形成してもよい。

次いで、熱処理または紫外線照射を行って第１のシール剤３６、及び第２のシール剤３７ｂを硬化させる。

以上に示した手順に従えば、図２（Ａ）に示す第２のシール剤２７ａの形状を得ることができる。

また、図２（Ａ）では第２のシール剤２７ａが開口から突出している例を示したが、第２のシール剤の粘度や量や材料を適宜変更することによって、様々な形状とすることができる。

例えば、図２（Ｂ）に示すように、第２のシール剤２７ｂを、前記開口で露出させ、露出している前記第２のシール剤２７ｂの周縁を湾曲させてもよい。図２（Ｂ）において第２のシール剤２７ｂは開口から突出しておらず、ちょうど第２のシール剤２７ｂの周縁が、弧を描いて第１のシール剤２６の隙間を埋めている形状となっている。

また、図２（Ｃ）に示すように、第２のシール剤２７ｃを前記開口で露出させ、露出している前記第２のシール剤２７ｃの周縁が前記開口部から凹んで湾曲している形状としてもよい。

また、第１のシール剤２６は線形に限定されず、左右対称であり、且つ、画素部２３を挟んでそれぞれ対称に配置されていればよく、貼りあわせる際、粘度の低い第２のシール剤２７ｂが広がりやすいように第１のシール剤２６の形状を若干湾曲させてもよい。

また、本実施の形態は実施の形態２、実施の形態３と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本発明の画素部における断面構造の一部を図４に示す。

図４（Ａ）において、４００は第１基板、４０１ａ、４０１ｂは絶縁層、４０２はＴＦＴ、４０８が第１電極、４０９は絶縁物、４１０は有機発光層、４１１は第２電極、４１２は透明保護層、４１３は第２のシール剤、４１４は第２基板である。

第１基板４００上に設けられたＴＦＴ４０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光する有機発光層４１０に流れる電流を制御する素子であり、４０４はドレイン領域（またはソース領域）である。また、４０６は第１電極４０８とドレイン領域（またはソース領域）４０４とを接続するドレイン電極（またはソース電極）である。また、ドレイン電極４０６と同じ工程で電源供給線やソース配線などの配線４０７も同時に形成される。ここでは第１電極４０８とドレイン電極４０６とを別々に形成する例を示したが、同一としてもよい。第１基板４００上には下地絶縁膜（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）となる絶縁層４０１ａが形成されており、ゲート電極４０５と活性層との間には、ゲート絶縁膜が設けられている。また、４０１ｂは有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域４０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。

また、４０８は、第１電極、即ち、有機発光素子の陽極（或いは陰極）である。第１電極４０８の材料としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉ_ＸＮ_Ｙ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉ_Ｘ、ＷＮ_Ｘ、ＷＳｉ_ＸＮ_Ｙ、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、あるいはＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｍｏから選ばれる元素を用いればよい。また陽極の膜厚は、それらを主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。ここでは、第１電極４０８として窒化チタン膜を用いる。窒化チタン膜を第１電極４０８として用いる場合、表面に紫外線照射や塩素ガスを用いたプラズマ処理を行って仕事関数を増大させることが好ましい。

また、第１電極４０８の端部（および配線４０７）を覆う絶縁物４０９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を有している。絶縁物４０９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、ここでは窒化シリコン膜で覆われた感光性の有機樹脂を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

また、有機発光層４１０は、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、信頼性を向上させるため、有機発光層４１０の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０^−３Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０^−４〜１０^−６Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。

また、スピンコートを用いた塗布法により有機発光層４１０を形成する場合、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。また、有機発光層４１０を単層とすることもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。

また、４１１は、導電膜からなる第２電極、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）である。第２電極４１１の材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により膜厚を薄く成膜することにより得られた透明性を有する膜を用いればよい。ここでは、第２電極４１１を通過させて光を取り出す上面出射構造であるので、１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、もしくはＬｉを微量に含むアルミニウム膜を用いる。第２電極４１１としてＡｌ膜を用いる構成とすると、有機発光層４１０と接する材料を酸化物以外の材料で形成することが可能となり、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜を形成する前に陰極バッファ層としてＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２からなる透明性を有する層（膜厚１ｎｍ〜５ｎｍ）を形成してもよい。

また、陰極の低抵抗化を図るため、発光領域とならない領域の第２電極４１１上に補助電極を設けてもよい。また、陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。

また、４１２は蒸着法により形成する透明保護層であり、金属薄膜からなる第２電極４１１を保護する。さらに透明保護層４１２を第２のシール剤４１３で覆う。第２電極４１１は極薄い金属膜であるため、酸素に触れれば容易に酸化などが発生しやすく、シール剤に含まれる溶剤などと反応して変質する恐れがある。このような金属薄膜からなる第２電極４１１を透明保護層４１２、例えばＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２で覆うことによって、第２電極４１１と第２のシール剤４１３に含まれる溶剤などの成分とが反応することを防ぐとともに、乾燥剤を使うことなく、酸素や水分を効果的にブロックする。また、ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２は、蒸着法で形成することが可能であり、連続的に第２電極４１１と透明保護層４１２とを蒸着法で形成することによって、不純物の混入や電極表面が大気に触れることを防ぐことができる。加えて、蒸着法を用いれば、有機発光層４１０へダメージをほとんど与えない条件で透明保護層４１２を形成することができる。また、第２電極４１１の上下にＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２からなる透明性を有する層を設けて挟むことによって、さらに第２電極４１１を保護してもよい。

また、第１電極４０８として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の大きい材料）、例えば窒化チタン膜を用い、第２電極４１１として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の小さい材料）、例えばアルミニウム薄膜を用い、さらにＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢａＦ_２で覆うことによって、第１電極４０８と第２電極４１１との間の領域を限りなくゼロに近い無酸素状態を維持できる。

また、第２のシール剤４１３は実施の形態１に示した方法で第２基板４１４と第１基板４００とを貼り合せている。第２のシール剤４１３としては実地の形態２に示された材料をもちいる。

また、図４（Ｂ）には、図４（Ａ）での発光領域における積層構造を簡略化したものを示す。なお、絶縁層４０１ａと４０１ｂをあわせて４０１と表記した。図４（Ｂ）に示す矢印の方向に光が放出される。

また、金属層からなる第１電極４０８に代えて、図４（Ｃ）に示すように透明導電膜からなる第１電極４１８を用いた場合、上面と下面の両方に発光を放出することができる。透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。

また、本実施の形態は実施の形態２、実施の形態３、実施の形態４と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、紫外線吸収剤を紫外線硬化型樹脂に分散させた第２のシール剤の作製手順について説明する。図４における第２のシール剤４１３は、実施の形態に示した方法で第２基板４１４と第１基板４００とを貼り合せている。

第２のシール剤４１３に用いる紫外線硬化型樹脂としては、透明性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または紫外線及び熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。ここでは屈折率１．５０、粘度５００ｃｐｓ、ショアＤ硬度９０、テンシル強度３０００ｐｓｉ、Ｔｇ点１５０℃、体積抵抗１×１０^１５Ω・ｃｍ、耐電圧４５０Ｖ／ｍｉｌである高耐熱の紫外線硬化型エポキシ樹脂（エレクトロライト社製：２５００Ｃｌｅａｒ）を用いる。

このような紫外線硬化型樹脂に、紫外線吸収剤である２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール［商品名 ＴＩＮＵＢＩＮ３２９（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製）］を３ｗｔ％添加し、自転公転方式ミキサー［商品名 ミキサー・あわとり練太郎（ＡＲ−２５０）（（株）シンキー製）］で、攪拌モード５分、脱泡モード３分で分散させた。

本実施例では、本発明の発光装置について図５を用いて説明する。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された５０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、５０２は画素部、５０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、５０４は封止基板、５０５は第１のシール剤であり、第１のシール剤５０５で囲まれた内側は、第２のシール剤５０７で充填されている。

なお、５０８はソース側駆動回路５０１及びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板（第１基板）５１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路５０１と、画素部５０２が示されている。

なお、ソース側駆動回路５０１はｎチャネル型ＴＦＴ５２３とｐチャネル型ＴＦＴ５２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２とそのドレインに電気的に接続された第１電極５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１電極５１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、絶縁物５１４としてポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、絶縁物５１４の上に形成される膜のカバレッジを良好なものとするため、絶縁物５１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物５１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物５１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

第１電極５１３上には、有機発光層５１５、および第２電極５１６がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１電極５１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、有機発光層５１５は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。有機発光層５１５には、燐光性化合物をその一部に用いることとし、その他、組み合わせて用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であっても良い。また、有機発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本発明においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。

さらに、有機発光層５１５上に形成される第２電極（陰極）５１６に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、有機発光層５１５で生じた光が第２電極５１６を透過するようにする場合には、第２電極（陰極）５１６として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

さらに第１のシール剤５０５で封止基板（第２基板）５０４を素子基板５１０と貼り合わせることにより、素子基板５１０、封止基板５０４、および第１のシール剤５０５で囲まれた空間に有機発光素子５１８が備えられた構造になっている。素子基板５１０、封止基板５０４、および第１のシール剤５０５で囲まれた空間には実施の形態１で示したように調整した第２のシール剤５０７を用いる。

第２電極５１６は極薄い金属膜であるため、酸素に触れれば容易に酸化などが発生しやすく、シール剤に含まれる溶剤などと反応して変質する恐れがある。このような金属薄膜からなる第２電極５１６を透明保護層５１７、例えばＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２で覆うことによって、第２電極５１６と第２のシール剤５０７に含まれる溶剤などの成分とが反応することを防ぐ。

なお、第１のシール剤５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明の発光装置を得ることができる。

本実施例では、本発明の発光装置の作製例およびその封止工程について示す。

パターニングされた第１電極の付いた基板を抵抗加熱蒸着機装置内に入れ正孔注入層，正孔輸送層，発光層の各有機層と第２電極である陰極（透明）を真空蒸着法により順次成膜した。成膜に際して、真空蒸着機内圧は１．０×１０^−４Ｐａ以上の真空度であった。正孔注入層は銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１０ｎｍの厚さに成膜した。正孔輸送層はビス（Ｎ―ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍの厚さに成膜した。発光層として８−アルミキノリノール（Ａｌｑ_３）を５０ｎｍの厚さに成膜した。陰極としてマグネシウムと銀の合金（Ｍｇ：Ａｇ）を用いた。Ｍｇ：Ａｇは蒸着レートを制御し、ＭｇとＡｇの混合比が１０：１となるようにして１０ｎｍ成膜した。真空蒸着法により成膜するにあたって、有機材料はそれぞれ０．２ｇ程度蒸着用ボートに充填し、Ｍｇは０．１ｇ程度、Ａｇは０．４ｇ程度を同様に蒸着用ボートに充填し、真空蒸着機内の電極に取り付けた。そして１．０×１０^−４Ｐａ以上の真空度で順次蒸着用ボートに電圧を印加して蒸着をおこなった。

得られた有機発光素子基板をグローブボックス内の露点−８０℃以下の状態の乾燥窒素雰囲気下で、実施の形態３のとおりにシール剤を配置した第２基板と張り合わせた。その後、第２基板側から紫外線（３０００ｍＪ／３６５ｎｍ）を照射してシール剤を硬化させた。

本実施例では、本発明の有機発光素子を有する発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について説明する。

本発明の有機発光素子を有する発光装置を用いて作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。

図６（Ａ）は表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明の有機発光素子を有する発光装置をその表示部２００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。

図６（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明の有機発光素子を有する発光装置をその表示部２２０３に用いることにより作製される。

図６（Ｃ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明の有機発光素子を有する発光装置をその表示部２３０２に用いることにより作製される。

図６（Ｄ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発明の有機発光素子を有する発光装置をこれら表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４に用いることにより作製される。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。

図６（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明の有機発光素子を有する発光装置をその表示部２５０２に用いることにより作製される。

図６（Ｆ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の有機発光素子を有する発光装置をその表示部２６０２に用いることにより作製される。

図６（Ｇ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明の有機発光素子を有する発光装置をその表示部２７０３に用いることにより作製される。なお、表示部２７０３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。

以上の様に、本発明の有機発光素子を有する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

本発明により、上面出射構造に適した、有機発光素子への酸素、水分等の到達を防止する構造（封止構造）を提供でき、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

図１は、実施の形態３を示した図である。 図２は、実施の形態４を示した図である。 図３は、実施の形態４を示した図である。 図４は、実施の形態５を示した図である。 図５は、実施例２のアクティブマトリクス型発行装置の構造を示した図である。 図６は、実施例４の電子機器の一例を示した図である。 図７は、上面出射素子の断面構造を示した図である。

Claims (9)

1. 第１基板上に設けられた第１電極と、
   前記第１電極に接して設けられた電界発光する有機化合物を含む有機発光層と、
   前記有機発光層に接して設けられた透光性を有する第２電極と、
   を順次積層してなる有機発光素子が、前記第１基板と透光性を有する第２基板との間に設けられ、
   前記第２電極上に接して透明保護層が設けられ、
   前記透明保護層と前記第２基板との間には、シール剤が設けられ、
   前記シール剤は前記透明保護層及び前記第２基板に接して設けられ、
   前記シール剤は、紫外線吸収剤を紫外線硬化型樹脂に分散したものであり、
   前記紫外線吸収剤は水分吸着性を有し、
   前記紫外線吸収剤は、紫外光の波長領域に吸収を有する物質を多孔体に担持させたものであることを特徴とする発光装置。
2. 第１基板上に設けられた第１電極と、
   前記第１電極に接して設けられた電界発光する有機化合物を含む有機発光層と、
   前記有機発光層に接して設けられた透光性を有する第２電極と、
   を順次積層してなる有機発光素子が、前記第１基板と透光性を有する第２基板との間に設けられ、
   前記第２電極上に接して透明保護層が設けられ、
   前記透明保護層と前記第２基板との間には、シール剤が設けられ、
   前記シール剤は前記透明保護層及び前記第２基板に接して設けられ、
   前記シール剤は、紫外線吸収剤を紫外線硬化型樹脂に分散したものであって、前記紫外線硬化型樹脂を硬化させるために照射する紫外光の波長に対して吸光度が１以上であり、
   前記紫外線吸収剤は水分吸着性を有し、
   前記紫外線吸収剤は、前記紫外光の波長領域に吸収を有する物質を多孔体に担持させたものであることを特徴とする発光装置。
3. 請求項２において、前記紫外光の波長は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記多孔体はゼオライトであることを特徴とする発光装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記透明保護層は酸素及び水分をブロッキングすることを特徴とする発光装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記透明保護層はＣａＦ_２、ＭｇＦ_２又はＢａＦ_２からなることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記紫外線吸収剤は酸素吸収性を有することを特徴とする発光装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一における前記発光装置を用いたことを特徴とする表示装置。
9. 請求項１乃至請求項７のいずれか一における前記発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。

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