JP4481410B2 - Ｘ線ｃｔ用二次元検出器、ｘ線ｃｔ用二次元検出器の製造方法及びｘ線ｃｔスキャナ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線ＣＴ用二次元検出器、Ｘ線ＣＴ用二次元検出器の製造方法及び二次元検出器を備えたＸ線ＣＴスキャナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＸ線ＣＴスキャナについて説明する。
【０００３】
Ｘ線ＣＴスキャナは、被検体を挟んで対向配置されたＸ線源及び検出器を有しており、被検体を人間とすると、人間の中心線を通る体軸方向に直交する方向（チャンネル方向）に沿って検出器が、扇状に例えば約１０００チャンネル並べられている。
【０００４】
検出器には種々のタイプが使用可能であるが、小型化が可能なシンチレーション検出器が良く用いられている。このシンチレーション検出器は検出素子としてシンチレータと、フォトダイオード等の光センサを有し、被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により当該シンチレータで発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して検出素子毎に出力するようになっている。
【０００５】
すなわち、上述したＸ線ＣＴスキャナによれば、Ｘ線源から被検体のある断面（以下スライス面と称す）に対して扇状にＸ線ビームを照射し、被検体のあるスライス面を透過したＸ線ビームを検出器の各検出素子毎に電気信号に変換してＸ線透過データを収集する。
【０００６】
マルチスライスＸ線ＣＴスキャナは、シングルＸ線ＣＴスキャナにおける検出器の検出素子を被検体の体軸方向に沿って複数列（複数（Ｎ）セグメント）有しており、当該検出器は、全体でＭチャンネル×Ｎセグメントの検出素子を有するＸ線ＣＴ用二次元検出器として構成されている。
【０００７】
図５に示すように、検出素子５０１はＸ線をコリメートするコリメータブロック５０２とシンチレータブロック５０３、フォトダイオードブロック５０４が一体になっている。これらよりなる検出素子５０１からの信号は、任意の撮影スライス厚に束ねる為の切換え用のスイッチング素子５０５を通り、撮影スライス厚に応じた信号に束ねられてから、フレキシブルＰＣ板５０６（以下フレキと称する）を介し、データ収集素子５０７（以下ＤＡＳと称する）に送られる。その際、信号はアナログ信号のまま取り出されている。
【０００８】
ところで、これまでのＸ線ＣＴ用二次元検出器では、上述したように、Ｘ線をコリメートするコリメータブロック５０２とシンチレータブロック５０３、フォトダイオードブロック５０４が、検出素子５０１として一体になっており、温度を一定に保つ事、また光を遮蔽する事を目的としたケース５０８の中に入っている。検出器は例えば約４０℃±１℃の範囲でヒータ５０９により暖められ、温度コントロールがされている。
【０００９】
しかしながら、マルチスライスＣＴスキャナにおいては、被検体を挟んで対向配置されたＸ線源及び検出器が、動作時に回転する。検出素子５０１とＤＡＳ５０７は、フレキ５０６を介して接続されている為に、回転時にこれらを接続するコネクタ（図示せず）がフレキ５０６に引っ張られて取れたり、また、フレキ５０６を通る際の信号がアナログ信号であることから、回転時の振動でノイズを受ける事も多かった。
【００１０】
一方、ＤＡＳ５０７は、発熱により基板温度が約６０℃〜約９０℃となっており、誤動作を防ぐ為に、ファン５１０をＤＡＳ基板にとりつけており、温度が過剰に上昇しないような機構を設けている。
【００１１】
従って、上述したように、検出器素子を室温より高い一定温度に保つ為に、約１００Ｗ〜約１５０Ｗのヒータ５０９を取り付けていたにもかかわらず、一方ＤＡＳユニットではＤＡＳ５０７が発熱し、冷却する為にファン５１０を取り付けていた。
【００１２】
また、かねてより医師からは、単位時間により高精細かつ広範囲に画像を撮影したいという強い要望が出されていた。
【００１３】
しかしながら、従来のマルチスライスＣＴでは、検出素子からフレキやコネクタを介してデータをＤＡＳに取り出しており、検出素子から取り出す配線の密度、つまりフレキの本数には上限があった。その為、ヘリカルスキャンを用いずに同時収集できるデータは８スライスまでであった。その為、一度に撮影出来る範囲は狭く、高精細画像を撮影する際は、例えば０．５ｍｍスライスを８スライス同時撮影する事により、約４ｍｍの体軸方向範囲のみしか撮影できなかった。また、広範囲な画像を得る為に、一度に約３２ｍｍの体軸方向の範囲を撮影すると、解像度は約４ｍｍとなり良くない。したがって、高精細かつ広範囲を両立した画像撮影は行なえなかった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、これまでのマルチスライスＣＴの二次元検出器には、いくつか問題がある。
【００１５】
まず、検出素子とＤＡＳは、フレキを介して接続されている為に、回転時にこれらを接続するコネクタがフレキに引っ張られて取れたり、また、フレキを通る際の信号はアナログ信号であることから、回転時の振動でノイズを受ける事も多かった。
【００１６】
また、検出器素子を室温より高い一定温度に保つ為に、約１００Ｗ〜約１５０Ｗのヒータを取り付けていたにもかかわらず、一方ＤＡＳユニットではＤＡＳが発熱し、冷却する為にファンを取り付けていた。従って、検出器中で、一部を熱し、一部を冷却する為に、電力の無駄が生じていた。
【００１７】
さらに、高精細かつ広範囲の画像を撮影する事は困難であった。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の第１は、入射したＸ線に基づいて光信号を生成しアレイ状に配置されるシンチレータと、アレイ状に配置された前記シンチレータに各々接続し前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオード群と、前記フォトダイオード群が第１主面上に形成される基板と、前記基板上の前記第1の主面上であって前記フォトダイオード群の側部に設けられ前記電気信号を束ねるスイッチング素子と、前記シンチレータ、前記フォトダイオード群、及び前記スイッチング素子が設けられていない前記基板の第２主面上に配置され、前記基板内における多層配線もしくは該基板に設けられるスルーホールを用いて前記スイッチング素子と接続されるデータ収集素子とを具備する事を特徴とするＸ線ＣＴ用二次元検出器を提供する。
【００１９】
本発明の第１は、前記データ収集素子に隣接し、前記データ収集素子を冷却する冷却手段を具備しても良い。
【００２０】
また本発明の第１においては、１または複数のセグメント内の前記シンチレータを１スライスとして束ね、９スライス以上同時にデータ収集しても良い。
【００２１】
本発明の第２は、基板上にデータ収集素子をリフロー接続するデータ収集素子接続工程と、前記データ収集素子接続工程の後、前記データ収集素子をリフロー接続する温度より低い温度で、前記基板の前記データ収集素子の形成されない面にアレイ状にフォトダイオード群を形成する工程と、前記フォトダイオード群上にシンチレータを接着する工程と、前記データ収集素子の形成されない面上であって前記フォトダイオード群の側部にスイッチング素子を設ける工程と、前記スイッチング素子と該フォトダイオード群とを接続するとともに、前記基板内における多層配線もしくは前記基板に設けられるスルーホールを用いて前記スイッチング素子と前記データ収集素子とを接続する工程と、を具備する事を特徴とするＸ線ＣＴ用二次元検出器の製造方法を提供する。
本発明の第３は、二次元検出器を備えたＸ線ＣＴスキャナにおいて、前記二次元検出器は、入射したＸ線に基づいて光信号を生成しアレイ状に配置されるシンチレータと、アレイ状に配置された前記シンチレータに各々接続し前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオード群と、前記フォトダイオード群が第１主面上に形成される基板と、前記基板上の前記第1の主面上であって前記フォトダイオード群の側部に設けられ前記電気信号を束ねるスイッチング素子と、前記シンチレータ、前記フォトダイオード群、及び前記スイッチング素子が設けられていない前記基板の第２主面上に配置され、前記基板内における多層配線もしくは該基板に設けられるスルーホールを用いて該スイッチング素子と接続されるデータ収集素子とを具備する事を特徴とするＸ線ＣＴスキャナを提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を詳細に説明するが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
図１は、本実施形態のＸ線ＣＴスキャナ１の概略構成を示すブロック図である。
【００２４】
図１によれば、Ｘ線ＣＴスキャナ１は、ガントリー３とシステム部４を備えている。ガントリー３は、被検体Ｐ（患者）載置用の寝台２と、被検体Ｐを挿入して診断を行なうための診断用開口部（図示せず）を有し、被検体Ｐの投影データの収集を行なう。また、システム部４は、スキャナ全体の制御を行なうとともに、収集された投影データに基づいて画像再構成処理や再構成画像表示等を行なう。
【００２５】
寝台２は、図示しない寝台駆動部の駆動により被検体Ｐの体軸方向に沿ってスライド可能になっている。
【００２６】
ガントリー３は、その診断用開口部に挿入された被検体Ｐを挟んで対向配置されたＸ線管球１０及び主検出器１１と、ガントリー駆動部１２とを備える。Ｘ線管球１０及び主検出器１１は、ガントリー駆動部１２の駆動により、ガントリー３の診断用開口内に挿入された被検体Ｐの体軸方向の中心軸の廻りに一体で回転可能になっている。ガントリー３内のＸ線管球１０と被検体Ｐとの間には、Ｘ線管球１０のＸ線焦点から曝射されたコーン状のＸ線ビームを整形し、所要の大きさのＸ線ビームを形成するためのスリット１３が設けられている。
【００２７】
さらに、Ｘ線ＣＴスキャナ１は、Ｘ線管球１０に高電圧を供給する高電圧発生装置１５を備えている。この高電圧発生装置１５によるＸ線管球１０への高電圧供給は、例えば接触式のスリップリング機構により行なわれる。
【００２８】
主検出器１１には、シンチレータ及びフォトダイオード等の光センサを有するシンチレーション検出器が用いられている。すなわち、Ｘ線管球１０から曝射され被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して出力するようになっている。
【００２９】
図２に、このシンチレーション型主検出器１１の検出素子列の構成を示す。図２では、１チャンネルあたり複数セグメント（本実施形態では４８ｓｅｇ）が体軸方向に沿って並べられた検出素子列をチャンネル方向に沿って複数チャンネル（本実施形態では２４ｃｈ）アレイ状に配列した二次元検出器（図２では、２４ｃｈ×４８ｓｅｇの二次元検出器を示している）として構成されている。
【００３０】
なお、シンチレータブロックのシンチレータ素子は、フォトダイオード素子と光学的に接続されている。また、シンチレータ素子の各セグメント間及び各チャンネル間には、例えば金属等の反射板からなるセパレータ（図示せず）が設けられ、隣接するチャンネル間及びセグメント間のクロストークをなくすように構成されている。そして、主検出器は、中心付近では１セグメントが０．５ｍｍであり、これが２４チャンネル並ぶ０．５ｍｍスライスで形成されており、周辺では１セグメントが１ｍｍであり、これが２４チャンネル並ぶ１ｍｍスライスで形成されている。本実施形態では、０．５ｍｍスライス素子が３２個、１ｍｍスライス素子がその両側に８個ずつ配置されている。なお、ここに示した寸法は、ガントリーの回転軸中心での値であり、主検出器における実寸法ではない。
【００３１】
図３に検出器の１チャンネルの半分の断面模式図を示す。図３に示すように、各シンチレータ素子は箱型であり、そのＸ線入射面、チャンネル方向端面及び体軸方向端面には図示しない光反射材が層状に設けられている。そして、シンチレータ素子の蛍光出力面側には、例えば接着剤等の接合部材を介して光センサ（例えばフォトダイオード）が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード素子は、図示しないアクティブエリア（ｐｎ接合部分であり、受光可能領域）を有し、シンチレータ素子から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【００３２】
図３に示した構成において、各基本セグメント（０．５ｍｍスライスセグメント、１ｍｍスライスセグメント）は、１個のフォトダイオード素子及びそれに対応する１個のシンチレータ素子で構成されている。
【００３３】
そして、上述した構造の主検出器（二次元検出器）１１の各フォトダイオード素子は、それぞれ配線を介してスイッチング素子２０に接続され、スイッチング素子２０は、ＤＡＳ（データ収集素子）２１に接続されている。シンチレータ素子、フォトダイオード素子からなる検出素子により検出されたＸ線透過データは、このスイッチング素子２０を介して、例えば３２スライス分のデータがＤＡＳ２１に送られる。
【００３４】
ＤＡＳ２１は、送られたＸ線透過データに対して増幅処理やＡ／Ｄ変換処理等を施して当該被検体Ｐの３２スライス分の投影データを収集するようになっている。
【００３５】
一方、図１に示すように、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、例えばＣＰＵ等を有するコンピュータ回路を搭載したデータ処理装置２６を有している。このデータ処理装置２６は、ＤＡＳ２１の各データ収集素子により収集された３２スライス分の投影データを保持し、上述したガントリー３の回転による多方向から得られた同一スライスの全ての投影データを加算する処理や、その加算処理により得られた多方向投影データに対して必要に応じて補間処理、補正処理等を施すようになっている。
【００３６】
また、システム部４は、データ処理装置２６におけるデータ処理に必要なデータ等を記憶する記憶装置２７と、データ処理装置２６によりデータ処理されて得られた投影データを再構成処理して、３２スライス分の再構成画像データを生成する再構成装置２８と、この再構成装置２８により生成された再構成画像データを表示する表示装置２９と、キーボードや各種スイッチ、マウス等を備え、オペレータを介してスライス厚やスライス数等の各種スキャン条件を入力可能な入力装置３０と、再構成装置２８により生成された再構成画像データを記憶可能な大容量の記憶領域を有する補助記憶装置３１とを備えている。
【００３７】
そして、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、ＣＰＵを有するコンピュータ回路を搭載したホストコントローラ２５を有している。このホストコントローラ２５は、高電圧発生装置１５に接続されるとともに、バスを介してガントリー３内の図示しない寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、スイッチング素子２０、及びＤＡＳ２１にそれぞれ接続されている。
【００３８】
また、ホストコントローラ２５、データ処理装置２６、記憶装置２７、再構成装置２８、表示装置２９、入力装置３０、及び補助記憶装置３１は、それぞれバスを介して相互接続され、当該バスを通じて互いに高速に画像データや制御データ等の受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００３９】
すなわち、ホストコントローラ２５は、オペレータから入力装置３０を介して入力されたスライス厚等のスキャン条件を内部メモリに記憶し、この記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードにおいてオペレータから直接設定されたスキャン条件）に基づいて高電圧発生装置１５、図示しない寝台駆動部及びガントリー駆動部１２を介して寝台２の体軸方向への送り量、送り速度、ガントリー３の回転速度、回転ピッチ、及びＸ線の曝射タイミング等を制御しながら当該高電圧発生装置１５、寝台駆動部、及びガントリー駆動部１２を駆動させることにより、被検体Ｐの所望の撮影領域に対して多方向からコーン状のＸ線ビームが照射される。そして、被検体Ｐの撮影領域を透過した透過Ｘ線は、主検出器１１の各検出素子を介してＸ線透過データとして検出される。
【００４０】
同時に、ホストコントローラ２５は、内部メモリに記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードのスキャン条件）に基づいてスイッチング素子２０の各スイッチの切り換え制御を行なって主検出器１１の各検出素子とＤＡＳ２１との接続状態を切り換えることにより、当該各検出素子で検出されたＸ線透過データを束ねて、スキャン条件に対応した複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【００４１】
次に、本実施形態において、３２スライス分を同時にデータ収集する検出器部分の実装例について、図４を用いて説明する。
【００４２】
図４の主検出器１１の断面図に示すように、セラミック基板４０１上には、検出素子４０２が、検出素子４０２の両側には、検出素子４０２とＴＡＢ４０３で接続されたスイッチング素子４０４が形成されている。なお、検出素子４０２とスイッチング素子４０４の接続は、ＴＡＢ接続だけでなく、ワイヤボンディングにより接続しても良い。
【００４３】
セラミック基板４０１の検出素子４０２が設けられない側の面にはＤＡＳ４０５が形成され、スイッチング素子４０４とＤＡＳ４０５は、セラミック基板４０１内で多層配線により、相互に接続されている。この配線は、多層配線に限定されず、スイッチング素子４０４とＤＡＳ４０５の接続は、基板にスルーホールを設け、このスルーホールを用いて両面の素子を接続しても良い。この場合、各素子はＴＡＢ接続を用いて配線される。
【００４４】
検出素子４０２は、フォトダイオード４０６とその上のシンチレータ４０７、シンチレータ４０７上のコリメータ４０８、検出素子４０２の温度をモニターする為の熱電対４０９から成る。
【００４５】
これらを実装する際には、まず、ＤＡＳ４０５をセラミック基板４０１に約２５０℃ではんだリフロー等のはんだ工程により取り付ける。次に、セラミック基板４０１上の、ＤＡＳ４０５を形成した側と逆の面に、フォトダイオードブロック４０６を約１２０℃で、はんだリフロー等のはんだ工程により取り付ける。その後、シンチレータブロック４０７をフォトダイオードブロック４０６上に接着し、コリメータブロック４０８を接続する。スイッチング素子４０４とフォトダイオードブロック４０６の接続はＴＡＢ４０３により行われ、ＤＡＳ４０５をつける前後のどちらで行なっても良い。また、スイッチング素子４０４とフォトダイオードブロック４０６は、ワイヤボンディングにより接続しても良い。
【００４６】
検出素子４０２の温度を、例えば約４０℃±１℃に保つ為には、ＤＡＳ４０５を動作させる電源電圧にはｈｉｇｈとｌｏｗの２種類がある事から、熱電対４０９からの出力を元に、この電源電圧をコントロールしても良い。
【００４７】
また、検出素子４０２を冷却する為のファン４１０を、ＤＡＳ４０５に隣接して設けても良い。従来は、ＤＡＳと検出素子がフレキを介して接続していた為、検出素子を約４０℃±１℃とする為に暖め、またＤＡＳは誤動作を防ぐ事を目的とし、約６０℃〜約８０℃となるように冷却していた。しかし本実施形態では、検出素子４０２とＤＡＳ４０５が同一基板に形成されている為にこれらの温度制御を同時に行なう事が出来る。そして、ＤＡＳ４０５は検出素子４０２と同程度の温度、つまり約４０℃±１℃とする為に、強力に冷却する必要があり、図４のようにＤＡＳ４０５に隣接してファン４１０などの冷却手段を設ける事が好ましい。
【００４８】
従って、本実施形態によれば、ヒーター等を必要とせずに、ＤＡＳ４０５の発熱のみで、検出器全体の温度制御を行なう事が可能となる。
【００４９】
さらに、強力に冷却を行なうには、ペルチエ素子をＤＡＳ４０５上にのせ、ペルチエ素子の動作により冷却しても良く、その際は、ＤＡＳ４０５にペルチエ素子を隣接して設ける事が好ましい。また、熱交換器を用いて冷却を行なっても良い。
【００５０】
本実施形態では、ＤＡＳ４０５はフレキを介さずに、直接フォトダイオードブロック４０６を形成するセラミック基板４０１に形成する。この事により、信号がＤＡＳ４０５に到達するまでの配線距離が短い。ＤＡＳ４０５以降では信号はデジタルとなる為に、信号がアナログのまま伝達する配線距離が短い事になる。つまり、アナログ信号はノイズを受け易いが、本実施形態ではアナログ信号として伝達する距離が短い為に、ノイズを受ける可能性が低下する。また、フレキを有さない為に、回転時に振動によりノイズを受ける事もない。
【００５１】
その際、ＤＡＳ４０５と、フォトダイオードブロック４０６を形成する順番としては、まず、ＤＡＳ４０５をはんだリフローによって形成してからフォトダイオードブロック４０６を形成する。これは、シンチレータブロック４０７とフォトダイオードブロック４０６は、素子が均一でないと、被検体を通ったＸ線に対する感度にばらつきが出て、アーチファクトを生じてしまう事から、フォトダイオードブロック４０６に不純物を含ませず、均一な素子を形成する為である。
【００５２】
ＤＡＳ４０５を接続してからフォトダイオードブロック４０６を接続する事により、フォトダイオードブロック４０６を酸化雰囲気や、不純物雰囲気にさらさず、さらに機械的に傷をつける可能性も低下できる。また、ＤＡＳ４０５の接続温度よりもフォトダイオードブロック４０６の接続温度を低く設定する事により、ＤＡＳ４０５とフォトダイオードブロック４０６の双方を精度良く接続可能となる。
【００５３】
また、従来は、検出素子からフレキやコネクタを介してデータを取り出しており、検出素子から取り出すフレキの本数の上限から、データの同時収集を８スライスより多く行う事が出来なかった。しかしながら、本実施形態では上述したように、ＤＡＳ４０５が、フォトダイオードブロック４０６の形成されるセラミック基板４０１上に配置されている事から、スイッチング素子４０４とＤＡＳ４０５の配線を、セラミック基板４０１中の多層配線等により行う事が出来る。従って、本実施形態では、撮影スライス厚を０．５ｍｍスライスとした時のデータの同時収集を８スライスより多くし、かつ、撮影スライス厚を１ｍｍスライスとした時のデータの同時収集を８スライスより多くすることが可能となる。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ＤＡＳが検出素子と同一基板に形成される為に、ノイズが少なく、単位時間に高精細かつ広範囲に画像撮影を行う事の可能なＸ線二次元検出器又はＸ線ＣＴスキャナを提供する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態におけるＸ線ＣＴスキャナの概略構成を示すブロック図。
【図２】 最小スライス厚０．５ｍｍ、全体のセグメント数が４８個の場合の検出器列の構成を示す図。
【図３】 主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図４】 本発明の実施形態におけるＸ線ＣＴ用二次元検出器の構成を示す断面図。
【図５】 従来例におけるＸ線ＣＴ用二次元検出器の構成を示す断面図。
【符号の説明】
１…Ｘ線ＣＴスキャナ
２…寝台
３…ガントリー
４…システム部
１０…Ｘ線管球
１１…主検出器
１２…ガントリー駆動部
１３…スリット
１５…高電圧発生装置
２０…スイッチング素子
２１…データ収集装置（ＤＡＳ）
２５…ホストコントローラ
２６…データ処理装置
２７…記憶装置
２８…再構成装置
２９…表示装置
３０…入力装置
３１…補助記憶装置
４０１…セラミック基板
４０２，５０１…検出素子
４０３…ＴＡＢ
４０４，５０５…スイッチング素子
４０５，５０７…データ収集素子（ＤＡＳ）
４０６，５０４…フォトダイオードブロック
４０７，５０３…シンチレータブロック
４０８，５０２…コリメータブロック
４０９…熱電対
４１０，５１０…ファン
５０６…フレキシブルＰＣ板（フレキ）
５０８…ケース
５０９…ヒータ
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線ＣＴ用二次元検出器、Ｘ線ＣＴ用二次元検出器の製造方法及び二次元検出器を備えたＸ線ＣＴスキャナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＸ線ＣＴスキャナについて説明する。
【０００３】
Ｘ線ＣＴスキャナは、被検体を挟んで対向配置されたＸ線源及び検出器を有しており、被検体を人間とすると、人間の中心線を通る体軸方向に直交する方向（チャンネル方向）に沿って検出器が、扇状に例えば約１０００チャンネル並べられている。
【０００４】
検出器には種々のタイプが使用可能であるが、小型化が可能なシンチレーション検出器が良く用いられている。このシンチレーション検出器は検出素子としてシンチレータと、フォトダイオード等の光センサを有し、被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により当該シンチレータで発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して検出素子毎に出力するようになっている。
【０００５】
すなわち、上述したＸ線ＣＴスキャナによれば、Ｘ線源から被検体のある断面（以下スライス面と称す）に対して扇状にＸ線ビームを照射し、被検体のあるスライス面を透過したＸ線ビームを検出器の各検出素子毎に電気信号に変換してＸ線透過データを収集する。
【０００６】
マルチスライスＸ線ＣＴスキャナは、シングルＸ線ＣＴスキャナにおける検出器の検出素子を被検体の体軸方向に沿って複数列（複数（Ｎ）セグメント）有しており、当該検出器は、全体でＭチャンネル×Ｎセグメントの検出素子を有するＸ線ＣＴ用二次元検出器として構成されている。
【０００７】
図５に示すように、検出素子５０１はＸ線をコリメートするコリメータブロック５０２とシンチレータブロック５０３、フォトダイオードブロック５０４が一体になっている。これらよりなる検出素子５０１からの信号は、任意の撮影スライス厚に束ねる為の切換え用のスイッチング素子５０５を通り、撮影スライス厚に応じた信号に束ねられてから、フレキシブルＰＣ板５０６（以下フレキと称する）を介し、データ収集素子５０７（以下ＤＡＳと称する）に送られる。その際、信号はアナログ信号のまま取り出されている。
【０００８】
ところで、これまでのＸ線ＣＴ用二次元検出器では、上述したように、Ｘ線をコリメートするコリメータブロック５０２とシンチレータブロック５０３、フォトダイオードブロック５０４が、検出素子５０１として一体になっており、温度を一定に保つ事、また光を遮蔽する事を目的としたケース５０８の中に入っている。検出器は例えば約４０℃±１℃の範囲でヒータ５０９により暖められ、温度コントロールがされている。
【０００９】
しかしながら、マルチスライスＣＴスキャナにおいては、被検体を挟んで対向配置されたＸ線源及び検出器が、動作時に回転する。検出素子５０１とＤＡＳ５０７は、フレキ５０６を介して接続されている為に、回転時にこれらを接続するコネクタ（図示せず）がフレキ５０６に引っ張られて取れたり、また、フレキ５０６を通る際の信号がアナログ信号であることから、回転時の振動でノイズを受ける事も多かった。
【００１０】
一方、ＤＡＳ５０７は、発熱により基板温度が約６０℃〜約９０℃となっており、誤動作を防ぐ為に、ファン５１０をＤＡＳ基板にとりつけており、温度が過剰に上昇しないような機構を設けている。
【００１１】
従って、上述したように、検出器素子を室温より高い一定温度に保つ為に、約１００Ｗ〜約１５０Ｗのヒータ５０９を取り付けていたにもかかわらず、一方ＤＡＳユニットではＤＡＳ５０７が発熱し、冷却する為にファン５１０を取り付けていた。
【００１２】
また、かねてより医師からは、単位時間により高精細かつ広範囲に画像を撮影したいという強い要望が出されていた。
【００１３】
しかしながら、従来のマルチスライスＣＴでは、検出素子からフレキやコネクタを介してデータをＤＡＳに取り出しており、検出素子から取り出す配線の密度、つまりフレキの本数には上限があった。その為、ヘリカルスキャンを用いずに同時収集できるデータは８スライスまでであった。その為、一度に撮影出来る範囲は狭く、高精細画像を撮影する際は、例えば０．５ｍｍスライスを８スライス同時撮影する事により、約４ｍｍの体軸方向範囲のみしか撮影できなかった。また、広範囲な画像を得る為に、一度に約３２ｍｍの体軸方向の範囲を撮影すると、解像度は約４ｍｍとなり良くない。したがって、高精細かつ広範囲を両立した画像撮影は行なえなかった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、これまでのマルチスライスＣＴの二次元検出器には、いくつか問題がある。
【００１５】
まず、検出素子とＤＡＳは、フレキを介して接続されている為に、回転時にこれらを接続するコネクタがフレキに引っ張られて取れたり、また、フレキを通る際の信号はアナログ信号であることから、回転時の振動でノイズを受ける事も多かった。
【００１６】
また、検出器素子を室温より高い一定温度に保つ為に、約１００Ｗ〜約１５０Ｗのヒータを取り付けていたにもかかわらず、一方ＤＡＳユニットではＤＡＳが発熱し、冷却する為にファンを取り付けていた。従って、検出器中で、一部を熱し、一部を冷却する為に、電力の無駄が生じていた。
【００１７】
さらに、高精細かつ広範囲の画像を撮影する事は困難であった。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の第１は、入射したＸ線に基づいて光信号を生成しアレイ状に配置されるシンチレータと、アレイ状に配置された前記シンチレータに各々接続し前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオード群と、前記フォトダイオード群が第１主面上に形成される基板と、前記基板上の前記第1の主面上であって前記フォトダイオード群の側部に設けられ前記電気信号を束ねるスイッチング素子と、前記シンチレータ、前記フォトダイオード群、及び前記スイッチング素子が設けられていない前記基板の第２主面上に配置され、前記基板内における多層配線もしくは該基板に設けられるスルーホールを用いて前記スイッチング素子と接続されるデータ収集素子とを具備する事を特徴とするＸ線ＣＴ用二次元検出器を提供する。
【００１９】
本発明の第１は、前記データ収集素子に隣接し、前記データ収集素子を冷却する冷却手段を具備しても良い。
【００２０】
また本発明の第１においては、１または複数のセグメント内の前記シンチレータを１スライスとして束ね、９スライス以上同時にデータ収集しても良い。
【００２１】
本発明の第２は、基板上にデータ収集素子をリフロー接続するデータ収集素子接続工程と、前記データ収集素子接続工程の後、前記データ収集素子をリフロー接続する温度より低い温度で、前記基板の前記データ収集素子の形成されない面にアレイ状にフォトダイオード群を形成する工程と、前記フォトダイオード群上にシンチレータを接着する工程と、前記データ収集素子の形成されない面上であって前記フォトダイオード群の側部にスイッチング素子を設ける工程と、前記スイッチング素子と該フォトダイオード群とを接続するとともに、前記基板内における多層配線もしくは前記基板に設けられるスルーホールを用いて前記スイッチング素子と前記データ収集素子とを接続する工程と、を具備する事を特徴とするＸ線ＣＴ用二次元検出器の製造方法を提供する。
本発明の第３は、二次元検出器を備えたＸ線ＣＴスキャナにおいて、前記二次元検出器は、入射したＸ線に基づいて光信号を生成しアレイ状に配置されるシンチレータと、アレイ状に配置された前記シンチレータに各々接続し前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオード群と、前記フォトダイオード群が第１主面上に形成される基板と、前記基板上の前記第1の主面上であって前記フォトダイオード群の側部に設けられ前記電気信号を束ねるスイッチング素子と、前記シンチレータ、前記フォトダイオード群、及び前記スイッチング素子が設けられていない前記基板の第２主面上に配置され、前記基板内における多層配線もしくは該基板に設けられるスルーホールを用いて該スイッチング素子と接続されるデータ収集素子とを具備する事を特徴とするＸ線ＣＴスキャナを提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を詳細に説明するが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
図１は、本実施形態のＸ線ＣＴスキャナ１の概略構成を示すブロック図である。
【００２４】
図１によれば、Ｘ線ＣＴスキャナ１は、ガントリー３とシステム部４を備えている。ガントリー３は、被検体Ｐ（患者）載置用の寝台２と、被検体Ｐを挿入して診断を行なうための診断用開口部（図示せず）を有し、被検体Ｐの投影データの収集を行なう。また、システム部４は、スキャナ全体の制御を行なうとともに、収集された投影データに基づいて画像再構成処理や再構成画像表示等を行なう。
【００２５】
寝台２は、図示しない寝台駆動部の駆動により被検体Ｐの体軸方向に沿ってスライド可能になっている。
【００２６】
ガントリー３は、その診断用開口部に挿入された被検体Ｐを挟んで対向配置されたＸ線管球１０及び主検出器１１と、ガントリー駆動部１２とを備える。Ｘ線管球１０及び主検出器１１は、ガントリー駆動部１２の駆動により、ガントリー３の診断用開口内に挿入された被検体Ｐの体軸方向の中心軸の廻りに一体で回転可能になっている。ガントリー３内のＸ線管球１０と被検体Ｐとの間には、Ｘ線管球１０のＸ線焦点から曝射されたコーン状のＸ線ビームを整形し、所要の大きさのＸ線ビームを形成するためのスリット１３が設けられている。
【００２７】
さらに、Ｘ線ＣＴスキャナ１は、Ｘ線管球１０に高電圧を供給する高電圧発生装置１５を備えている。この高電圧発生装置１５によるＸ線管球１０への高電圧供給は、例えば接触式のスリップリング機構により行なわれる。
【００２８】
主検出器１１には、シンチレータ及びフォトダイオード等の光センサを有するシンチレーション検出器が用いられている。すなわち、Ｘ線管球１０から曝射され被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して出力するようになっている。
【００２９】
図２に、このシンチレーション型主検出器１１の検出素子列の構成を示す。図２では、１チャンネルあたり複数セグメント（本実施形態では４８ｓｅｇ）が体軸方向に沿って並べられた検出素子列をチャンネル方向に沿って複数チャンネル（本実施形態では２４ｃｈ）アレイ状に配列した二次元検出器（図２では、２４ｃｈ×４８ｓｅｇの二次元検出器を示している）として構成されている。
【００３０】
なお、シンチレータブロックのシンチレータ素子は、フォトダイオード素子と光学的に接続されている。また、シンチレータ素子の各セグメント間及び各チャンネル間には、例えば金属等の反射板からなるセパレータ（図示せず）が設けられ、隣接するチャンネル間及びセグメント間のクロストークをなくすように構成されている。そして、主検出器は、中心付近では１セグメントが０．５ｍｍであり、これが２４チャンネル並ぶ０．５ｍｍスライスで形成されており、周辺では１セグメントが１ｍｍであり、これが２４チャンネル並ぶ１ｍｍスライスで形成されている。本実施形態では、０．５ｍｍスライス素子が３２個、１ｍｍスライス素子がその両側に８個ずつ配置されている。なお、ここに示した寸法は、ガントリーの回転軸中心での値であり、主検出器における実寸法ではない。
【００３１】
図３に検出器の１チャンネルの半分の断面模式図を示す。図３に示すように、各シンチレータ素子は箱型であり、そのＸ線入射面、チャンネル方向端面及び体軸方向端面には図示しない光反射材が層状に設けられている。そして、シンチレータ素子の蛍光出力面側には、例えば接着剤等の接合部材を介して光センサ（例えばフォトダイオード）が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード素子は、図示しないアクティブエリア（ｐｎ接合部分であり、受光可能領域）を有し、シンチレータ素子から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【００３２】
図３に示した構成において、各基本セグメント（０．５ｍｍスライスセグメント、１ｍｍスライスセグメント）は、１個のフォトダイオード素子及びそれに対応する１個のシンチレータ素子で構成されている。
【００３３】
そして、上述した構造の主検出器（二次元検出器）１１の各フォトダイオード素子は、それぞれ配線を介してスイッチング素子２０に接続され、スイッチング素子２０は、ＤＡＳ（データ収集素子）２１に接続されている。シンチレータ素子、フォトダイオード素子からなる検出素子により検出されたＸ線透過データは、このスイッチング素子２０を介して、例えば３２スライス分のデータがＤＡＳ２１に送られる。
【００３４】
ＤＡＳ２１は、送られたＸ線透過データに対して増幅処理やＡ／Ｄ変換処理等を施して当該被検体Ｐの３２スライス分の投影データを収集するようになっている。
【００３５】
一方、図１に示すように、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、例えばＣＰＵ等を有するコンピュータ回路を搭載したデータ処理装置２６を有している。このデータ処理装置２６は、ＤＡＳ２１の各データ収集素子により収集された３２スライス分の投影データを保持し、上述したガントリー３の回転による多方向から得られた同一スライスの全ての投影データを加算する処理や、その加算処理により得られた多方向投影データに対して必要に応じて補間処理、補正処理等を施すようになっている。
【００３６】
また、システム部４は、データ処理装置２６におけるデータ処理に必要なデータ等を記憶する記憶装置２７と、データ処理装置２６によりデータ処理されて得られた投影データを再構成処理して、３２スライス分の再構成画像データを生成する再構成装置２８と、この再構成装置２８により生成された再構成画像データを表示する表示装置２９と、キーボードや各種スイッチ、マウス等を備え、オペレータを介してスライス厚やスライス数等の各種スキャン条件を入力可能な入力装置３０と、再構成装置２８により生成された再構成画像データを記憶可能な大容量の記憶領域を有する補助記憶装置３１とを備えている。
【００３７】
そして、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、ＣＰＵを有するコンピュータ回路を搭載したホストコントローラ２５を有している。このホストコントローラ２５は、高電圧発生装置１５に接続されるとともに、バスを介してガントリー３内の図示しない寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、スイッチング素子２０、及びＤＡＳ２１にそれぞれ接続されている。
【００３８】
また、ホストコントローラ２５、データ処理装置２６、記憶装置２７、再構成装置２８、表示装置２９、入力装置３０、及び補助記憶装置３１は、それぞれバスを介して相互接続され、当該バスを通じて互いに高速に画像データや制御データ等の受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００３９】
すなわち、ホストコントローラ２５は、オペレータから入力装置３０を介して入力されたスライス厚等のスキャン条件を内部メモリに記憶し、この記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードにおいてオペレータから直接設定されたスキャン条件）に基づいて高電圧発生装置１５、図示しない寝台駆動部及びガントリー駆動部１２を介して寝台２の体軸方向への送り量、送り速度、ガントリー３の回転速度、回転ピッチ、及びＸ線の曝射タイミング等を制御しながら当該高電圧発生装置１５、寝台駆動部、及びガントリー駆動部１２を駆動させることにより、被検体Ｐの所望の撮影領域に対して多方向からコーン状のＸ線ビームが照射される。そして、被検体Ｐの撮影領域を透過した透過Ｘ線は、主検出器１１の各検出素子を介してＸ線透過データとして検出される。
【００４０】
同時に、ホストコントローラ２５は、内部メモリに記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードのスキャン条件）に基づいてスイッチング素子２０の各スイッチの切り換え制御を行なって主検出器１１の各検出素子とＤＡＳ２１との接続状態を切り換えることにより、当該各検出素子で検出されたＸ線透過データを束ねて、スキャン条件に対応した複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【００４１】
次に、本実施形態において、３２スライス分を同時にデータ収集する検出器部分の実装例について、図４を用いて説明する。
【００４２】
図４の主検出器１１の断面図に示すように、セラミック基板４０１上には、検出素子４０２が、検出素子４０２の両側には、検出素子４０２とＴＡＢ４０３で接続されたスイッチング素子４０４が形成されている。なお、検出素子４０２とスイッチング素子４０４の接続は、ＴＡＢ接続だけでなく、ワイヤボンディングにより接続しても良い。
【００４３】
セラミック基板４０１の検出素子４０２が設けられない側の面にはＤＡＳ４０５が形成され、スイッチング素子４０４とＤＡＳ４０５は、セラミック基板４０１内で多層配線により、相互に接続されている。この配線は、多層配線に限定されず、スイッチング素子４０４とＤＡＳ４０５の接続は、基板にスルーホールを設け、このスルーホールを用いて両面の素子を接続しても良い。この場合、各素子はＴＡＢ接続を用いて配線される。
【００４４】
検出素子４０２は、フォトダイオード４０６とその上のシンチレータ４０７、シンチレータ４０７上のコリメータ４０８、検出素子４０２の温度をモニターする為の熱電対４０９から成る。
【００４５】
これらを実装する際には、まず、ＤＡＳ４０５をセラミック基板４０１に約２５０℃ではんだリフロー等のはんだ工程により取り付ける。次に、セラミック基板４０１上の、ＤＡＳ４０５を形成した側と逆の面に、フォトダイオードブロック４０６を約１２０℃で、はんだリフロー等のはんだ工程により取り付ける。その後、シンチレータブロック４０７をフォトダイオードブロック４０６上に接着し、コリメータブロック４０８を接続する。スイッチング素子４０４とフォトダイオードブロック４０６の接続はＴＡＢ４０３により行われ、ＤＡＳ４０５をつける前後のどちらで行なっても良い。また、スイッチング素子４０４とフォトダイオードブロック４０６は、ワイヤボンディングにより接続しても良い。
【００４６】
検出素子４０２の温度を、例えば約４０℃±１℃に保つ為には、ＤＡＳ４０５を動作させる電源電圧にはｈｉｇｈとｌｏｗの２種類がある事から、熱電対４０９からの出力を元に、この電源電圧をコントロールしても良い。
【００４７】
また、検出素子４０２を冷却する為のファン４１０を、ＤＡＳ４０５に隣接して設けても良い。従来は、ＤＡＳと検出素子がフレキを介して接続していた為、検出素子を約４０℃±１℃とする為に暖め、またＤＡＳは誤動作を防ぐ事を目的とし、約６０℃〜約８０℃となるように冷却していた。しかし本実施形態では、検出素子４０２とＤＡＳ４０５が同一基板に形成されている為にこれらの温度制御を同時に行なう事が出来る。そして、ＤＡＳ４０５は検出素子４０２と同程度の温度、つまり約４０℃±１℃とする為に、強力に冷却する必要があり、図４のようにＤＡＳ４０５に隣接してファン４１０などの冷却手段を設ける事が好ましい。
【００４８】
従って、本実施形態によれば、ヒーター等を必要とせずに、ＤＡＳ４０５の発熱のみで、検出器全体の温度制御を行なう事が可能となる。
【００４９】
さらに、強力に冷却を行なうには、ペルチエ素子をＤＡＳ４０５上にのせ、ペルチエ素子の動作により冷却しても良く、その際は、ＤＡＳ４０５にペルチエ素子を隣接して設ける事が好ましい。また、熱交換器を用いて冷却を行なっても良い。
【００５０】
本実施形態では、ＤＡＳ４０５はフレキを介さずに、直接フォトダイオードブロック４０６を形成するセラミック基板４０１に形成する。この事により、信号がＤＡＳ４０５に到達するまでの配線距離が短い。ＤＡＳ４０５以降では信号はデジタルとなる為に、信号がアナログのまま伝達する配線距離が短い事になる。つまり、アナログ信号はノイズを受け易いが、本実施形態ではアナログ信号として伝達する距離が短い為に、ノイズを受ける可能性が低下する。また、フレキを有さない為に、回転時に振動によりノイズを受ける事もない。
【００５１】
その際、ＤＡＳ４０５と、フォトダイオードブロック４０６を形成する順番としては、まず、ＤＡＳ４０５をはんだリフローによって形成してからフォトダイオードブロック４０６を形成する。これは、シンチレータブロック４０７とフォトダイオードブロック４０６は、素子が均一でないと、被検体を通ったＸ線に対する感度にばらつきが出て、アーチファクトを生じてしまう事から、フォトダイオードブロック４０６に不純物を含ませず、均一な素子を形成する為である。
【００５２】
ＤＡＳ４０５を接続してからフォトダイオードブロック４０６を接続する事により、フォトダイオードブロック４０６を酸化雰囲気や、不純物雰囲気にさらさず、さらに機械的に傷をつける可能性も低下できる。また、ＤＡＳ４０５の接続温度よりもフォトダイオードブロック４０６の接続温度を低く設定する事により、ＤＡＳ４０５とフォトダイオードブロック４０６の双方を精度良く接続可能となる。
【００５３】
また、従来は、検出素子からフレキやコネクタを介してデータを取り出しており、検出素子から取り出すフレキの本数の上限から、データの同時収集を８スライスより多く行う事が出来なかった。しかしながら、本実施形態では上述したように、ＤＡＳ４０５が、フォトダイオードブロック４０６の形成されるセラミック基板４０１上に配置されている事から、スイッチング素子４０４とＤＡＳ４０５の配線を、セラミック基板４０１中の多層配線等により行う事が出来る。従って、本実施形態では、撮影スライス厚を０．５ｍｍスライスとした時のデータの同時収集を８スライスより多くし、かつ、撮影スライス厚を１ｍｍスライスとした時のデータの同時収集を８スライスより多くすることが可能となる。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、ＤＡＳが検出素子と同一基板に形成される為に、ノイズが少なく、単位時間に高精細かつ広範囲に画像撮影を行う事の可能なＸ線二次元検出器又はＸ線ＣＴスキャナを提供する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態におけるＸ線ＣＴスキャナの概略構成を示すブロック図。
【図２】 最小スライス厚０．５ｍｍ、全体のセグメント数が４８個の場合の検出器列の構成を示す図。
【図３】 主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図４】 本発明の実施形態におけるＸ線ＣＴ用二次元検出器の構成を示す断面図。
【図５】 従来例におけるＸ線ＣＴ用二次元検出器の構成を示す断面図。
【符号の説明】
１…Ｘ線ＣＴスキャナ
２…寝台
３…ガントリー
４…システム部
１０…Ｘ線管球
１１…主検出器
１２…ガントリー駆動部
１３…スリット
１５…高電圧発生装置
２０…スイッチング素子
２１…データ収集装置（ＤＡＳ）
２５…ホストコントローラ
２６…データ処理装置
２７…記憶装置
２８…再構成装置
２９…表示装置
３０…入力装置
３１…補助記憶装置
４０１…セラミック基板
４０２，５０１…検出素子
４０３…ＴＡＢ
４０４，５０５…スイッチング素子
４０５，５０７…データ収集素子（ＤＡＳ）
４０６，５０４…フォトダイオードブロック
４０７，５０３…シンチレータブロック
４０８，５０２…コリメータブロック
４０９…熱電対
４１０，５１０…ファン
５０６…フレキシブルＰＣ板（フレキ）
５０８…ケース
５０９…ヒータ
Claims (5)
- 入射したＸ線に基づいて光信号を生成しアレイ状に配置されるシンチレータと、アレイ状に配置された前記シンチレータに各々接続し前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオード群と、前記フォトダイオード群が第１主面上に形成される基板と、前記基板上の前記第1の主面上であって前記フォトダイオード群の側部に設けられ前記電気信号を束ねるスイッチング素子と、前記シンチレータ、前記フォトダイオード群、及び前記スイッチング素子が設けられていない前記基板の第２主面上に配置され、前記基板内における多層配線もしくは前記基板に設けられるスルーホールを用いて前記スイッチング素子と接続されるデータ収集素子とを具備する事を特徴とするＸ線ＣＴ用二次元検出器。
- 前記基板上の前記第２の主面上であって前記データ収集素子に隣接して設けられ、前記データ収集素子を冷却する冷却手段を具備する事を特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ用二次元検出器。
- １または複数のセグメント内の前記シンチレータを１スライスとして束ね、９スライス以上同時にデータ収集する事を特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ用二次元検出器。
- 基板上にデータ収集素子をリフロー接続するデータ収集素子接続工程と、前記データ収集素子接続工程の後、前記データ収集素子をリフロー接続する温度より低い温度で、前記基板の前記データ収集素子の形成されない面にアレイ状にフォトダイオード群を形成する工程と、前記フォトダイオード群上にシンチレータを接着する工程と、前記データ収集素子の形成されない面上であって前記フォトダイオード群の側部にスイッチング素子を設ける工程と、前記スイッチング素子と該フォトダイオード群とを接続するとともに、前記基板内における多層配線もしくは前記基板に設けられるスルーホールを用いて該スイッチング素子と前記データ収集素子とを接続する工程と、を具備する事を特徴とするＸ線ＣＴ用二次元検出器の製造方法。
- 二次元検出器を備えたＸ線ＣＴスキャナにおいて、
前記二次元検出器は、入射したＸ線に基づいて光信号を生成しアレイ状に配置されるシンチレータと、アレイ状に配置された前記シンチレータに各々接続し前記光信号を電気信号に変換するフォトダイオード群と、前記フォトダイオード群が第１主面上に形成される基板と、前記基板上の前記第1の主面上であって前記フォトダイオード群の側部に設けられ前記電気信号を束ねるスイッチング素子と、前記シンチレータ、前記フォトダイオード群、及び前記スイッチング素子が設けられていない前記基板の第２主面上に配置され、前記基板内における多層配線もしくは該基板に設けられるスルーホールを用いて前記スイッチング素子と接続されるデータ収集素子とを具備する事を特徴とするＸ線ＣＴスキャナ。
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP2000024579A JP4481410B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | Ｘ線ｃｔ用二次元検出器、ｘ線ｃｔ用二次元検出器の製造方法及びｘ線ｃｔスキャナ |
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