JP3828967B2 - Ｘ線ｃｔスキャナ - Google Patents
Ｘ線ｃｔスキャナ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3828967B2 JP3828967B2 JP28852896A JP28852896A JP3828967B2 JP 3828967 B2 JP3828967 B2 JP 3828967B2 JP 28852896 A JP28852896 A JP 28852896A JP 28852896 A JP28852896 A JP 28852896A JP 3828967 B2 JP3828967 B2 JP 3828967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- segment
- slice thickness
- slice
- ray
- das
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 143
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 100
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 54
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 52
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 38
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 20
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 102220082839 rs149700042 Human genes 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 101100246976 Bacillus subtilis (strain 168) qdoI gene Proteins 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100421134 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) sle1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 102220293980 rs143960528 Human genes 0.000 description 2
- 102220129161 rs144069395 Human genes 0.000 description 2
- 102220211655 rs369115487 Human genes 0.000 description 2
- 102220142792 rs61735307 Human genes 0.000 description 2
- 102220124166 rs758073926 Human genes 0.000 description 2
- 102220129326 rs765777463 Human genes 0.000 description 2
- 102220258069 rs935976612 Human genes 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241001669679 Eleotris Species 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 102220117896 rs749032903 Human genes 0.000 description 1
- 102220065898 rs794726925 Human genes 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
- G01N23/046—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material using tomography, e.g. computed tomography [CT]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/40—Imaging
- G01N2223/419—Imaging computed tomograph
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/612—Specific applications or type of materials biological material
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Pulmonology (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガントリー回転軸方向（Ｘ線焦点位置を回転させる中心軸の方向、単純にはスライス面の厚さ（スライス厚）方向）に沿って検出素子が複数列（複数セグメント）配列された２次元検出手段であって、入射されたＸ線から不均等スライス厚の検出信号を生成し、この不均等スライス厚の検出信号を束ねて同一スライス厚を有する複数のスライスに基づく検出信号として出力する２次元検出手段を備えたＸ線ＣＴスキャナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線ＣＴスキャナにおいて従来から用いられていたタイプとして、ファンビーム（シングルスライス）Ｘ線ＣＴスキャナがある。
【０００３】
このファンビームＸ線ＣＴスキャナは、被検体（例えば患者）を挟んで対向配置されたＸ線源及び検出器を有しており、当該被検体の体軸方向に直交する方向（チャンネル方向）に沿って扇状に例えば約１０００チャンネル並べられている。
【０００４】
検出器には種々のタイプが使用可能であるが、小型化が可能なシンチレーション検出器が良く用いられている。このシンチレーション検出器は各検出素子としてシンチレータ及びフォトダイオード等の光センサ（光電変換器）をそれぞれ有し、被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により当該シンチレータで発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して各検出素子毎に出力するようになっている。
【０００５】
すなわち、上述したＸ線ＣＴスキャナによれば、Ｘ線源から被検体のあるスライス面（単にスライスともいう）に対してファン状にＸ線ビームを照射し、被検体のあるスライス面を透過したＸ線ビームを検出器の各検出素子毎に電気信号に変換してＸ線透過データを収集する。
【０００６】
検出器の各素子毎に収集されたＸ線透過データは、その検出器の各検出素子毎に設けられたデータ収集素子を有するデータ収集装置（ＤＡＳ）に送られ、その各データ収集素子により増幅処理等が行なわれて投影データ（１回のデータ収集を１ビューという）が収集される。
【０００７】
そして、Ｘ線源及び検出器を一体で被検体の周囲に回転させながらＸ線照射を行なって前記データ収集を約１０００回程度繰り返すことにより、被検体に対する多方向からの投影データが収集され、その多方向から得られた投影データに基づいて被写体のスライス面の画像が再構成される。
【０００８】
ところで、このようなシングルスライスＸ線ＣＴスキャナでは、被検体のある一つのスライス面の画像を得ているため、短時間に広い範囲の画像を撮影することは難しく、医師等から単位時間により高精細（高解像度）且つ広範囲に画像を撮影したいという強い要望が出されていた。
【０００９】
この要望に答えるために、近年、マルチスライスＸ線ＣＴスキャナが研究されている。
【００１０】
このマルチスライスＸ線ＣＴスキャナは、シングルＸ線ＣＴスキャナにおける検出器の検出素子を被写体の体軸方向（スライス厚方向、ｓｅｇ方向ともいう）に沿って複数列（複数（Ｎ）セグメント）有しており、当該検出器は、全体でＭチャンネル×Ｎセグメントの検出素子を有する２次元検出器として構成されている。この場合、ＤＡＳの各素子は、例えば２次元検出器の各検出素子毎に設けられている。
【００１１】
すなわち、マルチスライスＸ線ＣＴスキャナによれば、円錐状（コーン状）のＸ線ビームを曝射するＸ線源と、上述した２次元検出器とを有しており、当該円錐状のＸ線ビーム（有効視野直径ＦＯＶ）に基づいて被検体を透過したＸ線を２次元検出器の各検出素子で検出することにより、当該被検体の多スライス面の投影データを一度に収集するものであり、上述した高精細且つ広範囲な画像収集を可能にするものとして期待されている。
【００１２】
このようなマルチスライスＸ線ＣＴスキャナ及びそのＣＴスキャナに用いられる２次元検出器の構成については、種々の提案がなされている。
【００１３】
例えば、特開平６−１６９９１２には、スライス厚（スライスピッチ）の異なる複数のセグメントで得られたＸ線データを画像処理により束ねることにより自由にｓｌｉｃｅ厚を変えるアイデアが開示されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
マルチスライスＸ線ＣＴスキャナの２次元検出器及びＤＡＳの仕様を考えるとき、幾つかのパラメータが重要になる。すなわち、体軸方向の解像度を上げるためには、体軸方向に沿った検出器セグメントの素子ピッチ（スライス厚）を細かく設定することが必要であり、体軸方向の撮影領域を広げる（結果的にある領域の撮影時間を短くする）ためには、検出器全体（検出器セグメントの列数）を大きくする必要がある。この体軸方向の解像度の増大及び撮影領域のワイド化という一見相反する要求を両方ともクリアするために、十分に小さく分割された検出素子を十分に大きなサイズを確保するまでの列数（ｓｅｇ数）だけ体軸方向に配置する構成が考えられていた。
【００１５】
しかしながら、検出器側においては、検出器の細分化に伴う幾何学的効率の低下や、素子数増大に伴う配線パターン密度の問題等から、最小素子サイズ（ｓｌｉｃｅ方向のスライス厚の長さ）、最大素子数に限界があるため、現状では、最小サイズは約１mm、最大素子数は約３０列程度が可能なレベルとして考えられていた。
【００１６】
このように検出素子を約３０列程度配置するためには、その検出素子のｓｅｇ数に対応した素子数のＤＡＳが必要である。単純には、現状のＤＡＳをそのまま複数列（３０列）配置すれば済むことであるが、実際にはスキャナシステムへの実装スペースの問題やコストパフォーマンスの問題等で配置可能なＤＡＳの素子数には限界があり、現在の高密度実装技術や製造コストでは、近い将来可能なレベルとしてもせいぜい１０列分程度であった。
【００１７】
このようにＤＡＳ素子数、検出器の最小サイズ及び最大素子数のパラメータには互いに異なる制約があるため、これらのパラメータを単純に組み合わるだけでは、体軸方向の高解像度及びワイド化した撮影領域を共に得ることは難しく、なお一層の創意工夫が必要であった。
【００１８】
一方、上述したシンチレータと光センサとを組み合わせて構成されたシンチレーション型検出器（固体検出器）をＸ線ＣＴスキャナの検出器として用いた場合、シンチレータのスライス厚方向の端部（エッジ部）において光吸収が生じるため、当該各シンチレータの感度分布は、図２３に示すように、シンチレータエッジ（当該シンチレータのＸ線入射部のスライス厚方向端部）において低下することが知られている。このことから、シンチレータエッジでの感度（単位大きさあたりの出力光量）は、その大きさ（Ｘ線入射部のスライス厚方向の長さ，スライス長）に依存することが分かる。つまり、スライス長が短いシンチレータを有する検出器程、検出器全体の感度に対するエッジ部分の低感度が影響するため、その全体感度が低下することになる。
【００１９】
したがって、上述したようにスライス厚の異なる複数のセグメントを有する検出器においては、スライス厚の長さの差異に応じて感度分布に偏りが生じ、収集されたＸ線透過像にアーチファクトを発生させる恐れがあった。
【００２０】
本発明は上述したような事情に鑑みてなされたもので、入射されたＸ線から不均等スライス厚の検出信号を生成し、この不均等スライス厚の検出信号を束ねて同一スライス厚や異なるスライス厚を有する複数のスライスに基づく検出信号として出力する２次元検出手段を用いることにより、体軸方向の高い解像度と当該体軸方向に沿った広い撮影領域とを共に実現でき、且つ選択できるスライス厚の自由度を大幅に向上させたマルチスライスＸ線ＣＴスキャナを提供するとともに、上述した不均等スライス厚の検出信号生成に起因した感度分布の偏りを解消することにより、アーチファクトが無く視認性の高い鮮明なＸ線透過像を得ることができるマルチスライスＸ線ＣＴスキャナを提供することをその目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために請求項１に記載した発明によれば、被検体を透過したＸ線を検出する検出器を備え、この検出器を用いて収集したデータに基づいて被検体のＸ線画像を再構成するＸ線ＣＴスキャナにおいて、前記検出器は、Ｘ線を吸収し、そのＸ線吸収によって発生した蛍光を出力するものであり、感度のバラツキが小さくなるようにスライス厚方向に沿って同一のスライス厚で構成されたシンチレータと、前記蛍光を電気信号に変換するものであり、前記スライス厚方向及びチャンネル方向に沿って２次元的に配列され、スライス厚方向のスライス厚が不均等で、且つ、中央が最小のスライス厚を有するように構成された複数のＸ線検出素子とを有し、前記シンチレータは前記Ｘ線検出素子の最小スライス厚に対応したスライス厚を有することを特徴とするものである。
【００２９】
本発明によれば、被検体に対するＸ線ビームのスライス厚方向及びこのスライス厚方向に直交するチャンネル方向に沿って２次元的に配列された複数のＸ線検出素子（例えば前記被検体を透過してきたＸ線に基づいて光信号を生成する光信号生成部（シンチレータ等）と、生成された光信号を前記複数の不均等スライス厚の検出信号に変換して出力する変換部（フォトダイオード等）とを備えている）を有する信号生成・感度調整手段により、例えば、前記各光信号生成部の前記スライス厚方向のピッチが均等に形成され、且つ前記各変換部の前記スライス厚方向のピッチが不均等に形成されているため、当該各光信号生成部及び各変換部を介して不均等な複数のスライス厚に対応する検出信号が生成される。このとき、信号生成・感度調整手段により各光信号生成部の前記スライス厚方向のピッチが均等に形成されているため、複数の不均等スライス厚の検出信号に含まれる感度ばらつきが調整されている。
【００３０】
そして、感度調整された複数の不均等スライス厚の検出信号は、選択出力手段によりスライス厚方向毎にスライス厚条件に応じて選択され、スライス厚方向及びチャンネル方向に対応させてデータ収集素子が複数個配列されたデータ収集装置における当該スライス厚方向に対応するデータ収集素子に出力される。
【００３１】
すなわち、所望のスライス条件に応じて感度調整された複数の不均等スライス厚の検出信号の内の一部を束ねて前記スライス方向に対応するデータ収集素子の内の所定のデータ収集素子に出力することができる。したがって、例えば最小のスライス厚（スライスピッチ）に対応する検出信号、この最小のスライス厚の２倍のスライスピッチに対応する検出信号、最小のスライス厚の４倍に対応する検出信号等の複数の不均等スライス厚の検出信号を例えば全てデータ収集素子に出力して撮影領域をワイド化することも可能であるし、最小のスライス厚に対応する検出信号のみをデータ収集素子に出力して高分解能化することも可能である。
【００３２】
さらに、本構成によれば、上述した撮影領域のワイド化及び高分解能化を共に実現しながら、且つその両方の実現に必要な複数の不均等スライス厚の検出信号を生成する際に起こる感度ばらつきを補正することができるため、当該感度ばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。
【００３４】
図１は、本実施形態のＸ線ＣＴスキャナ１の概略構成を示すブロック図である。
【００３５】
図１によれば、Ｘ線ＣＴスキャナ（ＣＴシステム）１は、被検体（患者）Ｐ載置用の寝台２と、被検体Ｐを挿入して診断を行なうための図示しない診断用開口部を有し、被検体Ｐの投影データの収集を行なうガントリー３と、スキャナ全体の制御を行なうとともに、収集された投影データに基づいて画像再構成処理や再構成画像表示等を行なうシステム部４とを備えている。
【００３６】
寝台２は、図示しない寝台駆動部の駆動により被検体Ｐの体軸方向に沿ってスライド可能になっている。
【００３７】
ガントリー３は、その診断用開口部に挿入された被検体Ｐを挟んで対向配置されたＸ線管球１０及び主検出器１１と、ガントリー駆動部１２とを備えており、Ｘ線管球１０と主検出器１１は、ガントリー駆動部１２の駆動により、ガントリー３の診断用開口内に挿入された被検体Ｐの体軸方向に平行な中心軸の廻りに一体で回転可能になっている。ガントリー３内のＸ線管球１０と被検体Ｐとの間には、Ｘ線管球１０のＸ線焦点から曝射されたコーン状のＸ線ビームを整形し、所要の大きさのＸ線ビームを形成するためのスリット１３が設けられている。また、主検出器１１のＸ線ビーム入射側には、例えば主検出器１１の列方向に沿って移動する２枚のＸ線遮蔽板を有するビームトリマ１４が設けられている。このビームトリマ１４は、スキャン条件（スライス厚条件）に応じて２枚のスリット板の主検出器１１の列方向に沿った移動位置を制御することにより被検体Ｐを透過してきたＸ線ビームをトリミングして、良好なプロファイルの透過Ｘ線ビームを生成するように構成されている。
【００３８】
さらに、Ｘ線ＣＴスキャナ１は、Ｘ線管球１０に高電圧を供給する高電圧発生装置１５を備えている。この高電圧発生装置１５によるＸ線管球１０への高電圧供給は、例えば接触式のスリップリング機構により行なわれる。
【００３９】
主検出器１１には、シンチレータ及びフォトダイオード等の光センサ（光電変換器）を有するシンチレーション検出器が用いられている。すなわち、Ｘ線管球１０から曝射され被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して出力するようになっている。
【００４０】
このシンチレーション型主検出器１１は、図２に示すように、１ｃｈあたり複数ｓｅｇ（本実施形態では２０ｓｅｇ）がｓｅｇ方向（体軸方向、スライス厚方向）に沿って並べられた検出素子列をチャンネル方向（ｃｈ方向）に沿って複数ｃｈ（本実施形態では１６ｃｈ）アレイ状に配列した２次元検出器（図２では、１６ｃｈ×２０ｓｅｇの２次元検出器を示している）として構成されている。
【００４１】
すなわち、図２では、第１ｃｈの２０ｓｅｇ分の素子列を１１ａ1 とすると、第１ｃｈ：１１ａ1 〜第１６ｃｈ：１１ａ16の素子列が配置されており、また、第１ｓｅｇの１６ｃｈ分の素子列を１１α1 とすると、第１ｓｅｇ：１１α1 〜第２０ｓｅｇ：１１α20の素子列が配置されていることになる。
【００４２】
ここで、このように２次元配列された各検出素子の各素子の位置（アドレス）を（ｓｅｇ，ｃｈ）で表すと、例えば（第１ｓｅｇ，第１ｃｈ）に位置する素子は、１１（１，１）として表され、以下、第１ｃｈ１１ａ1 の素子列は、１１（２，１）…１１（２０，１）と表される。また、このようにして、残りのｃｈ１１ａ2 〜１１ａ16の素子列は、それぞれ第２ｃｈ１１ａ2 →１１（１，２）…１１（２０，２），第３ｃｈ１１ａ3 →１１（１，３）…１１（２０，３），・・・・，第１５ｃｈ１１ａ15→１１（１，１５）…１１（２０，１５），第１６ｃｈ１１ａ16→１１（１，１６）…１１（２０，１６）として表される。
【００４３】
なお、各ｓｅｇ間及び各ｃｈ間は、例えば金属板等のセパレータ（反射板）１１ｓ1 及び１１ｓ2 が設けられ、隣接するｃｈ間及びｓｅｇ間のクロストークを無くすように構成されている。
【００４４】
そして、主検出器１１は、被検体Ｐを透過して入射されたＸ線から不均等スライス厚の検出信号を生成し、この不均等スライス厚の検出信号を束ねて同一スライス厚を有する複数のスライス、あるいは異なるスライス厚を有する複数のスライス等、指定されたスライス厚に基づく検出信号として出力するようになっている。
【００４５】
本実施形態において上述した不均等スライス厚の検出信号を生成するために、主検出器（２次元検出器）１１の各ｃｈの素子列１１ａ1 〜１１ａ16の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）は、中央の素子から端部の素子に向けてピッチが広がるように不均等に形成されている。なお、このｓｅｇ方向に沿って不均等に形成されたスライスピッチのことを不均等ピッチという。
【００４６】
ここで、主検出器１１の各チャンネル（ｃｈ）の素子列１ａ1 〜１１ａ16の構成を図３に示す。なお、図３は、第１ｃｈの素子列１１ａ1 について代表して示している。
【００４７】
本実施形態においては、Ｘ線ＣＴスキャナ１で得られる最小スライス厚を実現するためのサイズを有する検出素子列を基本セグメントと呼び、本実施形態では最小スライス厚が１mmの場合について説明する。
【００４８】
図３によれば、本実施形態の主検出器１１の各チャンネルの素子列１１ａ1 〜１１ａ16の構成は、中央に基本セグメント（１mm−ｓｅｇ；１mmスライス厚のセグメント）を８セグメント（（図面向かって右側からｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 とする）配列し、さらにその外側に２mmセグメント（２mm−ｓｅｇ；２mmスライス厚のセグメント）を片側に２セグメントずつ合計４セグメント配列し（図面向かって右側からｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 とする）、さらにその２mmセグメントの外側に、４mmセグメント（４mm−ｓｅｇ；４mmスライス厚のセグメント）を片側に２セグメントずつ合計４セグメント配列する（図面向かって右側からｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 とする）。さらに、４mmセグメントの外側に８mmセグメント（８mm−ｓｅｇ；８mmスライス厚のセグメント）を片側に２セグメントずつ合計４セグメント配列している（図面向かって右側からｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 とする）。１チャンネルあたり合計２０ｓｅｇであり、全体で６４mmに対応する。なお、ここに示した寸法は、ガントリー３（Ｘ線管球１０及び主検出器１１）の回転軸中心での値であり、主検出器１１における実寸法ではない。
【００４９】
ここで、上述した不均等ピッチを形成する主検出器１１の各チャンネルの素子列１ａ1 〜１１ａ16の内部構造を図４に示す。なお、図４は、図３に示す第１ｃｈの素子列１１ａ1 における図面向かって右側半分の素子列１１ａ1 について代表して示している。
【００５０】
図４によれば、第１ｃｈの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）は、それぞれ１個ずつのシンチレータ１６ａ1 を有している。そして、各基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 のＸ線入射部は、当該基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚の大きさ（長さ）を有している。
【００５１】
各シンチレータ１６ａ1 は箱型であり、そのＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が層状に設けられている。そして、シンチレータ１６ａ1 の蛍光出力面側には、例えば接着剤やオプティカルコンパウンド（グリス等の半固体状の潤滑剤であり粘着性だけで接着するもの）等の接合部材を介して光センサ（例えばフォトダイオード１７ａ1 ）が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７ａ1 は、基本セグメントのスライスピッチ（１mm）に対応する図示しないアクティブエリア（ｐｎ接合部分であり、受光可能領域）を有し、シンチレータ１６ａ1 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【００５２】
２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）は、それぞれ２個ずつのシンチレータ１６ａ2 を有しており、当該２個ずつのシンチレータ１６ａ2 はスライス厚方向に沿って配設されている。各２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）の２個ずつのシンチレータ１６ａ2 における各シンチレータのＸ線入射部は、基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚を有している。
【００５３】
各２個ずつ箱型のシンチレータ１６ａ2 のＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が設けられている。そして、シンチレータ１６ａ2 の蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７ａ2 が当該蛍光を受光可能に接合されており、各フォトダイオード１７ａ2 は、２mmセグメントのスライスピッチ（２mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、２個のシンチレータ１６ａ2 から発生される蛍光をアクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【００５４】
４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）は、それぞれ４個ずつのシンチレータ１６ａ3 を有しており、当該４個ずつのシンチレータ１６ａ3 はスライス厚方向に沿って配設されている。各４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）の４個ずつのシンチレータ１６ａ3 における各シンチレータのＸ線入射部は、基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚を有している。
【００５５】
各４個ずつの箱型シンチレータ１６ａ3 のＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が設けられている。そして、シンチレータ１６ａ3 の蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７ａ3 が当該蛍光を受光可能に接合されており、各フォトダイオード１７ａ3 は、４mmセグメントのスライスピッチ（４mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、４個のシンチレータ１６ａ3 から発生される蛍光を電気信号に変換してそれぞれ出力するようになっている。
【００５６】
８mmセグメント（ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）は、それぞれ８個ずつのシンチレータ１６ａ4 を有しており、当該８個ずつのシンチレータ１６ａ4 はスライス厚方向に沿って配設されている。各８mmセグメント（ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）の８個ずつのシンチレータ１６ａ4 における各シンチレータのＸ線入射部は、基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚を有している。各８個ずつの箱型シンチレータ１６ａ4 のＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が設けられている。そして、シンチレータ１６ａ4 の蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７ａ4 が当該蛍光を受光可能に接合されており、各フォトダイオード１７ａ4 は、８mmセグメントのスライスピッチ（８mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、８個のシンチレータ１６ａ4 から発生される蛍光を電気信号に変換してそれぞれ出力するようになっている。
【００５７】
つまり、各セグメント（基本セグメント〜８mmセグメント）の各シンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 の大きさ（スライス厚）は、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に対応したスライス厚となっており、これに対して各セグメント（基本セグメント〜８mmセグメント）の各フォトダイオード１７ａ1 〜１７ａ4 の大きさ（スライス厚）は、配設される各セグメントのスライス厚に応じた不均等サイズとなっている。
【００５８】
すなわち、図４に示した構成において、各基本セグメントは、１個のフォトダイオード及びそれに対応する１個のシンチレータで構成されているが、各２mmセグメントは１個のフォトダイオード及びそれに対応する２個のシンチレータ、各４mmセグメントは１個のフォトダイオード及びそれに対応する４個のシンチレータ、各８mmセグメントは１個のフォトダイオード及びそれに対応する８個のシンチレータでそれぞれ構成されている。
【００５９】
そして、上述した構造の主検出器（２次元検出器）１１の各フォトダイオードのアクティブエリアは、それぞれ配線を介してスイッチ群２０に接続されており、当該各検出素子（シンチレータ、フォトダイオード）により検出されたＸ線透過データは、スイッチ群２０を介して例えば各チャンネルの検出素子列１１ａ1 〜１１ａ16それぞれ（２０ｓｅｇ）に対して、当該２０ｓｅｇより少ない８列分（８スライス分）のデータ収集素子（ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 …ＤＡＳ−１ａ16〜ＤＡＳ−８ａ16）を有するＤＡＳ（データ収集装置）２１に送られる。
【００６０】
図５は、本実施形態の２次元検出器１１，スイッチ群２０，及びＤＡＳ２１の構造を示す斜視図である。図５に示すように、２次元検出器１１は、検出素子がアレイ状に並べられており、スイッチ群２０は、例えばスイッチ基板上にＦＥＴ等のスイッチング素子を実装して構成されている。また、ＤＡＳ２１のデータ収集素子は、２次元検出器１１の各検出素子と同様にアレイ状に配列さされている。
【００６１】
ＤＡＳ２１の各データ収集素子（ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 …ＤＡＳ−１ａ16〜ＤＡＳ−８ａ16）は、送られたＸ線透過データに対して増幅処理やＡ／Ｄ変換処理等を施して当該被検体Ｐの８スライス分の投影データを収集するようになっている。
【００６２】
ここで、主検出器１１の例えば第１チャンネルにおける２０ｓｅｇの検出素子列１１ａ1 （ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 、ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）と、この第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 に対応するＤＡＳ２１の８列（８スライス）分のデータ収集素子（ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 ）を有するＤＡＳ（データ収集装置）２１とのスイッチ群２０による接続関係を図６に示す。なお、図６には、説明を容易にするために、素子列両端のｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 と各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 とを接続するスイッチ群のみを示している。
【００６３】
図６によれば、ｓｅｇ８ａ1 は、スイッチＳ11を介してＤＡＳ−１ａ1 に接続され、以下、スイッチＳ12〜Ｓ18を介してＤＡＳ−２ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に接続されている。そして、Ｓ1Gを介してＧＮＤに接続されている。同様に、ｓｅｇ８ａ2 は、スイッチＳ21〜Ｓ2Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６４】
以下、ｓｅｇ４ａ1 は、スイッチＳ31〜Ｓ3Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ４ａ2 は、スイッチＳ41〜Ｓ4Gを介し手ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。また、ｓｅｇ２ａ1 は、スイッチＳ51〜Ｓ5Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ２ａ2 は、スイッチＳ61〜Ｓ6Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６５】
さらに、ｓｅｇ１ａ1 …ｓｅｇ１ａ8 は、それぞれスイッチＳ71〜Ｓ7G…スイッチＳ141 〜Ｓ14G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。そして、ｓｅｇ２ａ3 は、スイッチＳ151 〜Ｓ15G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ２ａ4 は、スイッチＳ161 〜Ｓ16G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。また、ｓｅｇ４ａ3 は、スイッチＳ171 〜Ｓ17G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ４ａ4 は、スイッチＳ181 〜Ｓ18G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６６】
そして、ｓｅｇ８ａ3 は、スイッチＳ191 〜Ｓ19G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ８ａ4 （２０ｓｅｇ目）は、スイッチＳ201 〜Ｓ20G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６７】
各接続スイッチＳ11〜Ｓ20G には、それぞれシステム部４のホストコントローラ２５から図示しない制御信号線が接続されており、この制御信号線を介してホストコントローラ２５から送られる制御信号に応じて接続スイッチＳ11〜Ｓ20G は個別にＯＮ／ＯＦＦし、各セグメントｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 、及びｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 とＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤとの接続／非接続を個別に切り換え制御するようになっている。
【００６８】
なお、第２チャンネルの検出素子列１１ａ2 〜第１６チャンネルの検出素子列１１ａ16についても、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 と同様に図４に示した構造を有している。また、当該第２チャンネルの検出素子列１１ａ2 〜第１６チャンネルの検出素子列１１ａ16は、各接続スイッチを介して対応するＤＡＳ−１ａ2 〜ＤＡＳ−８ａ2 …ＤＡＳ−１ａ16〜ＤＡＳ−８ａ16にそれぞれ接続されており、各接続スイッチは、ホストコントローラ２５からの制御信号に応じて各セグメントとＤＡＳのデータ収集素子及びＧＮＤとの間で接続／非接続を個別に切り換え制御するようになっている。
【００６９】
一方、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、例えばＣＰＵ等を有するコンピュータ回路を搭載したデータ処理装置２６を有している。このデータ処理装置２６は、ＤＡＳ２１の各データ収集素子により収集された８スライス分の投影データを保持し、上述したガントリー３の回転による多方向から得られた同一スライスの全ての投影データを加算する処理や、その加算処理により得られた多方向投影データに対して必要に応じて補間処理、補正処理等を施すようになっている。
【００７０】
また、システム部４は、データ処理装置２６におけるデータ処理に必要なデータ等を記憶する記憶装置２７と、データ処理装置２６によりデータ処理されて得られた投影データを再構成処理して、８スライス分の再構成画像データを生成する再構成装置２８と、この再構成装置２８により生成された再構成画像データを表示する表示装置２９と、キーボードや各種スイッチ、マウス等を備え、オペレータＯを介してスライス厚やスライス数等の各種スキャン条件を入力可能な入力装置３０と、再構成装置２８により生成された再構成画像データを記憶可能な大容量の記憶領域を有する補助記憶装置３１とを備えている。
【００７１】
そして、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、ＣＰＵを有するコンピュータ回路を搭載したホストコントローラ２５を有している。このホストコントローラ２５は、高電圧発生装置１５に接続されるとともに、バスＢを介してガントリー３内の図示しない寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、ビームトリマ１４、スイッチ群２０、及びＤＡＳ２１にそれぞれ接続されている。
【００７２】
また、ホストコントローラ２５、データ処理装置２６、記憶装置２７、再構成装置２８、表示装置２９、入力装置３０、及び補助記憶装置３１は、それぞれバスＢを介して相互接続され、当該バスＢを通じて互いに高速に画像データや制御データ等の受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００７３】
すなわち、ホストコントローラ２５は、オペレータＯから入力装置３０を介して入力されたスライス厚等のスキャン条件を内部メモリに記憶し、この記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードにおいてオペレータＯから直接設定されたスキャン条件）に基づいて高電圧発生装置１５、図示しない寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、及びビームトリマ１４を介して寝台２の体軸方向への送り量、送り速度、ガントリー３（Ｘ線管球１０及び主検出器１１）の回転速度、回転ピッチ、ビームトリマ１４のエッジ位置、及びＸ線の曝射タイミング等を制御しながら当該高電圧発生装置１５、寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、及びビームトリマ１４を駆動させることにより、被検体Ｐの所望の撮影領域に対して多方向からコーン状のＸ線ビームが照射される。そして、被検体Ｐの撮影領域を透過した透過Ｘ線は、主検出器１１の各検出素子を介してＸ線透過データとして検出される。
【００７４】
同時に、ホストコントローラ２５は、内部メモリに記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードのスキャン条件）に基づいてスイッチ群２０の各スイッチの切り換え制御を行なって主検出器１１の各検出素子とＤＡＳ２１との接続状態を切り換えることにより、当該各検出素子で検出されたＸ線透過データを束ねて、スキャン条件に対応した複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【００７５】
次に、本実施形態における上述したスイッチ群２０を介してＸ線透過データを束ねる構成について説明する。なお、ここでは、説明を簡単にするために、主検出器１１の第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 で検出されたＸ線透過データを束ねてＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送る構成についてのみ示しているが、第２チャンネルの検出素子列１１ａ2 〜第１６チャンネルの検出素子列１１ａ16とＤＡＳ−１ａ2 …ＤＡＳ−８ａ2 〜ＤＡＳ−１ａ16…ＤＡＳ−８ａ16との間でも同様に行なわれることは言うまでもない。
【００７６】
ここで、同一のスライス厚で８スライスを収集する場合のＸ線透過データのスイッチ群２０による束ね方を図７及び図８に示す。図７及び図８中、網掛け部分が検出されたＸ線透過データを使用する検出素子の範囲を表し、太線が束ねたＸ線透過データの切れ目を表している。
【００７７】
図７（Ａ）は、スライス厚として最小のスライス厚（１mm）で８スライスを収集する場合におけるスイッチ群２０によるＸ線透過データの束ね方を示すものである。
【００７８】
すなわち、ホストコントローラ２５は、入力されたスライス厚条件（１mm）を含むスキャン条件に基づいてスイッチ群２０のスイッチＳ11 〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、各検出素子列で検出されたＸ線透過データを束ねる。すなわち、ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 とＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 とをそれぞれ接続するスイッチＳ71、Ｓ82、Ｓ93、Ｓ104 、Ｓ115 、Ｓ126 、Ｓ137 、Ｓ148 がＯＮされ、それ以外のスイッチＳ72〜Ｓ7G、Ｓ81、Ｓ83〜Ｓ8G、Ｓ91、Ｓ92、Ｓ94〜Ｓ9G、・・・、Ｓ141 〜Ｓ147 、Ｓ14G はそれぞれＯＦＦされる。
【００７９】
また、ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 とＧＮＤとを接続するスイッチＳ1G、Ｓ2G、Ｓ19G 、Ｓ20G はそれぞれＯＮされ、以下、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 とＧＮＤとを接続するスイッチＳ3G、Ｓ4G、Ｓ17G 、Ｓ18G →ＯＮ、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 とＧＮＤとを接続するスイッチＳ5G、Ｓ6G、Ｓ15G 、Ｓ16G →ＯＮされる。さらに、Ｓ11〜Ｓ18、Ｓ21〜Ｓ28、Ｓ31〜Ｓ38、…、Ｓ61〜Ｓ68、Ｓ151 〜Ｓ158 、Ｓ161 〜Ｓ168 、…、Ｓ201 〜Ｓ208 →ＯＦＦされる。
【００８０】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 を介して電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０を介して１mm厚の８スライス（１mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８１】
また、図７（Ｂ）は、スライス厚として２mmスライス厚で８スライスを収集する場合におけるスイッチ群２０によるＸ線透過データの束ね方を示すものである。
【００８２】
すなわち、ホストコントローラ２５は、入力されたスライス厚条件（２mm）を含むスキャン条件に基づいてスイッチ群２０の各スイッチＳ11〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、ｓｅｇ２ａ1 をＤＡＳ−１ａ1 ，ｓｅｇ２ａ2 をＤＡＳ−２ａ1 に接続し、ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ2 を束ねてＤＡＳ−３ａ1 、ｓｅｇ１ａ3 〜ｓｅｇ１ａ4 を束ねてＤＡＳ−４ａ1 、ｓｅｇ１ａ5 〜ｓｅｇ１ａ6 を束ねてＤＡＳ−５ａ1 、ｓｅｇ１ａ7 〜ｓｅｇ１ａ8 を束ねてＤＡＳ−６ａ1 にそれぞれ接続する。さらに、ｓｅｇ２ａ3 をＤＡＳ−７ａ1 、ｓｅｇ２ａ4 をＤＡＳ−８ａ1 に接続し、他のｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ，ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 を全てＧＮＤに接続する。
【００８３】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 並びに２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）のシンチレータ１６ａ2 及びフォトダイオード１７ａ2 を介して不均等スライス厚の電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０により束ねられて２mm厚の８スライス（２mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８４】
同様に、図８（Ａ）では、ホストコントローラ２５は、各スイッチＳ11〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、ｓｅｇ４ａ1 をＤＡＳ−１ａ1 、ｓｅｇ４ａ2 をＤＤＡＳ−２ａ1 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ2 →ＤＡＳ−３ａ1 、ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ4 →ＤＡＳ−４ａ1 、ｓｅｇ１ａ5 〜ｓｅｇ１ａ8 →ＤＡＳ−５ａ1 、ｓｅｇ２ａ3 〜ｓｅｇ２ａ4 →ＤＡＳ−６ａ1 、ｓｅｇ４ａ3 をＤＡＳ−７ａ1 、ｓｅｇ４ａ4 をＤＡＳ−８ａ1 、ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 →ＧＮＤにそれぞれ接続する。
【００８５】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 ，２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）のシンチレータ１６ａ2 及びフォトダイオード１７ａ2 ，並びに４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）のシンチレータ１６ａ3 及びフォトダイオード１７ａ3 を介して不均等スライス厚の電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０により束ねられて４mm厚の８スライス（１mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８６】
さらに、図８（Ｂ）では、各スイッチＳ11〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、ｓｅｇ８ａ1 をＤＡＳ−１ａ1 、ｓｅｇ８ａ2 をＤＡＳ−２ａ1 、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ2 →ＤＡＳ−３ａ1 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ2 及びｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ4 →ＤＡＳ−４ａ1 、ｓｅｇ１ａ5 〜ｓｅｇ１ａ8 及びｓｅｇ２ａ3 〜ｓｅｇ２ａ4 →ＤＡＳ−５ａ1 、ｓｅｇ４ａ3 〜ｓｅｇ４ａ4 →ＤＡＳ−６ａ1 、ｓｅｇ８ａ3 をＤＡＳ−７ａ1 、ｓｅｇ８ａ4 をＤＡＳ−８ａ1 にそれぞれ接続する。
【００８７】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 ，２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）のシンチレータ１６ａ2 及びフォトダイオード１７ａ2 ，４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）のシンチレータ１６ａ3 及びフォトダイオード１７ａ3 ，並びに８mmセグメント（ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）のシンチレータ１６ａ4 及びフォトダイオード１７ａ4 を介して不均等スライス厚の電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０により束ねられて８mm厚の８スライス（８mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８８】
以上述べたように、本構成によれば、同一スライス厚の８スライスのＸ線透過データを収集するモードにおいて、それぞれのスライス厚を１mm、２mm、４mm、８mmと２倍ずつ広げていくことが可能になっている。
【００８９】
そして、そのスライス厚は、オペレータＯにより設定されたスキャン条件に含まれるスキャン厚に基づいて、ホストコントローラ２５の制御の下でスイッチ群２０の切り換え制御が自動的に行なわれることにより、設定されたスキャン条件（スライス厚条件）に対応して選択されている。
【００９０】
すなわち、本構成によれば、設定されたスライス厚条件に合わせて、例えば最小スライス厚（１ｍｍ）の８スライス分のＸ線透過データを収集することができる。そして、この収集された８スライス分のＸ線透過データから得られた投影データに基づいて再構成装置２８により再構成処理が行なわれるため、体軸方向に高い分解能（解像度）を有する８スライスの再構成画像を生成することができる。また、設定されたスライス厚条件に合わせて、例えばスライス厚８ｍｍの８スライスで構成されたワイドな撮影領域（６４ｍｍ）のＸ線透過データを収集することができるため、この収集された投影データから得られた投影データに基づいて再構成装置２８により再構成処理が行なわれ、体軸方向にワイドな範囲の再構成画像を生成することができる。この結果、体軸方向の高い解像度と体軸方向に沿ったワイドな撮影領域とを共に実現することができる。
【００９１】
また、本構成によれば、同一スライス厚の８スライスの投影データを得る場合において、そのスライス厚を、設定されたスライス厚条件に合わせて１mm〜２mm〜４mm〜８mmと２倍ずつ広げていくことができ、しかもそのスライス厚条件はオペレータＯからスキャン条件設定時あるいはマニュアルモード時に任意に設定することができる。したがって、スライス厚の設定の自由度を大幅に高めることができ、診断部位に応じた効率的な画像診断を行なうことができる。また、本構成においては、同一のスライス厚に限らず、異なるスライス厚の８スライスの投影データを収集することも可能である。
【００９２】
そして、本構成によれば、同一サイズ（同一のスライス厚）のシンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 によりＸ線を蛍光に変換し、この蛍光を不均等ピッチ（不均等スライス厚）のフォトダイオード１７ａ1 〜１７ａ4 により不均等スライス厚の検出信号に変換して出力するように構成されている。すなわち、シンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力することを可能にしているため、上述した各検出素子の各シンチレータが異なるスライス厚を有していた場合に発生する感度ばらつき（感度分布の偏り）を解消することができる。
【００９３】
例えば、図４の素子列１１ａ1 に対応し、シンチレータ及びフォトダイオードが共に不均等なスライス厚で構成された検出器の素子列（セグメント）１１ｂ1 ｛基本セグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ8 ），２mmセグメント（ｓｅｇ２ｂ1 〜ｓｅｇ２ｂ4 ），４mmセグメント（ｓｅｇ４ｂ1 〜ｓｅｇ４ｂ4 ），８mmセグメント（ｓｅｇ８ｂ1 〜ｓｅｇ８ｂ4 ）｝における図面向かって右側半分の素子列１１ｂ1 を図９に示す。
【００９４】
前掲図２３で述べたように、各セグメントの感度分布は、シンチレータのスライス厚の長さに依存しているため、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、シンチレータのスライス厚の長さの短い基本セグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ8 ）の感度（平均感度）は、当該基本セグメントから周辺のセグメント（例えば８mmセグメント（ｓｅｇ８ｂ1 〜ｓｅｇ８ｂ4 ））の感度（平均感度）よりも小さくなる。
【００９５】
したがって、例えば上述したスイッチ群２０の各スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦにより、ｓｅｇ１ｂ1 〜１ｂ4 ，ｓｅｇ２ｂ1 〜２ｂ2 ，及びｓｅｇ４ｂ1 〜４ｂ2 を束ねて１６mm−ｓｌｉｃｅのＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ａ））を出力し、ｓｅｇ８ｂ1 〜８ｂ2 を束ねて１６mm−ｓｌｉｃｅのＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ｂ））を出力したとすると（図１１参照）、図１２（Ａ）に示すように、同一スライス厚のＸ線透過データであっても、スライス厚の長さの異なるセグメントを束ねて収集されたＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ａ））の感度分布は偏ってばらつきが生じており、一方、スライス厚の長さの同じセグメントを束ねて収集されたＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ｂ））の感度分布は平坦になる。
【００９６】
そして、スライス厚の長さの異なるセグメントを束ねて収集されたＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ａ））に対して、通常のＣＴスキャナにおいて必要な感度補正等のデータ処理を行なう場合では、図１２（Ｂ）に示すように、束ねた部分の平均値Ａｖを用いて当該データ処理を行なうしかないため、図１２（Ｂ）に示すように、スライス厚の長いセグメント（ｓｅｇ４ｂ1 〜ｓｅｇ４ｂ2 ）の当該透過データに対する重みが、スライス厚の短いセグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ4 ）の当該透過データに対する重みに比べて大きくなる。言い換えれば、スライス厚の短いセグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ4 ）の当該透過データに対する重みがスライス厚の長いセグメント（ｓｅｇ４ｂ1 〜ｓｅｇ４ｂ2 ）の当該透過データに対する重みに比べて小さくなる。
【００９７】
このスライス厚の長さの違いに起因した重みの差異は、例えばスライス厚方向に傾きを有する被検体を撮影する際に、同一被検体であってもスライス厚方向に対する当該被検体の向きに応じて当該重みの差異が強調されたり、あるいは軽減される等ばらついて、出力値が異なることになる。
【００９８】
また、上述したスライス厚の長さの違いに起因した重みの差異は、他の素子列においても発生し、しかもその差異の量は異なるため、素子列全体において出力値が異なることになり、透過像に発生するアーチファクト大きな要因となっていた。
【００９９】
しかしながら、本構成では、前掲図４に示したように、各セグメントのシンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力し、この出力信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データを収集しているため、上述したスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布の傾き（ばらつき）を解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１００】
なお、本実施形態では、各セグメントのシンチレータの同一のスライス厚は、基本セグメントのスライス厚（１mm）に対応して設定されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば当該基本セグメントのスライス厚（１mm）を収集されるスライス厚の長さ（本実施形態の場合は８mm）の公約数で割った値（１／２mm、１／４mm、１／８mm）であってもよい。
【０１０１】
また、分布の影響の大きさに応じて、全体を同一にするのではなく、一部に適用してもよい。
【０１０２】
（第２実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ａの各チャンネルの素子列１Ａ1 〜１１Ａ16の内部構造を図１３に示す。なお、図１３は、第１ｃｈの素子列１１Ａ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ａの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１０３】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１Ａ1 〜ｓｅｇ１Ａ8 ）は、それぞれ１個ずつのシンチレータ１６Ａ1 を有している。そして、各基本セグメント（ｓｅｇ１Ａ1 〜ｓｅｇ１Ａ8 ）の各シンチレータ１６Ａ1 のＸ線入射部は、当該基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚の大きさ（長さ）を有している。
【０１０４】
各シンチレータ１６Ａ1 の蛍光出力面側には、接着剤やオプティカルコンパウンド等の接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ａ1 が接合されており、この光学フィルタ４０Ａの蛍光出力面側には前記接合部材を介して光センサ（フォトダイオード）１７Ａ1 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７ａ1 は、基本セグメントのスライスピッチ（１mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６Ａ1 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１０５】
２mmセグメント（ｓｅｇ２Ａ1 〜ｓｅｇ２Ａ4 ）は、それぞれシンチレータ１６Ａ2 を有しており、当該シンチレータ１６Ａ2 はスライス厚方向に沿って配設されている。各２mmセグメント（ｓｅｇ２Ａ1 〜ｓｅｇ２Ａ4 ）における各シンチレータ１６Ａ2 のＸ線入射部は、２mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（２mm）に対応したスライス厚を有している。
【０１０６】
各シンチレータ１６Ａ2 の蛍光出力面側には、前記接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ｂが接合されており、この光学フィルタ４０Ｂの蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７Ａ2 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７Ａ2 は、２mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（２mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６Ａ2 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１０７】
４mmセグメント（ｓｅｇ４Ａ1 〜ｓｅｇ４Ａ4 ）は、それぞれシンチレータ１６Ａ3 を有しており、当該シンチレータ１６Ａ3 はスライス厚方向に沿って配設されている。各４mmセグメント（ｓｅｇ４Ａ1 〜ｓｅｇ４Ａ4 ）の各シンチレータ１６Ａ3 のＸ線入射部は、４mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（４mm）に対応したスライス厚を有している。
【０１０８】
各シンチレータ１６Ａ3 の蛍光出力面側には、前記接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ｃが接合されており、この光学フィルタ４０Ｃの蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７Ａ3 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７Ａ3 は、４mmセグメントのスライスピッチ（４mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６ａ3 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１０９】
８mmセグメント（ｓｅｇ８Ａ1 〜ｓｅｇ８Ａ4 ）は、それぞれシンチレータ１６Ａ4 を有しており、当該シンチレータ１６Ａ4 はスライス厚方向に沿って配設されている。各８mmセグメント（ｓｅｇ８Ａ1 〜ｓｅｇ８Ａ4 ）の各シンチレータ１６Ａ4 のＸ線入射部は、８mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（８mm）に対応したスライス厚を有している。
【０１１０】
各シンチレータ１６Ａ4 の蛍光出力面側には、前記接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ｄが接合されており、この光学フィルタ４０Ｄの蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７Ａ4 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７Ａ4 は、８mmセグメントのスライスピッチ（８mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６ａ4 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１１１】
そして、基本セグメントにおける光学フィルタ４０Ａ，２mmセグメントにおける光学フィルタ４０Ｂ，４mmセグメントにおける光学フィルタ４０Ｃ，及び８mmセグメントにおける光学フィルタ４０Ｄは、その透過率がそれぞれ異なっている。
【０１１２】
すなわち、シンチレータのスライス厚の長さが他のセグメントに比べて相対的に短く光感度（単位大きさ（受光面積）あたりの出力光量）が小さいセグメントには透過率が大きい光学フィルタを配設し、シンチレータのスライス厚の長さが他のセグメントに比べて相対的に長く光感度が大きいセグメントには透過率が小さい光学フィルタを配設しており、そのスライス厚の長さに応じて、最終的な検出感度（当該各セグメントのフォトダイオード１７Ａ1 〜１７Ａ4 から出力される単位大きさ（スライス厚の長さ）あたりの電気信号）を略同一にするように構成されている。
【０１１３】
上述した構成によれば、第１実施形態と同様に、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して当該セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号を出力し、この出力信号をスイッチ群２０を介して束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができる。
【０１１４】
このとき、本構成によれば、各フォトダイオード１７Ａ1 〜１７Ａ4 からの出力信号の感度分布を、各セグメント毎に設けられた異なる透過率を有する光学フィルタ４０Ａ〜４０Ｄにより各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎に均一化しているため、第１実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、各セグメントのシンチレータとフォトダイオードとの間に光学フィルタをそれぞれ挿設し、その透過率を調整することで感度分布のばらつきを解消しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１６】
例えば、光学フィルタを用いる代わりに、各セグメントのシンチレータとフォトダイオードとを直接接合する際に設けられる接着剤やオプティカルコンパウンド等の接合剤の透過率を、各セグメントの検出感度が均一化するようにそれぞれのセグメントに応じて変化させてもよい。また、光学フィルタとしてＮＤフィルタ（単にシンチレータからフォトダイオードに達する光量を落とす（エネルギー分布には影響を与えない）ためのフィルタ）を用いることもできる。
【０１１７】
さらに、光学フィルタの変形として、液晶パネル等の外部からの制御により透過率を変化させることができる光透過部材を各セグメント（のシンチレータとフォトダイオードとの間）に設けてもよい。
【０１１８】
例えば図１４に本変形例の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｂの各チャンネルの素子列１Ｂ1 〜１１Ｂ16の内部構造を示す。なお、図１４は、第１ｃｈの素子列１１Ｂ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。
【０１１９】
本構成は、図１３における光学フィルタ４０Ａ〜４０Ｄの代わりに外部からの制御（例えば電圧を印加する等）により所望の光透過率に設定可能な光透過部材４１Ａ〜４１Ｄを設けている。すなわち、基本セグメント（ｓｅｇ１Ｂ1 〜ｓｅｇ１Ｂ8 ）の各シンチレータ１６Ｂ1 と各フォトダイオード１７Ｂ1 との間には透過率ν10を有する光透過部材４１Ａが挿設され、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｂ1 〜ｓｅｇ２Ｂ4 ）の各シンチレータ１６Ｂ2 と各フォトダイオード１７Ｂ2 との間には透過率ν11を有する光透過部材４１Ｂが挿設されている。そして、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｂ1 〜ｓｅｇ４Ｂ4 ）の各シンチレータ１６Ｂ3 と各フォトダイオード１７Ｂ3 との間には透過率ν12を有する光透過部材４１Ｃが挿設され、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｂ1 〜ｓｅｇ８Ｂ4 ）の各シンチレータ１６Ｂ4 と各フォトダイオード１７Ｂ4 との間には透過率ν13を有する光透過部材４１Ｄが挿設されている。なお、この他の構成は、第１及び第２実施形態と略同様であり、その説明は省略する。
【０１２０】
上述した素子列１１Ｂ1 の光透過部材４１Ａ〜４１Ｄの各透過率ν10〜ν13は、次のように設定される。すなわち、検出器１１Ｂを組み立てた後、素子列１１Ｂ1 の各セグメントの感度分布を測定し、当該感度分布が平坦になるように、例えば電圧を印加する等して光透過部材４１Ａ〜４１Ｄの各透過率ν10〜ν13を可変制御する。なお、この各透過率の可変制御は、セグメントサイズに応じて変化させることが基本であるが、各素子毎（すなわち、各ｓｅｇ毎）に可変制御することも可能であり、この場合では、同一セグメントの各素子毎の感度ばらつきまで補正することができる。また、各透過率ν10〜ν13を、ｓｅｇ単独の感度分布により制御するだけではなく、被検体Ｐを透過したＸ線ビームの厚さ等のスキャン条件や、ＤＡＳ２１のスイッチの束ね方等によって制御することもできる。このように各セグメント（の各ｓｅｇ）に配設される光透過部材の各透過率ν10〜ν13は様々なパラメータにより制御が可能であるが、どのような制御においても、基本的には、束ねて生成されたＸ線透過データの感度がＤＡＳ２１の各データ収集素子において均一になるように制御すれはよい。
【０１２１】
以上述べたように本変形例においても、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎の出力信号の感度分布（あるいはスイッチ群２０で束ねられた後の出力信号（Ｘ線透過データ））の感度分布は均一化しているため、第１及び第２実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１２２】
（第３実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｃの各チャンネルの素子列１Ｃ1 〜１１Ｃ16の内部構造を図１５に示す。なお、図１５は、第１ｃｈの素子列１１Ｃ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｃの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１２３】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｃ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｃ1 〜１６Ｃ4 及び各フォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるようになっている。
【０１２４】
ところで、各セグメントにおける各フォトダイオードのアクティブエリアの面積は、セグメントのスライス厚の長さに応じて定まっているが、本実施形態では、その各セグメントのアクティブエリアの面積を、当該各セグメントの検出感度をパラメータとして定めている。
【０１２５】
つまり、第１ｃｈの検出素子列１１Ｃ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１Ｃ1 〜ｓｅｇ１Ｃ8 ）のアクティブエリア５０Ａ、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｃ1 〜ｓｅｇ２Ｃ4 ）のアクティブエリア５０Ｂ、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｃ1 〜ｓｅｇ４Ｃ4 ）のアクティブエリア５０Ｃ、及び８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｃ1 〜ｓｅｇ８Ｃ4 ）のアクティブエリア５０Ｄは、最終的な検出感度（当該各セグメントのフォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 から出力される単位大きさ（スライス厚の長さ）あたりの電気信号）をパラメータとして、当該検出感度が各セグメントにおいて略同一となるように設定されている。
【０１２６】
例えば、ｓｅｇ８Ｃ1 のアクティブエリア５０Ｄは、通常のアクティブエリアにおけるスライス厚方向に沿った両端部が光吸収材料５１でカバーされており、この通常のアクティブエリアに対するカバー領域の増減により、アクティブエリア５０Ｄの面積を調整している。なお、その他のｓｅｇも同様に構成されている。
【０１２７】
上述した構成によれば、第１及び第２実施形態と同様に、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して当該セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号を出力し、この出力信号をスイッチ群２０を介して束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができる。
【０１２８】
そして、本構成によれば、各シンチレータ１６Ｃ1 〜１６Ｃ4 を介して得られた各蛍光信号に含まれるスライス厚の長さの違いに起因した各セグメント毎の感度差は、フォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 のアクティブエリア５０Ａ〜５０Ｄの面積が各セグメント毎の検出感度をパラメータとして設定されているため、そのアクティブエリア面積の違いによる各セグメント毎の受光量の差によって打ち消される。したがって、フォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 を介して出力された信号の各セグメント毎の感度は、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎に均一化されている。
【０１２９】
この結果、第１及び第２実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１３０】
なお、本構成では、アクティブエリア以外の受光領域を光吸収材料５１でカバーして当該アクティブエリアの面積を調整したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えばアクティブエリア以外の受光領域により受光されて発生した電荷が出力信号とならないように、当該アクティブエリア以外の受光領域にＧＮＤ電極を配設することもできる。
【０１３１】
また、本構成では、各ｓｅｇのアクティブエリア５０Ａ〜５０Ｄをその両端部を光吸収材やＧＮＤ電極によりカバーすることで当該アクティブエリアの面積を調整したが、アクティブエリアを遮る領域は、当該アクティブエリアのスライス方向両端部に限らず、例えばアクティブエリアのスライス厚方向に沿って飛び石的に設けてもよい。
【０１３２】
さらに、本構成では、アクティブエリアの面積を調整してセグメント毎の検出感度を均一化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、アクティブエリア（ｐｎ接合部分）の構造（例えば接合の厚さ、保護膜の厚さ等）を各セグメント毎に変えることにより、各シンチレータ１６Ｃ1 〜１６Ｃ4 のスライス厚の長さの違いに起因した感度差を打ち消して均一化を図ることも可能である。
【０１３３】
（第４実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｄの各チャンネルの素子列１Ｄ1 〜１１Ｄ16の内部構造を図１６に示す。なお、図１６は、第１ｃｈの素子列１１Ｄ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｄの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１３４】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｄ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 及び各フォトダイオード１７Ｄ1 〜１７Ｄ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｄ1 〜１７Ｄ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１３５】
そして本構成によれば、各セグメントのシンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 の製造条件（例えば蛍光体の粉を固める際の温度、圧力や時間等，また、セラミックシンチレータの場合においては、焼結条件）を当該シンチレータ１６Ｄ1 ，１６Ｄ2 ，１６Ｄ3 ，１６Ｄ4 毎に変えている。
【０１３６】
上述した各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 の製造条件の変化により、当該シンチレータ１６Ｄ1 ，１６Ｄ2 ，１６Ｄ3 ，１６Ｄ4 それぞれの透明度（透過度）を可変的に設定することができる。したがって、製造条件をパラメータとして、対応するフォトダイオード１７Ｄ1 〜１７Ｄ4 の各セグメント毎の出力信号の感度分布が均一化するように、当該各シンチレータ１６Ｄ1 ，１６Ｄ2 ，１６Ｄ3 ，１６Ｄ4 の透過度を定めることにより、第１〜第３実施形態と同様にシンチレータのスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１３７】
なお、本構成では、各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 の透過度を変えて感度分布の均一化を図ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 自体の発光効率をセグメントサイズ（スライス厚の長さ）毎に変えることにより、シンチレータのスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消することもできる。上述したシンチレータの発光効率を変える手段として、例えばシンチレータの材料の蛍光体の成分を変えることにより発光感度を変える手段等がある。
【０１３８】
（第５実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｅの各チャンネルの素子列１Ｅ1 〜１１Ｅ16の内部構造を図１７に示す。なお、図１７は、第１ｃｈの素子列１１Ｄ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｄの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１３９】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｅ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 及び各フォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１４０】
そして本構成では、各セグメントのシンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 それぞれのＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面に層状に設けられた光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD を各セグメントサイズ（スライス厚）毎に変化させている。
【０１４１】
すなわち、各光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD が変化すれば、各シンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 を介してフォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 に達する蛍光の入射効率が変化するため、フォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 の感度分布が変化することになる。したがって、当該光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD を、対応するフォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 の各セグメント毎の出力信号の感度分布が均一化するように設定することにより、第１〜第４実施形態と同様にシンチレータのスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１４２】
なお、本構成では、各光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD を変えて感度分布の均一化を図ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反射材の材料自体を変えてもよく、また反射材の厚さを変えてもよい。また、各シンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 の表面自体を変えて（鏡面と散乱面等）、フォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 に入射する蛍光の入射効率を制御してもよい。
【０１４３】
（第６実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｆの各チャンネルの素子列１Ｆ1 〜１１Ｆ16の内部構造を図１８に示す。なお、図１８は、第１ｃｈの素子列１１Ｆ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｆの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１４４】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｆ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 及び各フォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１４５】
そして、本構成では、隣接するセグメント間のセパレータの厚さを変えることにより、各シンチレータの大きさ（スライス方向の厚さ等のＸ線入射面積）を変化させて上述した各実施形態と同様に検出感度の均一化を図っている。
【０１４６】
すなわち、基本セグメントの各ｓｅｇ間のセパレータ６０Ａの厚さをｗA 、基本セグメントのｓｅｇ１Ｆ1 と２mmセグメントのｓｅｇ２Ｆ2 との間のセパレータ６０Ｂの厚さをｗB 、２mmセグメントのｓｅｇ間のセパレータ６０Ｃの厚さをｗC 、２mmセグメントのｓｅｇ２Ｆ1 と４mmセグメントのｓｅｇ４Ｆ2 との間のセパレータ６０Ｄの厚さをｗD 、４mmセグメントのｓｅｇ間のセパレータ６０Ｅの厚さをｗE 、４mmセグメントのｓｅｇ４Ｆ1 と８mmセグメントのｓｅｇ８Ｆ2 との間のセパレータ６０Ｆの厚さをｗF 、８mmセグメントのｓｅｇ間のセパレータ６０Ｇの厚さをｗG 、８mmセグメントのｓｅｇ８Ｆ1 の端部のセパレータ６０Ｈの厚さをｗH とすると、その各セパレータ６０Ａ〜６０Ｈの厚さｗA 〜ｗH が変化すれば、シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 に対するＸ線入射効率が変化するため、当該シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 を介してフォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 により検出される信号の感度分布が変化することになる。
【０１４７】
したがって、各セパレータ６０Ａ〜６０Ｈの厚さｗA 〜ｗH を、対応するフォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 の各セグメント毎の出力信号の感度分布が均一化するように設定することにより、第１〜第５実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１４８】
なお、本構成では、セグメント間（セグメント間で隣接するシンチレータ間）のセパレータの厚さを調整してシンチレータに入射するＸ線量を変化させることにより検出感度を均一化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば各シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 Ｘ線入射面のＸ線管球側に、Ｘ線透過率を変化可能なＸ線フィルタを設けて、当該各シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 に対するＸ線入射量のみを当該Ｘ線透過率の可変制御により調整して検出感度を均一化させてもよい。
【０１４９】
（第７実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｇの各チャンネルの素子列１Ｃ1 〜１１Ｃ16の内部構造を図１９に示す。なお、図１９は、第１ｃｈの素子列１１Ｇ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｇの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１５０】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｇ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｇ1 〜１６Ｇ4 及び各フォトダイオード１７Ｇ1 〜１７Ｇ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｇ1 〜１７Ｇ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１５１】
そして本構成によれば、各セグメントとスイッチ群２０との間に当該各セグメントの各ｓｅｇの感度調整用のアンプ回路群７０を設けている。
【０１５２】
すなわち、基本セグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ１Ｇ1 〜ｓｅｇ１Ｇ8 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ａをそれぞれ設けている。同様に、２mmセグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ２Ｇ1 〜ｓｅｇ２Ｇ4 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ｂをそれぞれ設けている。そして、４mmセグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ４Ｇ1 〜ｓｅｇ４Ｇ4 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ｃをそれぞれ設けており、さらに、８mmセグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ８Ｇ1 〜ｓｅｇ８Ｇ4 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ｄをそれぞれ設けている。
【０１５３】
このように構成すれば、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）毎に対応するアンプ７０Ａ〜７０Ｄを調整して、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎の出力信号の感度分布を調整することができる。また、各セグメント毎ではなく各素子毎（すなわち、各ｓｅｇ毎）に当該各ｓｅｇの検出感度を可変制御することも可能であり、この場合では、同一セグメントの各素子毎の感度ばらつきまで補正することができる。この場合、ｓｅｇ単独の感度分布により感度制御するだけではなく、被検体Ｐを透過したＸ線ビームの厚さ等のスキャン条件や、ＤＡＳ２１のスイッチの束ね方等によって制御することもできる。このように各セグメントの各ｓｅｇとスイッチ群との間に配設される感度調整アンプは様々なパラメータにより制御が可能であるが、どのような制御においても、基本的には、束ねて生成されたＸ線透過データの感度がＤＡＳ２１の各データ収集素子において均一になるように制御すればよい。
【０１５４】
以上述べたように本実施形態においても、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎の出力信号の感度分布（あるいはスイッチ群２０で束ねられた後の出力信号（Ｘ線透過データ））の感度分布を均一化しているため、第１〜第６実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１５５】
ところで、第１〜第７実施形態においては、各チャンネルあたり１mm〜８mmのセグメントを合計２０セグメント配列した主検出器１１ａ、１１Ａ〜１１Ｇで得られたＸ線透過データを８スライス分のＤＡＳ２１で投影データとして収集する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１５６】
例えば、スイッチ群２０で束ねた後のスライス厚を基本スライスに対して２k 倍（１倍、２倍、４倍、８倍）と広げていくためには、ＤＡＳ２１は、各チャンネルの検出素子列あたり「４×ｎスライス分（ｎ：自然数）」のデータ収集素子数を備えることが望ましい。このときの主検出器１１の各検出素子列のセグメントは、中央に基本セグメントを４×ｎセグメント配列し、その外側に基本セグメントの２倍のサイズのセグメントを片側にｎセグメントずつ合計２×ｎセグメント配列し、さらにその外側にその２倍（基本セグメントの４倍）のサイズのセグメントを片側にｎセグメントずつ合計２×ｎセグメントずつ配列していく構成等が考えられる。
【０１５７】
（第８実施形態）
上述した各実施形態では、不均等スライス厚の検出信号を生成するために、主検出器（２次元検出器）の各ｃｈの素子列の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）を中央の素子から端部の素子に向けてピッチが広がるように不均等に形成しているが、本実施形態においては、主検出器（２次元検出器）の各ｃｈの素子列の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）を均等に形成した構成において、前述した不均等スライス厚の検出信号を生成する構成となっている。
【０１５８】
本構成の主検出器１１Ｈの内部構成を図２０に示す。なお、図２０は、第１ｃｈの素子列１１Ｈ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｈの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１５９】
主検出器１１Ｈの第１ｃｈの素子列１１Ｈ1 のスライス厚方向に配列された各ｓｅｇ（基本スライス厚の検出信号生成用の基本セグメント（ｓｅｇ１Ｈ1 〜ｓｅｇ１Ｈ8 ）、２mmスライス厚の検出信号生成用の２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｈ1 〜ｓｅｇ２Ｈ4 ）、４mmスライス厚の検出信号生成用の４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｈ1 〜ｓｅｇ４Ｈ4 ）、８mmスライス厚生成用の８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｈ1 〜ｓｅｇ８Ｈ4 ））は、いずれも基本セグメントのスライス厚（最小スライス厚：１mm）に対応する均等のスライス厚を有する素子として構成されている。
【０１６０】
すなわち、ｓｅｇ１Ｈ1 〜ｓｅｇ１Ｈ8 のシンチレータ８０Ｈ１のスライス厚（スライスピッチ）及びこのシンチレータ８０Ｈ１の蛍光出力面側に接合されるフォトダイオード８１Ｈ１のアクティブエリアは、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に形成されており、その他のｓｅｇ２Ｈ1 〜ｓｅｇ２Ｈ4 のシンチレータ８０Ｈ２のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｈ２のアクティブエリア，ｓｅｇ４Ｈ1 〜ｓｅｇ４Ｈ4 のシンチレータ８０Ｈ３のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｈ３のアクティブエリア，及びｓｅｇ８Ｈ1 〜ｓｅｇ８Ｈ4 のシンチレータ８０Ｈ４のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｈ４のアクティブエリアも、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に形成されている。
【０１６１】
そして、本構成によれば、第１ｃｈの素子列１１Ｈ1 は、各フォトダイオード８１Ｈ１〜８１Ｈ４のアクティブエリアにより検出された均等スライス厚（１ｍｍ）の検出データを束ねて不均等スライス厚の検出信号としてスイッチ群２０に送るためのデータ束ね用配線部８２を有している。
【０１６２】
すなわち、基本セグメント（ｓｅｇ１Ｈ1 〜ｓｅｇ１Ｈ8 ）の各フォトダイオード８１Ｈ１のアクティブエリアは、それぞれ配線８２Ａを介してスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ１の検出信号は、配線８２Ａを介して１mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるように構成されている。
【０１６３】
また、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｈ1 〜ｓｅｇ２Ｈ4 ）の内、例えばｓｅｇ２Ｈ1 のフォトダイオード８１Ｈ２A1（図では８１A1と略記する）及び８１Ｈ２A2（図では８１A2と略記する）のアクティブエリアは、配線８２Ｂを介して束ねられてスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ２A1及び８２Ｈ２A2の検出信号は、前記束ねにより２mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるようになっている。なお、他の２mmセグメントも同様に構成されている。
【０１６４】
さらに、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｈ1 〜ｓｅｇ４Ｈ4 ）の内、例えばｓｅｇ４Ｈ1 のフォトダイオード８１Ｈ３A1（図では８１B1と略記する）〜８１Ｈ３A4（図では８１B4と略記する）のアクティブエリアは、それぞれ配線８２Ｃを介して束ねられてスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ３A1〜８１Ｈ３A4の検出信号は、前記束ねにより４mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるようになっている。なお、他の４mmセグメントも同様に構成されている。
【０１６５】
そして、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｈ1 〜ｓｅｇ８Ｈ4 ）の内、例えばｓｅｇ８Ｈ1 のフォトダイオード８１Ｈ４A1（図では８１C1と略記する）〜８１Ｈ４A8（図では８１C8と略記する）のアクティブエリアは、それぞれ配線８２Ｃを介して束ねられてスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ４A1〜８１Ｈ４A8の検出信号は、前記束ねにより８mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるようになっている。なお、他の８mmセグメントも同様に構成されている。
【０１６６】
本構成によれば、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して出力された基本セグメントのスライス厚に対応する均等スライス厚の検出信号は、データ束ね用配線部８２を介して各セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号としてスイッチ群２０に送られ、当該スイッチ群２０を介してさらに束ねられて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送られるようになっている。
【０１６７】
すなわち、本構成によれば、同一サイズ（基本セグメントと同一のスライス厚）のシンチレータ８０Ｈ1 〜８０Ｈ4 ，基本セグメントと同一スライス厚のアクティブエリアを有するフォトダイオード８１Ｈ1 〜８１Ｈ4 ，及びデータ束ね用配線部８２を介して入射Ｘ線を不均等スライス厚の検出信号に変換して出力することができる。したがって、各セグメント（シンチレータ、フォトダイオードのアクティブエリア）のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力することができ、この結果、第１〜第７実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１６８】
（第９実施形態）
本実施形態も第８実施形態の構成と同様に、主検出器（２次元検出器）の各ｃｈの素子列の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）を均等に形成した構成において、前述した不均等スライス厚の検出信号を生成する構成となっている。
【０１６９】
本構成の主検出器１１Ｉの内部構成を図２１に示す。なお、図２１は、第１ｃｈの素子列１１Ｉ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。
【０１７０】
主検出器１１Ｉ1 のスライス厚方向に配列された各ｓｅｇ（基本セグメント（ｓｅｇ１Ｉ1 〜ｓｅｇ１Ｉ8 ）、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｉ1 〜ｓｅｇ２Ｉ4 ）、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｉ1 〜ｓｅｇ４Ｉ4 ）、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｉ1 〜ｓｅｇ８Ｉ4 ））は、第８実施形態と同様に、いずれも基本セグメントのスライス厚（最小スライス厚：１mm）に対応する均等のスライス厚を有する素子として構成されている。
【０１７１】
すなわち、ｓｅｇ１Ｉ1 〜ｓｅｇ１Ｉ8 のシンチレータ８０Ｉ１のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ１のアクティブエリア，ｓｅｇ２Ｉ1 〜ｓｅｇ２Ｉ4 のシンチレータ８０Ｉ２のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ２のアクティブエリア，ｓｅｇ４Ｉ1 〜ｓｅｇ４Ｉ4 のシンチレータ８０Ｉ３のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ３のアクティブエリア，及びｓｅｇ８Ｉ1 〜ｓｅｇ８Ｉ4 のシンチレータ８０Ｉ４のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ４のアクティブエリアは、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に形成されている。
【０１７２】
そして本構成によれば、各フォトダイオード８１Ｉ１〜８１Ｉ４のアクティブエリアにより検出された均等スライス厚（１ｍｍ）の検出データを束ねて不均等スライス厚の検出信号としてスイッチ群（第１のスイッチ群）２０Ａに送るための第２のスイッチ群８５を設けている。
【０１７３】
すなわち、基本セグメント（ｓｅｇ１Ｉ1 〜ｓｅｇ１Ｉ8 ）の各フォトダイオード８１Ｉ１から出力された検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して１mmスライス厚の検出信号Ｓ１として当該第１のスイッチ群２０Ａに送られるように構成されている。
【０１７４】
また、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｉ1 〜ｓｅｇ２Ｉ4 ）の内、例えばｓｅｇ２Ｉ1 のフォトダイオード８１Ｉ２，８１Ｉ２から出力された検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して束ねられて２mmスライス厚の検出信号Ｓ２として第１のスイッチ群２０Ａに送られるようになっている。なお、他の２mmセグメントも同様に構成されている。
【０１７５】
さらに、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｉ1 〜ｓｅｇ４Ｉ4 ）の内、例えばｓｅｇ４Ｉ1 の４個のフォトダイオード８１Ｉ３…８１Ｉ３から出力された検出信号は、それぞれ第２のスイッチ群８５を介して束ねられて４mmスライス厚の検出信号Ｓ４として第１のスイッチ群２０Ａに送られるようになっている。なお、他の４mmセグメントも同様に構成されている。
【０１７６】
そして、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｉ1 〜ｓｅｇ８Ｉ4 ）の内、例えばｓｅｇ８Ｉ1 の８個のフォトダイオード８１Ｉ４…８１Ｉ４から出力された検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して束ねられて８mmスライス厚の検出信号Ｓ８として第１のスイッチ群２０Ａに送られるようになっている。なお、他の８mmセグメントも同様に構成されている。
【０１７７】
本構成によれば、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して出力された基本セグメントのスライス厚に対応する均等スライス厚の検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して束ねられて各セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ４，Ｓ８として第１のスイッチ群２０Ａに送られ、当該第１のスイッチ群２０Ａを介してさらに束ねられて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送られるようになっている。なお、主検出器１１Ｈ及び第２のスイッチ群８５以外の構成は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１７８】
すなわち、本構成によれば、同一サイズ（基本セグメントと同一のスライス厚）のシンチレータ８０Ｉ1 〜８０Ｉ4 ，基本セグメントと同一スライス厚のアクティブエリアを有するフォトダイオード８１Ｉ1 〜８１Ｉ4 ，及び第２のスイッチ群８５を介して入射Ｘ線を不均等スライス厚の検出信号に変換して出力することができる。したがって、各セグメント（シンチレータ、フォトダイオードのアクティブエリア）のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力することができる。この結果、第１〜第８実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１７９】
なお、本構成では、主検出器１１ＩとＤＡＳ２１に対するデータ出力用の第１のスイッチ群２０Ａとの間に第２のスイッチ群８５を設けているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図２２に示すように、第１のスイッチ群２０と第２のスイッチ群８５をまとめた新たなスイッチ群９０を設けてもよい。
【０１８０】
ところで、第８及び第９実施形態では、各チャンネルあたり合計２０セグメント配列した主検出器１１Ｉで得られたＸ線透過データを８スライス分のＤＡＳ２１で投影データとして収集する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１８１】
例えば、スイッチ群２０（第１のスイッチ群２０Ａ、スイッチ群９０）で束ねた後のスライス厚を基本スライスに対して２k 倍（１倍、２倍、４倍、８倍）と広げていくためには、ＤＡＳ２１は、各チャンネルの検出素子列あたり「４×ｎスライス分（ｎ：自然数）」のデータ収集素子数を備えることが望ましい。このときの主検出器１１の各検出素子列のセグメントは、中央に基本セグメントを４×ｎセグメント，その外側に基本セグメントと同一のスライス厚の２mmセグメントを片側に２×ｎセグメントずつ合計４×ｎセグメント配列し、さらにその外側に基本セグメントと同一のスライス厚の４mmセグメントを片側に４×ｎセグメントずつ合計８×ｎセグメント配列していく構成等が考えられる。
【０１８２】
なお、上述した各実施形態では、主検出器１１として、シンチレータ及びフォトダイオード等の光センサ（光電変換器）を有するシンチレーション検出器を用いていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ｘ線が入射されて当該Ｘ線を光信号や直接電気信号に変換する検出器であって、当該検出器の各検出素子の検出感度が例えば当該検出素子のスライス厚方向の長さの違い等の原因でばらついているよう検出器であればよい。
【０１８３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明のＸ線ＣＴスキャナによれば、感度調整された複数の不均等スライス厚の検出信号の内の一部を所望のスライス条件に応じて束ねて（選択して）前記スライス方向に対応するデータ収集素子の内の所定のデータ収集素子に出力することができる。すなわち、前記複数の不均等スライス厚の検出信号を自在に選択して当該データ収集素子に出力することにより、撮影領域をワイド化することも可能であるし、高分解能化することも可能である。そして、本発明によれば、上述した撮影領域のワイド化及び高分解能化を共に実現しながら、且つその両方の実現に必要な複数の不均等スライス厚の検出信号を束ねる際に発生する感度ばらつきを補正することができるため、当該感度ばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。この結果、Ｘ線ＣＴスキャナの撮像Ｘ線画像（高分解能ＣＴ画像、ワイドな撮像範囲のＣＴ画像）の画質を高めることができ、当該ＣＴスキャナの診断性能を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わるＸ線ＣＴスキャナの概略構成を示すブロック図。
【図２】主検出器（２次元検出器）の構成を示す図。
【図３】最小スライス厚が１mm、全体のセグメント数が２０個の場合の検出器列の構成を示す図。
【図４】主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図５】主検出器、スイッチ群、データ収集装置の概略構成を示す斜視図。
【図６】８スライス分のＤＡＳでデータ収集する際のスイッチ群の構成の一例を示す図。
【図７】同一ピッチで８スライスのデータを収集する際のデータの束ね方を示すものであり、（Ａ）は１mm×８スライス、（Ｂ）は２mm×８スライスを示す図。
【図８】同一ピッチで８スライスのデータを収集する際のデータの束ね方を示すものであり、（Ａ）は４mm×８スライス、（Ｂ）は８mm×８スライスを示す図。
【図９】不均等なスライス厚で構成された検出器の素子列の構成を示す図。
【図１０】（Ａ）は図９に示した素子列の各セグメントの感度分布を示す図、（Ｂ）は各セグメント毎の平均感度を示す図。
【図１１】図９に示した素子列を束ねて１６mm−ｓｌｉｃｅのデータを生成した場合を示す概念図。
【図１２】（Ａ）は、異なるスライス厚の検出信号を束ねて生成された１６mm−ｓｌｉｃｅのデータ感度分布と同一のスライス厚の検出信号を束ねて生成された１６mm−ｓｌｉｃｅのデータの感度分布とを示す図、（Ｂ）は、その束ねた感度分布の平均値を示す図。
【図１３】第２実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１４】第２実施形態の変形例に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１５】第３実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１６】第４実施形態に係わる変形例の主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１７】第５実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１８】第６実施形態に係わる変形例の主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１９】第７実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図２０】第８実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図２１】第９実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造及びその素子列と第１のスイッチ群との間に設けられた第２のスイッチ群を示す図。
【図２２】第９実施形態の変形例に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造及びその第１ｃｈの素子列とＤＡＳとの間に設けられたスイッチ群を示す図。
【図２３】シンチレータエッジでの感度分布を示す図。
【符号の説明】
１ Ｘ線ＣＴスキャナ
２ 寝台
３ ガントリー
４ システム部
１０ Ｘ線管球
１１ 主検出器
１１ａ1、１１Ａ1〜１１Ｉ1 第１チャンネルの検出素子列
１２ ガントリー駆動部
１３ スリット
１４ ビームトリマ
１４ａ、１４ｂ Ｘ線遮蔽板
１５ 高電圧発生装置
１６ａ1，１６Ａ1〜１６Ｇ1 基本セグメントのシンチレータ
１６ａ2，１６Ａ2〜１６Ｇ2 ２ｍｍセグメントのシンチレータ
１６ａ3，１６Ａ3〜１６Ｇ3 ４ｍｍセグメントのシンチレータ
１６ａ4，１６Ａ4〜１６Ｇ4 ８ｍｍセグメントのシンチレータ
１７ａ1，１７Ａ1〜１７Ｇ1 基本セグメントのフォトダイオード（光センサ）
１７ａ2，１７Ａ2〜１７Ｇ2 ２ｍｍセグメントのフォトダイオード（光センサ）
１７ａ3，１７Ａ3〜１７Ｇ3 ４ｍｍセグメントのフォトダイオード（光センサ）
１７ａ4，１７Ａ4〜１７Ｇ4 ８ｍｍセグメントのフォトダイオード（光センサ）
２０ スイッチ群
２１ データ収集装置（ＤＡＳ）
２５ ホストコントローラ
２６ データ処理装置
２７ 記憶装置
２８ 再構成装置
２９ 表示装置
３０ 入力装置
３１ 補助記憶装置
４０Ａ〜４０Ｄ 光学フィルタ
４１Ａ〜４１Ｄ光透過部材
５０Ａ〜５０Ｄ アクティブエリア
５１ 光吸収材料
６０Ａ〜６０Ｈ セパレータ
７０ アンプ回路群
７０Ａ〜７０Ｄ アンプ
８０Ｈ1〜８０Ｈ4 シンチレータ
８１Ｈ1〜８１Ｈ4 フォトダイオード
８２ データ束ね用配線部
８２Ａ〜８２Ｄ 配線
８０Ｉ1〜８０Ｉ4 シンチレータ
８１Ｉ1〜８１Ｉ4 フォトダイオード
８５ 第２のスイッチ群
９０ スイッチ群
ｓｅｇ１ａ1〜ｓｅｇ１ａ8、ｓｅｇ２ａ1〜ｓｅｇ２ａ4、ｓｅｇ４ａ1〜ｓｅｇ４ａ4、ｓｅｇ８ａ1〜ｓｅｇ８ａ4 検出素子列１１ａ1（１１Ａ1〜１１Ｇ1）の各セグメント
ＤＡＳ−１ａ1〜ＤＡＳ−８ａ1 検出素子列１１ａ1に対応するデータ収集素子
Ｓ１１〜Ｓ20G スイッチ群２０の各スイッチ
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガントリー回転軸方向（Ｘ線焦点位置を回転させる中心軸の方向、単純にはスライス面の厚さ（スライス厚）方向）に沿って検出素子が複数列（複数セグメント）配列された２次元検出手段であって、入射されたＸ線から不均等スライス厚の検出信号を生成し、この不均等スライス厚の検出信号を束ねて同一スライス厚を有する複数のスライスに基づく検出信号として出力する２次元検出手段を備えたＸ線ＣＴスキャナに関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線ＣＴスキャナにおいて従来から用いられていたタイプとして、ファンビーム（シングルスライス）Ｘ線ＣＴスキャナがある。
【０００３】
このファンビームＸ線ＣＴスキャナは、被検体（例えば患者）を挟んで対向配置されたＸ線源及び検出器を有しており、当該被検体の体軸方向に直交する方向（チャンネル方向）に沿って扇状に例えば約１０００チャンネル並べられている。
【０００４】
検出器には種々のタイプが使用可能であるが、小型化が可能なシンチレーション検出器が良く用いられている。このシンチレーション検出器は各検出素子としてシンチレータ及びフォトダイオード等の光センサ（光電変換器）をそれぞれ有し、被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により当該シンチレータで発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して各検出素子毎に出力するようになっている。
【０００５】
すなわち、上述したＸ線ＣＴスキャナによれば、Ｘ線源から被検体のあるスライス面（単にスライスともいう）に対してファン状にＸ線ビームを照射し、被検体のあるスライス面を透過したＸ線ビームを検出器の各検出素子毎に電気信号に変換してＸ線透過データを収集する。
【０００６】
検出器の各素子毎に収集されたＸ線透過データは、その検出器の各検出素子毎に設けられたデータ収集素子を有するデータ収集装置（ＤＡＳ）に送られ、その各データ収集素子により増幅処理等が行なわれて投影データ（１回のデータ収集を１ビューという）が収集される。
【０００７】
そして、Ｘ線源及び検出器を一体で被検体の周囲に回転させながらＸ線照射を行なって前記データ収集を約１０００回程度繰り返すことにより、被検体に対する多方向からの投影データが収集され、その多方向から得られた投影データに基づいて被写体のスライス面の画像が再構成される。
【０００８】
ところで、このようなシングルスライスＸ線ＣＴスキャナでは、被検体のある一つのスライス面の画像を得ているため、短時間に広い範囲の画像を撮影することは難しく、医師等から単位時間により高精細（高解像度）且つ広範囲に画像を撮影したいという強い要望が出されていた。
【０００９】
この要望に答えるために、近年、マルチスライスＸ線ＣＴスキャナが研究されている。
【００１０】
このマルチスライスＸ線ＣＴスキャナは、シングルＸ線ＣＴスキャナにおける検出器の検出素子を被写体の体軸方向（スライス厚方向、ｓｅｇ方向ともいう）に沿って複数列（複数（Ｎ）セグメント）有しており、当該検出器は、全体でＭチャンネル×Ｎセグメントの検出素子を有する２次元検出器として構成されている。この場合、ＤＡＳの各素子は、例えば２次元検出器の各検出素子毎に設けられている。
【００１１】
すなわち、マルチスライスＸ線ＣＴスキャナによれば、円錐状（コーン状）のＸ線ビームを曝射するＸ線源と、上述した２次元検出器とを有しており、当該円錐状のＸ線ビーム（有効視野直径ＦＯＶ）に基づいて被検体を透過したＸ線を２次元検出器の各検出素子で検出することにより、当該被検体の多スライス面の投影データを一度に収集するものであり、上述した高精細且つ広範囲な画像収集を可能にするものとして期待されている。
【００１２】
このようなマルチスライスＸ線ＣＴスキャナ及びそのＣＴスキャナに用いられる２次元検出器の構成については、種々の提案がなされている。
【００１３】
例えば、特開平６−１６９９１２には、スライス厚（スライスピッチ）の異なる複数のセグメントで得られたＸ線データを画像処理により束ねることにより自由にｓｌｉｃｅ厚を変えるアイデアが開示されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
マルチスライスＸ線ＣＴスキャナの２次元検出器及びＤＡＳの仕様を考えるとき、幾つかのパラメータが重要になる。すなわち、体軸方向の解像度を上げるためには、体軸方向に沿った検出器セグメントの素子ピッチ（スライス厚）を細かく設定することが必要であり、体軸方向の撮影領域を広げる（結果的にある領域の撮影時間を短くする）ためには、検出器全体（検出器セグメントの列数）を大きくする必要がある。この体軸方向の解像度の増大及び撮影領域のワイド化という一見相反する要求を両方ともクリアするために、十分に小さく分割された検出素子を十分に大きなサイズを確保するまでの列数（ｓｅｇ数）だけ体軸方向に配置する構成が考えられていた。
【００１５】
しかしながら、検出器側においては、検出器の細分化に伴う幾何学的効率の低下や、素子数増大に伴う配線パターン密度の問題等から、最小素子サイズ（ｓｌｉｃｅ方向のスライス厚の長さ）、最大素子数に限界があるため、現状では、最小サイズは約１mm、最大素子数は約３０列程度が可能なレベルとして考えられていた。
【００１６】
このように検出素子を約３０列程度配置するためには、その検出素子のｓｅｇ数に対応した素子数のＤＡＳが必要である。単純には、現状のＤＡＳをそのまま複数列（３０列）配置すれば済むことであるが、実際にはスキャナシステムへの実装スペースの問題やコストパフォーマンスの問題等で配置可能なＤＡＳの素子数には限界があり、現在の高密度実装技術や製造コストでは、近い将来可能なレベルとしてもせいぜい１０列分程度であった。
【００１７】
このようにＤＡＳ素子数、検出器の最小サイズ及び最大素子数のパラメータには互いに異なる制約があるため、これらのパラメータを単純に組み合わるだけでは、体軸方向の高解像度及びワイド化した撮影領域を共に得ることは難しく、なお一層の創意工夫が必要であった。
【００１８】
一方、上述したシンチレータと光センサとを組み合わせて構成されたシンチレーション型検出器（固体検出器）をＸ線ＣＴスキャナの検出器として用いた場合、シンチレータのスライス厚方向の端部（エッジ部）において光吸収が生じるため、当該各シンチレータの感度分布は、図２３に示すように、シンチレータエッジ（当該シンチレータのＸ線入射部のスライス厚方向端部）において低下することが知られている。このことから、シンチレータエッジでの感度（単位大きさあたりの出力光量）は、その大きさ（Ｘ線入射部のスライス厚方向の長さ，スライス長）に依存することが分かる。つまり、スライス長が短いシンチレータを有する検出器程、検出器全体の感度に対するエッジ部分の低感度が影響するため、その全体感度が低下することになる。
【００１９】
したがって、上述したようにスライス厚の異なる複数のセグメントを有する検出器においては、スライス厚の長さの差異に応じて感度分布に偏りが生じ、収集されたＸ線透過像にアーチファクトを発生させる恐れがあった。
【００２０】
本発明は上述したような事情に鑑みてなされたもので、入射されたＸ線から不均等スライス厚の検出信号を生成し、この不均等スライス厚の検出信号を束ねて同一スライス厚や異なるスライス厚を有する複数のスライスに基づく検出信号として出力する２次元検出手段を用いることにより、体軸方向の高い解像度と当該体軸方向に沿った広い撮影領域とを共に実現でき、且つ選択できるスライス厚の自由度を大幅に向上させたマルチスライスＸ線ＣＴスキャナを提供するとともに、上述した不均等スライス厚の検出信号生成に起因した感度分布の偏りを解消することにより、アーチファクトが無く視認性の高い鮮明なＸ線透過像を得ることができるマルチスライスＸ線ＣＴスキャナを提供することをその目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために請求項１に記載した発明によれば、被検体を透過したＸ線を検出する検出器を備え、この検出器を用いて収集したデータに基づいて被検体のＸ線画像を再構成するＸ線ＣＴスキャナにおいて、前記検出器は、Ｘ線を吸収し、そのＸ線吸収によって発生した蛍光を出力するものであり、感度のバラツキが小さくなるようにスライス厚方向に沿って同一のスライス厚で構成されたシンチレータと、前記蛍光を電気信号に変換するものであり、前記スライス厚方向及びチャンネル方向に沿って２次元的に配列され、スライス厚方向のスライス厚が不均等で、且つ、中央が最小のスライス厚を有するように構成された複数のＸ線検出素子とを有し、前記シンチレータは前記Ｘ線検出素子の最小スライス厚に対応したスライス厚を有することを特徴とするものである。
【００２９】
本発明によれば、被検体に対するＸ線ビームのスライス厚方向及びこのスライス厚方向に直交するチャンネル方向に沿って２次元的に配列された複数のＸ線検出素子（例えば前記被検体を透過してきたＸ線に基づいて光信号を生成する光信号生成部（シンチレータ等）と、生成された光信号を前記複数の不均等スライス厚の検出信号に変換して出力する変換部（フォトダイオード等）とを備えている）を有する信号生成・感度調整手段により、例えば、前記各光信号生成部の前記スライス厚方向のピッチが均等に形成され、且つ前記各変換部の前記スライス厚方向のピッチが不均等に形成されているため、当該各光信号生成部及び各変換部を介して不均等な複数のスライス厚に対応する検出信号が生成される。このとき、信号生成・感度調整手段により各光信号生成部の前記スライス厚方向のピッチが均等に形成されているため、複数の不均等スライス厚の検出信号に含まれる感度ばらつきが調整されている。
【００３０】
そして、感度調整された複数の不均等スライス厚の検出信号は、選択出力手段によりスライス厚方向毎にスライス厚条件に応じて選択され、スライス厚方向及びチャンネル方向に対応させてデータ収集素子が複数個配列されたデータ収集装置における当該スライス厚方向に対応するデータ収集素子に出力される。
【００３１】
すなわち、所望のスライス条件に応じて感度調整された複数の不均等スライス厚の検出信号の内の一部を束ねて前記スライス方向に対応するデータ収集素子の内の所定のデータ収集素子に出力することができる。したがって、例えば最小のスライス厚（スライスピッチ）に対応する検出信号、この最小のスライス厚の２倍のスライスピッチに対応する検出信号、最小のスライス厚の４倍に対応する検出信号等の複数の不均等スライス厚の検出信号を例えば全てデータ収集素子に出力して撮影領域をワイド化することも可能であるし、最小のスライス厚に対応する検出信号のみをデータ収集素子に出力して高分解能化することも可能である。
【００３２】
さらに、本構成によれば、上述した撮影領域のワイド化及び高分解能化を共に実現しながら、且つその両方の実現に必要な複数の不均等スライス厚の検出信号を生成する際に起こる感度ばらつきを補正することができるため、当該感度ばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して説明する。
【００３４】
図１は、本実施形態のＸ線ＣＴスキャナ１の概略構成を示すブロック図である。
【００３５】
図１によれば、Ｘ線ＣＴスキャナ（ＣＴシステム）１は、被検体（患者）Ｐ載置用の寝台２と、被検体Ｐを挿入して診断を行なうための図示しない診断用開口部を有し、被検体Ｐの投影データの収集を行なうガントリー３と、スキャナ全体の制御を行なうとともに、収集された投影データに基づいて画像再構成処理や再構成画像表示等を行なうシステム部４とを備えている。
【００３６】
寝台２は、図示しない寝台駆動部の駆動により被検体Ｐの体軸方向に沿ってスライド可能になっている。
【００３７】
ガントリー３は、その診断用開口部に挿入された被検体Ｐを挟んで対向配置されたＸ線管球１０及び主検出器１１と、ガントリー駆動部１２とを備えており、Ｘ線管球１０と主検出器１１は、ガントリー駆動部１２の駆動により、ガントリー３の診断用開口内に挿入された被検体Ｐの体軸方向に平行な中心軸の廻りに一体で回転可能になっている。ガントリー３内のＸ線管球１０と被検体Ｐとの間には、Ｘ線管球１０のＸ線焦点から曝射されたコーン状のＸ線ビームを整形し、所要の大きさのＸ線ビームを形成するためのスリット１３が設けられている。また、主検出器１１のＸ線ビーム入射側には、例えば主検出器１１の列方向に沿って移動する２枚のＸ線遮蔽板を有するビームトリマ１４が設けられている。このビームトリマ１４は、スキャン条件（スライス厚条件）に応じて２枚のスリット板の主検出器１１の列方向に沿った移動位置を制御することにより被検体Ｐを透過してきたＸ線ビームをトリミングして、良好なプロファイルの透過Ｘ線ビームを生成するように構成されている。
【００３８】
さらに、Ｘ線ＣＴスキャナ１は、Ｘ線管球１０に高電圧を供給する高電圧発生装置１５を備えている。この高電圧発生装置１５によるＸ線管球１０への高電圧供給は、例えば接触式のスリップリング機構により行なわれる。
【００３９】
主検出器１１には、シンチレータ及びフォトダイオード等の光センサ（光電変換器）を有するシンチレーション検出器が用いられている。すなわち、Ｘ線管球１０から曝射され被検体を透過したＸ線をシンチレータにより吸収し、その吸収により発生した蛍光を光センサによって電気信号に変換して出力するようになっている。
【００４０】
このシンチレーション型主検出器１１は、図２に示すように、１ｃｈあたり複数ｓｅｇ（本実施形態では２０ｓｅｇ）がｓｅｇ方向（体軸方向、スライス厚方向）に沿って並べられた検出素子列をチャンネル方向（ｃｈ方向）に沿って複数ｃｈ（本実施形態では１６ｃｈ）アレイ状に配列した２次元検出器（図２では、１６ｃｈ×２０ｓｅｇの２次元検出器を示している）として構成されている。
【００４１】
すなわち、図２では、第１ｃｈの２０ｓｅｇ分の素子列を１１ａ1 とすると、第１ｃｈ：１１ａ1 〜第１６ｃｈ：１１ａ16の素子列が配置されており、また、第１ｓｅｇの１６ｃｈ分の素子列を１１α1 とすると、第１ｓｅｇ：１１α1 〜第２０ｓｅｇ：１１α20の素子列が配置されていることになる。
【００４２】
ここで、このように２次元配列された各検出素子の各素子の位置（アドレス）を（ｓｅｇ，ｃｈ）で表すと、例えば（第１ｓｅｇ，第１ｃｈ）に位置する素子は、１１（１，１）として表され、以下、第１ｃｈ１１ａ1 の素子列は、１１（２，１）…１１（２０，１）と表される。また、このようにして、残りのｃｈ１１ａ2 〜１１ａ16の素子列は、それぞれ第２ｃｈ１１ａ2 →１１（１，２）…１１（２０，２），第３ｃｈ１１ａ3 →１１（１，３）…１１（２０，３），・・・・，第１５ｃｈ１１ａ15→１１（１，１５）…１１（２０，１５），第１６ｃｈ１１ａ16→１１（１，１６）…１１（２０，１６）として表される。
【００４３】
なお、各ｓｅｇ間及び各ｃｈ間は、例えば金属板等のセパレータ（反射板）１１ｓ1 及び１１ｓ2 が設けられ、隣接するｃｈ間及びｓｅｇ間のクロストークを無くすように構成されている。
【００４４】
そして、主検出器１１は、被検体Ｐを透過して入射されたＸ線から不均等スライス厚の検出信号を生成し、この不均等スライス厚の検出信号を束ねて同一スライス厚を有する複数のスライス、あるいは異なるスライス厚を有する複数のスライス等、指定されたスライス厚に基づく検出信号として出力するようになっている。
【００４５】
本実施形態において上述した不均等スライス厚の検出信号を生成するために、主検出器（２次元検出器）１１の各ｃｈの素子列１１ａ1 〜１１ａ16の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）は、中央の素子から端部の素子に向けてピッチが広がるように不均等に形成されている。なお、このｓｅｇ方向に沿って不均等に形成されたスライスピッチのことを不均等ピッチという。
【００４６】
ここで、主検出器１１の各チャンネル（ｃｈ）の素子列１ａ1 〜１１ａ16の構成を図３に示す。なお、図３は、第１ｃｈの素子列１１ａ1 について代表して示している。
【００４７】
本実施形態においては、Ｘ線ＣＴスキャナ１で得られる最小スライス厚を実現するためのサイズを有する検出素子列を基本セグメントと呼び、本実施形態では最小スライス厚が１mmの場合について説明する。
【００４８】
図３によれば、本実施形態の主検出器１１の各チャンネルの素子列１１ａ1 〜１１ａ16の構成は、中央に基本セグメント（１mm−ｓｅｇ；１mmスライス厚のセグメント）を８セグメント（（図面向かって右側からｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 とする）配列し、さらにその外側に２mmセグメント（２mm−ｓｅｇ；２mmスライス厚のセグメント）を片側に２セグメントずつ合計４セグメント配列し（図面向かって右側からｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 とする）、さらにその２mmセグメントの外側に、４mmセグメント（４mm−ｓｅｇ；４mmスライス厚のセグメント）を片側に２セグメントずつ合計４セグメント配列する（図面向かって右側からｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 とする）。さらに、４mmセグメントの外側に８mmセグメント（８mm−ｓｅｇ；８mmスライス厚のセグメント）を片側に２セグメントずつ合計４セグメント配列している（図面向かって右側からｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 とする）。１チャンネルあたり合計２０ｓｅｇであり、全体で６４mmに対応する。なお、ここに示した寸法は、ガントリー３（Ｘ線管球１０及び主検出器１１）の回転軸中心での値であり、主検出器１１における実寸法ではない。
【００４９】
ここで、上述した不均等ピッチを形成する主検出器１１の各チャンネルの素子列１ａ1 〜１１ａ16の内部構造を図４に示す。なお、図４は、図３に示す第１ｃｈの素子列１１ａ1 における図面向かって右側半分の素子列１１ａ1 について代表して示している。
【００５０】
図４によれば、第１ｃｈの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）は、それぞれ１個ずつのシンチレータ１６ａ1 を有している。そして、各基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 のＸ線入射部は、当該基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚の大きさ（長さ）を有している。
【００５１】
各シンチレータ１６ａ1 は箱型であり、そのＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が層状に設けられている。そして、シンチレータ１６ａ1 の蛍光出力面側には、例えば接着剤やオプティカルコンパウンド（グリス等の半固体状の潤滑剤であり粘着性だけで接着するもの）等の接合部材を介して光センサ（例えばフォトダイオード１７ａ1 ）が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７ａ1 は、基本セグメントのスライスピッチ（１mm）に対応する図示しないアクティブエリア（ｐｎ接合部分であり、受光可能領域）を有し、シンチレータ１６ａ1 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【００５２】
２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）は、それぞれ２個ずつのシンチレータ１６ａ2 を有しており、当該２個ずつのシンチレータ１６ａ2 はスライス厚方向に沿って配設されている。各２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）の２個ずつのシンチレータ１６ａ2 における各シンチレータのＸ線入射部は、基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚を有している。
【００５３】
各２個ずつ箱型のシンチレータ１６ａ2 のＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が設けられている。そして、シンチレータ１６ａ2 の蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７ａ2 が当該蛍光を受光可能に接合されており、各フォトダイオード１７ａ2 は、２mmセグメントのスライスピッチ（２mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、２個のシンチレータ１６ａ2 から発生される蛍光をアクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【００５４】
４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）は、それぞれ４個ずつのシンチレータ１６ａ3 を有しており、当該４個ずつのシンチレータ１６ａ3 はスライス厚方向に沿って配設されている。各４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）の４個ずつのシンチレータ１６ａ3 における各シンチレータのＸ線入射部は、基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚を有している。
【００５５】
各４個ずつの箱型シンチレータ１６ａ3 のＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が設けられている。そして、シンチレータ１６ａ3 の蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７ａ3 が当該蛍光を受光可能に接合されており、各フォトダイオード１７ａ3 は、４mmセグメントのスライスピッチ（４mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、４個のシンチレータ１６ａ3 から発生される蛍光を電気信号に変換してそれぞれ出力するようになっている。
【００５６】
８mmセグメント（ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）は、それぞれ８個ずつのシンチレータ１６ａ4 を有しており、当該８個ずつのシンチレータ１６ａ4 はスライス厚方向に沿って配設されている。各８mmセグメント（ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）の８個ずつのシンチレータ１６ａ4 における各シンチレータのＸ線入射部は、基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚を有している。各８個ずつの箱型シンチレータ１６ａ4 のＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面には図示しない光反射材が設けられている。そして、シンチレータ１６ａ4 の蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７ａ4 が当該蛍光を受光可能に接合されており、各フォトダイオード１７ａ4 は、８mmセグメントのスライスピッチ（８mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、８個のシンチレータ１６ａ4 から発生される蛍光を電気信号に変換してそれぞれ出力するようになっている。
【００５７】
つまり、各セグメント（基本セグメント〜８mmセグメント）の各シンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 の大きさ（スライス厚）は、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に対応したスライス厚となっており、これに対して各セグメント（基本セグメント〜８mmセグメント）の各フォトダイオード１７ａ1 〜１７ａ4 の大きさ（スライス厚）は、配設される各セグメントのスライス厚に応じた不均等サイズとなっている。
【００５８】
すなわち、図４に示した構成において、各基本セグメントは、１個のフォトダイオード及びそれに対応する１個のシンチレータで構成されているが、各２mmセグメントは１個のフォトダイオード及びそれに対応する２個のシンチレータ、各４mmセグメントは１個のフォトダイオード及びそれに対応する４個のシンチレータ、各８mmセグメントは１個のフォトダイオード及びそれに対応する８個のシンチレータでそれぞれ構成されている。
【００５９】
そして、上述した構造の主検出器（２次元検出器）１１の各フォトダイオードのアクティブエリアは、それぞれ配線を介してスイッチ群２０に接続されており、当該各検出素子（シンチレータ、フォトダイオード）により検出されたＸ線透過データは、スイッチ群２０を介して例えば各チャンネルの検出素子列１１ａ1 〜１１ａ16それぞれ（２０ｓｅｇ）に対して、当該２０ｓｅｇより少ない８列分（８スライス分）のデータ収集素子（ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 …ＤＡＳ−１ａ16〜ＤＡＳ−８ａ16）を有するＤＡＳ（データ収集装置）２１に送られる。
【００６０】
図５は、本実施形態の２次元検出器１１，スイッチ群２０，及びＤＡＳ２１の構造を示す斜視図である。図５に示すように、２次元検出器１１は、検出素子がアレイ状に並べられており、スイッチ群２０は、例えばスイッチ基板上にＦＥＴ等のスイッチング素子を実装して構成されている。また、ＤＡＳ２１のデータ収集素子は、２次元検出器１１の各検出素子と同様にアレイ状に配列さされている。
【００６１】
ＤＡＳ２１の各データ収集素子（ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 …ＤＡＳ−１ａ16〜ＤＡＳ−８ａ16）は、送られたＸ線透過データに対して増幅処理やＡ／Ｄ変換処理等を施して当該被検体Ｐの８スライス分の投影データを収集するようになっている。
【００６２】
ここで、主検出器１１の例えば第１チャンネルにおける２０ｓｅｇの検出素子列１１ａ1 （ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 、ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）と、この第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 に対応するＤＡＳ２１の８列（８スライス）分のデータ収集素子（ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 ）を有するＤＡＳ（データ収集装置）２１とのスイッチ群２０による接続関係を図６に示す。なお、図６には、説明を容易にするために、素子列両端のｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 と各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 とを接続するスイッチ群のみを示している。
【００６３】
図６によれば、ｓｅｇ８ａ1 は、スイッチＳ11を介してＤＡＳ−１ａ1 に接続され、以下、スイッチＳ12〜Ｓ18を介してＤＡＳ−２ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に接続されている。そして、Ｓ1Gを介してＧＮＤに接続されている。同様に、ｓｅｇ８ａ2 は、スイッチＳ21〜Ｓ2Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６４】
以下、ｓｅｇ４ａ1 は、スイッチＳ31〜Ｓ3Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ４ａ2 は、スイッチＳ41〜Ｓ4Gを介し手ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。また、ｓｅｇ２ａ1 は、スイッチＳ51〜Ｓ5Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ２ａ2 は、スイッチＳ61〜Ｓ6Gを介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６５】
さらに、ｓｅｇ１ａ1 …ｓｅｇ１ａ8 は、それぞれスイッチＳ71〜Ｓ7G…スイッチＳ141 〜Ｓ14G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。そして、ｓｅｇ２ａ3 は、スイッチＳ151 〜Ｓ15G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ２ａ4 は、スイッチＳ161 〜Ｓ16G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。また、ｓｅｇ４ａ3 は、スイッチＳ171 〜Ｓ17G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ４ａ4 は、スイッチＳ181 〜Ｓ18G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６６】
そして、ｓｅｇ８ａ3 は、スイッチＳ191 〜Ｓ19G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続され、ｓｅｇ８ａ4 （２０ｓｅｇ目）は、スイッチＳ201 〜Ｓ20G を介してＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤに接続されている。
【００６７】
各接続スイッチＳ11〜Ｓ20G には、それぞれシステム部４のホストコントローラ２５から図示しない制御信号線が接続されており、この制御信号線を介してホストコントローラ２５から送られる制御信号に応じて接続スイッチＳ11〜Ｓ20G は個別にＯＮ／ＯＦＦし、各セグメントｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 、及びｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 とＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 及びＧＮＤとの接続／非接続を個別に切り換え制御するようになっている。
【００６８】
なお、第２チャンネルの検出素子列１１ａ2 〜第１６チャンネルの検出素子列１１ａ16についても、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 と同様に図４に示した構造を有している。また、当該第２チャンネルの検出素子列１１ａ2 〜第１６チャンネルの検出素子列１１ａ16は、各接続スイッチを介して対応するＤＡＳ−１ａ2 〜ＤＡＳ−８ａ2 …ＤＡＳ−１ａ16〜ＤＡＳ−８ａ16にそれぞれ接続されており、各接続スイッチは、ホストコントローラ２５からの制御信号に応じて各セグメントとＤＡＳのデータ収集素子及びＧＮＤとの間で接続／非接続を個別に切り換え制御するようになっている。
【００６９】
一方、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、例えばＣＰＵ等を有するコンピュータ回路を搭載したデータ処理装置２６を有している。このデータ処理装置２６は、ＤＡＳ２１の各データ収集素子により収集された８スライス分の投影データを保持し、上述したガントリー３の回転による多方向から得られた同一スライスの全ての投影データを加算する処理や、その加算処理により得られた多方向投影データに対して必要に応じて補間処理、補正処理等を施すようになっている。
【００７０】
また、システム部４は、データ処理装置２６におけるデータ処理に必要なデータ等を記憶する記憶装置２７と、データ処理装置２６によりデータ処理されて得られた投影データを再構成処理して、８スライス分の再構成画像データを生成する再構成装置２８と、この再構成装置２８により生成された再構成画像データを表示する表示装置２９と、キーボードや各種スイッチ、マウス等を備え、オペレータＯを介してスライス厚やスライス数等の各種スキャン条件を入力可能な入力装置３０と、再構成装置２８により生成された再構成画像データを記憶可能な大容量の記憶領域を有する補助記憶装置３１とを備えている。
【００７１】
そして、Ｘ線ＣＴスキャナ１のシステム部４は、ＣＰＵを有するコンピュータ回路を搭載したホストコントローラ２５を有している。このホストコントローラ２５は、高電圧発生装置１５に接続されるとともに、バスＢを介してガントリー３内の図示しない寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、ビームトリマ１４、スイッチ群２０、及びＤＡＳ２１にそれぞれ接続されている。
【００７２】
また、ホストコントローラ２５、データ処理装置２６、記憶装置２７、再構成装置２８、表示装置２９、入力装置３０、及び補助記憶装置３１は、それぞれバスＢを介して相互接続され、当該バスＢを通じて互いに高速に画像データや制御データ等の受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００７３】
すなわち、ホストコントローラ２５は、オペレータＯから入力装置３０を介して入力されたスライス厚等のスキャン条件を内部メモリに記憶し、この記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードにおいてオペレータＯから直接設定されたスキャン条件）に基づいて高電圧発生装置１５、図示しない寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、及びビームトリマ１４を介して寝台２の体軸方向への送り量、送り速度、ガントリー３（Ｘ線管球１０及び主検出器１１）の回転速度、回転ピッチ、ビームトリマ１４のエッジ位置、及びＸ線の曝射タイミング等を制御しながら当該高電圧発生装置１５、寝台駆動部、ガントリー駆動部１２、及びビームトリマ１４を駆動させることにより、被検体Ｐの所望の撮影領域に対して多方向からコーン状のＸ線ビームが照射される。そして、被検体Ｐの撮影領域を透過した透過Ｘ線は、主検出器１１の各検出素子を介してＸ線透過データとして検出される。
【００７４】
同時に、ホストコントローラ２５は、内部メモリに記憶されたスキャン条件（あるいは、マニュアルモードのスキャン条件）に基づいてスイッチ群２０の各スイッチの切り換え制御を行なって主検出器１１の各検出素子とＤＡＳ２１との接続状態を切り換えることにより、当該各検出素子で検出されたＸ線透過データを束ねて、スキャン条件に対応した複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【００７５】
次に、本実施形態における上述したスイッチ群２０を介してＸ線透過データを束ねる構成について説明する。なお、ここでは、説明を簡単にするために、主検出器１１の第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 で検出されたＸ線透過データを束ねてＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送る構成についてのみ示しているが、第２チャンネルの検出素子列１１ａ2 〜第１６チャンネルの検出素子列１１ａ16とＤＡＳ−１ａ2 …ＤＡＳ−８ａ2 〜ＤＡＳ−１ａ16…ＤＡＳ−８ａ16との間でも同様に行なわれることは言うまでもない。
【００７６】
ここで、同一のスライス厚で８スライスを収集する場合のＸ線透過データのスイッチ群２０による束ね方を図７及び図８に示す。図７及び図８中、網掛け部分が検出されたＸ線透過データを使用する検出素子の範囲を表し、太線が束ねたＸ線透過データの切れ目を表している。
【００７７】
図７（Ａ）は、スライス厚として最小のスライス厚（１mm）で８スライスを収集する場合におけるスイッチ群２０によるＸ線透過データの束ね方を示すものである。
【００７８】
すなわち、ホストコントローラ２５は、入力されたスライス厚条件（１mm）を含むスキャン条件に基づいてスイッチ群２０のスイッチＳ11 〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、各検出素子列で検出されたＸ線透過データを束ねる。すなわち、ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 とＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 とをそれぞれ接続するスイッチＳ71、Ｓ82、Ｓ93、Ｓ104 、Ｓ115 、Ｓ126 、Ｓ137 、Ｓ148 がＯＮされ、それ以外のスイッチＳ72〜Ｓ7G、Ｓ81、Ｓ83〜Ｓ8G、Ｓ91、Ｓ92、Ｓ94〜Ｓ9G、・・・、Ｓ141 〜Ｓ147 、Ｓ14G はそれぞれＯＦＦされる。
【００７９】
また、ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 とＧＮＤとを接続するスイッチＳ1G、Ｓ2G、Ｓ19G 、Ｓ20G はそれぞれＯＮされ、以下、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 とＧＮＤとを接続するスイッチＳ3G、Ｓ4G、Ｓ17G 、Ｓ18G →ＯＮ、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 とＧＮＤとを接続するスイッチＳ5G、Ｓ6G、Ｓ15G 、Ｓ16G →ＯＮされる。さらに、Ｓ11〜Ｓ18、Ｓ21〜Ｓ28、Ｓ31〜Ｓ38、…、Ｓ61〜Ｓ68、Ｓ151 〜Ｓ158 、Ｓ161 〜Ｓ168 、…、Ｓ201 〜Ｓ208 →ＯＦＦされる。
【００８０】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 を介して電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０を介して１mm厚の８スライス（１mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８１】
また、図７（Ｂ）は、スライス厚として２mmスライス厚で８スライスを収集する場合におけるスイッチ群２０によるＸ線透過データの束ね方を示すものである。
【００８２】
すなわち、ホストコントローラ２５は、入力されたスライス厚条件（２mm）を含むスキャン条件に基づいてスイッチ群２０の各スイッチＳ11〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、ｓｅｇ２ａ1 をＤＡＳ−１ａ1 ，ｓｅｇ２ａ2 をＤＡＳ−２ａ1 に接続し、ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ2 を束ねてＤＡＳ−３ａ1 、ｓｅｇ１ａ3 〜ｓｅｇ１ａ4 を束ねてＤＡＳ−４ａ1 、ｓｅｇ１ａ5 〜ｓｅｇ１ａ6 を束ねてＤＡＳ−５ａ1 、ｓｅｇ１ａ7 〜ｓｅｇ１ａ8 を束ねてＤＡＳ−６ａ1 にそれぞれ接続する。さらに、ｓｅｇ２ａ3 をＤＡＳ−７ａ1 、ｓｅｇ２ａ4 をＤＡＳ−８ａ1 に接続し、他のｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ，ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 を全てＧＮＤに接続する。
【００８３】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 並びに２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）のシンチレータ１６ａ2 及びフォトダイオード１７ａ2 を介して不均等スライス厚の電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０により束ねられて２mm厚の８スライス（２mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８４】
同様に、図８（Ａ）では、ホストコントローラ２５は、各スイッチＳ11〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、ｓｅｇ４ａ1 をＤＡＳ−１ａ1 、ｓｅｇ４ａ2 をＤＤＡＳ−２ａ1 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ2 →ＤＡＳ−３ａ1 、ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ4 →ＤＡＳ−４ａ1 、ｓｅｇ１ａ5 〜ｓｅｇ１ａ8 →ＤＡＳ−５ａ1 、ｓｅｇ２ａ3 〜ｓｅｇ２ａ4 →ＤＡＳ−６ａ1 、ｓｅｇ４ａ3 をＤＡＳ−７ａ1 、ｓｅｇ４ａ4 をＤＡＳ−８ａ1 、ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 →ＧＮＤにそれぞれ接続する。
【００８５】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 ，２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）のシンチレータ１６ａ2 及びフォトダイオード１７ａ2 ，並びに４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）のシンチレータ１６ａ3 及びフォトダイオード１７ａ3 を介して不均等スライス厚の電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０により束ねられて４mm厚の８スライス（１mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８６】
さらに、図８（Ｂ）では、各スイッチＳ11〜Ｓ20G をＯＮ／ＯＦＦ制御して、ｓｅｇ８ａ1 をＤＡＳ−１ａ1 、ｓｅｇ８ａ2 をＤＡＳ−２ａ1 、ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ2 →ＤＡＳ−３ａ1 、ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ2 及びｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ4 →ＤＡＳ−４ａ1 、ｓｅｇ１ａ5 〜ｓｅｇ１ａ8 及びｓｅｇ２ａ3 〜ｓｅｇ２ａ4 →ＤＡＳ−５ａ1 、ｓｅｇ４ａ3 〜ｓｅｇ４ａ4 →ＤＡＳ−６ａ1 、ｓｅｇ８ａ3 をＤＡＳ−７ａ1 、ｓｅｇ８ａ4 をＤＡＳ−８ａ1 にそれぞれ接続する。
【００８７】
この結果、スキャン撮影時に被検体Ｐを透過したＸ線は、第１チャンネルの検出素子列１１ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１ａ1 〜ｓｅｇ１ａ8 ）のシンチレータ１６ａ1 及びフォトダイオード１７ａ1 ，２mmセグメント（ｓｅｇ２ａ1 〜ｓｅｇ２ａ4 ）のシンチレータ１６ａ2 及びフォトダイオード１７ａ2 ，４mmセグメント（ｓｅｇ４ａ1 〜ｓｅｇ４ａ4 ）のシンチレータ１６ａ3 及びフォトダイオード１７ａ3 ，並びに８mmセグメント（ｓｅｇ８ａ1 〜ｓｅｇ８ａ4 ）のシンチレータ１６ａ4 及びフォトダイオード１７ａ4 を介して不均等スライス厚の電気信号に変換された後、上述したようにＯＮ／ＯＦＦ制御されたスイッチ群２０により束ねられて８mm厚の８スライス（８mm−ｓｌｉｃｅ×８−ｓｌｉｃｅ）のＸ線透過データとして各ＤＡＳ−１ａ1 〜ＤＡＳ−８ａ1 に送ることができる。
【００８８】
以上述べたように、本構成によれば、同一スライス厚の８スライスのＸ線透過データを収集するモードにおいて、それぞれのスライス厚を１mm、２mm、４mm、８mmと２倍ずつ広げていくことが可能になっている。
【００８９】
そして、そのスライス厚は、オペレータＯにより設定されたスキャン条件に含まれるスキャン厚に基づいて、ホストコントローラ２５の制御の下でスイッチ群２０の切り換え制御が自動的に行なわれることにより、設定されたスキャン条件（スライス厚条件）に対応して選択されている。
【００９０】
すなわち、本構成によれば、設定されたスライス厚条件に合わせて、例えば最小スライス厚（１ｍｍ）の８スライス分のＸ線透過データを収集することができる。そして、この収集された８スライス分のＸ線透過データから得られた投影データに基づいて再構成装置２８により再構成処理が行なわれるため、体軸方向に高い分解能（解像度）を有する８スライスの再構成画像を生成することができる。また、設定されたスライス厚条件に合わせて、例えばスライス厚８ｍｍの８スライスで構成されたワイドな撮影領域（６４ｍｍ）のＸ線透過データを収集することができるため、この収集された投影データから得られた投影データに基づいて再構成装置２８により再構成処理が行なわれ、体軸方向にワイドな範囲の再構成画像を生成することができる。この結果、体軸方向の高い解像度と体軸方向に沿ったワイドな撮影領域とを共に実現することができる。
【００９１】
また、本構成によれば、同一スライス厚の８スライスの投影データを得る場合において、そのスライス厚を、設定されたスライス厚条件に合わせて１mm〜２mm〜４mm〜８mmと２倍ずつ広げていくことができ、しかもそのスライス厚条件はオペレータＯからスキャン条件設定時あるいはマニュアルモード時に任意に設定することができる。したがって、スライス厚の設定の自由度を大幅に高めることができ、診断部位に応じた効率的な画像診断を行なうことができる。また、本構成においては、同一のスライス厚に限らず、異なるスライス厚の８スライスの投影データを収集することも可能である。
【００９２】
そして、本構成によれば、同一サイズ（同一のスライス厚）のシンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 によりＸ線を蛍光に変換し、この蛍光を不均等ピッチ（不均等スライス厚）のフォトダイオード１７ａ1 〜１７ａ4 により不均等スライス厚の検出信号に変換して出力するように構成されている。すなわち、シンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力することを可能にしているため、上述した各検出素子の各シンチレータが異なるスライス厚を有していた場合に発生する感度ばらつき（感度分布の偏り）を解消することができる。
【００９３】
例えば、図４の素子列１１ａ1 に対応し、シンチレータ及びフォトダイオードが共に不均等なスライス厚で構成された検出器の素子列（セグメント）１１ｂ1 ｛基本セグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ8 ），２mmセグメント（ｓｅｇ２ｂ1 〜ｓｅｇ２ｂ4 ），４mmセグメント（ｓｅｇ４ｂ1 〜ｓｅｇ４ｂ4 ），８mmセグメント（ｓｅｇ８ｂ1 〜ｓｅｇ８ｂ4 ）｝における図面向かって右側半分の素子列１１ｂ1 を図９に示す。
【００９４】
前掲図２３で述べたように、各セグメントの感度分布は、シンチレータのスライス厚の長さに依存しているため、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、シンチレータのスライス厚の長さの短い基本セグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ8 ）の感度（平均感度）は、当該基本セグメントから周辺のセグメント（例えば８mmセグメント（ｓｅｇ８ｂ1 〜ｓｅｇ８ｂ4 ））の感度（平均感度）よりも小さくなる。
【００９５】
したがって、例えば上述したスイッチ群２０の各スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦにより、ｓｅｇ１ｂ1 〜１ｂ4 ，ｓｅｇ２ｂ1 〜２ｂ2 ，及びｓｅｇ４ｂ1 〜４ｂ2 を束ねて１６mm−ｓｌｉｃｅのＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ａ））を出力し、ｓｅｇ８ｂ1 〜８ｂ2 を束ねて１６mm−ｓｌｉｃｅのＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ｂ））を出力したとすると（図１１参照）、図１２（Ａ）に示すように、同一スライス厚のＸ線透過データであっても、スライス厚の長さの異なるセグメントを束ねて収集されたＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ａ））の感度分布は偏ってばらつきが生じており、一方、スライス厚の長さの同じセグメントを束ねて収集されたＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ｂ））の感度分布は平坦になる。
【００９６】
そして、スライス厚の長さの異なるセグメントを束ねて収集されたＸ線透過データ（１６mm−ｓｌｉｃｅ（Ａ））に対して、通常のＣＴスキャナにおいて必要な感度補正等のデータ処理を行なう場合では、図１２（Ｂ）に示すように、束ねた部分の平均値Ａｖを用いて当該データ処理を行なうしかないため、図１２（Ｂ）に示すように、スライス厚の長いセグメント（ｓｅｇ４ｂ1 〜ｓｅｇ４ｂ2 ）の当該透過データに対する重みが、スライス厚の短いセグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ4 ）の当該透過データに対する重みに比べて大きくなる。言い換えれば、スライス厚の短いセグメント（ｓｅｇ１ｂ1 〜ｓｅｇ１ｂ4 ）の当該透過データに対する重みがスライス厚の長いセグメント（ｓｅｇ４ｂ1 〜ｓｅｇ４ｂ2 ）の当該透過データに対する重みに比べて小さくなる。
【００９７】
このスライス厚の長さの違いに起因した重みの差異は、例えばスライス厚方向に傾きを有する被検体を撮影する際に、同一被検体であってもスライス厚方向に対する当該被検体の向きに応じて当該重みの差異が強調されたり、あるいは軽減される等ばらついて、出力値が異なることになる。
【００９８】
また、上述したスライス厚の長さの違いに起因した重みの差異は、他の素子列においても発生し、しかもその差異の量は異なるため、素子列全体において出力値が異なることになり、透過像に発生するアーチファクト大きな要因となっていた。
【００９９】
しかしながら、本構成では、前掲図４に示したように、各セグメントのシンチレータ１６ａ1 〜１６ａ4 のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力し、この出力信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データを収集しているため、上述したスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布の傾き（ばらつき）を解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１００】
なお、本実施形態では、各セグメントのシンチレータの同一のスライス厚は、基本セグメントのスライス厚（１mm）に対応して設定されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば当該基本セグメントのスライス厚（１mm）を収集されるスライス厚の長さ（本実施形態の場合は８mm）の公約数で割った値（１／２mm、１／４mm、１／８mm）であってもよい。
【０１０１】
また、分布の影響の大きさに応じて、全体を同一にするのではなく、一部に適用してもよい。
【０１０２】
（第２実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ａの各チャンネルの素子列１Ａ1 〜１１Ａ16の内部構造を図１３に示す。なお、図１３は、第１ｃｈの素子列１１Ａ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ａの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１０３】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ａ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１Ａ1 〜ｓｅｇ１Ａ8 ）は、それぞれ１個ずつのシンチレータ１６Ａ1 を有している。そして、各基本セグメント（ｓｅｇ１Ａ1 〜ｓｅｇ１Ａ8 ）の各シンチレータ１６Ａ1 のＸ線入射部は、当該基本セグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（１mm）に対応したスライス厚の大きさ（長さ）を有している。
【０１０４】
各シンチレータ１６Ａ1 の蛍光出力面側には、接着剤やオプティカルコンパウンド等の接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ａ1 が接合されており、この光学フィルタ４０Ａの蛍光出力面側には前記接合部材を介して光センサ（フォトダイオード）１７Ａ1 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７ａ1 は、基本セグメントのスライスピッチ（１mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６Ａ1 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１０５】
２mmセグメント（ｓｅｇ２Ａ1 〜ｓｅｇ２Ａ4 ）は、それぞれシンチレータ１６Ａ2 を有しており、当該シンチレータ１６Ａ2 はスライス厚方向に沿って配設されている。各２mmセグメント（ｓｅｇ２Ａ1 〜ｓｅｇ２Ａ4 ）における各シンチレータ１６Ａ2 のＸ線入射部は、２mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（２mm）に対応したスライス厚を有している。
【０１０６】
各シンチレータ１６Ａ2 の蛍光出力面側には、前記接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ｂが接合されており、この光学フィルタ４０Ｂの蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７Ａ2 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７Ａ2 は、２mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（２mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６Ａ2 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１０７】
４mmセグメント（ｓｅｇ４Ａ1 〜ｓｅｇ４Ａ4 ）は、それぞれシンチレータ１６Ａ3 を有しており、当該シンチレータ１６Ａ3 はスライス厚方向に沿って配設されている。各４mmセグメント（ｓｅｇ４Ａ1 〜ｓｅｇ４Ａ4 ）の各シンチレータ１６Ａ3 のＸ線入射部は、４mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（４mm）に対応したスライス厚を有している。
【０１０８】
各シンチレータ１６Ａ3 の蛍光出力面側には、前記接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ｃが接合されており、この光学フィルタ４０Ｃの蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７Ａ3 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７Ａ3 は、４mmセグメントのスライスピッチ（４mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６ａ3 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１０９】
８mmセグメント（ｓｅｇ８Ａ1 〜ｓｅｇ８Ａ4 ）は、それぞれシンチレータ１６Ａ4 を有しており、当該シンチレータ１６Ａ4 はスライス厚方向に沿って配設されている。各８mmセグメント（ｓｅｇ８Ａ1 〜ｓｅｇ８Ａ4 ）の各シンチレータ１６Ａ4 のＸ線入射部は、８mmセグメントのスライス厚方向のスライスピッチ（８mm）に対応したスライス厚を有している。
【０１１０】
各シンチレータ１６Ａ4 の蛍光出力面側には、前記接合部材を介して前記蛍光を透過可能な光学フィルタ４０Ｄが接合されており、この光学フィルタ４０Ｄの蛍光出力面側には前記接合部材を介してフォトダイオード１７Ａ4 が当該蛍光を受光可能に接合されている。各フォトダイオード１７Ａ4 は、８mmセグメントのスライスピッチ（８mm）に対応する図示しないアクティブエリアを有し、シンチレータ１６ａ4 から発生した蛍光を当該アクティブエリアで受光して電気信号に変換し、その電気信号をそれぞれ出力するようになっている。
【０１１１】
そして、基本セグメントにおける光学フィルタ４０Ａ，２mmセグメントにおける光学フィルタ４０Ｂ，４mmセグメントにおける光学フィルタ４０Ｃ，及び８mmセグメントにおける光学フィルタ４０Ｄは、その透過率がそれぞれ異なっている。
【０１１２】
すなわち、シンチレータのスライス厚の長さが他のセグメントに比べて相対的に短く光感度（単位大きさ（受光面積）あたりの出力光量）が小さいセグメントには透過率が大きい光学フィルタを配設し、シンチレータのスライス厚の長さが他のセグメントに比べて相対的に長く光感度が大きいセグメントには透過率が小さい光学フィルタを配設しており、そのスライス厚の長さに応じて、最終的な検出感度（当該各セグメントのフォトダイオード１７Ａ1 〜１７Ａ4 から出力される単位大きさ（スライス厚の長さ）あたりの電気信号）を略同一にするように構成されている。
【０１１３】
上述した構成によれば、第１実施形態と同様に、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して当該セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号を出力し、この出力信号をスイッチ群２０を介して束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができる。
【０１１４】
このとき、本構成によれば、各フォトダイオード１７Ａ1 〜１７Ａ4 からの出力信号の感度分布を、各セグメント毎に設けられた異なる透過率を有する光学フィルタ４０Ａ〜４０Ｄにより各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎に均一化しているため、第１実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、各セグメントのシンチレータとフォトダイオードとの間に光学フィルタをそれぞれ挿設し、その透過率を調整することで感度分布のばらつきを解消しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１１６】
例えば、光学フィルタを用いる代わりに、各セグメントのシンチレータとフォトダイオードとを直接接合する際に設けられる接着剤やオプティカルコンパウンド等の接合剤の透過率を、各セグメントの検出感度が均一化するようにそれぞれのセグメントに応じて変化させてもよい。また、光学フィルタとしてＮＤフィルタ（単にシンチレータからフォトダイオードに達する光量を落とす（エネルギー分布には影響を与えない）ためのフィルタ）を用いることもできる。
【０１１７】
さらに、光学フィルタの変形として、液晶パネル等の外部からの制御により透過率を変化させることができる光透過部材を各セグメント（のシンチレータとフォトダイオードとの間）に設けてもよい。
【０１１８】
例えば図１４に本変形例の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｂの各チャンネルの素子列１Ｂ1 〜１１Ｂ16の内部構造を示す。なお、図１４は、第１ｃｈの素子列１１Ｂ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。
【０１１９】
本構成は、図１３における光学フィルタ４０Ａ〜４０Ｄの代わりに外部からの制御（例えば電圧を印加する等）により所望の光透過率に設定可能な光透過部材４１Ａ〜４１Ｄを設けている。すなわち、基本セグメント（ｓｅｇ１Ｂ1 〜ｓｅｇ１Ｂ8 ）の各シンチレータ１６Ｂ1 と各フォトダイオード１７Ｂ1 との間には透過率ν10を有する光透過部材４１Ａが挿設され、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｂ1 〜ｓｅｇ２Ｂ4 ）の各シンチレータ１６Ｂ2 と各フォトダイオード１７Ｂ2 との間には透過率ν11を有する光透過部材４１Ｂが挿設されている。そして、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｂ1 〜ｓｅｇ４Ｂ4 ）の各シンチレータ１６Ｂ3 と各フォトダイオード１７Ｂ3 との間には透過率ν12を有する光透過部材４１Ｃが挿設され、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｂ1 〜ｓｅｇ８Ｂ4 ）の各シンチレータ１６Ｂ4 と各フォトダイオード１７Ｂ4 との間には透過率ν13を有する光透過部材４１Ｄが挿設されている。なお、この他の構成は、第１及び第２実施形態と略同様であり、その説明は省略する。
【０１２０】
上述した素子列１１Ｂ1 の光透過部材４１Ａ〜４１Ｄの各透過率ν10〜ν13は、次のように設定される。すなわち、検出器１１Ｂを組み立てた後、素子列１１Ｂ1 の各セグメントの感度分布を測定し、当該感度分布が平坦になるように、例えば電圧を印加する等して光透過部材４１Ａ〜４１Ｄの各透過率ν10〜ν13を可変制御する。なお、この各透過率の可変制御は、セグメントサイズに応じて変化させることが基本であるが、各素子毎（すなわち、各ｓｅｇ毎）に可変制御することも可能であり、この場合では、同一セグメントの各素子毎の感度ばらつきまで補正することができる。また、各透過率ν10〜ν13を、ｓｅｇ単独の感度分布により制御するだけではなく、被検体Ｐを透過したＸ線ビームの厚さ等のスキャン条件や、ＤＡＳ２１のスイッチの束ね方等によって制御することもできる。このように各セグメント（の各ｓｅｇ）に配設される光透過部材の各透過率ν10〜ν13は様々なパラメータにより制御が可能であるが、どのような制御においても、基本的には、束ねて生成されたＸ線透過データの感度がＤＡＳ２１の各データ収集素子において均一になるように制御すれはよい。
【０１２１】
以上述べたように本変形例においても、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎の出力信号の感度分布（あるいはスイッチ群２０で束ねられた後の出力信号（Ｘ線透過データ））の感度分布は均一化しているため、第１及び第２実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１２２】
（第３実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｃの各チャンネルの素子列１Ｃ1 〜１１Ｃ16の内部構造を図１５に示す。なお、図１５は、第１ｃｈの素子列１１Ｃ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｃの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１２３】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｃ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｃ1 〜１６Ｃ4 及び各フォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるようになっている。
【０１２４】
ところで、各セグメントにおける各フォトダイオードのアクティブエリアの面積は、セグメントのスライス厚の長さに応じて定まっているが、本実施形態では、その各セグメントのアクティブエリアの面積を、当該各セグメントの検出感度をパラメータとして定めている。
【０１２５】
つまり、第１ｃｈの検出素子列１１Ｃ1 の基本セグメント（ｓｅｇ１Ｃ1 〜ｓｅｇ１Ｃ8 ）のアクティブエリア５０Ａ、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｃ1 〜ｓｅｇ２Ｃ4 ）のアクティブエリア５０Ｂ、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｃ1 〜ｓｅｇ４Ｃ4 ）のアクティブエリア５０Ｃ、及び８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｃ1 〜ｓｅｇ８Ｃ4 ）のアクティブエリア５０Ｄは、最終的な検出感度（当該各セグメントのフォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 から出力される単位大きさ（スライス厚の長さ）あたりの電気信号）をパラメータとして、当該検出感度が各セグメントにおいて略同一となるように設定されている。
【０１２６】
例えば、ｓｅｇ８Ｃ1 のアクティブエリア５０Ｄは、通常のアクティブエリアにおけるスライス厚方向に沿った両端部が光吸収材料５１でカバーされており、この通常のアクティブエリアに対するカバー領域の増減により、アクティブエリア５０Ｄの面積を調整している。なお、その他のｓｅｇも同様に構成されている。
【０１２７】
上述した構成によれば、第１及び第２実施形態と同様に、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して当該セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号を出力し、この出力信号をスイッチ群２０を介して束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができる。
【０１２８】
そして、本構成によれば、各シンチレータ１６Ｃ1 〜１６Ｃ4 を介して得られた各蛍光信号に含まれるスライス厚の長さの違いに起因した各セグメント毎の感度差は、フォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 のアクティブエリア５０Ａ〜５０Ｄの面積が各セグメント毎の検出感度をパラメータとして設定されているため、そのアクティブエリア面積の違いによる各セグメント毎の受光量の差によって打ち消される。したがって、フォトダイオード１７Ｃ1 〜１７Ｃ4 を介して出力された信号の各セグメント毎の感度は、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎に均一化されている。
【０１２９】
この結果、第１及び第２実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１３０】
なお、本構成では、アクティブエリア以外の受光領域を光吸収材料５１でカバーして当該アクティブエリアの面積を調整したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えばアクティブエリア以外の受光領域により受光されて発生した電荷が出力信号とならないように、当該アクティブエリア以外の受光領域にＧＮＤ電極を配設することもできる。
【０１３１】
また、本構成では、各ｓｅｇのアクティブエリア５０Ａ〜５０Ｄをその両端部を光吸収材やＧＮＤ電極によりカバーすることで当該アクティブエリアの面積を調整したが、アクティブエリアを遮る領域は、当該アクティブエリアのスライス方向両端部に限らず、例えばアクティブエリアのスライス厚方向に沿って飛び石的に設けてもよい。
【０１３２】
さらに、本構成では、アクティブエリアの面積を調整してセグメント毎の検出感度を均一化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、アクティブエリア（ｐｎ接合部分）の構造（例えば接合の厚さ、保護膜の厚さ等）を各セグメント毎に変えることにより、各シンチレータ１６Ｃ1 〜１６Ｃ4 のスライス厚の長さの違いに起因した感度差を打ち消して均一化を図ることも可能である。
【０１３３】
（第４実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｄの各チャンネルの素子列１Ｄ1 〜１１Ｄ16の内部構造を図１６に示す。なお、図１６は、第１ｃｈの素子列１１Ｄ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｄの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１３４】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｄ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 及び各フォトダイオード１７Ｄ1 〜１７Ｄ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｄ1 〜１７Ｄ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１３５】
そして本構成によれば、各セグメントのシンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 の製造条件（例えば蛍光体の粉を固める際の温度、圧力や時間等，また、セラミックシンチレータの場合においては、焼結条件）を当該シンチレータ１６Ｄ1 ，１６Ｄ2 ，１６Ｄ3 ，１６Ｄ4 毎に変えている。
【０１３６】
上述した各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 の製造条件の変化により、当該シンチレータ１６Ｄ1 ，１６Ｄ2 ，１６Ｄ3 ，１６Ｄ4 それぞれの透明度（透過度）を可変的に設定することができる。したがって、製造条件をパラメータとして、対応するフォトダイオード１７Ｄ1 〜１７Ｄ4 の各セグメント毎の出力信号の感度分布が均一化するように、当該各シンチレータ１６Ｄ1 ，１６Ｄ2 ，１６Ｄ3 ，１６Ｄ4 の透過度を定めることにより、第１〜第３実施形態と同様にシンチレータのスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１３７】
なお、本構成では、各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 の透過度を変えて感度分布の均一化を図ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば各シンチレータ１６Ｄ1 〜１６Ｄ4 自体の発光効率をセグメントサイズ（スライス厚の長さ）毎に変えることにより、シンチレータのスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消することもできる。上述したシンチレータの発光効率を変える手段として、例えばシンチレータの材料の蛍光体の成分を変えることにより発光感度を変える手段等がある。
【０１３８】
（第５実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｅの各チャンネルの素子列１Ｅ1 〜１１Ｅ16の内部構造を図１７に示す。なお、図１７は、第１ｃｈの素子列１１Ｄ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｄの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１３９】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｅ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 及び各フォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１４０】
そして本構成では、各セグメントのシンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 それぞれのＸ線入射面、ｃｈ．方向端面及びスライス厚方向端面に層状に設けられた光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD を各セグメントサイズ（スライス厚）毎に変化させている。
【０１４１】
すなわち、各光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD が変化すれば、各シンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 を介してフォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 に達する蛍光の入射効率が変化するため、フォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 の感度分布が変化することになる。したがって、当該光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD を、対応するフォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 の各セグメント毎の出力信号の感度分布が均一化するように設定することにより、第１〜第４実施形態と同様にシンチレータのスライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１４２】
なお、本構成では、各光反射材５５Ａ〜５５Ｄの反射率ｒA 〜ｒD を変えて感度分布の均一化を図ったが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反射材の材料自体を変えてもよく、また反射材の厚さを変えてもよい。また、各シンチレータ１６Ｅ1 〜１６Ｅ4 の表面自体を変えて（鏡面と散乱面等）、フォトダイオード１７Ｅ1 〜１７Ｅ4 に入射する蛍光の入射効率を制御してもよい。
【０１４３】
（第６実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｆの各チャンネルの素子列１Ｆ1 〜１１Ｆ16の内部構造を図１８に示す。なお、図１８は、第１ｃｈの素子列１１Ｆ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｆの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１４４】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｆ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 及び各フォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１４５】
そして、本構成では、隣接するセグメント間のセパレータの厚さを変えることにより、各シンチレータの大きさ（スライス方向の厚さ等のＸ線入射面積）を変化させて上述した各実施形態と同様に検出感度の均一化を図っている。
【０１４６】
すなわち、基本セグメントの各ｓｅｇ間のセパレータ６０Ａの厚さをｗA 、基本セグメントのｓｅｇ１Ｆ1 と２mmセグメントのｓｅｇ２Ｆ2 との間のセパレータ６０Ｂの厚さをｗB 、２mmセグメントのｓｅｇ間のセパレータ６０Ｃの厚さをｗC 、２mmセグメントのｓｅｇ２Ｆ1 と４mmセグメントのｓｅｇ４Ｆ2 との間のセパレータ６０Ｄの厚さをｗD 、４mmセグメントのｓｅｇ間のセパレータ６０Ｅの厚さをｗE 、４mmセグメントのｓｅｇ４Ｆ1 と８mmセグメントのｓｅｇ８Ｆ2 との間のセパレータ６０Ｆの厚さをｗF 、８mmセグメントのｓｅｇ間のセパレータ６０Ｇの厚さをｗG 、８mmセグメントのｓｅｇ８Ｆ1 の端部のセパレータ６０Ｈの厚さをｗH とすると、その各セパレータ６０Ａ〜６０Ｈの厚さｗA 〜ｗH が変化すれば、シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 に対するＸ線入射効率が変化するため、当該シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 を介してフォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 により検出される信号の感度分布が変化することになる。
【０１４７】
したがって、各セパレータ６０Ａ〜６０Ｈの厚さｗA 〜ｗH を、対応するフォトダイオード１７Ｆ1 〜１７Ｆ4 の各セグメント毎の出力信号の感度分布が均一化するように設定することにより、第１〜第５実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１４８】
なお、本構成では、セグメント間（セグメント間で隣接するシンチレータ間）のセパレータの厚さを調整してシンチレータに入射するＸ線量を変化させることにより検出感度を均一化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば各シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 Ｘ線入射面のＸ線管球側に、Ｘ線透過率を変化可能なＸ線フィルタを設けて、当該各シンチレータ１６Ｆ1 〜１６Ｆ4 に対するＸ線入射量のみを当該Ｘ線透過率の可変制御により調整して検出感度を均一化させてもよい。
【０１４９】
（第７実施形態）
本実施形態の不均等ピッチを形成する主検出器１１Ｇの各チャンネルの素子列１Ｃ1 〜１１Ｃ16の内部構造を図１９に示す。なお、図１９は、第１ｃｈの素子列１１Ｇ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｇの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１５０】
本実施形態の第１ｃｈの検出素子列１１Ｇ1 において、各セグメント（基本セグメント〜４mmセグメント）の各シンチレータ１６Ｇ1 〜１６Ｇ4 及び各フォトダイオード１７Ｇ1 〜１７Ｇ4 は、第２実施形態と同様にそれぞれセグメントサイズに対応した不均等ピッチ構造となっている。また、本実施形態においても第１及び第２実施形態と同様に、スイッチ群２０を介してフォトダイオード１７Ｇ1 〜１７Ｇ4 から出力された不均等スライス厚の検出信号を束ねて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送ることができるように構成されている。
【０１５１】
そして本構成によれば、各セグメントとスイッチ群２０との間に当該各セグメントの各ｓｅｇの感度調整用のアンプ回路群７０を設けている。
【０１５２】
すなわち、基本セグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ１Ｇ1 〜ｓｅｇ１Ｇ8 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ａをそれぞれ設けている。同様に、２mmセグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ２Ｇ1 〜ｓｅｇ２Ｇ4 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ｂをそれぞれ設けている。そして、４mmセグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ４Ｇ1 〜ｓｅｇ４Ｇ4 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ｃをそれぞれ設けており、さらに、８mmセグメントの各ｓｅｇ（ｓｅｇ８Ｇ1 〜ｓｅｇ８Ｇ4 ）とこの各ｓｅｇに接続されるスイッチ群２０との間に感度調整用のアンプ７０Ｄをそれぞれ設けている。
【０１５３】
このように構成すれば、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）毎に対応するアンプ７０Ａ〜７０Ｄを調整して、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎の出力信号の感度分布を調整することができる。また、各セグメント毎ではなく各素子毎（すなわち、各ｓｅｇ毎）に当該各ｓｅｇの検出感度を可変制御することも可能であり、この場合では、同一セグメントの各素子毎の感度ばらつきまで補正することができる。この場合、ｓｅｇ単独の感度分布により感度制御するだけではなく、被検体Ｐを透過したＸ線ビームの厚さ等のスキャン条件や、ＤＡＳ２１のスイッチの束ね方等によって制御することもできる。このように各セグメントの各ｓｅｇとスイッチ群との間に配設される感度調整アンプは様々なパラメータにより制御が可能であるが、どのような制御においても、基本的には、束ねて生成されたＸ線透過データの感度がＤＡＳ２１の各データ収集素子において均一になるように制御すればよい。
【０１５４】
以上述べたように本実施形態においても、各セグメント（基本セグメント，２mmセグメント，４mmセグメント，及び８mmセグメント）毎の出力信号の感度分布（あるいはスイッチ群２０で束ねられた後の出力信号（Ｘ線透過データ））の感度分布を均一化しているため、第１〜第６実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１５５】
ところで、第１〜第７実施形態においては、各チャンネルあたり１mm〜８mmのセグメントを合計２０セグメント配列した主検出器１１ａ、１１Ａ〜１１Ｇで得られたＸ線透過データを８スライス分のＤＡＳ２１で投影データとして収集する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１５６】
例えば、スイッチ群２０で束ねた後のスライス厚を基本スライスに対して２k 倍（１倍、２倍、４倍、８倍）と広げていくためには、ＤＡＳ２１は、各チャンネルの検出素子列あたり「４×ｎスライス分（ｎ：自然数）」のデータ収集素子数を備えることが望ましい。このときの主検出器１１の各検出素子列のセグメントは、中央に基本セグメントを４×ｎセグメント配列し、その外側に基本セグメントの２倍のサイズのセグメントを片側にｎセグメントずつ合計２×ｎセグメント配列し、さらにその外側にその２倍（基本セグメントの４倍）のサイズのセグメントを片側にｎセグメントずつ合計２×ｎセグメントずつ配列していく構成等が考えられる。
【０１５７】
（第８実施形態）
上述した各実施形態では、不均等スライス厚の検出信号を生成するために、主検出器（２次元検出器）の各ｃｈの素子列の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）を中央の素子から端部の素子に向けてピッチが広がるように不均等に形成しているが、本実施形態においては、主検出器（２次元検出器）の各ｃｈの素子列の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）を均等に形成した構成において、前述した不均等スライス厚の検出信号を生成する構成となっている。
【０１５８】
本構成の主検出器１１Ｈの内部構成を図２０に示す。なお、図２０は、第１ｃｈの素子列１１Ｈ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。また、主検出器１１Ｈの構成以外は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１５９】
主検出器１１Ｈの第１ｃｈの素子列１１Ｈ1 のスライス厚方向に配列された各ｓｅｇ（基本スライス厚の検出信号生成用の基本セグメント（ｓｅｇ１Ｈ1 〜ｓｅｇ１Ｈ8 ）、２mmスライス厚の検出信号生成用の２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｈ1 〜ｓｅｇ２Ｈ4 ）、４mmスライス厚の検出信号生成用の４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｈ1 〜ｓｅｇ４Ｈ4 ）、８mmスライス厚生成用の８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｈ1 〜ｓｅｇ８Ｈ4 ））は、いずれも基本セグメントのスライス厚（最小スライス厚：１mm）に対応する均等のスライス厚を有する素子として構成されている。
【０１６０】
すなわち、ｓｅｇ１Ｈ1 〜ｓｅｇ１Ｈ8 のシンチレータ８０Ｈ１のスライス厚（スライスピッチ）及びこのシンチレータ８０Ｈ１の蛍光出力面側に接合されるフォトダイオード８１Ｈ１のアクティブエリアは、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に形成されており、その他のｓｅｇ２Ｈ1 〜ｓｅｇ２Ｈ4 のシンチレータ８０Ｈ２のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｈ２のアクティブエリア，ｓｅｇ４Ｈ1 〜ｓｅｇ４Ｈ4 のシンチレータ８０Ｈ３のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｈ３のアクティブエリア，及びｓｅｇ８Ｈ1 〜ｓｅｇ８Ｈ4 のシンチレータ８０Ｈ４のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｈ４のアクティブエリアも、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に形成されている。
【０１６１】
そして、本構成によれば、第１ｃｈの素子列１１Ｈ1 は、各フォトダイオード８１Ｈ１〜８１Ｈ４のアクティブエリアにより検出された均等スライス厚（１ｍｍ）の検出データを束ねて不均等スライス厚の検出信号としてスイッチ群２０に送るためのデータ束ね用配線部８２を有している。
【０１６２】
すなわち、基本セグメント（ｓｅｇ１Ｈ1 〜ｓｅｇ１Ｈ8 ）の各フォトダイオード８１Ｈ１のアクティブエリアは、それぞれ配線８２Ａを介してスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ１の検出信号は、配線８２Ａを介して１mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるように構成されている。
【０１６３】
また、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｈ1 〜ｓｅｇ２Ｈ4 ）の内、例えばｓｅｇ２Ｈ1 のフォトダイオード８１Ｈ２A1（図では８１A1と略記する）及び８１Ｈ２A2（図では８１A2と略記する）のアクティブエリアは、配線８２Ｂを介して束ねられてスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ２A1及び８２Ｈ２A2の検出信号は、前記束ねにより２mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるようになっている。なお、他の２mmセグメントも同様に構成されている。
【０１６４】
さらに、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｈ1 〜ｓｅｇ４Ｈ4 ）の内、例えばｓｅｇ４Ｈ1 のフォトダイオード８１Ｈ３A1（図では８１B1と略記する）〜８１Ｈ３A4（図では８１B4と略記する）のアクティブエリアは、それぞれ配線８２Ｃを介して束ねられてスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ３A1〜８１Ｈ３A4の検出信号は、前記束ねにより４mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるようになっている。なお、他の４mmセグメントも同様に構成されている。
【０１６５】
そして、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｈ1 〜ｓｅｇ８Ｈ4 ）の内、例えばｓｅｇ８Ｈ1 のフォトダイオード８１Ｈ４A1（図では８１C1と略記する）〜８１Ｈ４A8（図では８１C8と略記する）のアクティブエリアは、それぞれ配線８２Ｃを介して束ねられてスイッチ群２０に接続されており、そのフォトダイオード８１Ｈ４A1〜８１Ｈ４A8の検出信号は、前記束ねにより８mmスライス厚の検出信号として当該スイッチ群２０に送られるようになっている。なお、他の８mmセグメントも同様に構成されている。
【０１６６】
本構成によれば、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して出力された基本セグメントのスライス厚に対応する均等スライス厚の検出信号は、データ束ね用配線部８２を介して各セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号としてスイッチ群２０に送られ、当該スイッチ群２０を介してさらに束ねられて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送られるようになっている。
【０１６７】
すなわち、本構成によれば、同一サイズ（基本セグメントと同一のスライス厚）のシンチレータ８０Ｈ1 〜８０Ｈ4 ，基本セグメントと同一スライス厚のアクティブエリアを有するフォトダイオード８１Ｈ1 〜８１Ｈ4 ，及びデータ束ね用配線部８２を介して入射Ｘ線を不均等スライス厚の検出信号に変換して出力することができる。したがって、各セグメント（シンチレータ、フォトダイオードのアクティブエリア）のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力することができ、この結果、第１〜第７実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１６８】
（第９実施形態）
本実施形態も第８実施形態の構成と同様に、主検出器（２次元検出器）の各ｃｈの素子列の各素子のｓｅｇ方向のスライス厚（スライスピッチ）を均等に形成した構成において、前述した不均等スライス厚の検出信号を生成する構成となっている。
【０１６９】
本構成の主検出器１１Ｉの内部構成を図２１に示す。なお、図２１は、第１ｃｈの素子列１１Ｉ1 における図面向かって右側半分の素子列について代表して示しており、その他の素子列についても同等の構造となっている。
【０１７０】
主検出器１１Ｉ1 のスライス厚方向に配列された各ｓｅｇ（基本セグメント（ｓｅｇ１Ｉ1 〜ｓｅｇ１Ｉ8 ）、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｉ1 〜ｓｅｇ２Ｉ4 ）、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｉ1 〜ｓｅｇ４Ｉ4 ）、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｉ1 〜ｓｅｇ８Ｉ4 ））は、第８実施形態と同様に、いずれも基本セグメントのスライス厚（最小スライス厚：１mm）に対応する均等のスライス厚を有する素子として構成されている。
【０１７１】
すなわち、ｓｅｇ１Ｉ1 〜ｓｅｇ１Ｉ8 のシンチレータ８０Ｉ１のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ１のアクティブエリア，ｓｅｇ２Ｉ1 〜ｓｅｇ２Ｉ4 のシンチレータ８０Ｉ２のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ２のアクティブエリア，ｓｅｇ４Ｉ1 〜ｓｅｇ４Ｉ4 のシンチレータ８０Ｉ３のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ３のアクティブエリア，及びｓｅｇ８Ｉ1 〜ｓｅｇ８Ｉ4 のシンチレータ８０Ｉ４のスライス厚及びフォトダイオード８１Ｉ４のアクティブエリアは、全て基本セグメントのスライス厚（１mm）に形成されている。
【０１７２】
そして本構成によれば、各フォトダイオード８１Ｉ１〜８１Ｉ４のアクティブエリアにより検出された均等スライス厚（１ｍｍ）の検出データを束ねて不均等スライス厚の検出信号としてスイッチ群（第１のスイッチ群）２０Ａに送るための第２のスイッチ群８５を設けている。
【０１７３】
すなわち、基本セグメント（ｓｅｇ１Ｉ1 〜ｓｅｇ１Ｉ8 ）の各フォトダイオード８１Ｉ１から出力された検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して１mmスライス厚の検出信号Ｓ１として当該第１のスイッチ群２０Ａに送られるように構成されている。
【０１７４】
また、２mmセグメント（ｓｅｇ２Ｉ1 〜ｓｅｇ２Ｉ4 ）の内、例えばｓｅｇ２Ｉ1 のフォトダイオード８１Ｉ２，８１Ｉ２から出力された検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して束ねられて２mmスライス厚の検出信号Ｓ２として第１のスイッチ群２０Ａに送られるようになっている。なお、他の２mmセグメントも同様に構成されている。
【０１７５】
さらに、４mmセグメント（ｓｅｇ４Ｉ1 〜ｓｅｇ４Ｉ4 ）の内、例えばｓｅｇ４Ｉ1 の４個のフォトダイオード８１Ｉ３…８１Ｉ３から出力された検出信号は、それぞれ第２のスイッチ群８５を介して束ねられて４mmスライス厚の検出信号Ｓ４として第１のスイッチ群２０Ａに送られるようになっている。なお、他の４mmセグメントも同様に構成されている。
【０１７６】
そして、８mmセグメント（ｓｅｇ８Ｉ1 〜ｓｅｇ８Ｉ4 ）の内、例えばｓｅｇ８Ｉ1 の８個のフォトダイオード８１Ｉ４…８１Ｉ４から出力された検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して束ねられて８mmスライス厚の検出信号Ｓ８として第１のスイッチ群２０Ａに送られるようになっている。なお、他の８mmセグメントも同様に構成されている。
【０１７７】
本構成によれば、各セグメント（基本セグメント、２mmセグメント、４mmセグメント、８mmセグメント）を介して出力された基本セグメントのスライス厚に対応する均等スライス厚の検出信号は、第２のスイッチ群８５を介して束ねられて各セグメントのスライス厚に対応する不均等スライス厚の検出信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ４，Ｓ８として第１のスイッチ群２０Ａに送られ、当該第１のスイッチ群２０Ａを介してさらに束ねられて複数スライスのＸ線透過データとしてＤＡＳ２１に送られるようになっている。なお、主検出器１１Ｈ及び第２のスイッチ群８５以外の構成は第１実施形態と略同様の構成であるため、その説明は省略する。
【０１７８】
すなわち、本構成によれば、同一サイズ（基本セグメントと同一のスライス厚）のシンチレータ８０Ｉ1 〜８０Ｉ4 ，基本セグメントと同一スライス厚のアクティブエリアを有するフォトダイオード８１Ｉ1 〜８１Ｉ4 ，及び第２のスイッチ群８５を介して入射Ｘ線を不均等スライス厚の検出信号に変換して出力することができる。したがって、各セグメント（シンチレータ、フォトダイオードのアクティブエリア）のスライス厚を同一サイズに保ちながら不均等スライス厚の検出信号を出力することができる。この結果、第１〜第８実施形態と同様に、スライス厚の長さの差異によって生じた感度分布のばらつきを解消し、その感度分布のばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。
【０１７９】
なお、本構成では、主検出器１１ＩとＤＡＳ２１に対するデータ出力用の第１のスイッチ群２０Ａとの間に第２のスイッチ群８５を設けているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図２２に示すように、第１のスイッチ群２０と第２のスイッチ群８５をまとめた新たなスイッチ群９０を設けてもよい。
【０１８０】
ところで、第８及び第９実施形態では、各チャンネルあたり合計２０セグメント配列した主検出器１１Ｉで得られたＸ線透過データを８スライス分のＤＡＳ２１で投影データとして収集する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１８１】
例えば、スイッチ群２０（第１のスイッチ群２０Ａ、スイッチ群９０）で束ねた後のスライス厚を基本スライスに対して２k 倍（１倍、２倍、４倍、８倍）と広げていくためには、ＤＡＳ２１は、各チャンネルの検出素子列あたり「４×ｎスライス分（ｎ：自然数）」のデータ収集素子数を備えることが望ましい。このときの主検出器１１の各検出素子列のセグメントは、中央に基本セグメントを４×ｎセグメント，その外側に基本セグメントと同一のスライス厚の２mmセグメントを片側に２×ｎセグメントずつ合計４×ｎセグメント配列し、さらにその外側に基本セグメントと同一のスライス厚の４mmセグメントを片側に４×ｎセグメントずつ合計８×ｎセグメント配列していく構成等が考えられる。
【０１８２】
なお、上述した各実施形態では、主検出器１１として、シンチレータ及びフォトダイオード等の光センサ（光電変換器）を有するシンチレーション検出器を用いていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ｘ線が入射されて当該Ｘ線を光信号や直接電気信号に変換する検出器であって、当該検出器の各検出素子の検出感度が例えば当該検出素子のスライス厚方向の長さの違い等の原因でばらついているよう検出器であればよい。
【０１８３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明のＸ線ＣＴスキャナによれば、感度調整された複数の不均等スライス厚の検出信号の内の一部を所望のスライス条件に応じて束ねて（選択して）前記スライス方向に対応するデータ収集素子の内の所定のデータ収集素子に出力することができる。すなわち、前記複数の不均等スライス厚の検出信号を自在に選択して当該データ収集素子に出力することにより、撮影領域をワイド化することも可能であるし、高分解能化することも可能である。そして、本発明によれば、上述した撮影領域のワイド化及び高分解能化を共に実現しながら、且つその両方の実現に必要な複数の不均等スライス厚の検出信号を束ねる際に発生する感度ばらつきを補正することができるため、当該感度ばらつきに起因したアーチファクトを抑制することができる。この結果、Ｘ線ＣＴスキャナの撮像Ｘ線画像（高分解能ＣＴ画像、ワイドな撮像範囲のＣＴ画像）の画質を高めることができ、当該ＣＴスキャナの診断性能を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係わるＸ線ＣＴスキャナの概略構成を示すブロック図。
【図２】主検出器（２次元検出器）の構成を示す図。
【図３】最小スライス厚が１mm、全体のセグメント数が２０個の場合の検出器列の構成を示す図。
【図４】主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図５】主検出器、スイッチ群、データ収集装置の概略構成を示す斜視図。
【図６】８スライス分のＤＡＳでデータ収集する際のスイッチ群の構成の一例を示す図。
【図７】同一ピッチで８スライスのデータを収集する際のデータの束ね方を示すものであり、（Ａ）は１mm×８スライス、（Ｂ）は２mm×８スライスを示す図。
【図８】同一ピッチで８スライスのデータを収集する際のデータの束ね方を示すものであり、（Ａ）は４mm×８スライス、（Ｂ）は８mm×８スライスを示す図。
【図９】不均等なスライス厚で構成された検出器の素子列の構成を示す図。
【図１０】（Ａ）は図９に示した素子列の各セグメントの感度分布を示す図、（Ｂ）は各セグメント毎の平均感度を示す図。
【図１１】図９に示した素子列を束ねて１６mm−ｓｌｉｃｅのデータを生成した場合を示す概念図。
【図１２】（Ａ）は、異なるスライス厚の検出信号を束ねて生成された１６mm−ｓｌｉｃｅのデータ感度分布と同一のスライス厚の検出信号を束ねて生成された１６mm−ｓｌｉｃｅのデータの感度分布とを示す図、（Ｂ）は、その束ねた感度分布の平均値を示す図。
【図１３】第２実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１４】第２実施形態の変形例に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１５】第３実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１６】第４実施形態に係わる変形例の主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１７】第５実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１８】第６実施形態に係わる変形例の主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図１９】第７実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図２０】第８実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造を示す図。
【図２１】第９実施形態に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造及びその素子列と第１のスイッチ群との間に設けられた第２のスイッチ群を示す図。
【図２２】第９実施形態の変形例に係わる主検出器の第１ｃｈの素子列の内部構造及びその第１ｃｈの素子列とＤＡＳとの間に設けられたスイッチ群を示す図。
【図２３】シンチレータエッジでの感度分布を示す図。
【符号の説明】
１ Ｘ線ＣＴスキャナ
２ 寝台
３ ガントリー
４ システム部
１０ Ｘ線管球
１１ 主検出器
１１ａ1、１１Ａ1〜１１Ｉ1 第１チャンネルの検出素子列
１２ ガントリー駆動部
１３ スリット
１４ ビームトリマ
１４ａ、１４ｂ Ｘ線遮蔽板
１５ 高電圧発生装置
１６ａ1，１６Ａ1〜１６Ｇ1 基本セグメントのシンチレータ
１６ａ2，１６Ａ2〜１６Ｇ2 ２ｍｍセグメントのシンチレータ
１６ａ3，１６Ａ3〜１６Ｇ3 ４ｍｍセグメントのシンチレータ
１６ａ4，１６Ａ4〜１６Ｇ4 ８ｍｍセグメントのシンチレータ
１７ａ1，１７Ａ1〜１７Ｇ1 基本セグメントのフォトダイオード（光センサ）
１７ａ2，１７Ａ2〜１７Ｇ2 ２ｍｍセグメントのフォトダイオード（光センサ）
１７ａ3，１７Ａ3〜１７Ｇ3 ４ｍｍセグメントのフォトダイオード（光センサ）
１７ａ4，１７Ａ4〜１７Ｇ4 ８ｍｍセグメントのフォトダイオード（光センサ）
２０ スイッチ群
２１ データ収集装置（ＤＡＳ）
２５ ホストコントローラ
２６ データ処理装置
２７ 記憶装置
２８ 再構成装置
２９ 表示装置
３０ 入力装置
３１ 補助記憶装置
４０Ａ〜４０Ｄ 光学フィルタ
４１Ａ〜４１Ｄ光透過部材
５０Ａ〜５０Ｄ アクティブエリア
５１ 光吸収材料
６０Ａ〜６０Ｈ セパレータ
７０ アンプ回路群
７０Ａ〜７０Ｄ アンプ
８０Ｈ1〜８０Ｈ4 シンチレータ
８１Ｈ1〜８１Ｈ4 フォトダイオード
８２ データ束ね用配線部
８２Ａ〜８２Ｄ 配線
８０Ｉ1〜８０Ｉ4 シンチレータ
８１Ｉ1〜８１Ｉ4 フォトダイオード
８５ 第２のスイッチ群
９０ スイッチ群
ｓｅｇ１ａ1〜ｓｅｇ１ａ8、ｓｅｇ２ａ1〜ｓｅｇ２ａ4、ｓｅｇ４ａ1〜ｓｅｇ４ａ4、ｓｅｇ８ａ1〜ｓｅｇ８ａ4 検出素子列１１ａ1（１１Ａ1〜１１Ｇ1）の各セグメント
ＤＡＳ−１ａ1〜ＤＡＳ−８ａ1 検出素子列１１ａ1に対応するデータ収集素子
Ｓ１１〜Ｓ20G スイッチ群２０の各スイッチ
Claims (1)
- 被検体を透過したＸ線を検出する検出器を備え、この検出器を用いて収集したデータに基づいて被検体のＸ線画像を再構成するＸ線ＣＴスキャナにおいて、
前記検出器は、
Ｘ線を吸収し、そのＸ線吸収によって発生した蛍光を出力するものであり、感度のバラツキが小さくなるようにスライス厚方向に沿って同一のスライス厚で構成されたシンチレータと、
前記蛍光を電気信号に変換するものであり、前記スライス厚方向及びチャンネル方向に沿って２次元的に配列され、スライス厚方向のスライス厚が不均等で、且つ、中央が最小のスライス厚を有するように構成された複数のＸ線検出素子とを有し、前記シンチレータは前記Ｘ線検出素子の最小スライス厚に対応したスライス厚を有することを特徴とするＸ線ＣＴスキャナ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28852896A JP3828967B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | Ｘ線ｃｔスキャナ |
| US08/960,594 US6215843B1 (en) | 1996-10-30 | 1997-10-30 | X-ray CT scanner using X-ray detector acquiring multi-slice data of unequal slice pitches |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28852896A JP3828967B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | Ｘ線ｃｔスキャナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10127617A JPH10127617A (ja) | 1998-05-19 |
| JP3828967B2 true JP3828967B2 (ja) | 2006-10-04 |
Family
ID=17731413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28852896A Expired - Fee Related JP3828967B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | Ｘ線ｃｔスキャナ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215843B1 (ja) |
| JP (1) | JP3828967B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6115448A (en) * | 1997-11-26 | 2000-09-05 | General Electric Company | Photodiode array for a scalable multislice scanning computed tomography system |
| JP2001187046A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-10 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | マルチスライスｘ線ｃｔ装置及びその制御方法 |
| US6535571B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Detector for an X-ray computed tomography apparatus |
| JP2001346790A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-18 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線検出器及びこれを用いたｘ線ｃｔ装置 |
| JP4564141B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| US6658082B2 (en) * | 2000-08-14 | 2003-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector, radiation detecting system and X-ray CT apparatus |
| JP3942142B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2007-07-11 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 放射線断層撮影装置およびその方法 |
| JP3847101B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2006-11-15 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｘ線ｃｔ装置及び方法 |
| US7340030B2 (en) * | 2003-02-20 | 2008-03-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Asymmetric cone beam |
| JP4041040B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2008-01-30 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 放射線断層撮影装置 |
| JP3999179B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-10-31 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 放射線断層撮影装置 |
| JP4056968B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2008-03-05 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｘ線ｃｔ装置および画像処理方法 |
| US7489516B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-02-10 | General Electric Company | Digital CT detector module methods and apparatus |
| JP5011482B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2012-08-29 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JP5013718B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 放射線画像取得装置及び方法 |
| US20090257553A1 (en) * | 2006-07-19 | 2009-10-15 | Hitachi Medical Corporation | X-ray ct apparatus and image noise reduction method |
| JP2009082250A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JP5481260B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| US8761333B2 (en) * | 2011-08-12 | 2014-06-24 | General Electric Company | Low resolution scintillating array for CT imaging and method of implementing same |
| EP2778662B1 (en) * | 2011-11-09 | 2015-09-23 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | X-ray inspection method and device |
| JP5920941B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2016-05-18 | 株式会社日立メディコ | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JP5963217B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-03 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| JP6109560B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2017-04-05 | 東芝メディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線コンピュータ断層撮影装置 |
| US9689996B2 (en) * | 2013-04-05 | 2017-06-27 | General Electric Company | Integrated diode DAS detector |
| US9076563B2 (en) * | 2013-06-03 | 2015-07-07 | Zhengrong Ying | Anti-scatter collimators for detector systems of multi-slice X-ray computed tomography systems |
| JP6342175B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-06-13 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線ｃｔ装置 |
| EP3241041B1 (en) * | 2014-12-30 | 2020-06-17 | General Electric Company | X-ray detector assembly |
| JP6691783B2 (ja) * | 2016-01-20 | 2020-05-13 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線検出器及びｘ線ｃｔ装置 |
| EP3559704B1 (en) | 2016-12-21 | 2020-09-30 | Koninklijke Philips N.V. | Protection of a gamma radiation detector |
| CN110473285B (zh) * | 2019-07-30 | 2024-03-01 | 上海联影智能医疗科技有限公司 | 图像重构方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965726A (en) * | 1988-10-20 | 1990-10-23 | Picker International, Inc. | CT scanner with segmented detector array |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP28852896A patent/JP3828967B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-30 US US08/960,594 patent/US6215843B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6215843B1 (en) | 2001-04-10 |
| JPH10127617A (ja) | 1998-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3828967B2 (ja) | Ｘ線ｃｔスキャナ | |
| US6396898B1 (en) | Radiation detector and x-ray CT apparatus | |
| JP3987676B2 (ja) | Ｘ線計測装置 | |
| JP5260854B2 (ja) | 多数の電荷蓄積素子を有するｃｔ検出器フォトダイオード | |
| JP6043474B2 (ja) | タイル構成可能な多面検出器を備える容積測定計算機式断層写真法システム | |
| US9076563B2 (en) | Anti-scatter collimators for detector systems of multi-slice X-ray computed tomography systems | |
| JP3763611B2 (ja) | Ｘ線ｃｔスキャナ | |
| JP2001242253A (ja) | 放射線検出器およびｘ線ｃｔ装置 | |
| JP2002528728A (ja) | コンピュータトモグラフ検出器 | |
| US9285327B2 (en) | Adjustable photon detection systems for multi-slice X-ray computed tomography systems | |
| JP2001215281A (ja) | Ｘ線ｃｔ用二次元検出器 | |
| JP4564141B2 (ja) | Ｘ線ｃｔ装置 | |
| EP2981987B1 (en) | Integrated diode das detector | |
| JP5172103B2 (ja) | Ｘ線コンピュータ断層撮影装置、ｘ線コンピュータ断層撮影装置用コリメータ、及びその製造方法 | |
| JP3527381B2 (ja) | Ｘ線ｃｔ装置 | |
| JP2000093418A (ja) | Ｘ線検出装置およびｘ線イメージング装置 | |
| JP4508305B2 (ja) | 断層撮影システム及びそれ用のシンチレータ | |
| JP2005204810A (ja) | Ｘ線画像撮影装置 | |
| US20040227092A1 (en) | Collimator assembly for computed tomography system | |
| US6993110B2 (en) | Collimator for imaging systems and methods for making same | |
| JP3774518B2 (ja) | Ｘ線ｃｔスキャナ | |
| US8003950B2 (en) | Radiation detector, X-ray CT apparatus, and method for manufacturing radiation detector | |
| WO2014065412A1 (ja) | Ｘ線コンピュータ断層撮影装置、ｘ線検出装置およびｘ線検出モジュール | |
| JP2009189801A (ja) | 放射線検出器、ｘ線ｃｔ装置、および放射線検出器の製造方法 | |
| JP3667372B2 (ja) | 医用画像処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060110 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060502 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060526 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060704 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060710 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130714 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |