JP4429291B2 - ヨードガリウムフタロシアニン化合物の製造方法 - Google Patents
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X線管球:Cu
管電圧:50kV
管電流:300mA
スキャン方法:2θ/θスキャン
スキャン速度:2deg./min
サンプリング間隔:0.020deg.
スタート角度(2θ):5deg.
ストップ角度(2θ):40deg.
ダイバージェンススリット:0.5deg.
スキャッタリングスリット:0.5deg.
レシービングスリット:0.3mm
湾曲モノクロメター使用。
フタロニトリル28部、三ヨウ化ガリウム25部、α−クロロナフタレン150部を窒素雰囲気下、200℃にて4時間加熱攪拌したのち、130℃まで冷却しろ別した。固形分を130℃のN,N−ジメチルホルムアミド200部を用いて2時間攪拌下洗浄後ろ別し、ろ過器上でメタノールで洗浄し、乾燥し27部得た。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(a)であった。
C H N I
計算値(%) 54.20 2.27 15.80 17.90
実測値(%) 54.20 2.21 15.96 17.4
実施例1で得られた結晶5部を自動乳鉢(日陶科学製、ANM−150、磁製乳棒及び磁性乳鉢使用、回転数は乳棒が100rpm、乳鉢が乳棒と逆回転で6rpm)で3時間処理した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例1で得られた結晶5部を実施例2で用いた自動乳鉢で9時間処理した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(e)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、シクロヘキサノン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、アセトニトリル10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、酢酸ブチル10部、1mφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、エチレングリコール10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、モノクロロベンゼン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、テトラヒドロフラン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、メチルエチルケトン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、メタノール10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、N,N−ジメチルホルムアミド10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(c)であった。
実施例2で得られた結晶0.3部、N,N−ジエチルアニリン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(d)であった。
実施例1で得られた結晶3部、1mmφのガラスビーズ120部をペイントシェーカーで24時間分散した後、水超音波処理によりヨードガリウムフタロシアニンをろ別、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(e)であった。
実施例1で得られた結晶3部、1mmφのガラスビーズ120部をペイントシェーカーで72時間分散した後、水超音波処理によりヨードガリウムフタロシアニンをろ別、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(e)であった。
実施例14で得られた結晶0.3部、テトラヒドロフラン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
C H N
計算値(%) 54.20 2.27 15.80
実測値(%) 56.04 2.29 16.05
実施例14で得られた結晶0.3部、クロロホルム10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例14で得られた結晶0.3部、メタノール10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例15で得られた結晶0.3部、メタノール10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例14で得られた結晶0.3部、N,N−ジメチルアニリン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで3時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(d)であった。
実施例14で得られた結晶0.3部、N,N−ジメチルホルムアミド10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(c)であった。
C H N
計算値(%) 54.20 2.27 15.80
実測値(%) 54.34 2.63 15.01
実施例15で得られた結晶0.3部、N,N−ジメチルホルムアミド10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(c)であった。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン(X線回折図は図25)0.3部、1N−ヨウ化水素酸水溶液10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はアモルファスヨードガリウムフタロシアニンであった。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン(X線回折図は図25)0.3部、2N−ヨウ化水素酸水溶液10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はアモルファスヨードガリウムフタロシアニンであった。
実施例23で得られた結晶0.3部、テトラヒドロフラン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
C H N
計算値(%) 54.20 2.27 15.80
実測値(%) 54.41 2.58 18.92
実施例24で得られた結晶0.3部、テトラヒドロフラン10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(b)であった。
実施例23で得られた結晶0.3部、N,N−ジメチルホルムアミド10部、1mmφのガラスビーズ10部をペイントシェーカーで24時間分散した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(c)であった。
実施例23で得られた結晶3部を水100部で攪拌処理した後、ろ別、メタノール洗浄後、乾燥した。得られた結晶はヨードガリウムフタロシアニン(e)であった。
C H N
計算値(%) 54.20 2.27 15.80
実測値(%) 54.70 2.55 15.47
アルミニウム基板上にメトキシメチル化ナイロン樹脂(重量平均分子量32,000)5gとアルコール可溶性共重合ナイロン重量(重量平均分子量29,000)10gをメタノール95gに溶解した液をマイヤバーで塗布し、乾燥後の膜厚が1μmの下引き層を形成した。
表1に示す実施例の顔料を用いた他は、実施例29と同様にして、実施例30〜39の電子写真感光体を作成した。
電荷発生材料としてε型銅フタロシアニンを用いた他は、実施例29と同様にして、電子写真感光体を作成した。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン(X線回折図は図25)を用いた他は、実施例29と同様にして、電子写真感光体を作成した。
実施例32で作成した電子写真感光体を初期の暗部電位VDと明部電位VLをそれぞれ−700V、−150V付近に設定し、5千回繰り返し使用した際の暗部電位の変動量ΔVDと明部電位の変動量ΔVLを測定した。結果を表2に示す。なお、電位の変動量における負記号は、電位の絶対値の低下を表し、正記号は電位の絶対値の増加を表す。
比較例1で作成した電子写真感光体を実施例40におけると同様の方法で繰り返し使用時の電位変動量を測定した。結果を表2に示す。
アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアルミニウム面上に0.5μmの膜厚を有するポリビニルアルコールの下引き層を形成した。この上に実施例35におけると同じ分散液をマイヤーバーで塗布し、乾燥して、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成した。
ΔVD(V):0
ΔVL(V):−5
アルミニウム蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアルミニウム面上に0.5μmの膜厚を有するポリビニルアルコールの下引き層を形成した。この上に実施例38におけると同じ分散液をマイヤーバーで塗布し、乾燥して、膜厚0.2μmの電荷発生層を形成した。
ΔVD(V):0
ΔVL(V):+10
Claims (1)
- ヒドロキシガリウムフタロシアニンをヨウ化水素酸でミリング処理または攪拌処理するヨードガリウムフタロシアニンの製造方法。
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