JP4385052B2 - 有機薄膜形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法、この形成方法に用いる有機薄膜形成用補助剤及び有機薄膜形成用溶液に関する。
本願は、２００４年7月２２日に出願された特願２００４−２１４１７４号および２００４年１１月３０日に出願された特願２００４−３４７４３９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
従来から、ガラス、金属、プラスチックス、セラミックス等からなる基板の表面を目的に応じて改質することが様々な分野で行われている。例えば、ガラスやプラスチックスの表面に撥水性・撥油性を付与するために、含フッ素シラン系カップリング剤をコーティングするものが挙げられる。
基板表面を改質するためのコーティング膜の形成方法としては、例えば、特許文献１〜３に、耐剥離性、透明性が高く基板表面の光沢や基板の透明性を損なわない化学吸着膜の製造方法が開示されている。しかしながら、これらの文献に記載された化学吸着膜の製造方法は、クロロシラン系の界面活性剤と基板表面の活性水素との脱塩酸反応で被膜を形成するため、膜製造時に有害な塩酸ガスが発生するという問題があった。
アルコキシシラン系の界面活性剤の脱アルコール反応により、化学吸着膜を形成する方法も知られている。しかしながら、この方法は、脱アルコール反応の反応速度が遅く膜形成を簡便に行えないという問題があった。
また、脱アルコール触媒を使用することにより脱アルコール反応を促進させる方法が提案されているが、単に脱アルコール触媒を添加するだけでは、空気中の水分により界面活性剤が自ら架橋してしまい、基板表面の固液界面での反応が阻害されて、単分子の化学吸着膜を効率よく形成することが困難であった。
これらの問題を解決するために、特許文献４には、少なくともアルコキシシラン系界面活性剤、活性水素を含まない非水系溶媒及びシラノール縮合触媒を含む混合溶液を前記基板表面に接触させて、シロキサン結合を介して共有結合した化学吸着膜を形成する方法が提案されている。そこでは、シラノール縮合触媒として、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレート類から選ばれる少なくとも一つの物質が例示されている。
また、基板の表面に結晶性を有する化学吸着膜を形成する方法として、非特許文献１には、精製水を滴下したシリコンウェハー表面にシラン系界面活性剤の有機溶媒溶液を展開して結晶性単分子膜を形成する方法が知られている。
さらに、特許文献５、６には、酸触媒のもとに加水分解させたフルオロアルキル基含有シラン化合物の加水分解物の単量体又は重合体を用いて、単分子層からなる撥水性被膜を、シラノール基を経由して基板表面に固定する方法が知られている。
しかしながら、この方法は成膜に長時間を要し、また、シラノール縮合触媒等が溶液中に残存したまま成膜を行なうと、それらの触媒が吸着を阻害し、緻密な単分子膜が生成できないという問題があった。また、これらの方法では、用いることができる基板の種類に制限があり、非結晶性の基板上に結晶性化学吸着膜を形成することができなかった。
従って、特に電気デバイス等の設計における微細なパターニング等の分野においては、不純物の少ない緻密な単分子膜を迅速に形成する技術の開発が要望されていた。
特開平４−１３２６３７号公報 特開平４−２２１６３０号公報 特開平４−３６７７２１号公報 特開平８−３３７６５４号公報 特開平１１−２２８９４２号公報 特開平１１−３２２３６８号公報 Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，７４，１３９７−１４０１（２００１）
本発明はかかる実情に鑑みてなされたものであり、不純物が少ない緻密な単分子膜を迅速に形成できる有機薄膜形成方法、及びその形成方法に用いる有機薄膜形成用溶液を提供することを課題とする。
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。
請求項１に記載の本発明は、有機溶媒中で、下記式（Ｉ）で示される化合物である金属系界面活性剤（１）、
金属酸化物、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物、シラノール縮合触媒及び酸触媒からなる群から選ばれる少なくとも１種である化合物（成分Ｂ）、
を混合して得られる有機薄膜形成用補助剤と、
下記式（ＩＩＩ）で示される化合物である金属系界面活性剤（２）と、
から得られる有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程により、前記基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、水分含量が５０〜１０００ｐｐｍになるように調整するか又は保持した有機薄膜形成用溶液を用いることを特徴とする有機薄膜形成方法である。
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０のハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは水酸基、置換基を有していてもよい炭素数１〜6のアルコキシ基、置換基を有していても良いアシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アミノ基またはアミド基を表し、ｍはＭの原子価を表す。ｎは１から（ｍ−１）の正整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一でも相異なっていてもよい。）
（式中、Ｒ１１は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍ１は、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘ１は水酸基、置換基を有していてもよい炭素数１〜6のアルコキシ基、置換基を有していても良いアシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アミノ基またはアミド基を表し、ｍ１はＭ１の原子価を表す。ｎ１は１から（ｍ１−１）の正整数を表し、ｎ１が２以上のとき、Ｒ１１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ１−ｎ１）が２以上のとき、Ｘ１は同一でも相異なっていてもよい。）
請求項２に記載の本発明は、前記有機薄膜形成用補助剤が、有機溶媒中、前記金属系界面活性剤（１）、前記化合物（成分Ｂ）及び水を混合して得られることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項３に記載の本発明は、前記金属アルコキシド類又は金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の金属が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン及び鉛からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項４に記載の本発明は、前記有機薄膜形成用補助剤が、前記金属系界面活性剤（１）を、前記化合物（成分Ｂ）1モルに対して、０．５〜８．０モル含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項５に記載の本発明は、前記有機薄膜形成用補助剤が、前記金属系界面活性剤（１）を、前記化合物（成分Ｂ）１モルに対して、１．５〜３．０モル含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項６に記載の本発明は、前記Ｘおよび前記Ｘ１が、炭素数１〜４のアルコキシ基又はアシルオキシ基であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項７に記載の本発明は、前記有機薄膜形成用補助剤を、前記金属系界面活性剤（２）１モルに対して、前記有機薄膜形成用補助剤中の固形分が、酸化物換算モル数で０．００１〜１モルになる範囲で用いることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項８に記載の本発明は、前記有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程が、前記基板を前記有機薄膜形成用溶液中に浸漬させる工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項９に記載の本発明は、前記有機溶媒が、炭化水素系溶媒又はフッ化炭素系溶媒であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
請求項１０に記載の本発明は、前記金属系界面活性剤（１）および（２）の加水分解性生物である下記式（ＶＩ）で表される水酸基含有化合物を２０〜２０００ｐｐｍ含有することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法である。
（式中、Ｒ１００は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、置換基を有していても良いアシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アミノ基またはアミド基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１００は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）
請求項１１に記載の本発明は、前記Ｘが、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシル基又はアシルオキシ基であることを特徴とする請求項１０に記載の有機薄膜形成方法である。
かくして本発明の第１によれば、下記（１）〜（２３）いずれかの有機薄膜形成方法が提供される。
（１）有機溶媒中で、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤（１）、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物を混合して得られる有機薄膜形成用補助剤と、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤（２）とから得られる有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程により、前記基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、水分含量が所定量範囲内になるように調整するか又は保持した有機薄膜形成用溶液を用いることを特徴とする有機薄膜形成方法。
（２）前記有機薄膜形成用補助剤が、有機溶媒中、前記金属系界面活性剤（１）、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物及び水を混合して得られることを特徴とする（１）の有機薄膜形成方法。
（３）前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物が、金属アルコキシド類又は金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の少なくとも１種であることを特徴とする（１）又は（２）の有機薄膜形成方法。
（４）前記金属アルコキシド類又は金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の金属が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン及び鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする（３）の有機薄膜形成方法。
（５）前記有機薄膜形成用補助剤が、前記金属系界面活性剤（１）を、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物１モルに対して、０．５〜２．０モル含むことを特徴とする（１）〜（４）いずれかの有機薄膜形成方法。
（６）前記有機薄膜形成用補助剤が、前記金属系界面活性剤（１）を、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物１モルに対して、０．８〜１．５モル含むことを特徴とする（１）〜（４）いずれかの有機薄膜形成方法。
（７）前記金属系界面活性剤（１）が、式（Ｉ）
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０のハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは水酸基又は加水分解性基を表し、ｍはＭの原子価を表す。ｎは１から（ｍ−１）の正整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一でも相異なっていてもよい。）で示される化合物であることを特徴とする（１）〜（６）いずれかの有機薄膜形成方法。
（８）前記式（Ｉ）で示される化合物が、式（ＩＩ）
（式中、Ｍ、Ｘ及びｍは前記と同じ意味を表す。Ｒ２1〜Ｒ２３、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒ４は、アルキレン基、ビニレン基、エチニレン基、アリーレン基、又はケイ素原子及び／若しくは酸素原子を含む２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、含フッ素アルキル基又は含フッ素アルコキシ基を表す。ｐは０又は自然数を表し、ｑは０又は１を表す。ｐが２以上のとき、式：Ｃ（Ｒ３１）（Ｒ３２）で表される基は同一であっても異なっていてもよい。ｒは０又は１から（ｍ−２）の正整数を表し、ｒが２以上のとき、Ｙは同一でも相異なっていてもよく、（ｍ−ｒ−１）が２以上のとき、Ｘは同一でも相異なっていてもよい。但し、Ｙ及びＸのうち、少なくとも一個は水酸基又は加水分解性基である。）で示される化合物であることを特徴とする（７）の有機薄膜形成方法。
（９）前記金属系界面活性剤（２）が、式（ＩＩＩ）
（式中、Ｒ１1は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍ１は、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘ１は、水酸基又は加水分解性基を表し、ｍ１はＭの原子価を表す。ｎ１は１から（ｍ１−１）の正整数を表し、ｎ１が２以上のとき、Ｒ１1は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ１−ｎ１）が２以上のとき、Ｘ１は同一でも相異なっていてもよい。）で示される化合物であることを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載の有機薄膜形成方法。
（１０）前記式（ＩＩＩ）で示される化合物が、式（ＩＶ）
（式中、Ｍ１、Ｘ１及びｍ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ２０１〜Ｒ２０３、Ｒ３０１及びＲ３０２は、それぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒ４１は、アルキレン基、ビニレン基、エチニレン基、アリーレン基、又はケイ素原子及び／若しくは酸素原子を含む２価の連結基を表す。Ｙ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、含フッ素アルキル基又は含フッ素アルコキシ基を表す。ｐ１は０又は自然数を表し、ｑ１は０又は１を表し、ｐ１が２以上のとき、式：Ｃ（Ｒ３０１）（Ｒ３０２）で表される基は同一であっても相異なっていてもよい。ｒ１は０又は１から（ｍ１−２）の正整数を表し、ｒ１が２以上のとき、Ｙ１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ１−ｒ１−１）が２以上のとき、Ｘ１は同一でも相異なっていてもよい。但し、Ｙ１及びＸ１のうち、少なくとも一個は水酸基又は加水分解性基である。）で示される化合物であることを特徴とする（９）の有機薄膜形成方法。
（１１）前記有機薄膜が、光照射前において撥水性であり、かつ撥油性であることを特徴とする（１）〜（１０）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１２）前記有機薄膜が、光照射前における水の接触角が８０°以上であり、かつ、トルエンの接触角が２０°以上の有機薄膜であることを特徴とする（１）〜（１１）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１３）前記加水分解性基が、炭素数１〜４のアルコキシ基又はアシルオキシ基であることを特徴とする（１）〜（１２）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１４）前記有機薄膜形成用補助剤を、前記金属系界面活性剤（２）１モルに対して、前記有機薄膜形成用補助剤中の固形分が、酸化物換算モル数で０．００１〜１モルになる範囲で用いることを特徴とする（１）〜（１３）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１５）前記有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程が、前記基板を前記有機薄膜形成用溶液中に浸漬させる工程であることを特徴とする（１）〜（１４）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１６）前記有機薄膜形成用溶液に接触して水層を設けることによるか、保水性物質に水分を含ませた状態で共存させておくことによるか、又は水分を含む気体を吹き込むことにより行うことにより、前記有機薄膜形成用溶液の水分含量が所定量範囲内になるように調整するか又は保持することを特徴とする（１）〜（１５）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１７）前記有機薄膜形成用溶液の水分含量が、５０〜１０００ｐｐｍであることを特徴とする（１）〜（１６）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１８）前記有機溶媒が、炭化水素系溶媒又はフッ化炭素系溶媒であることを特徴とする（１）〜（１７）いずれかの有機薄膜形成方法。
（１９）前記基板として、表面に活性水素を有する基板を用いることを特徴とする（１）〜（１８）いずれかの有機薄膜形成方法。
（２０）前記基板として、金属、セラミックス、ガラス及びプラスチックからなる群から選ばれる少なくとも一種から構成されたものを用いることを特徴とする（１）〜（１９）いずれかの有機薄膜形成方法。
（２１）化学吸着膜である有機薄膜を形成することを特徴とする（１）〜（２０）いずれかの有機薄膜形成方法。
（２２）自己集合膜である有機薄膜を形成することを特徴とする（１）〜（２０）いずれかの有機薄膜形成方法。
（２３）単分子膜である有機薄膜を形成することを特徴とする（１）〜（２２）いずれかの有機薄膜形成方法。
本発明の第２によれば、以下の（２４）〜（３５）いずれかの有機薄膜形成用補助剤が提供される。
（２４）有機溶媒中で、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤（１）、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物を混合して得られることを特徴とする有機薄膜形成用補助剤。
（２５）前記金属系界面活性剤（１）を、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物１モルに対して、０．５〜２．０モル用いることを特徴とする（２４）の有機薄膜形成用補助剤。
（２６）前記金属系界面活性剤（１）を、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物１モルに対して、０．８〜１．５モル用いることを特徴とする（２４）の有機薄膜形成用補助剤。
（２７）前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物が、金属アルコキシド類又は金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の少なくとも１種であることを特徴とする（２４）〜（２６）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（２８）前記金属アルコキシド類又は金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の金属が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン及び鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする（２４）〜（２７）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（２９）前記金属系界面活性剤（１）が、式（Ｉ）
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０のハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは、水酸基又は加水分解性基を表し、ｍはＭの原子価を表す。ｎは１から（ｍ−１）の正整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一でも相異なっていてもよい。）で示される化合物であることを特徴とする（２４）〜（２８）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（３０）前記式（Ｉ）で示される化合物が、式（ＩＩ）
（式中、Ｍ、Ｘ及びｍは前記と同じ意味を表す。Ｒ２1〜Ｒ２３、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒ４は、アルキレン基、ビニレン基、エチニレン基、アリーレン基、又はケイ素原子及び／若しくは酸素原子を含む２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、含フッ素アルキル基又は含フッ素アルコキシ基を表す。ｐは０又は自然数を表し、ｑは０又は１を表す。ｐが２以上のとき、式：Ｃ（Ｒ３１）（Ｒ３２）で表される基は同一であっても異なっていてもよい。ｒは０又は１から（ｍ−２）の正整数を表し、ｒが２以上のとき、Ｙは同一でも相異なっていてもよく、（ｍ−ｒ−１）が２以上のとき、Ｘは同一でも相異なっていてもよい。但し、Ｙ及びＸのうち、少なくとも一個は水酸基又は加水分解性基である。）で示される化合物であることを特徴とする（２９）の有機薄膜形成用補助剤。
（３１）前記加水分解性基が、炭素数１〜４のアルコキシ基又はアシルオキシ基であることを特徴とする（２４）〜（３０）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（３２）前記有機溶媒が、炭化水素系溶媒又はフッ化炭素系溶媒であることを特徴とする（２４）〜（３１）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（３３）有機薄膜が、化学吸着膜であることを特徴とする（２４）〜（３２）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（３４）有機薄膜が、自己集合膜であることを特徴とする（２４）〜（３２）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
（３５）有機薄膜が、単分子膜であることを特徴とする（２４）〜（３４）いずれかの有機薄膜形成用補助剤。
本発明の第３によれば、前記（２４）〜（３５）いずれかに記載の有機薄膜形成用補助剤と、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤（２）とを混合して得られる溶液であって、前記溶液中の水分量を所定量範囲内に調整するか又は保持することにより調製したものであることを特徴とする有機薄膜形成用溶液が提供される。
かくして本発明の第４によれば、次の(３６)〜（６３）の有機薄膜形成方法が提供される。
（３６）少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤と前記界面活性剤と相互作用し得る触媒とを混合して得られる有機溶媒溶液を基板と接触させることにより、前記基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、前記有機溶媒溶液が、水分を所定量含有するものであり、かつ、前記金属系界面活性剤の加水分解生成物である水酸基含有化合物を２０〜２０００ｐｐｍ含有するものであることを特徴とする有機薄膜形成方法。
（３７）前記少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属界面活性剤が、式（Ｖ）
（式中、Ｒ100は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは加水分解性基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ100は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）で表される化合物であることを特徴とする（３６）の有機薄膜形成方法。
（３８）前記Ｘの加水分解性基が、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシル基又はアシルオキシ基であることを特徴とする（３７）の有機薄膜形成方法。
（３９）前記水酸基含有化合物が、式（ＶＩ）
（式中、Ｒ100は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは加水分解性基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ100は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）で表される化合物であることを特徴とする（３６）〜（３８）いずれかの有機薄膜形成方法。
（４０）式（ＶＩ）
（式中、Ｒ100は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは加水分解性基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ100は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）で表される水酸基含有化合物を２０〜２０００ｐｐｍ含有する有機溶媒溶液を基板と接触させることにより、該基板表面に有機薄膜を形成することを特徴とする有機薄膜形成方法。
（４１）前記Ｍが、ケイ素原子であること特徴とする（３７）〜（４０）いずれかの有機薄膜形成方法。
（４２）前記有機溶媒溶液の水分含有量が５０〜１０００ｐｐｍの範囲であることを特徴とする（３６）〜（４１）いずれかの有機薄膜形成方法。
（４３）前記金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒が、金属酸化物、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類部分加水分解生成物、シラノール縮合触媒及び酸触媒からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする（３６）〜（４２）いずれかの有機薄膜形成方法。
（４４）前記金属アルコキシド類部分加水分解生成物が、有機溶媒中、酸、塩基及び／又は分散安定化剤の非存在下、凝集せずに安定に分散している性質を有するものであることを特徴とする（４３）の有機薄膜形成方法。
（４５）前記金属アルコキシド類部分加水分解生成物が、有機溶媒中、金属アルコキシド類に対し０．５〜２．０倍モル未満の水を用い、−１００℃から前記有機溶媒の還流温度範囲で加水分解して得られた生成物であることを特徴とする（４３）又は（４４）の有機薄膜形成方法。
（４６）前記金属酸化物、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類部分加水分解生成物中の金属が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン及び鉛からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とする（４３）〜（４５）いずれかの有機薄膜形成方法。
（４７）基板を前記有機溶媒溶液中に浸漬させる工程（Ａ）を有することを特徴とする（３６）〜（４６）いずれかの有機薄膜形成方法。
（４８）前記工程（Ａ）の後、前記基板を洗浄する工程（Ｂ）を有することを特徴とする（４７）の有機薄膜形成方法。
（４９）前記工程（Ａ）の後、前記基板を加熱する工程（Ｃ）を有することを特徴とする（４７）の有機薄膜形成方法。
（５０）前記工程（Ａ）の後、前記工程（Ｃ）の前に、前記基板を洗浄する工程（Ｂ）をさらに有することを特徴とする（４９）の有機薄膜形成方法。
（５１）前記有機溶媒溶液に含まれる水分含有量を所定範囲内に保持しながら、同一溶液を用いて、２枚以上の基板と接触させることを繰り返すことを特徴とする（３６）〜（５０）いずれかの有機薄膜連形成方法。
（５２）前記有機溶媒溶液中の水分量を５０〜１０００ｐｐｍの範囲に保持することを特徴とする（５１）の有機薄膜形成方法。
（５３）前記有機溶媒溶液の層と接する水層を設けることにより、前記有機溶媒溶液の水分量を所定範囲にする又は保持することを特徴とする（５１）又は（５２）の有機薄膜形成方法。
（５４）前記有機溶媒溶液中に、保水性物質を水分を含ませた状態で共存させておくことにより、前記有機溶媒溶液の水分量を所定範囲にする、又は保持することを特徴とする（５１）又は（５２）の有機薄膜形成方法。
（５５）前記保水性物質が、ガラス繊維フィルター又はセルロース製フィルターであることを特徴とする（５４）の有機薄膜形成方法。
（５６）前記有機溶媒溶液中に、水分を含む気体を吹き込むことにより、前記有機溶媒溶液中の水分量を所定範囲にする、又は保持することを特徴とする（５１）又は（５２）の有機薄膜形成方法。
（５７）前記有機溶媒溶液が、炭化水素系溶媒溶液であることを特徴とする（３６）〜（５６）いずれかの有機薄膜形成方法。
（５８）結晶性の有機薄膜を形成することを特徴とする（３６）〜（５７）いずれかの有機薄膜形成方法。
（５９）単分子膜である有機薄膜を形成することを特徴とする（３６）〜（５８）いずれかの有機薄膜形成方法。
（６０）化学吸着膜である有機薄膜を形成することを特徴とする（３６）〜（５９）いずれかの有機薄膜形成方法。
（６１）自己集合膜である有機薄膜を形成することを特徴とする（３６）〜（６０）いずれかの有機薄膜形成方法。
（６２）前記基板として、表面に活性水素を含む基板を用いることを特徴とする（３６）〜（６１）いずれかの有機薄膜形成方法。
（６３）前記基板として、ガラス、シリコンウェハー、セラミックス、金属及びプラスチックから選ばれる少なくとも一つから構成されたものを用いることを特徴とする（３６）〜（６２）いずれかの有機薄膜形成方法。
本発明の第５によれば、下記（６４）〜（６９）の有機薄膜形成用溶液が提供される。
（６４）少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤と該界面活性剤と相互作用し得る触媒とを混合して得られる有機溶媒溶液であって、水分を所定量含有するものであり、かつ、前記金属系界面活性剤の加水分解生成物である水酸基含有化合物を２０〜２０００ｐｐｍ含有するものであることを特徴とする有機薄膜形成用溶液。
（６５）前記少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属界面活性剤が、式（Ｖ）
（式中、Ｒ100は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは加水分解性基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ100は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）で表される化合物であることを特徴とする（６４）の有機薄膜形成用溶液。
（６６）前記Ｘの加水分解性基が、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシル基又はアシルオキシ基であることを特徴とする（６５）の有機薄膜形成用溶液。
（６７）前記水酸基含有化合物が、式（ＶＩ）
（式中、Ｒ100は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは加水分解性基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ100は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）で表される化合物であることを特徴とする（６５）又は（６６）いずれかの有機薄膜形成用溶液。
（６８）前記Ｍが、ケイ素原子であること特徴とする（６５）〜（６７）いずれかの有機薄膜形成方法。
（６９）前記（３６）〜（６３）いずれかの有機薄膜形成方法に用いられるものである（６４）〜（６８）いずれかの有機薄膜形成用溶液。
本発明の有機薄膜形成方法によれば、種々の材質からなる基板上に、不純物が少ない緻密な単分子膜（有機薄膜）を迅速に形成することができる。
本発明の有機薄膜形成方法によれば、緻密で均質な有機薄膜を、同一溶液を用いて２回以上繰り返し形成することができる。
本発明の有機薄膜形成方法は、電化製品、自動車、産業機器、鏡、眼鏡レンズ等の耐熱性、耐候性、耐摩耗性超薄膜コーティングを必要とする機器の、電気デバイス用等の設計パターンの形成に好適に適用できる。
本発明の有機薄膜形成用補助剤を使用することにより、種々の材質からなる基板上に、不純物が少ない緻密な単分子膜（有機薄膜）を迅速に形成することができる。
本発明の有機薄膜形成用溶液は、本発明の有機薄膜形成方法に好適に用いることができる。本発明の有機薄膜形成用溶液によれば、不純物の少ない緻密な自己組織化単分子膜や、基板の材質、基板の結晶性の有無にかかわらず、密着性に優れ、単分子で均質な膜であり、非結晶性の基板上においても、高い結晶性を有する化学吸着膜を形成することができる。
標品１のＨＰＬＣによる分離曲線を示す図である。 有機薄膜形成用溶液ＳＢ−１のＨＰＬＣによる分離曲線を示す図である。 実施例２６、２８、２９の有機薄膜の薄膜Ｘ線結晶回折図である。 有機薄膜形成用溶液ＳＢ−１、及びＯＤＳのトルエン溶液をそれぞれ密封して室温で保存した保存液中のＯＤＳ残存量（縦軸）と時間経過（横軸）との関係を示す図である。 有機薄膜形成用溶液ＳＢ−１、及びＯＤＳのトルエン溶液をそれぞれ密封して室温で保存した保存液中のシラノール生成量（縦軸）と時間経過（横軸）との関係を示す図である。 有機薄膜形成用溶液ＳＢ−１、及びＯＤＳのトルエン溶液をそれぞれ密封して室温で保存した保存液を使用して有機薄膜を形成し、得られた有機薄膜の水及びＴＤに対する接触角（°）（縦軸）と、保存液の時間経過（横軸）との関係を示す図である。
以下、本発明を詳細に説明する。
（有機薄膜形成方法）
本発明の有機薄膜形成方法は、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤（１）と、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物を混合して得られる有機薄膜形成用補助剤に、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤（２）を添加して得られる有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程により、前記基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、水分含量が所定量範囲内になるように調整するか又は保持した有機薄膜形成用溶液を用いることを特徴とする。
（１）金属系界面活性剤（１）及び金属系界面活性剤（２）
本発明に用いる金属系界面活性剤（１）及び金属系界面活性剤（２）は、加水分解可能な官能基を１以上有し、分子内に、親水性部位と疎水性部位とを有するものであれば特に制限されない。
前記金属系界面活性剤（１）としては、前記式（Ｉ）で示される化合物の１種又は２種以上を、前記金属系界面活性剤（２）としては、前記式（ＩＩＩ）で示される化合物の１種又は２種以上を用いるのが好ましい。
前記式（Ｉ）中、Ｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０のハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表す。また、前記式（ＩＩＩ）中、Ｒ1１は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表す。
前記Ｒ1の置換基を有していてもよい炭化水素基の炭化水素基としては、ｎ−デシル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１０〜３０のアルキル基；ｎ−デシニル基、ｎ−オクタデシニル基等の炭素数１０〜３０のアルケニル基；１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素数１０〜３０アリール基；等が挙げられる。
Ｒ１１の置換基を有していてもよい炭化水素基の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、イソへキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜３０のアルキル基；ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等の炭素数２〜３０のアルケニル基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；等が挙げられる。
前記Ｒ1の置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１０〜３０のハロゲン化アルキル基、炭素数１０〜３０のハロゲン化アルケニル基、炭素数１０〜３０のハロゲン化アリール基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１０〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がハロゲン原子に置換された基が好ましく、炭素数１０〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されたフッ素化アルキル基がより好ましい。
前記Ｒ１１の置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、炭素数２〜３０のハロゲン化アルケニル基、ハロゲン化アリール基等が挙げられる。具体的には、上記例示した炭化水素基中の水素原子の１個以上がフッ素原子、塩素原子又は臭素原子等のハロゲン原子に置換された基が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がハロゲン原子に置換された基が好ましく、炭素数１〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されたフッ素化アルキル基がより好ましい。また、フッ素化アルキル基が分岐構造を有する場合には、分岐部分は炭素数１〜４、好ましくは炭素数１〜２の短鎖であるのが好ましい。
前記Ｒ１及びＲ１１のフッ素化アルキル基としては、末端炭素原子にフッ素原子が１個以上結合した基が好ましく、末端炭素原子にフッ素原子が３個結合したＣＦ3基部分を有する基がより好ましく、末端部分に、アルキル基の全ての水素原子がフッ素原子に置換されたペルフルオロアルキル部分を有し、かつ後述する金属原子Ｍとの間に、−（ＣＨ2）h−（式中、ｈは１〜２９の整数を表す。）で表されるアルキレン基を有する基が特に好ましい。
フッ素化アルキル基中のフッ素原子数は、［（フッ素化アルキル基中のフッ素原子数）／（フッ素化アルキル基に対応する同一炭素数のアルキル基中に存在する水素原子数）×１００］％で表現したときに、６０％以上であるのが好ましく、８０％以上であるのがより好ましい。
前記Ｒ１及びＲ１１の置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基の置換基としては、カルボキシル基；アミド基；イミド基；エステル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；又は水酸基等が挙げられる。これらの置換基の数は０〜３であるのが好ましい。
前記Ｒ１及びＲ１１の連結基を含む炭化水素基の炭化水素基としては、具体的には、前記置換基を有していてもよい炭化水素基の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
また、前記Ｒ１及びＲ１１の連結基を含むハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、具体的には、前記置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
前記連結基は、炭化水素基若しくはハロゲン化炭化水素基の炭素−炭素結合間、又は炭化水素基の炭素と後述する金属原子Ｍとの間に存在するのが好ましい。
連結基の具体例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ５1−（式中、Ｒ５1は、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基；を表す。）等が挙げられる。
これらの中でも、Ｒ1、Ｒ1１としては、撥水性、耐久性の観点から、Ｒ1は、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０〜３０のフッ素化アルキル基、又は連結基を含むフッ素化アルキル基であるのが、Ｒ1１は、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素化アルキル基、又は連結基を含むフッ素化アルキル基であるのがそれぞれ好ましい。
Ｒ1、Ｒ1１のより好ましい具体例としては、次のものが挙げられる。但し、次に掲げるもののうち、炭素数が１０未満の、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基は、Ｒ１から除かれる。
すなわち、ＣＨ３−、ＣＨ３ＣＨ２−、（ＣＨ３）２ＣＨ−、（ＣＨ３）３Ｃ−、ＣＨ３（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＨ２）４−、ＣＨ３（ＣＨ２）５−、ＣＨ３（ＣＨ２）６−、ＣＨ３（ＣＨ２）７−、ＣＨ３（ＣＨ２）８−、ＣＨ３（ＣＨ２）９−、ＣＨ３（ＣＨ２）１０−、ＣＨ３（ＣＨ２）１１−、ＣＨ３（ＣＨ２）１２−、ＣＨ３（ＣＨ２）１３−、ＣＨ３（ＣＨ２）１４−、ＣＨ３（ＣＨ２）１５−、ＣＨ３（ＣＨ２）１６−、ＣＨ３（ＣＨ２）１７−、ＣＨ３（ＣＨ２）１８−、ＣＨ３（ＣＨ２）１９−、ＣＨ３（ＣＨ２）２０−、ＣＨ３（ＣＨ２）２１−、ＣＨ３（ＣＨ２）２２−、ＣＨ３（ＣＨ２）２３−、ＣＨ３（ＣＨ２）２４−、ＣＨ３（ＣＨ２）２５−、
ＣＦ３−、ＣＦ３ＣＦ２−、（ＣＦ３）２ＣＦ−、（ＣＦ３）３Ｃ−、ＣＦ３（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３−、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３−、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３−、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３−、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２−、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３−、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３−、
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）１１（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）１２（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）１１（ＣＨ２）３−、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２−、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２−、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２−、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３−、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３−、ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３−、等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Ｍ及びＭ１は、それぞれ独立して、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子、及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる１種の原子を表す。これらの中でも、原料の入手容易性、反応性等の観点から、Ｍ及びＭ１が共にケイ素原子であるのが特に好ましい。
Ｘ及びＸ１は、それぞれ独立して、水酸基又は加水分解性基を表す。加水分解性基としては、水と反応して分解する基であれば特に制約されない。例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基；置換基を有していてもよいアシルオキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；イソシアネート基；シアノ基；アミノ基；又はアミド基等が挙げられる。
炭素数１〜６のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等が挙げられる。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。これらの置換基としては、カルボキシル基、アミド基、イミド基、エステル基、水酸基等が挙げられる。これらの中でも、Ｘ及びＸ１としては、水酸基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、又はイソシアネート基が好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基又はアシルオキシ基がより好ましい。
ｎは、１から（ｍ−１）いずれかの整数を表し、ｎ１は、１から（ｍ１−１）いずれかの整数を表す。高密度の有機薄膜を製造する上では、ｎ及びｎ１は１であるのが好ましい。
ｍは金属原子Ｍの原子価を表し、ｍ１は金属原子Ｍ１の原子価を表す。
ｎが２以上のとき、Ｒ１は同一であっても相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一であっても相異なっていてもよい。また、ｎ１が２以上のとき、Ｒ１1は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ１−ｎ１）が２以上のとき、Ｘ１は同一でも相異なっていてもよい。
本発明において、前記式（Ｉ）で示される化合物としては前記式（ＩＩ）で示される化合物がより好ましく、前記式（ＩＩＩ）で示される化合物としては前記式（ＩＶ）で示される化合物がより好ましい。
式（ＩＩ）又は式（ＩＶ）中、Ｍ、Ｘ、ｍ、Ｍ１、Ｘ１及びｍ１は前記と同じ意味を表す。
Ｒ２１〜Ｒ２３、Ｒ２０１〜Ｒ２０３、Ｒ３1、Ｒ３２、Ｒ３０１、Ｒ３０２は、それぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。
Ｒ４、Ｒ4１は、それぞれ独立してアルキレン基、ビニレン基、エチニレン基、アリーレン基、又は、ケイ素原子及び／若しくは酸素原子を含む２価の連結基を表す。
Ｒ４、Ｒ４1の具体例を下記に示す。
（式中、ａ及びｂは任意の自然数を表す。）
前記式（ＩＩ）、（ＩＶ）中、Ｙ及びＹ１は、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、イソへキシル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等のアルコキシ基；アルキル基の一部又はすべての水素原子がフッ素原子に置換された含フッ素アルキル基；又はアルコキシ基の一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子に置換された含フッ素アルコキシ基；等を表す。
ｒは、０又は１から（ｍ−２）いずれかの正整数を表し、ｒ１は、０又は１から（ｍ１−２）いずれかの正整数を表すが、高密度の有機薄膜を製造する上では、ｒ及びｒ１は０が好ましい。
ｒが２以上のとき、Ｙは同一であっても相異なっていてもよく、（ｍ−ｒ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても相異なっていてもよい。また、ｒ１が２以上のとき、Ｙ１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ１−ｒ１−１）が２以上のとき、Ｘ１は同一でも相異なっていてもよい。但し、Ｙ及びＸのうち、少なくとも一個は水酸基又は加水分解性基であり、Ｙ１及びＸ１のうち、少なくとも一個は水酸基又は加水分解性基である。
ｐ及びｐ１は０又は自然数を表し、ｑ及びｑ１は０又は１を表す。ｐが２以上のとき、式：Ｃ（Ｒ３１）（Ｒ３２）で表される基は同一であっても相異なっていてもよく、ｐ１が２以上のとき、式：Ｃ（Ｒ３０１）（Ｒ３０２）で表される基は同一であっても相異なっていてもよい。
式（Ｉ）、式（ＩＩＩ）で示される化合物の具体例としては、下記に示すものが挙げられる。但し、これらのうち、式（Ｉ）で示される化合物からは、Ｒ１に相当する部分が炭素数１０未満の、炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基である化合物が除かれる。
以下においては金属原子がケイ素原子である化合物を代表例としているが、本発明はこれらに限定されるものではない。
すなわち、ＣＨ３（ＣＨ２）５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）２１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）１７ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）９ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ２ＣＨ３）２、ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣＨ２ＣＨ３）、ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣＨ３）、
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７−（ＣＨ＝ＣＨ）３−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣ２Ｈ５）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣＨ３）、
ＣＦ３（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３
、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＨ３（ＣＨ２）７ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ２、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３、
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３ＳｉＣｌ３、
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）１（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２、
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）、
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＨ）、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）４０（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３、
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２、ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）、等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、これらの化合物は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
（２）少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤
本発明に用いる少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤は、式（Ｖ）で示される化合物である。

本発明に用いる少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤は、少なくとも一つの加水分解可能な官能基と疎水性基とを同一分子内に有するものであれば、特に制限されないが、基板表面上の活性水素と反応して結合を形成することができる加水分解性基を有するものが好ましい。具体的には、前記式（Ｖ）で表される化合物を好ましく例示することができる。
前記式（Ｖ）中、Ｒ１００は置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表す。
前記置換基を有していてもよい炭化水素基の炭化水素基としては、前記Ｒ１またはＲ１１に記載の置換基が挙げられる。
前記置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、炭素数２〜３０のハロゲン化アルケニル基、ハロゲン化アリール基等が挙げられる。具体的には、上記例示した炭化水素基中の水素原子の１個以上がフッ素原子、塩素原子又は臭素原子等のハロゲン原子に置換された基が挙げられる。
これらの中でも、前記ハロゲン化炭化水素基としては、炭素数１〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がハロゲン原子に置換された基が好ましく、炭素数１〜３０のアルキル基中の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されたフッ素化アルキル基がより好ましい。また、フッ素化アルキル基が分岐構造を有する場合には、分岐部分は炭素数１〜４、好ましくは炭素数１〜２の短鎖であるのが好ましい。
フッ素化アルキル基、フッ素化アルキル基中のフッ素原子数、前記置換基を有していてもよい炭化水素基又は置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基の置換基、連結基を含む炭化水素基の炭化水素基、連結基を含むハロゲン化炭化水素基のハロゲン化炭化水素基としては、前記Ｒ１またはＲ１１に記載のものが挙げられる。
また、前記連結基としては、炭化水素基若しくはハロゲン化炭化水素基の炭素−炭素結合間、又は炭化水素基の炭素と後述する金属原子Ｍとの間に存在するのが好ましい。
連結基の具体例としては、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ２１−（式中、Ｒ２１は、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等のアルキル基；を表す。）等が挙げられる。
これらの中でも、Ｒ１００としては、撥水性、耐久性の観点から、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素化アルキル基、又は連結基を含むフッ素化アルキル基であるのが好ましい。
Ｒ１００のより好ましい具体例としては、前記Ｒ１またはＲ１１として記載のものが挙げられる。
Ｍは、前記記載の金属原子が挙げられる。
また、Ｘは加水分解性基を表す。加水分解性基としては、水と反応して分解して水酸基を生成する基であれば特に制約されない。例えば、前記記載の置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシル基；置換基を有していてもよいアシルオキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；イソシアネート基；シアノ基；アミノ基；又はアミド基等が挙げられる。
炭素数１〜６のアルコキシル基としては、前記記載のメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等が挙げられる。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。これらの置換基としては、カルボキシル基、アミド基、イミド基、エステル基、水酸基等が挙げられる。
これらの中でも、Ｘとしては、炭素数１〜６のアルコキシル基、アシルオキシ基又はイソシアネート基が好ましく、炭素数１〜４のアルコキシル基又はアシルオキシ基がより好ましい。
ｍは、金属原子Ｍの原子価を表す。
ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表す。高密度の有機薄膜を形成する上では、ｎは１であるのが好ましい。
ｎが２以上のとき、Ｒ100は同一であっても、相異なっていてもよい。
また、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。
本発明においては、前記式（Ｖ）で表される化合物の中でも、下記（ｉ）〜（ｖ）で表される化合物を好ましく例示することができ、（ｉ）で表される化合物が特に好ましい。
（ｉ）ＣＦ３−（ＣＦ２）ｐ−Ｒ２ ｑ−ＭＹｒＸｍ−ｒ
（ii）ＣＨ３−（ＣＨ２）ｇ−ＭＹｒＸｍ−ｒ−１
（iii）ＣＨ３−（ＣＨ２）ｓ−Ｏ−（ＣＨ２）ｔ−ＭＹｒＸｍ−ｒ−１
（iv）ＣＨ３−（ＣＨ２）ｕ−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）ｖ−ＭＹｒＸｍ−ｒ−１
（ｖ）ＣＦ３ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｗ−ＭＹｒＸｍ−ｒ−１
上記式（ｉ）〜（ｖ）中、Ｍ、Ｘ及びｍは前記と同じ意味を表す。
Ｒ２は、アルキレン基、ビニレン基、エチニレン基、アリーレン基、又はケイ素原子及び／若しくは酸素原子を含む２価の連結基を表す。
Ｒ２の具体例としては、前記Ｒ４、Ｒ４１と同じものが挙げられる。
Ｙは、前記記載の水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−へキシル基、イソへキシル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等のアルコキシル基；アルキル基の一部又はすべての水素原子がフッ素原子に置換された含フッ素アルキル基；又はアルコキシル基の一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子に置換された含フッ素アルコキシル基；等を表す。
ｒは、０から（ｍ−２）のいずれかの整数を表すが、高密度の有機薄膜を製造する上では、０が好ましい。また、ｒが２以上のとき、Ｙは同一であっても相異なっていてもよく、（ｍ−ｒ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても相異なっていてもよい。
ｐは０又は自然数を表し、ｑは０又は１を表す。
ｇ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、及びｗは、任意の整数を表す。特に好ましい範囲は、ｇは１〜２５、ｓは０〜１２、ｔは１〜２０、ｕは０〜１２、ｖは１〜２０、ｗは１〜２５である。
前記式（Ｖ）で表される化合物の具体例としては、下記に示すものが挙げられる。
以下においては、金属原子Ｍがケイ素原子である化合物を代表例として示しているが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、加水分解性基についても、例示した官能基に限定されず他の加水分解性基が結合したものであってもよい。
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）８Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１０Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１８Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）８Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１０Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１８Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣ２Ｈ５）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＣＨ３）
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
これらの化合物は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
前記有機溶媒溶液中の金属系界面活性剤の含有量は、特に制限はないが、緻密な単分子膜を製造するためには、０．１〜３０重量％の範囲が好ましい。
（３）金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物
本発明に用いる金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物としては、金属系界面活性剤（１）の金属部分又は加水分解性基部分と配位結合や水素結合等を介して相互作用をすることにより、加水分解性基又は水酸基を活性化させ、縮合を促進させる作用を有する化合物であれば、特に制限されない。
本発明においては、前記化合物として、金属酸化物、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物、シラノール縮合触媒及び酸触媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が好ましく、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の少なくとも１種を用いるのがより好ましい。
金属アルコキシド類としては、特に限定されないが、透明性に優れる有機薄膜を得ることができること等の理由から、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン及び鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属のアルコキシド類が好ましい。
金属アルコキシド類のアルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、含有酸化物濃度、有機物の脱離容易性、入手容易性等から、炭素数１〜４のものがより好ましい。
本発明に用いる金属アルコキシド類の具体例としては、Ｓｉ（ＯＣＨ３）４、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９−ｔ）４等のケイ素アルコキシド；Ｔｉ（ＯＣＨ３）４、Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｔｉ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）４、Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４等のチタンアルコキシド；Ｔｉ［ＯＳｉ（ＣＨ３）３］４、Ｔｉ［ＯＳｉ（Ｃ２Ｈ５）３］４等のテトラキストリアルキルシロキシチタン；Ｚｒ（ＯＣＨ３）４、Ｚｒ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｚｒ（ＯＣ４Ｈ９）４等のジルコニウムアルコキシド；Ａｌ（ＯＣＨ３）４、Ａｌ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ａｌ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）４、Ａｌ（ＯＣ４Ｈ９）３等のアルミニウムアルコキシド；Ｇｅ（ＯＣ２Ｈ５）４等のゲルマニウムアルコキシド；Ｉｎ（ＯＣＨ３）３、Ｉｎ（ＯＣ２Ｈ５）３、Ｉｎ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）３、Ｉｎ（ＯＣ４Ｈ９）３等のインジウムアルコキシド；Ｓｎ（ＯＣＨ３）４、Ｓｎ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｎ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）４、Ｓｎ（ＯＣ４Ｈ９）４等のスズアルコキシド；Ｔａ（ＯＣＨ３）５、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５、Ｔａ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）５、Ｔａ（ＯＣ４Ｈ９）５等のタンタルアルコキシド；Ｗ（ＯＣＨ３）６、Ｗ（ＯＣ２Ｈ５）６、Ｗ（ＯＣ３Ｈ７−ｉ）６、Ｗ（ＯＣ４Ｈ９）６等のタングステンアルコキシド；Ｚｎ（ＯＣ２Ｈ５）２等の亜鉛アルコキシド；Ｐｂ（ＯＣ４Ｈ９）４等の鉛アルコキシド；等が挙げられる。これらの金属アルコキシド類は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また本発明においては、金属アルコキシド類として、２種以上の金属アルコキシド類の反応により得られる複合アルコキシド、１種もしくは２種以上の金属アルコキシド類と、１種もしくは２種以上の金属塩との反応により得られる複合アルコキシド、及びこれらの組み合わせを用いることもできる。
２種以上の金属アルコキシド類の反応により得られる複合アルコキシドとしては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のアルコキシドと、遷移金属のアルコキシドとの反応により得られる複合アルコキシドや、第３Ｂ族元素の組合せにより錯塩の形で得られる複合アルコキシド等を例示することができる。
その具体例としては、ＢａＴｉ（ＯＲ）６、ＳｒＴｉ（ＯＲ）６、ＢａＺｒ（ＯＲ）６、ＳｒＺｒ（ＯＲ）６、ＬｉＮｂ（ＯＲ）６、ＬｉＴａ（ＯＲ）６、及び、これらの組合せ、ＬｉＶＯ（ＯＲ）４、ＭｇＡｌ２（ＯＲ）８、（ＲＯ）３ＳｉＯＡｌ（ＯＲ’）２、（ＲＯ）３ＳｉＯＴｉ（ＯＲ’）３、（ＲＯ）３ＳｉＯＺｒ（ＯＲ’）３、（ＲＯ）３ＳｉＯＢ（ＯＲ’）２、（ＲＯ）３ＳｉＯＮｂ（ＯＲ’）４、（ＲＯ）３ＳｉＯＴａ（ＯＲ’）４等のケイ素アルコキシドと、前記金属アルコキシド類との反応物及びその縮重合物等が挙げられる。ここで、Ｒ及びＲ’はアルキル基等を表す。
１種もしくは２種以上の金属アルコキシド類と１種もしくは２種以上の金属塩との反応により得られる複合アルコキシドとしては、金属塩と金属アルコキシド類との反応により得られる化合物を例示することができる。
金属塩としては、塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩等を、金属アルコキシド類としては、上述した金属アルコキシド類と同様のものをそれぞれ例示することができる。
金属アルコキシド類の部分加水分解生成物は、金属アルコキシド類を完全に加水分解する前に得られるものであって、オリゴマーの状態で存在する。
金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の製造方法としては、有機溶媒中、上記例示した金属アルコキシド類に対し０．５〜２．０倍モル未満の水を用い、−１００℃から有機溶媒還流温度範囲で加水分解する方法を好ましく例示することができる。
具体的には、
（ｉ）有機溶媒中、金属アルコキシド類に対し０．５〜１．０倍モル未満の水を添加する方法、
（ii）有機溶媒中、加水分解が開始する温度以下、好ましくは０℃以下、より好ましくは−２０〜−１００℃の範囲で、金属アルコキシド類に対し１．０〜２．０倍モル未満の水を添加する方法、
（iii）有機溶媒中、水の添加速度を制御する方法や、水に水溶性溶媒を添加して水濃度を低下させた水溶液を使用する方法等により、加水分解速度を制御しながら、金属アルコキシド類に対し０．５〜２．０倍モル未満の水を室温で添加する方法、等を例示することができる。
上記（ｉ）の方法においては、任意の温度で所定量の水を添加した後、加水分解を開始する温度以下、好ましくは−２０℃以下で、水をさらに追加して反応を行うこともできる。
金属アルコキシド類と水との反応は、有機溶媒を用いずに直接金属アルコキシド類と水を混合することにより行うこともできるが、有機溶媒中で行うのが好ましい。具体的には、金属アルコキシド類の有機溶媒溶液に有機溶媒で希釈した水を添加する方法；水が懸濁又は溶解した有機溶媒中に、金属アルコキシド類、又はその有機溶媒溶液を添加する方法；のいずれの方法でも行うことができるが、前者の水を後から添加する方法が好ましい。
有機溶媒中の金属アルコキシド類の濃度は、急激な発熱を抑制し、撹拌が可能な流動性を有する範囲であれば特に限定されないが、通常、５〜３０重量％の範囲である。
上記（ｉ）の方法における金属アルコキシド類と水との反応温度は特に制限されず、通常、−１００〜＋１００℃の範囲、好ましくは、−２０℃から用いる有機溶媒又は加水分解によって脱離してくるアルコールの沸点までの温度範囲である。
上記（ii）の方法における水の添加温度は、金属アルコキシド類の安定性に依存するものであり、加水分解開始温度以下、又は０℃以下の温度であれば特に限定されないが、金属アルコキシド類の種類によっては、金属アルコキシド類への水の添加を−５０℃〜−１００℃の温度範囲で行うことが好ましい。また、低温で水を添加し、一定時間熟成した後、室温から用いた溶媒の還流温度で加水分解し、さらに脱水縮合反応を行うこともできる。
上記（iii）の方法における金属アルコキシド類と水との反応は、特殊な冷却装置を用いなくても冷却可能な温度範囲、例えば、０℃から室温の範囲で、水の添加速度を制御する等の温度以外の方法により加水分解速度を制御することにより行うことができる。一定時間熟成した後、室温から用いる溶媒の還流温度で加水分解し、さらに脱水縮合反応を行うこともできる。
用いる有機溶媒としては、その有機溶媒中で、金属アルコキシド類の加水分解生成物が、分散質となって分散できるものであるのが好ましく、金属系界面活性剤を水で処理する反応を低温で行うことができることから、水の溶解度が大きく、低温で凝固しない溶媒がより好ましい。
用いる有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；メチルポリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタンシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン等のシリコーン（特開平９−２０８４３８号公報等）等；が挙げられる。
これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を混合して用いることができる。
混合溶媒として用いる場合には、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒と、メタノール、エタノール、イソプロパノ−ル、ｔ−ブタノール等の低級アルコール溶媒系の組み合わせが好ましい。この場合の低級アルコール系溶媒としては、イソプロパノ−ル、ｔ−ブタノール等の２級以上のアルコール系溶媒がより好ましい。混合溶媒の混合比は特に制限されないが、炭化水素系溶媒と低級アルコール系溶媒を、体積比で、９９／１〜５０／５０の範囲で用いるのが好ましい。
用いる水は、中性であれば特に制限されないが、不純物が少なく、緻密な有機薄膜を得る観点から、純水、蒸留水又はイオン交換水を用いるのが好ましい。
水の使用量は、前記金属アルコキシド類１モルに対し、０．５〜２．０倍モル未満である。
また、金属アルコキシド類の水による部分加水分解反応においては、酸、塩基又は分散安定化剤を添加してもよい。酸及び塩基は、凝結してできた沈殿を再び分散させる解膠剤として、また、金属アルコキシド類を加水分解、脱水縮合させてコロイド粒子等の分散質を製造するための触媒として、及び生成した分散質の分散剤として機能するものであれば特に制限されない。
用いる酸としては、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の鉱酸；酢酸、ギ酸、シュウ酸、炭酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート等の光照射によって酸を発生する光酸発生剤；が挙げられる。
用いる塩基としては、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、アンモニア、ジメチルホルムアミド、ホスフィン等が挙げられる。
分散安定化剤は、分散質を分散媒中に安定に分散させる効力を有する剤であり、解膠剤、保護コロイド、界面活性剤等の凝結防止剤等が挙げられる。具体的には、グリコール酸、グルコン酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸等の多価カルボン酸；ヒドロキシカルボン酸；ピロ燐酸、トリポリ燐酸等の燐酸；アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸ｎ−プロピル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸ｓｅｃ−ブチル、アセト酢酸ｔ−ブチル、２，４−ヘキサン−ジオン、２，４−ヘプタン−ジオン、３，５−ヘプタン−ジオン、２，４−オクタン−ジオン、２，４−ノナン−ジオン、５−メチル−ヘキサンジオン等の金属原子に対して強いキレート能力を有する多座配位子化合物；スルパース３０００、９０００、１７０００、２００００、２４０００（以上、ゼネカ社製）、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１６１、−１６２、−１６３、−１６４（以上、ビックケミー社製）等の脂肪族アミン系、ハイドロステアリン酸系、ポリエステルアミン；ジメチルポリシロキサン・メチル（ポリシロキシアルキレン）シロキサン共重合体、トリメチルシロキシケイ酸、カルボキシ変性シリコーンオイル、アミン変性シリコーン等（特開平９−２０８４３８号公報、特開平２０００−５３４２１号公報等）のシリコーン化合物；等が例示される。
上記のようにして得られる部分加水分解生成物は、有機溶媒中、酸、塩基及び／又は分散安定化剤の非存在下、凝集せずに安定に分散している性質を有する分散質となっている。この場合、分散質とは、分散系中に分散している微細粒子のことをいい、具体的には、コロイド粒子等を例示することができる。
ここで、凝集せずに安定に分散している状態とは、有機溶媒中、酸、塩基及び／又は分散安定化剤の非存在下、加水分解生成物の分散質が、凝結して不均質に分離していない状態を表し、好ましくは透明で均質な状態を表す。
また透明とは、可視光における透過率が高い状態をいい、具体的には、分散質の濃度を酸化物換算で０．５重量％とし、石英セルの光路長を１ｃｍとし、対照試料を有機溶媒とし、光の波長を５５０ｎｍとする条件で測定した分光透過率で表して、好ましくは８０〜１００％の透過率を表す状態をいう。
部分加水分解生成物の分散質の粒子径は特に限定されないが、可視光における高い透過率を得るためには、通常１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜５０ｎｍ、より好ましくは１〜１０ｎｍの範囲である。
（４）金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒
前記金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒としては、金属系界面活性剤の金属部分又は加水分解性基部分と、配位結合や水素結合等を介して相互作用をすることにより、加水分解性基又は水酸基を活性化させ、縮合を促進させる作用を有する触媒であれば、特に制限されない。なかでも、金属酸化物、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類部分加水分解生成物、シラノール縮合触媒及び酸触媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が好ましく、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類部分加水分解生成物がより好ましい。
金属酸化物としては、特に限定されないが、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン、鉛からなる群から選ばれる１種の金属からなる酸化物を好ましく例示することができる。
金属酸化物は、ゾル、ゲル、固体状等の何れの状態のものも使用することができる。ゲル、ゾルの製造方法は、特に限定されず、例えばシリカゾルを例にとると、珪酸ナトリウム溶液を陽イオン交換する方法、シリコンアルコキシドを加水分解する方法等を例示することができる。特に、有機溶媒中に安定に分散しているゾルが好ましく、さらに、ゾルの粒子径が１０〜１００ｎｍの範囲、さらに好ましくは、１０〜２０ｎｍの範囲であるものが好ましい。ゾルの形状は特に限定されず、球状、細長い形状等、いずれのものも用いることができる。
具体的には、メタノールシリカゾル、ＩＰＡ−ＳＴ、ＩＰＡ−ＳＴ−ＵＰ、ＩＰＡ−ＳＴ−ＺＬ、ＮＰＣ−ＳＴ−３０、ＤＭＡＣ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＳＴ、ＭＩＢＫ−ＳＴ、ＸＢＡ−ＳＴ、ＰＭＡ−ＳＴ（以上、いずれも日産化学工業（株）社製オルガノシリカゾルの商品名を表す。）等を例示することができる。
金属アルコキシド類としては、特に限定されないが、透明性に優れる有機薄膜を得ることができること等の理由から、前記記載の金属のアルコキシド類が好ましく、金属アルコキシド類のアルコキシル基の炭素数も特に限定されないが、含有酸化物濃度、有機物の脱離の容易さ、入手の容易さ等から、炭素数１〜４がより好ましい。
本発明に用いる金属アルコキシド類の具体例としては、前記記載の金属のアルコキシド類が挙げられ、これらの金属アルコキシド類は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また本発明においては、金属アルコキシド類として、２種以上の金属アルコキシド類の反応により得られる複合アルコキシド、１種もしくは２種以上の金属アルコキシド類と、１種もしくは２種以上の金属塩との反応により得られる複合アルコキシド、及びこれらの組み合わせを用いることもできる。
２種以上の金属アルコキシド類の反応により得られる複合アルコキシドとしては、前記例示の複合アルコキシド等を挙げることができる。
その具体例としては、前記記載のＢａＴｉ（ＯＲ）６、ＳｒＴｉ（ＯＲ）６、ＢａＺｒ（ＯＲ）６、ＳｒＺｒ（ＯＲ）６、ＬｉＮｂ（ＯＲ）６、ＬｉＴａ（ＯＲ）６、及び、これらの組合せ、ＬｉＶＯ（ＯＲ）４、ＭｇＡｌ２（ＯＲ）８、（ＲＯ）３ＳｉＯＡｌ（ＯＲ’）２、（ＲＯ）３ＳｉＯＴｉ（ＯＲ’）３、（ＲＯ）３ＳｉＯＺｒ（ＯＲ’）３、（ＲＯ）３ＳｉＯＢ（ＯＲ’）２、（ＲＯ）３ＳｉＯＮｂ（ＯＲ’）４、（ＲＯ）３ＳｉＯＴａ（ＯＲ’）４等のケイ素アルコキシドと、前記金属アルコキシド類との反応物及びその縮重合物等が挙げられる。ここで、Ｒ及びＲ’はアルキル基等を表す。
１種もしくは２種以上の金属アルコキシド類と１種もしくは２種以上の金属塩との反応により得られる複合アルコキシドとしては、金属塩と金属アルコキシド類との反応により得られる化合物を例示することができる。
金属塩、金属アルコキシド類部分加水分解生成物としては、前記記載のものと同じものが挙げられる。
また、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の製造方法としては、前記記載の有機溶媒中、上記例示した金属アルコキシド類に対し０．５〜２．０倍モル未満の水を用い、−１００℃から有機溶媒還流温度範囲で加水分解する方法を好ましく例示することができる。具体的には、前記記載の方法を例示することができる。
前記記載の金属アルコキシド類と水との反応、有機溶媒中の金属アルコキシド類の濃度が挙げられ、前記（ｉ）、（ii）、（iii）の方法、用いる有機溶媒、用いる有機溶媒の具体例についても前記記載のものを用いることができる。
これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を混合して用いることができる。
混合溶媒として用いる場合には、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒と、メタノール、エタノール、イソプロパノ−ル、ｔ−ブタノール等の低級アルコール溶媒系の組み合わせが好ましい。この場合の低級アルコール系溶媒としては、イソプロパノ−ル、ｔ−ブタノール等の２級以上のアルコール系溶媒を用いるのがより好ましい。混合溶媒の混合比は特に制限されないが、炭化水素系溶媒と低級アルコール系溶媒を、体積比で、９９／１〜５０／５０の範囲で用いるのが好ましい。
用いる水は、中性であれば特に制限されないが、不純物が少なく、緻密な有機薄膜を得る観点から、純水、蒸留水又はイオン交換水を用いるのが好ましい。
水の使用量は、前記金属アルコキシド類に対し２倍当量以上、好ましくは２．０〜８．０倍当量、より好ましくは３〜５倍当量である。
また、金属アルコキシド類の水による加水分解反応においては、酸、塩基又は分散安定化剤を添加してもよい。酸及び塩基は、凝結してできた沈殿を再び分散させる解膠剤として、また、金属アルコキシド類を加水分解、脱水縮合させてコロイド粒子等の分散質を製造するための触媒として、及び生成した分散質の分散剤として機能するものであれば特に制限されない。
用いる酸、分散安定化剤、部分加水分解生成物、凝集せずに安定に分散している状態、透明とは、前記記載に同じであって、加水分解生成物の分散質の粒子径は特に限定されないが、可視光における高い透過率を得るためには、通常１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜５０ｎｍ、より好ましくは１〜１０ｎｍの範囲である。
前記金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒として用いるシラノール縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル及びチタン酸エステルキレート等を例示することができる。
具体的には、酢酸第一スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第一スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄、ジオクチルスズビスオクチリチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマー、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレート、チタンテトラエトキサイド、チタンテトラブトキサイド、チタンテトライソプロポキサイド、チタンビス（アセチルアセトニル）ジプロポキサイド等を例示することができる。
前記金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒として用いる酸触媒としては、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の鉱酸、酢酸、ギ酸、シュウ酸、炭酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸等を例示することができ、さらには、光照射によって酸を発生する光酸発生剤、具体的には、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート等を例示することができる。
前記金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒の使用量は、形成する単分子の有機薄膜の物性に影響を与えない量であれば特に制限されないが、金属系界面活性剤１モルに対して酸化物換算モル数で、通常０．００１〜１モル、好ましくは０．００１〜０．２モルである。
（５）水酸基含有化合物
前記水酸基含有化合物は、前記金属系界面活性剤が水と反応して加水分解して、前記金属系界面活性剤の加水分解性基が水酸基に変化した化合物である。水酸基含有化合物としては、少なくとも一つの水酸基と疎水性基とを同一分子内に有するものであれば、特に制限されない。具体的には、１つの水酸基を有する化合物、２つの水酸基を有する化合物、３つの水酸基を有する化合物が挙げられ、下記に示す式（ＶＩ）で表される化合物を特に好ましく例示することができる。

（式中、Ｒ100、Ｍ、Ｘ、ｍ及びｎは前記と同じ意味を表す。（ｍ−ｎ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）
水酸基含有化合物の具体例としては、下記に示す、Ａ群〜Ｃ群に示すものが挙げられる。以下においては、金属原子Ｍとしてケイ素原子を用いた化合物を代表として例示しているが、他の金属原子Ｍの場合も同様の化合物を例示することができる。
（Ａ群）１つの水酸基を有する化合物
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）８Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１０Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１２Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１３Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１８Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）１９Ｓｉ（ＯＣＨ３）2（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）４（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＯＨ）
（Ｂ群）２つの水酸基を有する化合物
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）８Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１０Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１８Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）１９Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）１（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ)２
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＮＣＯ）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２
（Ｃ群）３つの水酸基を有する化合物
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）８Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１０Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１１Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１４Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１６Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１７Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１８Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）１９Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＨ２）６Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）９Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３ＣＯＯ（ＣＨ２）１５Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ＝ＣＨ）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）５（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）４Ｏ（ＣＦ２）２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＦ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＨ２）７Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）１０（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）４０（ＣＦ２）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）９（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３ＣＨ２（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）６ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）８ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
ＣＨ３（ＣＦ２）３Ｏ［ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ］２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＨ）３
これらの化合物は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
（６）有機溶媒
前記有機溶媒溶液に用いる有機溶媒としては、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒、及びシリコーン系溶媒が挙げられ、炭化水素系溶媒が好ましく、沸点が１００〜２５０℃の炭化水素系溶媒が特に好ましい。
具体的には、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、灯油、リグロイン等の炭化水素系溶媒；ＣＢｒ２ＣｌＣＦ３、ＣＣｌＦ２ＣＦ２ＣＣｌ３、ＣＣｌＦ２ＣＦ２ＣＨＦＣｌ、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨＣｌ２、ＣＦ３ＣＢｒＦＣＢｒＦ２、ＣＣｌＦ２ＣＣｌＦＣＦ２ＣＣｌ３、Ｃｌ（ＣＦ２ＣＦＣｌ）２Ｃｌ、Ｃｌ（ＣＦ２ＣＦＣｌ）２ＣＦ２ＣＣｌ３、Ｃｌ（ＣＦ２ＣＦＣｌ）３Ｃｌ等フロン系溶媒、フロリナート（３Ｍ社製品）、アフルード（旭ガラス社製品）等のフッ化炭素系溶媒；ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン等のシリコーン系溶媒；が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
（７）有機薄膜形成用補助剤の調製
本発明の有機薄膜形成用補助剤は、前記金属系界面活性剤（１）と、前記金属系界面活性剤（１）と相互作用し得る化合物（以下、「Ｂ成分」ということがある。）を混合して得ることができる。
有機薄膜形成用補助剤は、より具体的には、金属系界面活性剤（１）を、Ｂ成分の存在下、有機溶媒中、水で処理することによって調製することができる。
本発明においては、前記有機薄膜形成用補助剤中、前記金属系界面活性剤（１）を、Ｂ成分１モルに対して、０．５〜８．０モル含むのが好ましく、１．５〜３．０モル含むのがより好ましい。
前記金属系界面活性剤（１）を、有機溶媒中、Ｂ成分の存在下、水で処理する方法としては、具体的には、（ア）金属系界面活性剤（１）及びＢ成分の有機溶媒溶液に水を添加する方法、（イ）金属系界面活性剤（１）と水の有機溶媒溶液に、Ｂ成分を添加する方法等が挙げられる。Ｂ成分は、水を含む有機溶媒の状態で使用されるのが一般的である。
前記有機薄膜形成用補助剤の調製に用いる有機溶媒としては、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒及びシリコーン系溶媒が好ましく、なかでも、沸点が１００〜２５０℃のものがより好ましい。
具体的には、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、石油ナフサ、ソルベントナフサ、石油エーテル、石油ベンジン、イソパラフィン、ノルマルパラフィン、デカリン、工業ガソリン、灯油、リグロイン等の炭化水素系溶媒；ＣＢｒ2ＣｌＣＦ3、ＣＣｌＦ2ＣＦ2ＣＣｌ3、ＣＣｌＦ2ＣＦ2ＣＨＦＣｌ、ＣＦ3ＣＦ2ＣＨＣｌ2、ＣＦ3ＣＢｒＦＣＢｒＦ2、ＣＣｌＦ2ＣＣｌＦＣＦ2ＣＣｌ3、Ｃｌ（ＣＦ2ＣＦＣｌ）2Ｃｌ、Ｃｌ（ＣＦ2ＣＦＣｌ）2ＣＦ2ＣＣｌ3、Ｃｌ（ＣＦ2ＣＦＣｌ）3Ｃｌ等フロン系溶媒、フロリナート（３Ｍ社製品）、アフルード（旭ガラス社製品）等のフッ化炭素系溶媒；ジメチルシリコーン、フェニルシリコーン、アルキル変性シリコーン、ポリエーテルシリコーン等のシリコーン系溶媒；が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、急激な反応を抑えるためには、（ア）の方法において添加する水、（イ）の方法において添加するＢ成分は、有機溶媒等で希釈したものであるのが好ましい。
以上のようにして得られる有機薄膜形成用補助剤は、前記金属系界面活性剤（２）と相互作用し得ることが好ましい。
（８）有機薄膜形成用溶液の調製
本発明の有機薄膜形成用溶液は、前記有機薄膜形成用補助剤と前記金属系界面活性剤（２）とから得ることができる。より具体的には、前記金属系界面活性剤（２）、有機溶媒、有機薄膜形成用補助剤、及び所望により水の混合物を撹拌することで、本発明の有機薄膜形成用溶液を得ることができる。
本発明の有機薄膜形成用溶液の調製に用いる有機薄膜形成用補助剤の使用量は、形成する単分子の有機薄膜の物性に影響を与えない量であれば特に制限されないが、金属系界面活性剤（２）１モルに対して酸化物換算モル数で、通常０．００１〜１モル、好ましくは０．００１〜０．２モルである。
本発明の有機薄膜形成用溶液は、より具体的には、（ａ）前記有機薄膜形成用補助剤及び金属系界面活性剤（２）の有機溶媒溶液に水を添加する方法、（ｂ）金属系界面活性剤（２）と水の混合溶液に、前記有機薄膜形成用補助剤を添加する方法等が挙げられる。また、急激な反応を抑えるためには、（ａ）の方法において添加する水、（ｂ）の方法において添加する有機薄膜形成用補助剤は、有機溶媒等で希釈したものであるのが好ましい。
本発明の有機薄膜形成用溶液の調製に用いる有機溶媒としては、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒及びシリコーン系溶媒が好ましく、なかでも、沸点が１００〜２５０℃のものがより好ましい。具体的には、前記有機薄膜形成用補助剤の調製に用いることができるものとして列記した、炭化水素系溶媒、フッ化炭素系溶媒及びシリコーン系溶媒と同様のものを使用することができる。
本発明の有機薄膜形成用溶液の調製に用いる水の量は、用いる金属系界面活性剤（２）、有機薄膜形成用補助剤、塗布する基板等の種類に応じて適宜決定することができる。水の使用量があまり多いと、金属系界面活性剤（２）が互いに縮合し、基体表面への化学吸着が阻害され、単分子膜とならないおそれがある。
前記金属系界面活性剤（２）、有機溶媒、有機薄膜形成用補助剤及び水の混合物の撹拌温度は、通常−１００℃〜＋１００℃、好ましくは−２０℃〜＋５０℃である。撹拌時間は、通常、数分から数時間である。
また、この場合においては、均一な有機薄膜形成用溶液を得るために、超音波処理を施すことも好ましい。
調製した有機薄膜形成用溶液中に、金属酸化物等を含む析出物が生じる場合があるが、これらの析出物等の不純物は、不純物のない緻密な単分子の有機薄膜を得るためには、ここで除去しておくのが好ましい。析出物は、濾過、デカント等の操作で簡便に除去することができる。
本発明においては、有機薄膜形成用溶液として、その水分含量が所定量範囲内になるように調整するか又は保持したものを用いる。有機溶媒溶液中における水分含量は、基体表面への化学吸着が阻害される、緻密な単分子膜が製造できない、有効に用いることのできる金属系界面活性剤の量を損失する、又は触媒が失活する等の問題がおきない範囲の量が好ましい。また、ディップ法により前記溶液を基板に接触させる場合に、接触時間を１０分間以内、好ましくは５分間以内に、緻密で均質な有機薄膜を１度にしかも前記溶液が接触した基板前面に形成させるために、基板表面又は膜の形成を促進活性化させるのに十分な水分含量以上が好ましい。
有機薄膜形成用溶液の水分含量は、具体的には５０ｐｐｍ以上が好ましく、より好ましくは５０ｐｐｍから有機溶媒への飽和水分含量の範囲（より具体的には、５０〜１０００ｐｐｍの範囲）である。
尚、ここで示す水分含量は、前記有機溶媒溶液の一部を採取してカールフィッシャー法で測定した値を示し、その方法原理を用いた装置で測定した値であれば、測定装置については特に限定されない。尚、有機溶媒溶液として均一である場合には、均一な溶液を一部採取して測定し、有機溶媒と水分層が２層となっている場合には、有機溶媒層より一部採取して測定し、有機溶媒中に水分層が分散し分離不可能な状態である場合には、その分散液をそのまま採取して測定した値を示す。
前記有機薄膜形成用溶液の水分含量を所定量範囲内になるように調整するか又は保持する方法としては、（ｉ）前記有機薄膜形成用溶液に接触して水層を設ける方法、(ii)水分を含ませた保水性物質を共存させておく方法、(iii)水分を含む気体を吹き込む方法、等が挙げられる。
本発明の有機薄膜形成用溶液は保存安定性に優れるものであり、４０〜６０日間、室温（２０〜３０℃）で密封保存した後においても、良好な有機薄膜を形成することができる。すなわち、本発明の有機薄膜形成用溶液は、調製後、時間の経過とともに含まれる金属系界面活性剤の残存量が徐々に減少するが、水酸基含有化合物生成量はほぼ一定である。
このことは、金属系界面活性剤が加水分解して水酸基含有化合物を生成する反応は平衡反応であり、時間の経過とともにいくつかの水酸基含有化合物が脱水縮合して高分子化するが、水酸基含有化合物が消費された分だけ、金属系界面活性剤が加水分解して水酸基含有化合物が生成すると考えられる。また、有機薄膜形成用溶液の保存液を使用する場合も、良好な有機薄膜を形成することができることから、水酸基含有化合物が脱水縮合した高分子（又はオリゴマー）は、有機薄膜の形成に悪影響を与えないと考えられる。
（９）有機薄膜の形成方法
本発明の有機薄膜形成方法は、上記のようにして得られた有機薄膜形成用溶液を基板と接触させることにより、前記基板表面に有機薄膜を形成する。
用いる基板としては、表面に活性水素を有する基板が好ましい。具体的にはアルミニウム、銅、ステンレス等の金属；セラミックス；ガラス；プラスチック；紙；天然繊維又は合成繊維；皮革；その他親水性の物質等からなる基板が挙げられる。
表面に水酸基等をもたない材質からなる基板の場合には、予め基板の表面を、酸素を含むプラズマ雰囲気中で処理したり、コロナ処理して親水性基を導入したりすることができる。親水性基としては、水酸基（−ＯＨ）が好ましいが、活性水素を有する−ＣＯＯＨ、−ＣＨＯ、＝ＮＨ、−ＮＨ2等の官能基等でも良い。
また、表面に活性水素をもたない基板の場合、この基板の表面に、予めＳｉＣｌ4、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｃｌ−（ＳｉＣｌ2Ｏ）ｃ−ＳｉＣｌ3（式中、ｃは０又は自然数を表す。）から選ばれる少なくとも一つの化合物を接触させた後、脱塩化水素反応させることにより、表面に活性水素を有するシリカ下地層を形成しておくこともできる。
本発明の有機薄膜形成用溶液（以下、「本発明溶液」と略記する。）を基板表面に接触する方法は特に制限されず、公知の方法を用いることができる。具体的には、ディップ法、スピンコート法、スプレー法、ローラコート法、メイヤバー法、スクリーン印刷法、刷毛塗り法等が挙げられ、これらの中でも、ディップ法が好ましい。
本発明溶液を基板表面に接触する温度は、本発明溶液が安定性を保てる温度範囲であれば、特に制限されない。通常、室温から溶液の調製に用いた溶媒の還流温度までの範囲で行うことができる。接触に好適な温度とするには、本発明溶液を加熱するか、基板そのものを加熱すればよい。
また、膜形成を促進するために超音波を用いることもできる。基板表面に接触する工程は、１度に長い時間行っても、短時間の塗布を数回に分けて行ってもよい。
本発明溶液を基板表面に接触した後、膜表面に付着した余分な試剤、不純物等を除去するために、洗浄工程を設けることもできる。洗浄工程を設けることにより、より膜厚を制御することができる。洗浄方法は、表面の付着物を除去できる方法であれば、特に制限されない。具体的には、用いた金属系界面活性剤を溶解し得る溶媒中に基板を浸漬させる方法；真空中又は常圧下で大気中に放置して蒸発させる方法；乾燥窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて吹き飛ばす方法；等が挙げられる。
本発明溶液を基板上に接触又は洗浄した後は、基板表面上に形成された膜を安定化させるために、基板を加熱するのが好ましい。加熱する温度は、基板、形成された有機薄膜の安定性等によって適宜選択することができる。
本発明溶液を基板上に塗布すると、前記溶液中の金属系界面活性剤が基板表面に吸着され、薄膜が形成される。金属系界面活性剤が基板表面に吸着される機構の詳細は明らかではないが、表面に活性水素を有する基板の場合には次のように考えることができる。すなわち、有機薄膜形成用溶液中においては、金属系界面活性剤の加水分解性基が水により加水分解された状態となっている。この状態の金属系界面活性剤が基板表面の活性水素と反応して、基板と強固な化学結合を形成してなる薄膜が形成される。この薄膜は、基板の活性水素と反応して形成されるものであって、単分子膜となる。
前記式（ＩＶ）で示される金属系界面活性剤（２）を用いて得られる有機薄膜形成用溶液を使用することにより、基板表面に、光照射前において、撥油性であり、かつ撥水性である有機薄膜を形成することができる。より具体的には、光照射前における水の接触角が好ましくは８０°以上、より好ましくは８５°以上、さらに好ましくは９０°以上、特に好ましくは１００°以上であり、かつ、トルエンの接触角が２０°以上である有機薄膜を形成することができる。この有機薄膜は、光照射により、水の接触角が８０°未満の親水性の薄膜に変化する。
また、本発明の有機薄膜形成方法は、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤と前記界面活性剤と相互作用し得る触媒とを混合して得られる有機溶媒溶液を基板と接触させることにより、前記基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法である。前記有機溶媒溶液が、水分を所定量含有するものであり、かつ、前記金属系界面活性剤の加水分解生成物である水酸基含有化合物を２０〜２０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜５００ｐｐｍ、特に好ましくは２００〜４００ｐｐｍ含有することを特徴とする。
本発明に用いる有機溶媒溶液中における水分量は、用いる基板、金属系界面活性剤、触媒、有機溶媒等の種類により決定される。具体的には、基板表面への化学吸着が阻害される、緻密な単分子膜が製造できない、用いる金属系界面活性剤の損失量が大きい、触媒が失活する、等の問題が起きない量以下で、かつ、膜の形成を促進活性化させるのに十分な量以上である。
有機薄膜の形成を促進活性化させるのに十分な量とは、例えば、ディップ法により前記溶液を基板に接触させる場合、接触時間１０分以内、好ましくは５分以内で、緻密で均質な有機薄膜を１度にしかも基板全面に形成させることができる程度をいう。
水分含有量としては、具体的には、５０ｐｐｍ以上が好ましく、５０ｐｐｍから有機溶媒への飽和水分量の範囲、より具体的には、５０〜１０００ｐｐｍの範囲がより好ましく、２００〜８００ｐｐｍの範囲が特に好ましい。水分量が５０ｐｐｍ以上であると、迅速に有機薄膜の形成を行うことができ、また、水分量が１０００ｐｐｍ以下であれば、金属系界面活性剤等が失活するという問題がない。
ここで示す水分量は、有機溶媒溶液の一部を採取してカールフィッシャー法で測定した値を示し、その方法原理を用いた装置で測定した値であれば、測定装置については特に限定されない。有機溶媒溶液が均一である場合には、均一な溶液を一部採取して測定し、有機溶媒層と水分層が２層となっている場合には、有機溶媒層より一部採取して測定し、有機溶媒中に水分層が分散し分離不可能な状態な場合には、その分散液をそのまま採取して測定した値を示す。
本発明においては、前記有機溶媒溶液を基板と接触させる工程を、前記有機溶媒溶液中の水分量を、上記した所定範囲内として行う。
有機溶媒溶液中の水分含有量を所定範囲内にする方法として、具体的には、
（ａ）有機溶媒溶液に接触して水層を設ける方法、
（ｂ）有機溶媒溶液中に、保水性物質に水を含ませた状態で共存させる方法、
（ｃ）有機溶媒溶液を、水分を含む気体に接触させる方法、
（ｄ）適宜水を添加する方法、等を例示することができる。
これらの方法は単独で用いても、２以上を組み合わせて用いてもよい。
上記（ａ）〜（ｄ）の方法において、用いる水は中性であれば特に制限されないが、純水又は蒸留水を用いるのが好ましい。また、用いる有機溶媒は、無水のものでも、あらかじめ一定量の水分含むものでも構わない。
上記（ａ）の方法においては、炭化水素系溶媒等の、水層と分離する有機溶媒を用いた場合には、有機溶媒層と分離した形で水層を共存させてもよいし、有機溶媒溶液を水層中に循環又は通過させ分離した有機溶媒層を用いてもよい。
低級アルコール等の、水層と分離しない水の溶解度の大きい有機溶媒を用いた場合には、有機溶媒は浸透しないが水は浸透する膜等を介在させて有機溶媒溶液と水層を接触させる方法等を例示することができる。
上記（ｂ）の方法において、保水性物質としては、有機溶媒溶液中において水を分離せずに有機溶媒溶液中に浮遊しない物質が好ましい。
具体的には、吸水性高分子、セルロース等の有機系保水材；ゼオライト、珪酸白土、バーミキュライト、多孔質セラミック等の無機系保水材；界面活性剤等の、溶液中に水を核とするミセル分子を形成することのできる化合物；等が挙げられ、なかでも、ゴミ等の混入が避けられる等の理由から、ガラス繊維フィルター又はセルロース製フィルターが特に好ましい。また、有機溶媒への水の溶解度をあげるために親水性の溶媒を用いる方法も考えられる。この場合の親水性溶媒も便宜上保水することのできる物質として含むこととする。
保水性物質に含ませる水分量は特に制限されないが、有機溶媒溶液中で水が保水性物質と分離して遊離していない状態になるまでの水分量が好ましい。また、水分を適時添加して保水できる物質に含ませることもできる。また、保水性物質を、溶液と外気の界面又は、外気から連続して溶液内に設けることにより、外気の湿気等を吸湿することにより、水分を溶液に補給することもできる。
上記（ｃ）の方法において、用いる気体は、溶液中の各成分に影響を及ぼさないものであれば特に制限されず、具体的には、空気、窒素ガス、アルゴンガス等を例示することができる。
水分を含む気体を得る方法としては、気体に水分を含ませる方法；気体を加湿する方法；等が挙げられる。
気体に水分を含ませる方法として、ガスを水中に潜らせる、ガスを水又は温水表面に接触させる等の水とガスを接触させる方法；水蒸気を含むガスをそのまま用いる方法；等を例示することができる。
気体を加湿する方法として、蒸気加湿法、水噴霧加湿法、又は気化加熱法等を例示することができる。
水分を含む気体と有機溶媒溶液とを接触させる方法としては、水分を含む気体を有機溶媒溶液中に吹き込む、又は有機溶媒溶液表面に吹き付ける方法；有機溶媒溶液を、水分を含む気体雰囲気下に、必要に応じて撹拌しながら放置する方法；有機溶媒溶液を、加湿された雰囲気下に、必要に応じて撹拌しながら放置する方法；等を例示することができる。また、水分を含む気体を吹き込む方法においては、必要に応じて吹き込み装置、清浄装置、ろ過装置等を付設するのが好ましい。
上記（ｄ）の方法において、具体的には、有機溶媒溶液中の水分量の減少を観測し、減少量に応じて水、又は相溶性を有する有機溶媒もしくは同一の有機溶媒で希釈した水を適宜追加する方法；一定量の水を含有する同一組成の有機溶媒溶液を供給する方法；等を例示することができる。
本発明の有機薄膜形成方法においては、前記有機溶媒溶液に含まれる水分含有量を所定範囲内に保持しながら、同一溶液を用いて、２枚以上の基板と接触させることを繰り返すことが好ましく、前記有機溶媒溶液中の水分量を５０〜１０００ｐｐｍの範囲に保持することがより好ましい。
ここで所定範囲とは、上記した水分量の所定範囲と同じ意味を表し、水分量をそのような範囲に保持することにより、液を交換することなく接触させる工程を複数回繰り返し行なっても、緻密で均質な有機薄膜を形成することができる。この方法によれば、同一溶液を用いて、２以上の基板に対して１回の接触工程操作で、接触した全面に緻密で均質な有機薄膜を、短時間の接触時間で形成することができる。
この場合、同一溶液とは、１回の接触工程操作を行った後その溶液の全部又は一部を廃棄して新たな溶液に交換する場合を除く意味であり、後述するように、何らかの方法で水分量を所定範囲内に保持した溶液は、同一溶液として含むものとする。
前記有機溶媒溶液中の水分量を、上記した所定範囲内に保持する方法としては、特に制限されないが、前記（ａ）〜（ｄ）に示した方法と同様の方法が好ましく例示される。
本発明の有機薄膜形成方法に用いる基板としては、特に制約はないが、有機溶媒溶液中の有機薄膜を形成する分子と相互作用し得る官能基を表面に有する基板が好ましく、特に活性水素を表面に有する基板が好ましい。活性水素を表面に有する基板を用いると、基板表面の活性水素と、有機溶媒溶液中の分子が、化学的な相互作用により基板表面に容易に化学吸着膜を形成することができる。
活性水素とは、プロトンとして解離しやすいものをいい、活性水素を含む官能基としては、水酸基、カルボキシル基、ホルミル基、イミノ基、アミノ基、メルカプト基等が挙げられ、水酸基が好ましい。
基板表面に水酸基を有する基板の具体例としては、アルミニウム、銅、ステンレス等の金属；ガラス；シリコンウェハー；セラミックス；プラスチック；紙；天然繊維又は合成繊維；皮革；その他親水性の物質；等からなる基板が挙げられる。なかでも、金属、ガラス、シリコンウェハー、セラミックス、及びプラスチックからなる基板が好ましい。
プラスチックや合成繊維のように表面に水酸基を持たない材質からなる基板には、予め基板表面を、酸素を含むプラズマ雰囲気中で（例えば１００Ｗで２０分）処理したり、コロナ処理したりすることで親水性基を導入することができる。ポリアミド樹脂又はポリウレタン樹脂等からなる基板は、表面にイミノ基が存在しており、このイミノ基の活性水素と金属系界面活性剤のアルコキシシリル基等とが脱アルコール反応し、シロキサン結合（−ＳｉＯ−）を形成するのでとくに表面処理を必要としない。
また、表面に活性水素を持たない基板を用いる場合、この基板の表面に、予めＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、Ｃｌ−（ＳｉＣｌ２Ｏ）ｂ−ＳｉＣｌ３（式中、ｂは自然数）から選ばれる少なくとも一つの化合物を接触させた後、脱塩化水素反応させることにより、表面に活性水素を有するシリカ下地層を形成しておくこともできる。
有機溶媒溶液を基板に接触させる工程は、１度に長い時間行っても、短時間の塗布を数回に分けて行ってもよい。膜形成を促進するために超音波を用いることもできる。
有機溶媒溶液に基板を接触させる工程は、有機溶媒溶液中に基板を浸漬させる工程であるのが好ましい。有機溶媒溶液中の水分量を保持しながら、基板を浸漬させる方法としては、具体的には、
（イ）水分調整槽と基板浸漬槽を設け、水分調整槽で水分調整した液を基板浸漬槽に循環させる方法、
（ロ）基板浸漬槽を複数設け、一つの基板浸漬槽で基板を浸漬している間に他の浸漬槽において水分調整を行う方法、
（ハ）上述した水分量を所定範囲内に保持する手段を基板浸漬槽に直接設け、適宜、水分を補給する方法、等が挙げられる。
洗浄方法としては、表面の付着物を除去できる方法であれば特に制限されず、具体的には、金属系界面活性剤を溶解し得る溶媒中に基体を浸漬させる方法；真空中、又は常圧下で大気中に放置して蒸発させる方法；乾燥窒素ガス等の不活性ガスをブローして吹き飛ばす方法；等を例示することができる。
本発明においては、有機溶媒溶液に基板を接触させる工程を、湿度を４０％ＲＨ以上に保持した空間内において実施するのが好ましく、湿度を６０％ＲＨ以上に保持した空間内において実施するのがより好ましい。このような空間内においては、有機溶媒溶液中の水分量がより好ましく保持され、連続的に基板を接触させても再現性良く緻密な単分子膜を形成することができる。
本発明の有機薄膜形成方法は、単分子膜の製造にも２層以上の多層膜の製造にも用いることができ、特に単分子膜の製造に好適に用いることができる。また、物理的な吸着により表面に膜を形成させる方法としても用いることができる。
本発明の有機薄膜形成方法により形成される有機薄膜としては、特に制約されないが、結晶性の有機薄膜であるのが好ましい。本発明の有機薄膜形成方法により形成される有機薄膜が結晶性であることは、このものを、薄膜Ｘ線回折装置を使用して測定することにより確認することができる。
本発明の有機薄膜形成方法により形成される有機薄膜の膜厚は、特に制限されないが、１〜５ｎｍ、好ましくは１．５〜２．５ｎｍの単分子膜であるのが好ましい。
本発明の有機薄膜形成方法により形成される有機薄膜は、化学吸着膜であるのが好ましく、前記基板が結晶性を有さず、かつ、化学吸着膜が結晶性を有することがより好ましい。この場合、結晶性とは、多結晶であっても単結晶であっても構わない。化学吸着膜としては、金属−酸素結合を介して共有結合した有機薄膜を例示することができる。
本発明の有機薄膜形成方法により形成される有機薄膜は、自己集合膜であるのが好ましい。ここで自己集合膜とは、外部からの強制力なしに秩序だった構造を形成してなる膜を意味する。自己集合膜を形成する分子は、自己集合膜形成用溶液の調製に用いた金属系界面活性剤から得られたものである。金属系界面活性剤の分子は、自己集合膜形成用溶液中で、溶媒により溶媒和されて単独に存在するのではなく、幾つかが集まって集合体を形成している。
金属系界面活性剤として、少なくとも１以上の加水分解性基を有する金属系界面活性剤を用いた場合には、集合体は、前記金属系界面活性剤を前記金属系界面活性剤と相互作用し得る触媒及び水により処理して得られたものであり、金属系界面活性剤として、少なくとも１以上の水酸基を有する金属系界面活性剤を用いた場合には、集合体は、前記金属系界面活性剤を水により処理して得られたものである。
集合体の形態は、分子が、疎水性部分同士、又は親水性部分同士で分子間力、配位結合、又は水素結合等により集合した形態；膜を形成する分子が、共有結合により結合して集合した形態；水等の他の媒体が、核もしくは仲介としてミセル等を形成した形態；又はこれらが組み合わさった形態；等である。
集合体の形状は特に限定されず、球状、鎖状、帯状等いずれの形状であってもよい。集合体の平均粒径は、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍの範囲が好ましい。
また、集合体のゼーター電位（界面動電電位）の値は、同一溶媒中における基板のゼーター電位の値よりも大きいことが好ましい。集合体のゼーター電位がプラスで、基板のゼーター電位がマイナスであるのが特に好ましい。このようなゼーター電位値を有する集合体を形成する自己集合膜形成用溶液を用いると、結晶性を有した緻密な単分子膜を製造することができる。
以上述べたように、本発明の方法を用いることで、基板の種類に係わらず、従来の金属系界面活性剤より高速で、かつ、不純物の少ない緻密な有機薄膜を形成することができる。このような有機薄膜は、電気デバイス用等の設計パターンの形成用に用いられ、また、エレクトロニクス製品、特に電化製品、自動車、産業機器、鏡、眼鏡レンズ等の耐熱性、耐候性、耐摩耗性超薄膜コーティングを必要とする機器に極めて容易に適用できる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
実施例１ 有機薄膜形成用補助剤の調製（１）
４つ口フラスコに、チタンテトライソプロポキシド（商品名：Ａ−１、日本曹達社製：純度９９％、酸化チタン換算濃度２８．２重量％）１２．４ｇをトルエン４５．０ｇに溶解し、窒素ガス置換した後に、変性アルコール／ドライアイスバス中で−４０℃に冷却した。別に、イオン交換水１．２６ｇ（Ｈ2Ｏ／Ｔｉ＝１．６モル比）をイソプロパノール１１．３ｇに混合後、−４０℃に冷却した状態で、上記４つ口フラスコ中へ攪拌しながら滴下した。滴下中は、フラスコ内の液温を−４０℃に維持した。滴下終了後、冷却しながら３０分間攪拌後、その後室温に昇温して、無色透明な部分加水分解溶液（Ｔ−１）を得た。溶液の固形分濃度は、酸化チタン換算で５重量％であった。
この溶液（Ｔ−１）２０ｇにｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ：Ｇｅｌｅｓｔ社製）を、ＴｉＯ２：ＯＤＳ＝１：１（モル比）に相当する量を加え、さらにＴｉＯ２換算で１ｗｔ％に相当するトルエンで希釈した。次に、蒸留水５ｇを加えて、４０℃、３日間攪拌した後、室温に冷却した。２層分離している過剰の水を取り除き、透明な有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−１）を得た。また、分離した水層からはＴｉもＯＤＳを検出されなかった。
実施例２ 有機薄膜形成用補助剤の調製（２）
実施例１において、ｎ−オクタデシルトリメトキシシランの代わりにデシルトリメトキシシラン（ＤＥＳ：アヅマックス社製）を用いる以外は同様にして、透明な有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−２）を得た。
実施例３〜５ 有機薄膜形成用溶液の調製
金属系界面活性剤（２）として、下記のＭ−１〜Ｍ−４を用いた。
Ｍ−１：ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ：Ｇｅｌｅｓｔ社製）
Ｍ−２：デシルトリメトキシシラン（ＤＥＳ：アヅマックス社製）
Ｍ−３：ヘプタデカトリフルオロデシルトリメトキシシラン（ＦＡＳ−１７：信越化学工業社製）
Ｍ−４：トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（ＦＡＳ−３：信越化学工業社製）
水分含量４５０ｐｐｍのトルエンに、最終濃度０．５重量％に相当する前記有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−１を加え室温で３０分間攪拌した。次に、有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−１の１/１０倍モル（ＴｉＯ２換算）相当の有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−１）を滴下し、滴下終了後、室温で３時間攪拌した。この溶液中の水分含量を５００ｐｐｍになるように水を加え有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−１）を得た（実施例３）。
また、有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−１）に代えて（Ｃ−２）を用いる以外は同様にして、有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−２）を得た（実施例４）。
さらに有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−１に代えてＭ−２を用いる以外は同様にして、有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−３）を得た（実施例５）。
実施例６ 有機薄膜形成用溶液の調製
水分含量５００ｐｐｍのトルエンに、同重量のフッ素系溶剤ノベックＨＦＥ−７２００（住友スリーエム社製）を加え、混合溶媒を調製した。次に、この溶液に、最終濃度０．５重量％に相当する前記有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−３を加え室温で３０分間攪拌した。さらに有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−３の１/１０倍モル（ＴｉＯ２換算）相当する有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−１）を滴下し、滴下終了後、室温で３時間攪拌した。この溶液中の水分含量を３００ｐｐｍになるように水を加え有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−４）を得た（実施例６）。
実施例７ 有機薄膜形成用溶液の調製
水分含量５００ｐｐｍのトルエンに、重量比で１/３のフッ素系溶剤ノベックＨＦＥ−７２００（住友スリーエム社製）を加え、混合溶媒を調製した。次に、この溶液に、最終濃度０．５重量％に相当する前記有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−４を加え室温で３０分間攪拌した。さらに有機薄膜形成用溶液の原料Ｍ−３の１/１０倍モル（ＴｉＯ２換算）相当する有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−１）を滴下し、滴下終了後、室温で３時間攪拌した。この溶液中の水分含量を３５０ｐｐｍになるように水を加え有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−５）を得た（実施例７）。
実施例８〜２２
超音波洗浄及びオゾン洗浄したソーダライムガラス基板（ＳＬＧ）、無アルカリガラス基板（旭硝子製ＡＮ１００）及びシリコンウェーハー（Ｓｉ）を、有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−１〜ＳＡ−５）中に所定時間浸漬した後、引上げ、トルエンで１０秒間超音波洗浄後、６０℃で１０分間乾燥し、有機薄膜を得た（実施例８〜２２）。
比較例１〜６
有機薄膜形成用補助剤を添加しないこと以外は、前記有機薄膜形成用溶液（ＳＡ−２〜ＳＡ−５）の調製と同様にして、溶液（Ｈ−１〜Ｈ−４）を別途調製した。得られた溶液（Ｈ−１〜Ｈ−４）を用い、ＳＬＧ基板を使用して実施例と同条件で有機薄膜を得た（比較例１〜４）。
また、有機薄膜形成用補助剤の溶液（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）を用い、ＳＬＧ基板を使用して実施例と同条件で有機薄膜を得た（比較例５、６）。
比較例７、８
水含有量４５０ｐｐｍのトルエンに、有機薄膜原料Ｍ−２を最終濃度が０．５重量％になるように加え、室温で３０分間攪拌した。次に、この溶液に触媒（Ｔ−１：チタンテトライソプロポキシドの部分加水分解溶液）を、有機薄膜原料の１／１０倍モル（ＴｉＯ２換算）滴下し、滴下終了後、室温で３時間攪拌した。これらの溶液中の水分含量を５００ｐｐｍになるように水を加え、有機薄膜形成用溶液（Ｈ−５）を得た。この溶液を用いて実施例と同条件で膜形成を行った（比較例７、８）。
＜薄膜物性評価試験＞
以下に示す方法にて有機薄膜を評価した。
（１）接触角測定
各試料の表面にマイクロシリンジから水、トルエンを５μｌ滴下した後、６０秒後に、接触角測定器（３６０Ｓ型：エルマ社製）を用いて接触角を測定した。
（２）膜の密着性評価
得られた膜を水中で超音波洗浄を１時間行った後再度接触角を測定し、超音波洗浄前の値と比較し、同様の値を示し変化なかったものを○、接触角の低下が見られたものは×として評価した。
（３）膜の外観評価
目視観察により、浸漬前後で膜の概観に何ら変化が見られないものを○とした。汚れや光学的な異常が見られたものは×とした。
（４）ＸＰＳ分析
膜中の元素の分析は、ＸＰＳ装置（ＱＵＮＴＵＭ２００００、アルバックファイ社製）を用いた。
基板しか存在しない元素情報が得られた場合、装置の測定原理から膜厚は１０ｎｍ以下と判断し、○とした。ＳＬＧ基板の場合、ナトリウム及びカルシウム元素情報、ＡＮ１００の場合、バリウム元素情報、Ｓｉウェーハーの場合、ＳｉＯ２酸化被膜情報が強く得られた場合を○とした。
それ以外の場合は、膜厚が１０ｎｍ以上と厚いので×とした。
実施例８〜２２、比較例１〜８の有機薄膜形成用溶液、基板の種類及び薄膜物性評価試験の結果を第１表にまとめて示す。
第１表より、本発明の有機薄膜形成用溶液は、浸漬時間１０分以内に外観、密着性、撥水性及び撥油性の良好な自己組織化単分子膜が得られた。この有機薄膜形成用溶液は、種々な基板に有機薄膜を形成することができた（実施例８〜２２）。
しかしながら、有機薄膜形成用補助剤を添加しなかった溶液又は有機薄膜形成用補助剤だけの溶液中では、基板上に膜は形成されなかった（比較例１〜６）。
また、有機薄膜形成用補助剤としてチタンテトライソプロポキシドの部分加水分解物（Ｔ−１）をそのまま用いた場合（比較例７、８）では、十分な接触角が得られなかった。
シラノール標品合成
ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（以下、「ＯＤＳ」と略す。）（Ｇｅｌｅｓｔ社製）１０ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｇに希釈し、−１０℃で０．０５Ｎ塩酸水溶液を０．５ｇ（２．６７ｍｍｏｌ）加えて３時間撹拌して室温まで自然昇温した。得られた溶液を標品（１）とする。
化合物の同定
モノシラノールは、ＨＰＬＣにより分離精製し、１Ｈ−ＮＭＲ（ＥＣＰ５００；ＪＥＯＬ社製）及びＭａｓｓ（サーモエレクトロン（株）；Ｎａｖｉｇａｔｏｒ）により同定した。各スペクトルデータを第２表に示す。
また、このときのＨＰＬＣチャートを図１に示す。図１中、横軸は保持時間（分）、縦軸はピーク強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示す。図１から、塩酸を使用してＯＤＳの加水分解を行った場合には、ＯＤＳの加水分解生成物である、ｎ−オクタデシルジメトキシシラノール（ｎ−Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）、ｎ−オクタデシルメトキシジシラノール（ｎ−Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＯＣＨ３）（ＯＨ）２、ｎ−オクタデシルトリシラノール（ｎ−Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＯＨ）３の全てが検出された。
触媒の調製−１
チタンテトライソプロポキシド（日本曹達(株)製Ａ−１：純度９９．９％、酸化チタン換算濃度２８重量％）１．０ｇ（３．５４ｍｍｍｏｌ）を脱水トルエン２７．０ｇに溶解し、触媒Ｎ−１を調製した。
触媒の調製−２
ＯＤＳ（Ｇｅｌｅｓｔ社製：純度９５％）２４．２ｇ（６１．４ｍｍｏｌ）を脱水トルエン８４．６ｇに希釈し、チタンテトライソプロポキシド（日本曹達(株)製Ａ−１：純度９９．９％、酸化チタン換算濃度２８重量％）６．９ｇ（２４．３ｍｍｍｏｌ）を加えて溶解し、更にイオン交換水１．７ｇを加えて１０時間撹拌し、触媒Ｎ−２を調製した。
触媒の調製−３
ＯＤＳ（Ｇｅｌｅｓｔ社製）２４．２ｇ（６１．４ｍｍｏｌ）を脱水トルエン８４．６ｇに希釈し、ジルコニウムテトラブトキシド（日本曹達(株)製ＴＢＺＲ：純度９９．９％、酸化ジルコニウム換算濃度３１重量％）１０ｇ（２４．３ｍｍｏｌ）を加えて溶解し、更にイオン交換水１．７ｇを加えて１０時間撹拌し、触媒Ｎ−３を調製した。
実施例２３ 有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−１）の製造
脱水トルエンにイオン交換水を加え、強く撹拌して含水トルエン（水分含有量＝５５０ｐｐｍ、以下にて同じ。）を調製した。この含水トルエン３９２ｇに、ＯＤＳ（Ｇｅｌｅｓｔ社製：純度９５％）２．６ｇ（６．６ｍｍｏｌ）を加えて室温で３０分撹拌した。次に、この溶液に触媒Ｎ−１を５．５ｇ滴下し、滴下終了後、室温で３時間撹拌して、有機薄膜形成用溶液ＳＢ−１を得た。
有機薄膜形成用溶液ＳＢ−１をＨＰＬＣにより分析した。このときのＨＰＬＣチャートを図２に示す。
図２中、横軸は保持時間（分）、縦軸はピーク強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示す。図２からわかるように、触媒Ｎ−１を使用してＯＤＳの加水分解を行った場合には、ＯＤＳの加水分解生成物としては、ｎ−オクタデシルジメトキシシラノール（ｎ−Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ（ＯＣＨ３）２（ＯＨ）しか検出されなかった。
実施例２４ 有機薄膜形成用溶液（ＳＢ―２）の製造
脱水トルエンにイオン交換水を加え、強く撹拌して含水トルエンを調製した。この含水トルエン３９３ｇに、ＯＤＳ（Ｇｅｌｅｓｔ社製：純度９５％）２．６ｇ（６．６ｍｍｏｌ）を加えて室温で３０分撹拌した。次に、この溶液に触媒Ｎ−２を４．１ｇ滴下し、滴下終了後、室温で３時間撹拌して溶液ＳＢ−２を得た。
実施例２５ 有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−３）の製造
脱水トルエンにイオン交換水を加え、強く撹拌して含水トルエンを調製した。この含水トルエン３９３ｇにｎ−オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）（Ｇｅｌｅｓｔ社製：純度９５％）２．６ｇ（６．６ｍｍｏｌ）を加えて室温で３０分撹拌した。次に、この溶液に触媒Ｍ−３を４．１ｇ滴下し、滴下終了後、室温で３時間撹拌して溶液ＳＢ−３を得た。
比較例９ 有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−４）の製造
触媒を加えない以外は、有機薄膜形成用溶液ＳＡ―１と同様にして、比較例９の溶液（ＳＢ−４）を得た。
比較例１０ 有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−５）の製造
有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−２）を２ヶ月保管し、シラノール量が検出限界未満（２０ｐｐｍ未満）になったものを、比較例１０の有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−５）とした。
有機薄膜形成用溶液の物性測定
上記で得た有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−１〜ＳＢ−５）の、水分量、ＯＤＳ量及びモノシラノール量を下記に示す方法により測定した。モノシラノール量の測定結果を第３表にまとめて示す。
（１）水分量の測定
電量滴定法カールフィッシャー水分計（ＣＡ−０７、（株）ダイアインスツルメンツ製）により測定した。実施例２３〜２５、比較例９，１０の有機薄膜形成用溶液中の水分含有量は全て４００〜５００ｐｐｍの範囲内となるように調整した。
（２）ＯＤＳ量、モノシラノール量の測定
高速液体クロマトグラム法（ＨＰＬＣ；東ソー（株）、ＬＣ８０２０）により測定した。
カラム： Ｍｉｇｈｔｙｓｉｌ ＲＰ−１８（Ｃ１８修飾）
移動相： アセトニトリル/ＴＨＦ=８５：１５ ｆｌｏｗ：１ｍＬ/ｍｉｎ 恒温槽：３５℃
モノシラノール量（％）は、式：モノシラノール量（面積比）／仕込みＯＤＳ量（面積比）×１００で求めた。
実施例２６〜３１、比較例１１、１２ 有機薄膜の形成
超音波洗浄及びオゾン洗浄したソーダライムガラス基板（ＳＬＧ）、無アルカリガラス基板（旭硝子（株）；ＡＮ１００、実施例）、シリコンウェハー（Ｓｉ）、及びステンレス基板（ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３０４）を、上記で得た有機薄膜形成用溶液（ＳＢ−１〜ＳＢ−５）中に、第３表に示す所定時間浸漬後引き上げ、トルエンで超音波洗浄した後に、６０℃で１０分間乾燥し、有機薄膜の形成を行った。
有機薄膜の評価
実施例２６〜３１、比較例１１、１２で得られた各有機薄膜の接触角測定、膜厚測定、結晶性の測定を下記の方法で行った。
（１）接触角の測定
前記と同様にして、各試料の表面にマイクロシリンジから水、トルエン又はテトラデカン（以下、「ＴＤ」と略す。）を５μｌ滴下した後、６０秒後に、接触角測定器（エルマ（株）製；３６０Ｓ型）を用いて測定した。
（２）膜厚の測定
得られた有機薄膜の膜厚を多入射角分光エリプソメーター（ウーラム社製）で測定した。膜厚は、実施例２６〜３１の有機薄膜のいずれの場合も約２〜２．５ｎｍであり、単分子膜であることが示唆された。一方、比較例１１、１２では、形成された有機薄膜の膜厚にバラツキが大きく、均一な膜厚の単分子膜が形成されていなかった。
（３）有機薄膜の結晶性の評価
実施例２６、実施例２８及び実施例２９で得られた有機薄膜の結晶性を薄膜Ｘ線回折装置（ＡＴＸ−Ｇ、ＲＩＧＡＫＵ社製）で測定した。測定結果を図３に示す。図３中、横軸は２θ／ω（°）を、縦軸はピーク強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ＣＰＳ））をそれぞれ示す。Ａは実施例２６のものを、Ｂは実施例２８のものを、Ｃは実施例２９のものをそれぞれ示す。図３より、実施例２６、２８、２９のいずれの有機薄膜も、格子面間隔０．４２±０．０２ｎｍの結晶性を有していることがわかる。
保存安定性試験
実施例２３で得た有機薄膜形成用溶液を密封し、室温で３０日間放置した。このときのＯＤＳ残存量とモノシラノール生成量を５日経過毎に測定した。測定結果を図４、図５に示す（図４、５中、黒丸印（●））。図４がＯＤＳ残存量の測定結果であり、図５がモノシラノール生成量の測定結果である。
また、比較用として、ＯＤＳをトルエンに溶解した溶液を３０日間密封保存し、同様にＯＤＳ残存量及びモノシラノール生成量を５日経過毎に測定した。測定結果を図４、図５に示す（図４、５中、黒三角印）。
図４、図５より、有機薄膜形成用溶液中の水分含有量を４００〜５００ｐｐｍに保持すると、ＯＤＳの残存量は時間の経過とともに減少するが、モノシラノール生成量はほぼ一定であることが分かる。また、ＯＤＳ残存量が２０％以下になると、モノシラノール生成量は減少する傾向にあることもわかった。
上記保存安定性試験に用いた実施例２３の有機薄膜形成用溶液の保存液の１０日経過後のもの、２０日経過後のもの、３０日経過後のもののそれぞれを用いて、実施例４と同様にしてＳＬＧ基板上に有機薄膜を形成した。得られた有機薄膜の水及びＴＤに対する接触角（°）をそれぞれ測定した。測定結果を図６に示す。また、比較用として、ＯＤＳをトルエンに溶解した溶液の保存液についても同様に測定した。
図６中、黒丸印（●）は実施例２３の有機薄膜形成用溶液の保存液から形成した有機薄膜の水に対する接触角（°）、白丸印（○）は実施例２３の有機薄膜形成用溶液の保存液から形成した有機薄膜のＴＤに対する接触角（°）、黒三角印は比較例のＯＤＳのトルエン溶液の保存液から形成した有機薄膜の水に対する接触角（°）、白三角印（△）は比較例のＯＤＳのトルエン溶液の保存液から形成した有機薄膜のＴＤに対する接触角（°）をそれぞれ表す。
図６から、実施例２３の有機薄膜形成用溶液の保存液から形成した有機薄膜の水及びＴＤに対する接触角は、実施例２６で形成した有機薄膜の水及びＴＤに対する接触角はほとんど変化がなかった。
以上の結果から、次のことがわかる。
（１）実施例２３の有機薄膜形成用溶液は、時間の経過とともにＯＤＳ残存量が減少するが、モノシラノール生成量はほぼ一定である。
（２）このことから、ＯＤＳが加水分解してモノシラノールが生成する反応は平衡反応であり、時間の経過とともにいくつかのモノシラノール分子が脱水縮合して高分子化するが、モノシラノールが消費された分だけ、ＯＤＳが加水分解してモノシラノールが生成すると考えられる。
（３）実施例２３の有機薄膜形成用溶液の保存液を使用する場合も、実施例２６の場合と同様に良好な有機薄膜が形成されることから、モノシラノール分子が脱水縮合した高分子（又はオリゴマー）は、有機薄膜の形成に悪影響を与えないと考えられる。
本発明の有機薄膜形成方法を用いると、不純物の少ない緻密な単分子膜を迅速に形成することができる。また、活性水素を含む基板を用いると、非結晶性の基板上においても、結晶性が高く、単分子で均質な化学吸着膜を成膜することができる。
本発明の有機薄膜形成方法により得られる有機薄膜は、化学吸着膜であって電気デバイス用等の設計パターンの形成に用いられ、電化製品、自動車、産業機器、鏡、眼鏡レンズ等の耐熱性、耐候性、耐摩耗性超薄膜コーティングを必要とする機器に好適に適用できる。
本発明の有機薄膜形成方法で化学吸着膜を形成する場合、電気デバイス用等の設計パターンの形成用に好適である。また、エレクトロニクス製品、特に電化製品、自動車、産業機器、鏡、眼鏡レンズ等の耐熱性、耐候性、耐摩耗性超薄膜コーティングを必要とする場合にも極めて容易に適用でき、産業上の利用価値は高いといえる。

Claims (11)

  1. 有機溶媒中で、下記式（Ｉ）で示される化合物である金属系界面活性剤（１）、
    金属酸化物、金属アルコキシド類、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物、シラノール縮合触媒及び酸触媒からなる群から選ばれる少なくとも１種である化合物（成分Ｂ）、
    を混合して得られる有機薄膜形成用補助剤と、
    下記式（ＩＩＩ）で示される化合物である金属系界面活性剤（２）と、
    から得られる有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程により、前記基板表面に有機薄膜を形成する有機薄膜形成方法であって、水分含量が５０〜１０００ｐｐｍになるように調整するか又は保持した有機薄膜形成用溶液を用いることを特徴とする有機薄膜形成方法。
    （式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数１０〜３０のハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは水酸基、置換基を有していてもよい炭素数１〜6のアルコキシ基、置換基を有していても良いアシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アミノ基またはアミド基を表し、ｍはＭの原子価を表す。ｎは１から（ｍ−１）の正整数を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ）が２以上のとき、Ｘは同一でも相異なっていてもよい。）
    （式中、Ｒ１１は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍ１は、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘ１は水酸基、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、置換基を有していても良いアシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アミノ基またはアミド基を表し、ｍ１はＭ１の原子価を表す。ｎ１は１から（ｍ１−１）の正整数を表し、ｎ１が２以上のとき、Ｒ１１は同一でも相異なっていてもよく、（ｍ１−ｎ１）が２以上のとき、Ｘ１は同一でも相異なっていてもよい。）
  2. 前記有機薄膜形成用補助剤が、有機溶媒中、前記金属系界面活性剤（１）、前記化合物（成分Ｂ）及び水を混合して得られることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜形成方法。
  3. 前記金属アルコキシド類又は金属アルコキシド類の部分加水分解生成物の金属が、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン及び鉛からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  4. 前記有機薄膜形成用補助剤が、前記金属系界面活性剤（１）を、前記化合物（成分Ｂ）1モルに対して、０．５〜８．０モル含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  5. 前記有機薄膜形成用補助剤が、前記金属系界面活性剤（１）を、前記化合物（成分Ｂ）１モルに対して、１．５〜３．０モル含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  6. 前記Ｘおよび前記Ｘ１が、炭素数１〜４のアルコキシ基又はアシルオキシ基であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  7. 前記有機薄膜形成用補助剤を、前記金属系界面活性剤（２）１モルに対して、前記有機薄膜形成用補助剤中の固形分が、酸化物換算モル数で０．００１〜１モルになる範囲で用いることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  8. 前記有機薄膜形成用溶液を基板と接触させる工程が、前記基板を前記有機薄膜形成用溶液中に浸漬させる工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  9. 前記有機溶媒が、炭化水素系溶媒又はフッ化炭素系溶媒であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
  10. 前記金属系界面活性剤（１）および（２）の加水分解性生物である下記式（ＶＩ）で表される水酸基含有化合物を２０〜２０００ｐｐｍ含有することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜形成方法。
    （式中、Ｒ１００は、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいハロゲン化炭化水素基、連結基を含む炭化水素基、又は連結基を含むハロゲン化炭化水素基を表し、Ｍは、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、チタン原子及びジルコニウム原子からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、Ｘは、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、置換基を有していても良いアシルオキシ基、ハロゲン原子、イソシアネート基、シアノ基、アミノ基またはアミド基を表し、ｎは、１から（ｍ−１）のいずれかの整数を表し、ｍはＭの原子価を表し、ｎが２以上のとき、Ｒ１００は同一であっても、相異なっていてもよく、（ｍ−ｎ−１）が２以上のとき、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）
  11. 前記Ｘが、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシル基又はアシルオキシ基であることを特徴とする請求項１０に記載の有機薄膜形成方法。
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