JP4333574B2 - 液晶表示装置ならびにその製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）で駆動するアクティブマトリクス型等の液晶表示装置ならびにその製造方法に関するものである。

液晶表示装置の製造工程、特にアクティブマトリクス型ＴＦＴ液晶パネルの製造工程において、ガラス基板のＴＦＴアレイ表面に接触して処理する工程は、パネル組立前のブラシ洗浄工程もしくはラビング工程である。ブラシ洗浄時は基板表面には表示画素となる透明導電膜が形成されており、また、ラビング時には基板表面の前記透明電極上に配向膜が形成されており、洗浄用ロールブラシもしくはラビング用ローラー布による基板表面との接触によって透明導電膜屑や配向膜屑、金属膜屑など異物が発生する。これらの異物が表示領域に混入した場合、電極間の短絡や液晶の配向を乱すなどにより欠陥となる。

上記問題点の対策、すなわちラビング時に発生する各種異物の表示領域への飛散防止策として、表示画素の周辺にダミー画素を形成し、ラビング用ローラー布の配向膜屑、金属膜屑をダミー画素とダミー画素周辺部との段差にて捕捉する技術（例えば特許文献１）や、配向膜の高さを一部高くした箇所を形成し、その段差にてラビング用ローラー布の配向膜屑や金属膜屑を捕捉する技術（例えば特許文献２）、配向膜非形成領域に絶縁膜で凹凸部を形成し、その溝部にてラビング用ローラー布に付着した異物、金属膜屑、配向膜屑を捕捉する例がある（例えば特許文献３）。

特開平９−４３６２９号公報（８頁,図４） 特開２００４−２４０１４２号公報（１１頁,図２） 特開２００１−３１８３８０号広報（５頁,図２）

表示画素の周辺にダミー画素を形成した従来例においては、ダミー画素のガラス基板からの高さは透明導電膜の高さと同一であり、配向膜形成の前工程として、基板の表面を洗浄するブラシ洗浄工程で発生する透明導電膜屑の除去は十分ではなく、また透明導電膜はダミー画素にも形成されているため、ブラシ洗浄やラビング時にダミー画素から発生する透明導電膜屑に関しては、かえって逆効果となってしまう。

また、配向膜で段差を形成する従来例においても、配向膜形成より前に行う基板のブラシ洗浄工程で発生する透明導電膜屑の除去については配慮されていない。また、表示領域の配向膜の厚みより高い配向膜を周辺領域に形成した場合、ラビング時に剥がれたり、欠けたりして配向膜屑が発生する可能性がある。

また、配向膜外部に凹凸状の異物除去部を形成しラビング用ローラー布の繊維屑や布に付着した異物、配向膜屑を捕捉する場合においても、透明導電膜屑は配向膜塗布部でも発生するため完全には除去できない。さらに透明導電膜屑は、ラビング用ローラー布の繊維屑や配向膜屑と異なり水または有機溶剤による洗浄および超音波による洗浄でも除去が困難である。さらに、クロム膜と絶縁膜から構成される凹凸状の異物除去部は、現状の一般的な製造技術で製造すると、その高さが前記表示領域の平均高さより低くなってしまい、前記ブラシ洗浄工程における異物捕捉効果が十分ではない。また、前記凹凸状の異物除去部を形成するためには、凹凸を形成するための追加の工程が必要になり製造コスト上昇の要因となる。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ブラシ洗浄により生じた透明導電膜屑を表示領域外で塞き止め捕捉することができ、透明導電膜屑が隣接画素間や対向電極基板と短絡して生じる欠陥をなくす製造方法を得ることを目的としている。さらに、新たな工程の追加なしに、ラビング時に発生する異物が表示領域内へ飛散することを防止することを目的とする。

本発明に係る液晶表示装置は、マトリクス状の表示領域内にＴＦＴアレイとこのＴＦＴアレイに駆動され画素部を構成する導電膜を有する第一の基板に、第二の基板が間隙を有して貼り合わされ、前記間隙中に液晶を狭持してなる液晶表示装置であり、前記第一の基板上であって前記表示領域の外縁領域の少なくとも一部に前記ＴＦＴアレイを構成する複数の材料と同一の材料により形成された障壁を備えており、この障壁は前記表示領域の外縁領域と比べて段差を有することを特徴とする。

ＴＦＴアレイ基板にＴＦＴアレイを形成すると同時にＴＦＴアレイを構成する複数の材料と同一の材料により障壁を形成するので、前記表示領域の平均高さより高い前記障壁を形成することができ、ブラシ洗浄工程およびラビング工程時、十分な異物捕捉効果を得ることができる。さらに前記障壁を形成するための追加の工程が不要となる。

実施の形態１．
液晶表示装置の製造方法に本発明を採用した一例を以下に説明する。図１は本発明の実施の形態１に係る製造方法によって製造された液晶表示装置の平面図を表している。図１に記載の液晶表示装置１において、第一の基板３（以下ＴＦＴアレイ基板と称する）は、ガラス基板４２、表示領域２、障壁６で構成されている。前記表示領域２は前記ガラス基板４２上に形成されたゲート線４とソース線５で区切られた画素部およびそれを駆動するＴＦＴアレイでマトリックス状に構成されており、前記表示領域２を周回する障壁６と、図示しない液晶を封止するためのシール７で囲まれている。また前記ＴＦＴアレイ基板３と図示しない第二の基板（以下対向基板と称する）は、シール７によって適切な間隙を持って液晶を狭持している。

液晶駆動回路はＴＦＴアレイ基板３上にＣＯＧ（チップ・オン・グラス）実装されたソースドライバ８およびゲートドライバ９、これらのソースドライバ８およびゲートドライバ９に表示信号１０と制御信号１１を供給する制御基板１２から構成され、前記ソースドライバ８およびゲートドライバ９の出力は端子部領域１３および１４を介してソース線５およびゲート線４と接続される。

図１において、鎖線で囲まれた画素部および障壁を含む区域１５は、表示領域２を構成する図の左端列の画素部と障壁６にて構成されており、その拡大図を図２に示す。図２において、１６はマトリックス状の表示領域２を構成する画素部であり、液晶に電圧を印加する透明導電膜で構成されている。この実施の形態では、液晶表示装置１として一般的な透過型液晶表示装置を一例として説明する。画素部１６を構成する透明導電膜としてＩＴＯ（インジュウム・ティン・オキサイド）を採用した。以下、この透明導電膜をＩＴＯと称する。また、画素部１６はＴＦＴ１７のドレイン電極１８とコンタクトホール１９を通じて導通され、ＴＦＴ１７によって駆動される。また、障壁６は表示領域２の図２の最左端のソース線５から所定の距離を置いて図２の上下方向に延びて配置され、全体として図１で示したように、表示領域２を取り囲む。

障壁６、ＴＦＴ１７およびコンタクトホール１９の断面構成例として、図２に記載のＡ−Ａ間の断面図を図３に示した。図３において、ＴＦＴ１７は一般的な逆スタガ型トランジスタであり、前述したようにドレイン電極１８はコンタクトホール１９にて画素部１６のＩＴＯ膜１６１と接続されている。障壁６は、下層から順にゲート層２０またはゲート線４、ゲート絶縁膜２１、半導体層２２、ソース／ドレイン層２３、保護膜２４から構成され、最上層は保護膜２４であり、画素部１６を構成するＩＴＯ膜１６１は形成しない。ここで障壁６のゲート層２０は図２のゲート線４およびＴＦＴ１７のゲート層２０と同層であり、同一金属をもって同時に形成される。また、障壁６のゲート絶縁膜２１、半導体層２２は、それぞれＴＦＴ１７のゲート絶縁膜２１、半導体層２２と同一材料であり同時に形成される。同様に、障壁６のソース／ドレイン層２３は、ソース線５、ドレイン電極１８およびＴＦＴ１７のソース／ドレイン層２３と同層であり、同一金属をもって同時に形成される。

また、図２に示すように、ゲート線４と障壁６との交差部２５においては、ゲート層２０がゲート絶縁膜２１でゲート線４と分離されており、隣接ゲート線同士の短絡を防止している。また、ゲート線４は、交差部２５において、その他の部分と比較して細線化されており、交差部におけるゲート線４の浮遊容量増加を防止している。

次に上記断面構造を有した障壁６とＴＦＴ１７を形成したＴＦＴアレイ基板３の製造方法について、製造工程順に図をもって説明する。先ず図４に示すように、ガラス基板４２の表面にゲート線４とＴＦＴ１７のゲート電極および障壁６の最下層を構成するゲート層２０を同時に同一材料で成膜、エッチングする。次に図５に示すようにゲート絶縁膜２１を形成後、図６のごとく半導体膜２２を同時に同一材料で成膜、エッチングする。次に図７に示すようにソース線５、ＴＦＴ１７のソース電極、ドレイン電極１８を構成するソース／ドレイン層２３を前記半導体膜２２の上面に、同時に同一材料で成膜、エッチングする。その後ソース／ドレイン層２３をマスクとして半導体膜２２の上面を凹状に一部エッチングし、ＴＦＴ１７のチャンネル２２１を形成する。次に図８に示す保護膜２４をそれらの上面に形成し、次に図９に示すレジスト２６を塗布し、これを露光現像し、図１０に示すコンタクトホール１９と障壁６をエッチングするためにレジストの不要な部分を除去する。このレジスト２６をマスクとしてゲート絶縁膜２１および保護膜２４の露出部を一括エッチングし除去する。

上記工程により図１０に示す障壁６およびＴＦＴ１７が同時に同一の構成材料のより形成される。その後、図１１のコンタクトホール１９の上部および画素部１６部のみにＩＴＯ膜１６１を成膜、エッチングし、ＴＦＴ１７のドレイン電極１８とＩＴＯ膜１６１からなる画素部１６が接続される。障壁６の上にはＩＴＯ膜を形成しない。

ここで前記ゲート層２０、ソース／ドレイン層２３は、金属膜（Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ等）をＣＶＤ法やスパッタ法を用いてガラス基板４２上に成膜する。また、ゲート絶縁膜２１と保護膜２４は、一般に窒化珪素（ＳｉＮ）が使用される。

上記工程により形成した障壁６の高さは、１．５μｍ〜２μｍ程度であり、ＴＦＴ１７とほぼ同一であるが、表示領域２の大部分を占める画素部１６と比較するとゲート層２０および半導体膜２２の分だけ高くなっている。画素部１６のＩＴＯ膜１６１は０．１μｍ以下と薄いため、これを加えても十分障壁６が高くなる。障壁６の幅はその最大値として液晶表示装置１の外形制約上許容される範囲で自由に設定でき、また最小値はロールブラシ洗浄に耐えうる剥離強度を有する必要があるため、通常５μｍ以上に設定する。

以上のようにＴＦＴアレイ基板製造工程で障壁６をＴＦＴアレイと同時に、かつ同一金属膜をもって形成することにより、簡便かつ追加工程無しに表示領域２の平均高さより高い障壁をその周囲に形成することができる。

次に、以上のような工程で製造したＴＦＴアレイ基板３は、その後、前述したパネル組立工程に投入される。パネル組立工程の工程順としては、一般に配向膜塗布、ラビング、シール塗布、対向基板との重ね合わせ、シール硬化、液晶注入、注入口封止の順で流動される。ここでパネル組立工程の最初の工程、すなわち配向膜塗布工程の前工程として、ＴＦＴアレイ基板３の保管の際に付着したゴミや異物を除去するため、ブラシ洗浄が施される。ブラシ洗浄では一般に回転するロールブラシが使用される。

図１２に前述したブラシ洗浄工程にて一般に使用されるロールブラシ２７の動きおよび異物２８の移動の様子を示している。同図において、ロールブラシ２７は最初に表示領域２の周辺領域に接し、その後表示領域２に向かって進行する。ここで、異物２８は、ロールブラシ２７の回転および移動方向２９により、間隙３０で示した場所すなわちロールブラシ２７とＴＦＴアレイ基板３の間隙に一旦掃き寄せられ、移動方向３１で示す方向すなわち表示領域２の外側から障壁６へ向かう方向に移動する。異物２８は、直前にブラシ洗浄を処理したＴＦＴアレイ基板３の画素部１６から剥離したＩＴＯ屑がロールブラシ２７に付着していた物や、洗浄処理中の基板エッジ部から剥離したＩＴＯ屑や他の金属膜屑などが主な構成要素であり、その大きさは、０．０２μｍ〜０．０５μｍ程度である。前述したように障壁６の高さは、１．５μｍ〜２μｍ程度であり、前記周辺領域に形成されているため、異物２８は先ず障壁６の段差によって塞き止められ、捕捉異物３２に示すごとく障壁６の左側側壁に捕捉される。障壁６で異物を除去されたロールブラシ２７は、その後さらに移動方向２９で示した方向に進み、表示領域２を洗浄する。

ここで仮に障壁６が形成されていないとすると、図示したように凝集して大型化した異物２８が表示領域２内に飛散してしまう。ここでＴＦＴ１７の高さは障壁６とほぼ同一であるが、透過率を上げるため画素部１６の左下角に可能な限り小さなサイズで形成されるため、異物２８の塞き止め効果は期待できない。したがって、間隙３０で示した場所に凝集して大型化した導電性の異物２８が画素部１６上に飛散する可能性が高い。凝集した異物２８が表示領域２内に飛散すると、画素部１６と対向電極間で短絡を起こしたり、隣接した画素部１６同士で短絡したりして、画素欠陥の原因となる。

また、ブラシ洗浄工程においてロールブラシ２７をＴＦＴアレイ基板３に押し当てる圧力は、表示領域２が十分洗浄され且つ画素部１６のＩＴＯ膜剥がれが発生しにくい条件を勘案して設定される。上記押圧を上げ過ぎる、すなわちガラス基板４２とロールブラシ２７の間隔を狭くし過ぎるとＩＴＯ膜剥がれが増加する。本実施の形態では図３で示したように、障壁６の構成としてＴＦＴアレイ基板３を構成する複数の材料を用いて、障壁６を表示領域２の平均高さより高く形成しており、異物２８の捕捉が容易である。また、異物２８は、前述したように０．０２μｍ〜０．０５μｍ程度の大きさである。障壁６は上記のように形成されているため、掃き寄せられた異物２８の大部分を捕捉異物３２のごとく捕捉することができる。

また、前述したように障壁６上にはＩＴＯ膜を形成していないので、表示領域２の平均高さより高く形成されていてもブラシ洗浄工程で障壁６表面からＩＴＯ膜がはがれて、その後の表示領域に滞留する問題点も無い。

次に、ラビング工程における障壁６の作用について説明する。前記したパネル組立工程において、ラビング工程前に配向膜塗布工程があり、本実施の形態では図１３に示すとおり表示領域２ばかりでなく障壁６の上部にも配向膜３３を形成する。該配向膜３３は、配向膜塗布工程で形成する。すなわち配向膜の塗布範囲を決める転写版に表示領域２を取り囲む障壁６のパターンを付加だけで容易に実現することができる。配向膜３３を塗布した後も障壁６の高さは、画素部１６より少なくとも高く形成されており、異物捕捉効果を高めることが可能となる。

ここで、ラビング工程のおける異物捕捉の様子について説明する。図１２におけるロールブラシ２７をラビング用ローラー布に置き換えて考えることができる。図１４に前述したラビング工程におけるラビング用ローラー布３４の動きおよび異物３５の移動の様子を示している。同図において、ラビング用ローラー布３４は最初に表示領域２の周辺領域に接し、その後表示領域２に向かって進行する。ここで、異物３５は、ラビング用ローラー布３４の回転および移動方向３６により、間隙３７で示した場所すなわちラビング用ローラー布３４とＴＦＴアレイ基板３の間隙に一旦掃き寄せられ、移動方向３８で示した方向すなわち表示領域２の外側から障壁６へ向かう方向に移動する。

異物３５は、直前にラビング工程を処理したＴＦＴアレイ基板３の画素部１６から剥離した配向膜屑がラビング用ローラー布３４に付着していた物や、基板エッジ部から剥離した金属膜屑や配向膜屑などが主な構成要素であり、その大きさは、０．１５μｍ〜０．２μｍ程度であり、凝縮した塊が表示領域２に飛散すると短絡や配向不良による白点不良の原因になる。しかし前述したように障壁６の高さは、１．５μｍ〜２μｍ程度であり、前記周辺領域に形成されているため、異物３５は先ず障壁６の段差によって塞き止められ、捕捉異物３９に示すごとく障壁６の側壁の左側面に捕捉される。障壁６で異物３５を除去されたラビング用ローラー布３４は、図示した方向に回転しながら更に移動方向３６で示した方向に進み、表示領域２の配向膜に接触し、ラビング処理を施す。

このように表示領域２の周辺領域に障壁６を形成することにより、ラビング工程においても異物３５を捕捉することが可能となり、表示不良の発生を抑えることができる。

上記の実施の形態では、図１に示すように障壁６は表示領域２を取り囲んでおり、図の横方向においてはゲート線４の端子部領域１４と表示領域２の間に位置し、図２に示すように障壁６とゲート線４が交差する箇所でゲート線４とゲート層２０を分離することにより隣接ゲート線同士の短絡を防止する。同様に図の縦方向において障壁６はソース線５の端子部領域１３と表示領域２の間に位置し、障壁６とソース線５が交差する箇所でソース線５とソース／ドレイン層２３を分離することにより隣接ソース線同士の短絡を防止する。また、障壁６を端子部領域１３および１４と表示領域２の間に設置しているので、この間の空き領域を有効に活用して障壁６の設置によるＴＦＴアレイ基板３の大型化を回避することができる。また、障壁６とゲート線４またはソース線５とを上記のように交差させることにより、表示領域２の極近傍に障壁６を形成することも可能となり、この間で発生する異物を押さえることもできる。

また、上記では障壁６は表示領域２を取り囲んでいたが、工程でブラシ洗浄やラビングの方向が予め決まっており、その方向の変更の可能性が無いのであれば、表示領域２の図にて縦方向あるいは横方向、または両方に形成することが可能であり、また、設計上可能であれば表示領域２の上下左右に複数本形成可能であり、本実施の形態１と同様の効果があることは明白である。

また、本実施の形態１では障壁６は表示領域の周囲を直線で取り囲んだ形状として説明したが、異物の捕捉が可能であれば、特に直線である必要は無く、設置の領域が設計上確保可能であれば、ジグザグ形状や方形波状その他の形状においても、本実施の形態１と同様の異物捕捉の効果がある。

また、図１にて障壁６は、表示領域２とシール７の間に形成したが、表示領域２の外側の周辺領域であればよく、シール７の外部であっても問題は無く特に場所を問わない。

さらに、本実施の形態１では、画素部１６の導電膜材料として透過性のあるＩＴＯ金属膜を使って説明したが、これに限定されるわけではなく、その他の導電性材料であってもよい。例えば液晶表示装置１が反射型表示装置の場合、画素部１６を構成する導電膜としてアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）など高反射率の非透過性の金属が採用される。さらには、画素部１６を非透過性の金属と透過性金属に分割して（半透過型表示装置の場合）形成した場合であっても、本実施の形態１と同様に異物捕捉の効果があることは明白である。

実施の形態２．
上記実施の形態１においては、図９のレジスト２６の形状および図３の断面構造から明らかなように、障壁６の側面は、ゲート層２０、半導体層２２、ソース／ドレイン層２３など金属層が露出している。

しかし、金属が側壁面に露出していると、使用する金属膜の種類によっては液晶中の微小な水分などの浸透による金属腐食に対する耐性が低下することが考えられる。この場合、
図１５の障壁６の断面図に示した通り、障壁６の側壁面にゲート絶縁膜２１と保護膜２４を残した構造にすることにより、腐食耐性を向上することができる。これは、図１６のレジスト２６の形状に示した通り障壁６の上部のレジストで覆われた区域を広げることにより容易に実現することができる。その他のＴＦＴ１７や障壁６の製造工程や、図１２に示したブラシ洗浄工程の様子は実施の形態１と同様であり、その他の製造工程の説明はこれを省略する。

前述したように、障壁６の側壁面のゲート絶縁膜２１と保護膜２４を残し構造とした場合、障壁６の断面形状は多少台形型となる。前述したように障壁６をシール７の外部に設置する場合や、ＴＦＴアレイ基板を製造してから、パネル組立工程に投入するまでの保管が長期間になる場合など、障壁６が外気触れる時間が長い場合の腐食予防策として有効である。

実施の形態３．
図１７に、一枚のガラス基板４２よりなるＴＦＴアレイ基板を複数の表示領域で区分してＴＦＴアレイを一括形成し、パネル工程が完了した後に分断して複数の液晶表示装置を得る方法において、前記障壁６を形成して、異物を捕捉する実施の形態を示す。同図において表示領域２は一枚のガラス基板４２に４面割り付けられており、予め決められた複数の縦切断線４０および横切断線４１でＴＦＴアレイ基板および対向基板を分断すれば、同一仕様の液晶表示装置を複数組み立てることができる。

図１７において、縦切断線４０と横切断線４１で囲まれた４つの表示領域２の境界域および最外周に実施の形態１と同様の方法で障壁６を形成する。以上のように本実施の形態３においても、前記障壁６は表示領域２の周辺部に形成されるので、実施の形態１と同様にパネル組立工程における前記ブラシ洗浄工程で異物を捕捉することができる。

この場合、障壁６は液晶表示装置を組み立てる際に分断され廃棄されるので、液晶表示装置１内には残らない。

本発明に係る実施の形態１ないし２における液晶表示装置の構成図である。 本発明に係る実施の形態１ないし２における画素部および障壁の平面図である。 本発明に係る実施の形態１における画素部および障壁の断面図である。 本発明に係る実施の形態１ないし２におけるゲート層およびゲート線形成工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１ないし２におけるゲート絶縁膜形成工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１ないし２における半導体膜形成工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１ないし２におけるソース／ドレイン層形成、エッチングおよび半導体膜エッチング工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１ないし２における保護膜形成工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１における保護膜およびゲート絶縁膜エッチング用レジスト塗布、エッチング工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１における保護膜およびゲート絶縁膜エッチング工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１におけるＩＴＯ形成工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１または２におけるブラシ洗浄工程の模式図である。 本発明に係る実施の形態１における配向膜形成工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態１または２におけるラビング工程の模式図である。 本発明に係る実施の形態２における画素部および障壁の断面図である。 本発明に係る実施の形態２における保護膜およびゲート絶縁膜エッチング用レジスト塗布、エッチング工程後の断面図である。 本発明に係る実施の形態３における分割された表示領域の間に障壁を設置した場合の平面図である。

符号の説明

１ 液晶表示装置、２ 表示領域、３ ＴＦＴアレイ基板、４ ゲート線、５ ソース線、６ 障壁、１３ 端子部領域、１４ 端子部領域、１６ 画素部、１７ ＴＦＴ、１８ ドレイン電極、１９ コンタクトホール、２０ ゲート層、２１ ゲート絶縁膜、２２ 半導体層、２３ ソース／ドレイン層、２４ 保護膜、２６ レジスト、２７ ロールブラシ、２８ 異物、３０ ロールブラシとガラス基板間の間隙、３２ 捕捉異物、３３ 配向膜、３４ ラビング用ローラー布、３５ 異物、３７ ラビング用布とガラス基板間の間隙、３９、捕捉異物、４０ 縦切断線、４１ 横切断線

Claims (7)

1. マトリクス状の表示領域内にＴＦＴアレイとこのＴＦＴアレイに駆動され画素部を構成する導電膜を有する第一の基板に、第二の基板が間隙を有して貼り合わされ、前記間隙中に液晶を狭持してなる液晶表示装置において、前記第一の基板上であって前記表示領域の外縁領域の少なくとも一部に前記ＴＦＴアレイを構成する複数の材料と同一の材料により形成された障壁を備え、
   該障壁は前記表示領域の外縁領域と比べて段差を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記障壁を構成する材料として、前記導電膜を含まないことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記障壁は側壁面にゲート絶縁膜または保護膜を有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. ガラス基板面から前記障壁上の配向膜面の高さは、前記表示領域の配向膜面の平均高さより高く形成されたこと特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
5. 区分された複数のマトリクス状の表示領域を備えた前記第一の基板に、前記各表示領域を区分する境界に前記障壁を形成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
6. 前記第一の基板は、前記表示領域の外側に配置する液晶駆動回路を接続する端子部領域と前記表示領域との間に位置し、かつ前記ＴＦＴアレイの隣り合うゲート駆動用配線の間隙または隣り合うソース駆動用配線の間隙の少なくとも一方に前記障壁を形成したことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記ＴＦＴのソースまたはドレイン電極と前記画素部とを接続するコンタクトホールを形成すると同時に、前記障壁の外形をエッチングするコンタクトホール形成工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

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